第5章 非平衡载流子
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第五章 非平衡载流子第五章 Part 1 5.1 非平衡载流子的注入、寿命和准费米能级 5.2 复合理论 5.3 陷阱效应 5.4 非平衡载流子的扩散运动 5.5 5 5 爱因斯坦关系 系 5.6 5 6 连续性方程5.1 非平衡载流子的注入、 5 1 非平衡载流子的注入 寿命和准费米能级一、非平衡载流子的产生1、热平衡态和热平衡载流子 1 热平衡态和热平衡载流子热平衡态: 热平衡态 没有外界作用 半导体材料有统 的温度 和确定的载 没有外界作用,半导体材料有统一的温度,和确定的载 流子浓度。
热平衡时,电子和空穴的产生率等于复合率。
在非简并情况下: 在非简并情况下⎛ Eg n0 p0 = Nc Nv exp ⎜ − ⎝ k0T⎞ 2 ⎟ = ni ⎠该式是非简并半导体处于热平衡状态的判据式一、非平衡载流子的产生2、非平衡态和非平衡载流子 2 非平衡态和非平衡载流子若对半导体材料施加外界作用,其载流子浓度对热平衡态下的载流 子浓度发生了偏离,这时材料所处的状态称为非平衡状态。
n0光照Δn非平衡 电子p0Δp非平衡 空穴非平衡态半导体中电子浓度n= n0 + Δn ,空穴浓度p= p0 + Δp 。
一、非平衡载流子的产生3、非平衡载流子的产生——注入(injection) 3 非平衡载流子的产生 注入(i j ti )光注入: 光照使价带电子激发到导带产生电子-空穴对:Δn= Δp 光注入的条件:hυ ≥ Eg利用金属—半导体接触或利用pn结的正向工作 电注入: 利用金属 半导体接触或利用 结的正向工作 注 的程度 注入的程度: 小注入:n0>>Δn ,但Δn >> p0 ,Δp >> p0 半导体物理主要研究小注入,此时非平衡少子更重要 大注入:Δn 大注入 Δ ~ n0 , Δ p0或 Δ > n0, Δ >n0 Δp~ Δn Δp一、非平衡载流子的产生4、光电导n0光照ΔnΔn = ΔpΔσ = Δnqμn + Δ pqμ p qμΔp pp0σ = ( n0 qμn + p0 qμ p ) + ( Δnqμn + Δ pqμ p ) = σ 0 + Δσ二、非平衡载流子的弛豫现象和寿命1、非平衡载流子的弛豫现象 1 非 的 豫 象存在外界注 条件时 存在外界注入条件时: 产生率>复合率 产生非平衡载流子 进入非平衡态Δn,Δ Δσ撤销外界注入条件时: 复合率>产生率 非平衡载流子逐渐消失 恢复到热平衡态 恢复 衡 n,p随时间变化的过程,称为弛豫过程二、非平衡载流子的弛豫现象和寿命2、非平衡载流子的寿命非平衡载流子的平均生存时间称为非平衡载流子的寿命。