影响化学位移的因素共20页文档
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主讲教师:胡高飞 7.4 影响化学位移的因素(2)三、氢键对δ的影响Hydrogen Bonding Deshields Protons分子形成氢键后,氢核周围的电子云密度降低,产生去屏蔽效应,化学位移移向低场, δ增大。
分子内氢键:O O O HC H 3•在水杨酸甲酯中,由于强的分子内氢键作用,NMR 吸收信号中 O-H 约为 14 ppm ,处于非常低场。
•注意形成了一个新的六元环分子间氢键:化学位移取决于形成了多少氢键 醇的化学位移可以在0.5 ppm (自由OH )至约5.0ppm (形成大量氢键)间变化氢键拉长了O-H 化学键并 降低了质子周围的价电子密度 - 去屏蔽效应导致NMR 谱中化学位移移向低场OH R O R H HO R(a)10kg/L ,(b) 5kg/L ,(c) 0.5kg/L ,乙醇溶剂CCl4,T =40℃OCO R H H C O O R •羧酸具有强的氢键 – 形成了二聚体 •对于羧酸 O-H 吸收在NMR 谱中化学位移位于10 ~ 12 ppm ,一般处于最低场四、H核交换对δ的影响化合物的质子分为可交换氢和不可交换氢与 N、O、S等原子连接的氢称为可交换氢,又称活泼氢与C、Si、P等原子连接的氢称为不可交换氢CH3COOH a+H b OH b CH3COOH b+H a OH bδ观察=N aδa+N bδbN-摩尔分数δa、δb-分别为H a与H b纯品的化学位移值四、H核交换对δ的影响活泼氢:R-OH δ=0.5-5.5Ar-OH δ=4.0-7.7RCOOH δ=10.0-13.0R-NH2δ=5.0-8.0Ar-NH2δ=3.5-6.0R-CO-NH2δ=5.0-8.5R-SH δ=1.0-2.0Ar-SH δ=2.8-3.6五、溶剂对δ的影响采用不同的溶剂,化学位移也会发生变化,强极性溶剂的作用更加明显。
溶质与溶剂间相互作用(如形成氢键)。
影响化学位移的因素
1.温度:温度是一个重要的因素,它影响了反应速率和化学位移。
温
度的升高可以增加反应速率,并促使化学位移发生。
2.压力:压力也可以影响化学反应的速率和化学位移。
增加压力可以
促使反应向高位移的方向进行,而减少压力则使反应朝低位移的方向进行。
3.浓度:反应物的浓度可能会影响反应速率和化学位移。
增加反应物
的浓度可以加快反应速率,并可能导致更高的化学位移。
4.催化剂:催化剂是一种可以增加反应速率而不参与反应的物质。
催
化剂可以通过改变反应的路径或减少反应物之间的能量差异来影响化学位移。
5.光照:光照可以引起许多化学反应,并且可以改变化学位移。
一些
反应在光照下会更快或更慢发生,并且可能会导致不同的化学位移。
6.物理性质:物理性质,例如溶剂的性质、溶液的颜色、密度等的改变,可以影响化学反应和化学位移。
7.原子结构:原子结构可以通过原子间的连接和键长来确定反应的进
行和化学位移的方向。
8.核外电子:化学位移可以受到核外电子的影响。
核外电子的数量和
运动方式可能会改变反应速率和化学位移。
此外,还有其他一些因素可以影响化学位移,例如反应物的尺寸、表
面积、电场和磁场等。
化学位移是一个复杂的过程,需要综合考虑多种因
素来理解。
无论哪个因素,都可以对化学位移产生重要的影响,并决定反
应的进行和观察到的化学变化。
1.化学位移:吸收峰所在的相对不同位置.在照射频率确定时,都是H 核,所以吸收峰的位置应该是相同的,而实际不是这样.(1).化学位移的由来——屏蔽效应化学位移是由核外电子的屏蔽效应引起的。
υμβυ0H IhE h =∆=H 核在分子中是被价电子所包围的。
因此,在外加磁场的同时,还有核外电子绕核旋转产生感应磁场H ’。
如果感应磁场与外加磁场方向相反,则H 核的实际感受到的磁场强度为:)1('H 0000σσ-=-=-=H H H H H 实式中:σ为屏蔽常数核外电子对H 核产生的这种作用,称为屏蔽效应(如果产生磁场与外加磁场同向,称之为去屏蔽效应)。
显然,核外电子云密度越大,屏蔽效应越强,要发生共振吸收就势必增加外加磁场强度,共振信号将移向高场区;,共振信号将移向低场区。
H0低场高场屏蔽效应,共振信号移向高场屏蔽效应,共振信号移向低场去(2).化学位移的表示方法化学位移的差别约为百万分之十,精确测量十分困难,现采用相对数值。
以四甲基硅(TMS )为标准物质,规定:它的化学位移为零,然后,根据其它吸收峰与零点的相对距离来确定它们的化学位移值。
6010⨯-=νννTMS 试样化学位移试样的共振频率标准物质TMS 的共振频率感生磁场H'非常小,只有外加磁场的百万分之几,为方便起见,故×106仪器频率为什么选用TMS (四甲基硅烷)作为标准物质?(1)屏蔽效应强,共振信号在高场区(δ值规定为0),绝大多数吸收峰均出现在它的左边。
(2)结构对称,是一个单峰。
(3)容易回收(b.p 低),与样品不反应、不缔合。
SiCH 3CH 3H 3C CH 3分子结构因素(质子的化学环境)外部因素(测试条件)影响化学位移的因素诱导效应共轭效应化学键各向异性效应范德华效应分子内氢键效应溶剂效应分子间氢键效应影响化学位移的因素:(3).影响化学位移(电子云密度)的因素:1.取代基电负性:元素的电负性↑,通过诱导效应,使H核的核外电子云密度↓,屏蔽效应↓,共振信号→低场。