氢核的化学位移

质（通常以TMS作为基准物质）的谱峰位置作为核 磁谱图的坐标原点。 抗磁屏蔽：原子核外的电子在外加 磁场的感应下产生抗磁场，使原子 核实受磁场稍有降低，故此屏蔽称 为抗磁屏蔽。设以固定的电磁频率 扫描磁场强度的方式作图，横坐标 由左至右表示磁场强度增加的方向。 若某一官能团的氢核抗磁屏蔽较大， 则所需磁场强度更强，故可推断出 此谱线在其他官能团谱线的右方 （即相对高场的位置）。即谱线为 的场强为右高左低
在有机化合物中，氢核受核外电子的屏蔽作用， 使其共振频率发生变化，即引起共振吸收峰的 位移，这种现象称为化学位移。（不同的氢核， 所处的化学环境不同，化学位移的值也不相 同。）
2、化学位移的表示方法
如定义中所提到的，不同的氢核，所处的化学环境 不同，出峰位置也不同，其峰的位置不便精确测定，
故在试验中采用某一标准物质作为基准，以基准物
如图，苯上的六个π电子产生较强的感应磁场，H位于 去屏蔽区，处于低场。 化学位移为6.8-8.
3、影响化学位移的因素
3.4、氢键的影响
键合在杂原子（N、O等）上的 质子易形成氢键。氢键质子相 比于没有形成氢键的质子有较 小的屏蔽效应，共振吸收峰出 现在低场。
3.5、温度的影响 温度：大多数信号的共振位置受温度影响很小，但-OH、-NH和-SH在升高温度时形 成氢键的程度降低，化学位移移向高场。 3.6、溶剂效应 溶剂效应：溶剂的磁各向异性和溶质与溶剂之间形成氢键将对溶质中不同位置的 氢核的化学位移产生影响。
3.3、磁各向异性 屏蔽区：感应磁场与区域。
如图，双键的H处于去屏蔽区，故其处于低场。 化学位移为4.5-5.1
3、影响化学位移的因素
3.3、磁各向异性
如图，三键是直线构型，H所处感应磁场方向与外磁场 方向相反，处于屏蔽区，故其处于高场。 化学位移为2-3.

目录
1
化学位移的产生
2
化学位移的表示方法
3
影响化学位移的因素
4
常见基团的化学位移
5
例题分析
1、化学位移的产生
电子屏蔽效应
氢核周围存在不断运动着的电子，在外磁场的 作用下，运动着的电子产生一个会与外磁场方 向相反的感应磁场，抵消了部分外磁场的作用， 使核受到的外磁场作用减小，起到屏蔽作用。
在有机化合物中，氢核受核外电子的屏蔽作用， 使其共振频率发生变化，即引起共振吸收峰的 位移，这种现象称为化学位移。（不同的氢核， 所处的化学环境不同，化学位移的值也不相 同。）
诱导效应是通诱过导成键效电应子是沿键通轴过方成向传键递电的子，取沿代键基轴距离方越向远传，诱递导的效，应越取弱代。基距离越远，诱导效应越弱。
与质子相连元素的电负性越强，吸电子作用越强，质子周围的电子云密度越小，屏蔽作用减弱，信号峰在低场出现。 如图，苯上的六个π电子产生较强的感应磁场，H位于去屏蔽区，处于低场。 多取代基对化学位移的影响。 氢键质子相比于没有形成氢键的质子有较小的屏蔽效应，共振吸收峰出现在低场。 3、影响化学位移的响化学位移的因素
3.3、磁各向异性
如图，三键是直线构型，H所处感应磁场方向与外磁场 方向相反，处于屏蔽区，故其处于高场。 化学位移为2-3.
如图，苯上的六个π电子产生较强的感应磁场，H位于 去屏蔽区，处于低场。 化学位移为6.8-8.
3、影响化学位移的因素
3.4、氢键的影响
键合在杂原子（N、O等）上的 质子易形成氢键。氢键质子相 比于没有形成氢键的质子有较 小的屏蔽效应，共振吸收峰出 现在低场。
计算方程式
如图，三键是直线构型，H所处感应磁场方向与外磁场方向相反，处于屏蔽区，故其处于高场。 与质子相连元素的电负性越强，吸电子作用越强，质子周围的电子云密度越小，屏蔽作用减弱，信号峰在低场出现。 屏蔽区：感应磁场与外磁场方向相反的区域；

核磁共振氢谱(化学位移)核磁共振氢谱 (PMR或1HNMR)核磁共振技术是20世纪50年代中期开始应用于有机化学领域，并不断发展成为有机物结构分析的最有用的工具之一。

它可以解决有机领域中的以下问题：（1）结构测定或确定，一定条件下可测定构型和构象；（2）化合物的纯度检查；（3）混合物分析，主要信号不重叠时，可测定混合物中各组分的比例；（4）质子交换、单键旋转、环的转化等化学变化速度的测定及动力学研究。

NMR的优点是：能分析物质分子的空间构型；测定时不破坏样品；信息精密准确。

NMR通常与IR并用，与MS、UV及化学分析方法等配合解决有机物的结构问题，还广泛应用于生化、医学、石油、物理化学等方面的分析鉴定及对微观结构的研究。

一、基本概念核磁共振（简称为NMR）是指处于外磁场中的物质原子核系统受到相应频率（兆赫数量级的射频）的电磁波作用时，在其磁能级之间发生的共振跃迁现象。

检测电磁波被吸收的情况就可以得到核磁共振波谱。

因此，就本质而言，核磁共振波谱是物质与电磁波相互作用而产生的，属于吸收光谱（波谱）范畴。

根据核磁共振波谱图上共振峰的位置、强度和精细结构可以研究分子结构。

发展1．1946 年斯坦福大学的F. Bloch 和哈佛大学E.M .Purcell领导的两个研究组首次独立观察到核磁共振信号，由于该重要的科学发现，他们两人共同荣获1952 年诺贝尔物理奖。

NMR发展最初阶段的应用局限于物理学领域，主要用于测定原子核的磁矩等物理常数。

2．1950 年前后W .G. Proctor等发现处在不同化学环境的同种原子核有不同的共振频率，即化学位移。

接着又发现因相邻自旋核而引起的多重谱线，即自旋—自旋耦合，这一切开拓了NMR 在化学领域中的应用和发展。

3．20 世纪60 年代，计算机技术的发展使脉冲傅里叶变换核磁共振方法和谱仪得以实现和推广，引起了该领域的革命性进步。

随着NMR 和计算机的理论与技术不断发展并日趋成熟，NMR 无论在广度和深度方面均出现了新的飞跃性进展，具体表现在以下几方面：1）仪器向更高的磁场发展，以获得更高的灵敏度和分辨率，现己有300、400、500、600MHz，甚至1000MHz的超导NMR 谱仪；2）利用各种新的脉冲系列，发展了NMR 的理论和技术，在应用方面作了重要的开拓；3）提出并实现了二维核磁共振谱以及三维和多维核磁谱、多量子跃迁等NMR 测定新技术，在归属复杂分子的谱线方面非常有用。

残余溶剂峰 水峰 CHCl3 (CH3 )2 CO (CH3 )2 SO C6 H6 CH3 CN CH3 OH
brs
s s s s s
1.56 7.26 2.17 2.62 7.36 2.10 3.49 1.09 8.62 7.29 7.68 2.05 4.12 1.26 5.30 0.88 1.26 1.25 3.72
醛基 -CO-H 羟基 R-OH 其它质子 Ar-OH
9.0~10.0 ppm 0.5~1.0ppm （稀溶液） 4~ 5.5 ppm （浓溶液） 3.5~7.7 ppm 10~16 ppm（分子内氢键）
-COOH
10.5~13 ppm
影响δ 值的因素
A. 电子效应 (1) 诱导效应 a 电负性 电负性强的取代基使氢核外电子云密度降低，其共振吸收向低场位移， δ 值 增大 b.多取代有加和性 c.诱导效应通过成键电子传递，随着与电负性取代基 距离的增大，诱导效应的 影响逐渐减弱，通常相隔 3 个以上碳的影响可以忽略不计 （2）.共轭效应 氮、氧等杂原子可与双键、苯环共轭。 苯环上的氢被推电子基取代， 由于 p- π 共轭,使苯环电子云密度增大, δ 值向高场 移动 苯环上的氢被吸电子基取代， 由于 p- π 共轭或π - π 共轭,使苯环电子云密度 降低, δ 值向低场移动 (3). 场效应 在某些刚性结构中,一些带杂原子的官能团可通过其电场对邻近氢核施加影响,使 其化学位移发生变化.这些通过电场发挥的作用称为场效应 (4). 范德华(Van der Waals)效应 在某些刚性结构中,当两个氢核在空间上非常接近，其 外层电子云互相排斥使核 外电子云不能很好地包围氢核，相当于核外电子云密度降低，δ 值向低场移动 B.邻近基团的磁各向异性 某些化学键和基团可对空间不同空间位置上的质子施加不同的影响， 即它们的屏 蔽作用是有方向性的。磁各向异性产生的屏蔽作用通过空间传递，是远程的。 （1）芳环 在苯环的外周区域感应磁场的方向与外加磁场的方向相同（顺磁屏蔽） ，苯环 质子处于此去屏蔽区，其所受磁场强度为外加磁场和感应磁场之和， δ 值向低场 移动。 （2）双键 >C=O, >C=C<的屏蔽作用与苯环类似。在其平面的上、下方各有一个锥形屏蔽区 （ “+” ） ，其它区域为去屏蔽区。 （3）三键

影响化学位移的因素
5. 氢键：分子形成氢键后，氢核周围的电子云密度降低， 产生去屏蔽作用，化学位移向低场移动，增大。
6. 温度：大多数信号的共振位置受温度影响很小，但-OH, -NH和-SH在升高温度时形成氢键的程度降低，化学位移 移向高场，降低。 7. 溶剂效应：溶剂的磁各向异性和溶质与溶剂之间形成 氢键将对溶质中不同位置的氢核的化学位移产生影响。
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核磁共振氢谱(1H-NMR)
——化学位移(chemical shifts)
Produced by Jiwu Wen
内容提要
化学位移的产生 化学位移的表示方法与测定 影响化学位移的因素 不同质子的化学位移
化学位移的产生
•核磁共振条件及面临的问题
1. 核磁共振的条件小结:
(1)自旋核(I≠0)
化学位移的产生
•核外电子的影响，屏蔽效应，化学位移
核外电子在外加磁场作用下产生电子环
流，电子环流产生相应的感应磁场，感
应磁场的方向与原外加磁场的方向相反，
磁场强度等于σB0，此时原子核实际受 到的磁场强度小于原外加磁场强度B0， 这种核外电子对原子核的影响称为屏蔽
效应，σ称为屏蔽常数。
修正的核磁共振条件： 由于屏蔽效应不同导致化学环境不同的
3. 杂化效应
影响化学位移的因素
4. 磁各向异性效应，屏蔽与去屏蔽 (1) 双键的磁各向异性效应
影响化学位移的因素
(2)苯环的磁各向异性效应
环内氢 = -2.99 环外氢 = 9.28
影响化学位移的因素
(3)叁键的磁各向异性效应
影响化学位移的因素
(4)单键的磁各向异性效应
直立键上的氢核处于屏蔽区，在较高场，平伏键上的氢核处于去屏 蔽区，在较低场，化学位移值大约相差0.5 ppm。

各种的化学位移值经验计算方法及常见氢核的化学位移化学位移是核磁共振（NMR）技术中常用的参数之一，用于描述分子中的氢原子（或其他核）相对于参考物质（通常是三氯甲烷或二氯苯）的相对化学环境。

化学位移的数值通常以部分百万（ppm，常见的是ppm）表示。

计算化学位移值的经验方法有很多，下面我将介绍几种常见的方法：1. 基于Lewis结构：根据分子的Lewis结构推测氢原子的化学位移。

通常，带有电负性较大的原子和共价键上的卤素原子会导致周围氢原子的化学位移增加。

2.基于电子云环绕：根据分子中的电子云环绕情况预测化学位移。

共振的π电子云通常会导致化学位移减小，而孤对电子通常会导致化学位移增加。

3.基于环境效应：根据分子中邻近原子的类型和相对位置推测氢原子的化学位移。

例如，与电负性较大的原子相邻的氢原子通常具有较大的化学位移。

4.基于结构类似性：通过与已知结构类似的分子比较，推测分子中氢原子的化学位移。

这种方法通常适用于分子结构较为相似的情况。

常见氢核的化学位移值如下：1. 烷基氢（CH₂）的化学位移范围通常在0.8 ppm到2.5 ppm之间。

2. 烯基氢（CH）的化学位移范围通常在4.5 ppm到6.5 ppm之间。

3. 苯环上的氢原子（CH）的化学位移范围通常在7.0 ppm到8.5ppm之间。

4. 醇基氢（OH）的化学位移范围通常在1.5 ppm到5.0 ppm之间。

5. 胺基氢（NH）的化学位移范围通常在1.5 ppm到3.5 ppm之间。

化学位移是核磁共振技术中一个重要的参数，可以为化学结构和分子环境提供有用的信息。

通过了解各种氢核的化学位移值范围及其计算方法，可以更好地应用核磁共振技术进行分子结构和化学分析。

60MHz :

134 60 106
106

2.23
100MHz :

223 100 106
106

2.23
化学位移的表示 ：单位ppm 标准：四甲基硅（TMS部屏蔽效应（诱导效应、共轭效应） 远程屏蔽效应（化学键的磁场各向异性）
局部屏蔽效应 （诱导效应、共轭效应）：氢原
子化学位移移向低场。
如下面化合物4个羟基的均可以形成氢键，δ按照氢键由弱到强的顺 序，逐步增大。
乙醇的羟基随浓度 增加，
分子间氢键增强， 化学位移增大
溶剂效应 ：溶剂不同使化学位移改变的效应
甲 基
亚甲基和次甲基
经验计算：
烯氢的化学位移
经验公式
烯氢的化学位移
芳环芳氢的化学位移
炔基氢的化学位移:1.6~3.4
为此，一般是以适当的化合物(如四甲基硅烷： TMS)为内标准，测定相对的频率变化，（相 对）化学位移以下式表示：
试样－ TMS 106＝ 106
0
0
由于采用了相对频率变化值，使得 在不同磁场强度测定的核磁共振谱 图也完全一致。
例如，1，2，2－三氯丙烷甲基上的 H原子在60MHz仪器上的信号为 134Hz，在100MHz仪器上的信号为 223Hz，计算化学位移值为：
单键
双键
A α=1.27， B α=1.23， C α=1.17，
β=0.85
β=0.72
β=1.01
羰基平面上下各有一个锥形的屏蔽区，其它方向（尤其
是平面内）为去屏蔽区。
芳环环的上下方为屏蔽区，其它地方为去屏蔽区
叁键 ：键轴向为屏蔽区，其它为去屏蔽区。
氢键与化学位移 ：绝大多数氢键形成后，质

屏蔽效应
化学位移的根源
磁场中所有自旋核产生感应磁场，方向与外加磁场相反或相同，使 原子核的实受磁场降低或升高，即屏蔽效应。
H核=HO（1-σ ）
其中H核表示氢核实际所受的磁场，σ为屏蔽常数 分类：顺磁屏蔽，抗磁屏蔽
显然，核外电子云密度越大，屏蔽效应越强，要发
生共振吸收就势必增加外加磁场强度，共振信号将移向
芳环氢的化学位移值
芳环的各向异性效应使芳环氢受到去屏蔽影响，其化学 位移在较低场。苯的化学位移为δ7.27ppm。当苯环上的 氢被取代后，取代基的诱导作用又会使苯环的邻、间、 对位的电子云密度发生变化，使其化学位移向高场或低 场移动。 芳环氢的化学位移可按下式进行计算； δ = 7.27 +∑Si
9.10
噻吩 吡咯 呋喃 （CDCl3) （CDCl3) （CDCl3)
吡啶 (DMSO)
吲哚 (DMSO)
活泼氢的化学位移值
常见的活泼氢，如-OH、-NH-、-SH、-COOH等基团的质子，在溶 剂中交换很快，并受测定条件如浓度、温度、溶剂的影响，δ值不 固 定在某一数值上，而在一个较宽的范围内变化（表3-9）。活泼氢的 峰形有一定特征，一般而言，酰胺、羧酸类缔合峰为宽峰，醇、酚 类的峰形较钝，氨基，巯基的峰形较尖。用重水交换法可以鉴别出 活泼氢的吸收峰，（加入重水后活泼氢的吸收峰消失）。
4.2. 不饱和碳上质子的化学位移 炔氢 叁键的各向异性屏蔽作用，使炔氢的化学位移出现在1.6 –3.4ppm范围内.
烯氢
烯氢的化学位移可用Tobey和Simon等人提出的经验公 式来计算： δ = 5.25 + Z同 + Z顺 + Z反 式中常数5.25是乙烯的化学位移值，Z是同碳、顺式 及反式取代基对烯氢化学位移的影响参数。

化学位移计算公式化学位移是描述化学反应中原子相对于其他原子的位置变化的参数，常用于研究化学反应的速率和反应机理。

在化学反应中，位移可以通过观察分子中化学键的变化来确定。

化学位移的计算公式可以根据化学反应的类型和分子的结构来确定。

以下是几种常见的化学位移计算公式的详细介绍。

1.氢核磁共振（NMR）化学位移氢核磁共振（NMR）是一种广泛应用于化学和生物化学研究的技术。

在氢核磁共振谱中，化学位移通常用化学位移差（δ）的形式表示，单位为ppm（parts per million）。

计算公式如下：δ=(v-v0)/νr其中，δ为化学位移差，v为峰的共振频率，v0为参考化合物（通常是四甲基硅烷，TMS）的共振频率，νr为仪器的扫描频率。

2. 紫外可见（UV-Vis）吸收光谱化学位移紫外可见吸收光谱是一种研究物质吸收特性的方法。

在UV-Vis吸收光谱中，化学位移通常用峰的位置（λ）的变化表示，单位为纳米（nm）。

计算公式如下：λ=λ0-Δλ其中，λ为吸收峰的位置，λ0为参考化合物的吸收峰位置，Δλ为λ相对于λ0的偏移量。

3.红外光谱化学位移红外光谱是一种用于研究化学物质中的键的震动和振动状态的方法。

在红外光谱中，化学位移通常用波数（ν）的变化表示，单位为cm-1、计算公式如下：ν=ν0±Δν其中，ν为吸收峰的波数，ν0为参考化合物的波数，Δν为ν相对于ν0的偏移量。

正负号表示吸收或发射光谱。

以上是几种常见的化学位移计算公式，不同类型的化学反应需要使用不同的公式来计算化学位移。

化学位移的计算可以提供关于化学反应机制和反应速率的重要信息，对于理解和设计化学反应具有重要意义。

各种的化学位移值经验计算方法及常见氢核的化学位移化学位移是一种用来描述核磁共振谱中化学环境对核磁共振信号位置的影响的物理量。

它通常由质子或碳-13核的共振频率与参考化合物的共振频率之差表示。

在核磁共振光谱中，化学位移值常用以表示分子内部不同环境对核磁共振信号的影响程度。

不同的原子在不同的化学环境中的化学位移值是不同的，可以通过实验测定或计算方法来获得。

一、实验测定方法：1.经验计算法：根据化学位移-结构关系的经验规律，通过对已知化合物的化学位移进行理论计算，用于预测未知化合物的化学位移。

经验计算方法主要包括加和法、平均法和功能群法，其中最常用的就是加和法和平均法。

-加和法：通过将各个官能团的官能团位移值进行加和，即将各个官能团的贡献值相加得到整个化合物的化学位移值。

-平均法：通过将一个官能团上的官能团位移值与相同官能团的其他分子的官能团位移值进行比较，取平均值得到该官能团的化学位移值。

2.核磁共振实验：通过实验测定未知化合物的核磁共振光谱，确定化学位移值。

-高分辨率核磁共振光谱：使用高分辨率核磁共振仪器对未知化合物进行测定，根据峰的位置与标准物质的峰位置进行对比，计算得到化学位移值。

-核磁共振差谱：通过对比两个样品的核磁共振光谱，找出两个样品之间差异的峰信号，通过对差谱的质子峰进行解析，可以得到未知化合物中质子的化学位移值。

二、常见氢核的化学位移：1. 甲基（-CH3）：通常位于0.8-1.2 ppm之间。

2. 亚甲基（-CH2-）：通常位于1.2-2.0 ppm之间。

3. 亚甲（-CH）：通常位于2.0-2.5 ppm之间。

4. 醇羟基（-OH）：通常位于2.5-4.0 ppm之间。

5. 脂肪酸（-CH2-COOH）：通常位于2.5-3.5 ppm之间。

6. 脂肪醛（-CHO）：通常位于9-10 ppm之间。

7. 芳香骨架上的氢（Ar-H）：通常位于6.5-8.5 ppm之间。

8. 酮羰基（C=O）附近的氢：通常位于2-3 ppm之间。

CH3,s OH,s
CH(2),m CH(3),m CH(4),m
ห้องสมุดไป่ตู้
C5 H5 N
CH3 ,s CH3 COOC2 H5 CH2 ,q CH3 ,t
CH2 Cl2 n-hexane C2 H5 OH
s
CH3 ,t CH2 ,m CH3 ,t CH2 ,q
常见溶剂的 13C 在不同氘代溶剂中的化学位移值
常见溶剂的化学位移 常见溶剂的 1H 在不同氘代溶剂中的化学位移值
mult.
氘 代 溶 剂
CDCl3 (CD3 )2 CO (CD3 )2 SO 7.26 2.05 2.84 8.02 2.09 2.52 7.36 2.05 3.31 3.12 8.58 7.35 7.76 1.97 4.05 1.20 5.63 0.88 1.28 1.12 3.57 2.50 3.33 8.32 2.09 2.54 7.37 2.07 3.16 4.01 8.58 7.39 7.79 1.99 4.03 1.17 5.76 0.86 1.25 1.06 3.44 C6 D6 7.16 0.40 6.15 1.55 1.68 7.15 1.55 3.07 8.53 6.66 6.98 1.65 3.89 0.92 4.27 0.89 1.24 0.96 3.34 CD3 CN CD3 OD 1.94 2.13 7.58 2.08 2.50 7.37 1.96 3.28 2.16 8.57 7.33 7.73 1.97 4.06 1.20 5.44 0.89 1.28 1.12 3.54 3.31 4.87 7.90 2.15 2.65 7.33 2.03 3.34 8.53 7.44 7.85 2.01 4.09 1.24 5.49 0.90 1.29 1.19 3.60 1.17 3.65 2.06 3.34 8.52 7.45 7.87 2.07 4.14 1.24 8.72 7.20 7.57 2.22 2.71 D2 O 4.79 4.79 C5 D5 N 7.20 7.57 8.72 4.96

3.05
5.33
7.27
化合物 电负性
δ
C－CH3 C: 2.52.5 0.7～1.9
N－CH3 N: 3.0 2.1～3.1
O－CH3 O: 3.5 3.2～4.2
CH3—CH2—CH2—X
γ βα
0.93 1.53 3.49 —OH 1.06 1.81 3.47 —Cl
试比较下面化合物分子中 Ha Hb Hc 值的大小。
甲基与苯环质子的积分曲线高度比为 3：2
图3-5 乙醚CH3CH2OCH2CH3 的氢核磁共振谱
四、影响化学位移的因素
氢核受到的屏蔽作用越大，峰越在高场出现，δ越小。
诱导效应 共轭效应 各向异性效应 Van der Waals效应 氢键效应和溶剂效应
4.1 诱导效应： Y－H中Y的电负性越大，1H周围电子云密度越低， 屏蔽效应越小，越靠近低场出峰，δ值越大。
2π
信号
吸 收 能 量
0 低 场 H0 高 场
要满足核磁共振条件，可通过二种方法来实现： • 扫频 — 固定磁场强度，改变射电频率对样品扫描 • 扫场 — 固定射电频率，改变磁场强度对样品扫描
实际上多用后者。
对于1H 核，不同的频率对应的磁场强度：
射频（MHZ）
磁场强度（特斯拉）
60
1.4092
100
化合物 CH3F CH3OH CH3Cl CH3Br CH3I
CH4
TMS
电负性 4.0
3.5
3.0
2.8
2.5
2.1
1.8
δ
4.26
3.14
3.05
2.68
2.16
0.23
0
拉电子基团：去屏蔽效应，化学位移增大 推电子基团：屏蔽效应，化学位移减小

2.1核磁共振氢谱中的几个重要参数1、化学位移（1）影响化学位移的主要因素：a.诱导效应。

电负性取代基降低氢核外电子云密度，其共振吸收向低场位移，δ值增大，如CH3F CH3OH CH3Cl CH3Br CH3I CH4TMSδ(ppm) 4.06 3.40 3.05 2.68 2.16 0.23 0X电负性 4.0 3.5 3.0 2.8 2.5 2.1 1.6对于X－CH＜YZ型化合物，X、Y、Z基对＞CH－δ值的影响具有加合性，可用shoolery公式估算，式中0.23为CH4的δ，Ci值见下表。

例如：BrCH2Cl(括号内为实测值)δ=0.23+2.33+2.53=5.09ppm(5.16ppm)利用此公式，计算值与实测值误差通常小于0.6ppm,但有时可达1pmm。

值得注意的是，诱导效应是通过成键电子传递的，随着与电负性取代基距离的增大，诱导效应的影响逐渐减弱，通常相隔3个碳以上的影响可以忽略不计。

例如：b.磁各向异性效应。

上面所述的质子周围的电子云密度，能阐明大多数有机化合物的化学位移值。

但是还存在用这一因素不能解释的事实：如纯液态下的乙炔质子与乙烯质子相比，前者在高场共振；相反苯的质子又在低场下发生共振。

这些现象可用磁各向异性效应解释。

当分子中某些基团的电子云排布不是球形对称时，即磁各向异性时，它对邻近的H核就附加一个各向异性磁场，使某些位置上核受屏蔽，而另一些位置上的核受去屏蔽，这一现象称为各向异性效应。

在氢谱中，这种邻近基团的磁各向异性的影响十分重要。

现举例说明一下：叁键的磁各向异性效应：如乙炔分子呈直线型，叁键轴向的周围电子云是对称分布的。

乙炔质子处于屏蔽区，使质子的δ值向高场移动。

双键:π电子云分布于成键平面的上、下方，平面内为去屏蔽区。

与SP杂2化碳相连的氢位于成键的平面内（处于去屏蔽区），较炔氢低场位移。

乙烯：5.25ppm；醛氢：9-10ppm。

化学键的各向异性还可由下述化合物（1）至（4）看出：化合物（1）、（3）中的标记氢分别处于双键和苯环的屏蔽区，而化合物（2）、（4）中相应的氢分别处于双键和苯环的去屏蔽区，δ值增大。

氢键核磁化学位移的影响
氢键是一种重要的分子间相互作用力，可以在生物分子中起到关键作用。

而核磁共振技术可以用来研究分子结构和相互作用。

在氢键中，氢原子与另一个原子(通常是氮、氧或氟)之间发生相互作用，导致氢原子的核磁化学位移发生变化。

这种变化可以通过核磁共振技术进行测量。

氢键的强度和几何结构都会影响氢原子的核磁化学位移，因此这种技术可以用来研究氢键的性质和影响。

例如，氢键的强度和方向可以影响蛋白质中氨基酸侧链的核磁化学位移，进而影响蛋白质的折叠和功能。

因此，研究氢键对核磁化学位移的影响可以帮助我们更好地理解生物分子的结构和功能。

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常见氢核化学位移氢核化学位移是核磁共振(NMR)技术中的一个重要参数，用于描述氢原子在分子中的化学环境。

通过测量氢核化学位移，可以获得关于化学结构、化学键环境等信息，对于化学物质的结构鉴定和分子间相互作用的研究具有重要意义。

氢核化学位移的定义是相对于参考化合物(通常是TMS，四甲基硅烷)的化学位移差值。

由于TMS分子中的氢原子与外部磁场的相互作用非常弱，其化学位移被定义为零。

而其他化合物中的氢原子由于与周围原子的电子云相互作用不同，其化学位移会发生偏移，即产生化学位移差值。

氢核化学位移的数值通常用单位ppm表示，即化学位移与参考化合物(TMS)化学位移的比值乘以百万。

氢核化学位移的数值与分子中的化学环境有关，对于不同的化学环境，氢核化学位移的数值会有所不同。

常见的氢核化学位移包括α位移、β位移和γ位移。

α位移通常出现在烷基或芳香环上，其数值较小，一般在0-4 ppm之间。

β位移通常出现在烯烃或炔烃上，其数值较大，一般在4-8 ppm之间。

γ位移通常出现在酮、醛等官能团上，其数值较大，一般在8-10 ppm之间。

当然，具体的数值还受到分子中其他官能团和结构的影响。

除了上述常见的氢核化学位移外，还存在一些特殊的化学位移现象。

例如，芳香化合物中的氢原子由于芳香环电子云的共振效应，其化学位移较低，一般在6-9 ppm之间。

另外，氢键形成时，氢原子的化学位移也会发生变化，一般在1-5 ppm之间。

氢核化学位移的测量可以通过核磁共振仪器进行。

核磁共振技术利用原子核的自旋和磁矩来研究物质的结构和性质。

在核磁共振谱图中，氢核化学位移表现为峰的位置和强度。

通过分析峰的位置和峰的强度，可以确定氢核化学位移的数值，并进一步推断分子的结构和化学环境。

氢核化学位移是核磁共振技术中的一个重要参数，用于描述氢原子在分子中的化学环境。

通过测量氢核化学位移，可以获得有关化学结构和分子间相互作用的信息，对于化学物质的结构鉴定和分子间相互作用的研究具有重要意义。