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开关电源电路中每个元件的作用及参数计算

开关电源电路中每个元件的作用及参数计算
开关电源电路中每个元件的作用及参数计算

开关电源电路中每个元件的作用及计算

本次讲解电源以一个13.2W电源为例

输入:AC90~264V输出:3.3V/4A

原理图

变压器是整个电源供应器的重要核心,所以变压器的计算及验证是很重要的。决定变压器的材质及尺寸:

依据变压器计算公式

决定一次侧滤波电容:

滤波电容的决定,可以决定电容器上的Vin(min),滤波电容越大,Vin(win)越高,可以做较大瓦数的Power,但相对价格亦较高。

决定变压器线径及线数:

当变压器决定后,变压器的Bobbin即可决定,依据Bobbin的槽宽,可决定变压器的线径及线数,亦可计算出线径的电流密度,电流密度一般以6A/mm2为参考,电流密度对变压器的设计而言,只能当做参考值,最终应以温升记录为准。决定Duty cycle (工作周期):

由以下公式可决定Duty cycle ,Duty cycle的设计一般以50%为基准,Duty cycle若超过50%易导致振荡的发生。

决定Ip值:

决定辅助电源的圈数:

依据变压器的圈比关系,可决定辅助电源的圈数及电压。

决定MOSFET及二次侧二极管的Stress(应力):

依据变压器的圈比关系,可以初步计算出变压器的应力(Stress)是否符合选用零件的规格,计算时以输入电压264V(电容器上为380V)为基准。

其它:

若输出电压为5V以下,且必须使用TL431而非TL432时,须考虑多一组绕组提供Photo coupler及TL431使用。

将所得资料代入

公式中,如此可得出B(max),若B(max)值太高或太低则参数必须重新调整。

变压器计算:

输出瓦数13.2W(3.3V/4A),Core = EI-28,可绕面积(槽宽)=10mm,Margin Tape = 2.8mm(每边),剩余可绕面积=4.4mm.

变压器材质及尺寸:

由以上假设可知材质为PC-40,尺寸=EI-28,Ae=0.86cm2,可绕面积(槽宽)=10mm,因Margin Tape使用2.8mm,所以剩余可绕面积为4.4mm.假设滤波电容使用47uF/400V,Vin(min)暂定90V。

决定变压器的线径及线数:

决定Duty cycle:

决定Ip值:

决定辅助电源的圈数:

决定MOSFET及二次侧二极管的Stress(应力):

其它:

因为输出为3.3V,而TL431的Vref值为2.5V,若再加上photo coupler上的压降约1.2V,将使得输出电压无法推动Photo coupler及TL431,所以必须另外增加一组线圈提供回授路径所需的电压。

变压器的接线图:

零件选用:

●FS1:由变压器计算得到Iin值,以此Iin值(0.42A)可知使用公司共享料2A/250V,设计时亦须考虑Pin(max)时的Iin是否会超过保险丝的额定值。

●TR1(热敏电阻):电源激活的瞬间,由于C1(一次侧滤波电容)短路,导致Iin电流很大,虽然时间很短暂,但亦可能对Power产生伤害,所以必须在滤波电容之前加装一个热敏电阻,以限制开机瞬间Iin在Spec之内(115V/30A,230V/60A),但因热敏电阻亦会消耗功率,所以不可放太大的阻值(否则会影响效率),一般使用SCK053(3A/5Ω),若C1电容使用较大的值,则必须考虑将热敏电阻的阻值变大(一般使用在大瓦数的Power 上)。

●VDR1(突波吸收器):当雷极发生时,可能会损坏零件,进而影响Power的正常动作,所以必须在靠AC输入端 (Fuse之后),加上突波吸收器来保护Power(一般常用

07D471K),但若有价格上的考量,可先忽略不装。

●CY1,CY2(Y-Cap):Y-Cap一般可分为Y1及Y2电容,若AC Input有FG(3 Pin)一般使用Y2- Cap , AC Input若为2Pin(只有L,N)一般使用Y1-Cap,Y1与Y2的差异,除了价格外(Y1较昂贵),绝缘等级及耐压亦不同(Y1称为双重绝缘,绝缘耐压约为Y2的两倍,且在电容的本体上会有“回”符号或注明Y1),此电路因为有FG所以使用Y2-Cap,Y-Cap会影响EMI特性,一般而言越大越好,但须考虑漏电及价格问题,漏电(Leakage Current )必须符合安规须求(3Pin公司标准为750uA max)。

●CX1(X-Cap)、RX1:X-Cap为防制EMI零件,EMI可分为Conduction及Radiation两部分,Conduction规范一般可分为: FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 两种, FCC测试频率在450K~30MHz,CISPR 22测试频率在150K~30MHz, Conduction 可在厂内以频谱分析仪验证,Radiation 则必须到实验室验证,X-Cap 一般对低频段(150K ~ 数M之间)的EMI防制有效,一般而言X-Cap愈大,EMI防制效果愈好(但价格愈高),若X-Cap在0.22uf以上(包含0.22uf),安规规定必须要有泄放电阻(RX1,一般为1.2MΩ 1/4W)。

●LF1(Common Choke):EMI防制零件,主要影响Conduction 的中、低频段,设计时必须同时考虑EMI特性及温升,以同样尺寸的Common Choke而言,线圈数愈多(相对的线径愈细),EMI防制效果愈好,但温升可能较高。

●BD1(整流二极管):AC电源以全波整流的方式转换为DC,由变压器所计算出的Iin值,可知只要使用1A/600V的整流二极管,因为是全波整流所以耐压只要600V即可。

●C1(滤波电容):由C1的大小(电容值)可决定变压器计算中的Vin(min)值,电容量愈大,Vin(min)愈高但价格亦愈高,此部分可在电路中实际验证Vin(min)是否正确,若AC Input 范围在90V~132V (Vc1 电压最高约190V),可使用耐压200V的电容;若AC Input 范围在90V~264V(或180V~264V),因Vc1电压最高约380V,所以必须使用耐压400V的电容。

●D2(辅助电源二极管):整流二极管,一般常用FR105(1A/600V)或BYT42M(1A/1000V),两者主要差异:1. 耐压不同(在此处使用差异无所谓)2. VF不同(FR105=1.2V,

BYT42M=1.4V)

R10(辅助电源电阻):主要用于调整PWM IC的VCC电压,以目前使用的3843而言,设计时VCC必须大于8.4V(Min. Load时),但为考虑输出短路的情况,VCC电压不可设计的太高,以免当输出短路时不保护(或输入瓦数过大)。

●C7(滤波电容):辅助电源的滤波电容,提供PWM IC较稳定的直流电压,一般使用

100uf/25V电容。

●Z1(Zener 二极管):当回授失效时的保护电路,回授失效时输出电压冲高,辅助电源电压相对提高,此时若没有保护电路,可能会造成零件损坏,若在3843 VCC与3843 Pin3脚之间加一个Zener Diode,当回授失效时Zener Diode会崩溃,使得Pin3脚提前到达

1V,以此可限制输出电压,达到保护零件的目的.Z1值的大小取决于辅助电源的高低,Z1的决定亦须考虑是否超过Q1的VGS耐压值,原则上使用公司的现有料(一般使用1/2W 即可)。

●R2(激活电阻):提供3843第一次激活的路径,第一次激活时透过R2对C7充电,以提供3843 VCC所需的电压,R2阻值较大时,turn on的时间较长,但短路时Pin瓦数较小,R2阻值较小时,turn on的时间较短,短路时Pin瓦数较大,一般使用220KΩ/2W M.O。

●R4 (Li ne Compensation):高、低压补偿用,使3843 Pin3脚在90V/47Hz及264V/63Hz 接近一致(一般使用750KΩ~1.5MΩ 1/4W之间)。

●R3,C6,D1 (Snubber):此三个零件组成Snubber,调整Snubber的目的:1.当Q1 off 瞬间会有Spike产生,调整Snubber可以确保Spike不会超过Q1的耐压值,2.调整Snubber可改善EMI.一般而言,D1使用1N4007(1A/1000V)EMI特性会较好.R3使用2W M.O.电阻,C6的耐压值以两端实际压差为准(一般使用耐压500V的陶质电容)。

●Q1(N-MOS):目前常使用的为3A/600V及6A/600V两种,6A/600V的RDS(ON)较3A/600V 小,所以温升会较低,若IDS电流未超过3A,应该先以3A/600V为考量,并以温升记录来验证,因为6A/600V的价格高于3A/600V许多,Q1的使用亦需考虑VDS是否超过额定值。

●R8:R8的作用在保护Q1,避免Q1呈现浮接状态。

●R7(Rs电阻):3843 Pin3脚电压最高为1V,R7的大小须与R4配合,以达到高低压平衡的目的,一般使用2W M.O.电阻,设计时先决定R7后再加上R4补偿,一般将3843 Pin3脚电压设计在0.85V~0.95V之间(视瓦数而定,若瓦数较小则不能太接近1V,以免因零件误差而顶到1V)。

●R5,C3(RC filter):滤除3843 Pin3脚的噪声,R5一般使用1KΩ 1/8W,C3一般使用102P/50V的陶质电容,C3若使用电容值较小者,重载可能不开机(因为3843 Pin3

瞬间顶到1V);若使用电容值较大者,也许会有轻载不开机及短路Pin过大的问题。

●R9(Q1 Gate电阻 ):R9电阻的大小,会影响到EMI及温升特性,一般而言阻值大,Q1 turn on / turn off的速度较慢,EMI特性较好,但Q1的温升较高、效率较低(主要是因为turn off速度较慢);若阻值较小, Q1 turn on / turn off的速度较快,Q1温升较低、效率较高,但EMI较差,一般使用51Ω-150Ω 1/8W。

●R6,C4(控制振荡频率):决定3843的工作频率,可由Data Sheet得到R、C组成的工作频率,C4一般为10nf的电容(误差为5%),R6使用精密电阻,以DA-14B33为例,C4使用103P/50V PE电容,R6为3.74KΩ 1/8W精密电阻,振荡频率约为45 KHz。

●C5:功能类似RC filter,主要功用在于使高压轻载较不易振荡,一般使用101P/50V 陶质电容。

●U1(PWM IC):3843是PWM IC的一种,由Photo Coupler (U2)回授信号控制Duty Cycle 的大小,Pin3脚具有限流的作用(最高电压1V),目前所用的3843中,有KA3843(SAMSUNG)及UC3843BN(S.T.)两种,两者脚位相同,但产生的振荡频率略有差异,UC3843BN较

KA3843快了约2KHz,fT的增加会衍生出一些问题(例如:EMI问题、短路问题),因KA3843较难买,所以新机种设计时,尽量使用UC3843BN。

●R1、R11、R12、C2(一次侧回路增益控制):3843内部有一个Error AMP(误差放大器),R1、R11、R12、C2及Error AMP组成一个负回授电路,用来调整回路增益的稳定度,回路增益,调整不恰当可能会造成振荡或输出电压不正确,一般C2使用立式积层电容(温度持性较好)。

●U2(Photo coupler)光耦合器(Photo coupler)主要将二次侧的信号转换到一次侧(以电流的方式),当二次侧的TL431导通后,U2即会将二次侧的电流依比例转换到一次侧,此时3843由Pin6 (output)输出off的信号(Low)来关闭Q1,使用Photo coupler的原因,是为了符合安规需求(primacy to secondary的距离至少需5.6mm)

●R13(二次侧回路增益控制):控制流过Photo coupler的电流,R13阻值较小时,流过Photo coupler的电流较大,U2转换电流较大,回路增益较快(需要确认是否会造成振荡),R13阻值较大时,流过Photo coupler的电流较小,U2转换电流较小,回路增益较慢,虽然较不易造成振荡,但需注意输出电压是否正常。

●U3(TL431)、R15、R16、R18调整输出电压的大小,

,输出电压不可超过38V(因为TL431 VKA最大为36V,若再加Photo coupler的VF值,则Vo应在38V以下较安全),TL431的Vref为2.5V,R15及R16并联的目的使输出电压能微调,且R15与R16并联后的值不可太大(尽量在2KΩ以下),以免造成输出不准。

●R14,C9(二次侧回路增益控制):控制二次侧的回路增益,一般而言将电容放大会使增益变慢;电容放小会使增益变快,电阻的特性则刚好与电容相反,电阻放大增益变快;电阻放小增益变慢,至于何谓增益调整的最佳值,则可以Dynamic load来量测,即可取得一个最佳值。

●D4(整流二极管):因为输出电压为3.3V,而输出电压调整器(Output Voltage Regulator)使用TL431(Vref=2.5V)而非TL432(Vref=1.25V),所以必须多增加一组绕组提供Photo coupler及TL431所需的电源,因为U2及U3所需的电流不大(约10mA左右),二极管耐压值100V即可,所以只需使用1N4148(0.15A/100V)。

●C8(滤波电容):因为U2及U3所需的电流不大,所以只要使用1u/50V即可。

●D5(整流二极管):输出整流二极管,D5的使用需考虑:a. 电流值b. 二极管的耐压值以此为例,输出电流4A,使用10A的二极管(Schottky)应该可以,但经点温升验证后发现D5温度偏高,所以必须换为15A的二极管,因为10A的VF较15A的VF 值大。耐压部分40V经验证后符合,因此最后使用15A/40V Schottky。

●C10,R17(二次侧snubber) :D5在截止的瞬间会有spike产生,若spike超过二极管(D5)的耐压值,二极管会有被击穿的危险,调整snubber可适当的减少spike的电压值,除保护二极管外亦可改善EMI,R17一般使用1/2W的电阻,C10一般使用耐压500V的陶质电容,snubber调整的过程(264V/63Hz)需注意R17,C10是否会过热,应避免此种情况发生。

●C11,C13(滤波电容):二次侧第一级滤波电容,应使用内阻较小的电容(LXZ,YXA…),电容选择是否洽当可依以下三点来判定:a. 输出Ripple电压是符合规格b. 电容温度是否超过额定值c. 电容值两端电压是否超过额定值

●R19(假负载):适当的使用假负载可使线路更稳定,但假负载的阻值不可太小,否则会影响效率,使用时亦须注意是否超过电阻的额定值(一般设计只使用额定瓦数的一半)。

●L3,C12(LC滤波电路):LC滤波电路为第二级滤波,在不影响线路稳定的情况下,一般会将L3 放大(电感量较大),如此C12可使用较小的电容值。

如何看懂电路图及元件符号汇总

如何看懂电路图及元件符号 有关电阻器、电容器、电感线圈、晶体管等元器件的用途、类别、使用方法等内容可以点击本文相关文章下的各个链接,本文只把电路图中常出现的各种符号重述一遍,希望初学者熟悉它们,并记住不忘。 电路图有两种,一种是说明模拟电子电路工作原理的。它用各种图形符号表示电阻器、电容器、开关、晶体管等实物,用线条把元器件和单元电路按工作原理的关系连接起来。这种图长期以来就一直被叫做电路图。 另一种是说明数字电子电路工作原理的。它用各种图形符号表示门、触发器和各种逻辑部件,用线条把它们按逻辑关系连接起来,它是用来说明各个逻辑单元之间的逻辑关系和整机的逻辑功能的。为了和模拟电路的电路图区别开来,就把这种图叫做逻辑电路图,简称逻辑图。 除了这两种图外,常用的还有方框图。它用一个框表示电路的一部分,它能简洁明了地说明电路各部分的关系和整机的工作原理。 电阻器与电位器 符号详见图 1 所示,其中( a )表示一般的阻值固定的电阻器,( b )表示半可调或微调电阻器;( c )表示电位器;( d )表示带开关的电位器。电阻器的文字符号是“ R ”,电位器是“ RP ”,即在 R 的后面再加一个说明它有调节功能的字符“ P ”。

在某些电路中,对电阻器的功率有一定要求,可分别用图 1 中( e )、( f )、( g )、( h )所示符号来表示。 几种特殊电阻器的符号: 第 1 种是热敏电阻符号,热敏电阻器的电阻值是随外界温度而变化的。有的是负温度系数的,用NTC 来表示;有的是正温度系数的,用 PTC 来表示。它的符号见图( i ),用θ或t° 来表示温度。它的文字符号是“ RT ”。 第 2 种是光敏电阻器符号,见图 1 ( j ),有两个斜向的箭头表示光线。它的文字符号是“ RL”。 第 3 种是压敏电阻器的符号。压敏电阻阻值是随电阻器两端所加的电压而变化的。符号见图 1 ( k ),用字符 U 表示电压。它的文字符号是“RV”。这三种电阻器实际上都是半导体器件,但习惯上我们仍把它们当作电阻器。 第 4 种特殊电阻器符号是表示新近出现的保险电阻,它兼有电阻器和熔丝的作用。当温度超过500℃ 时,电阻层迅速剥落熔断,把电路切断,能起到保护电路的作用。它的电阻值很小,目前在彩电中用得很多。它的图形符号见图 1 ( 1 ),文字符号是“ RF”。 电容器的符号 详见图2 所示,其中( a )表示容量固定的电容器,( b )表示有极性电容器,例如各种电解电容器,( c )表示容量可调的可变电容器。( d )表示微调电容器,( e )表示一个双连可变电容器。电容器的文字符号是 C 。

桥式整流电路计算

桥式整流电路计算 Document serial number【KKGB-LBS98YT-BS8CB-BSUT-BST108】

桥式整流电路计算 桥式整流属于全波整流,它不是利用副边带有中心抽头的变压器,用四个二极管接成电桥形式,使在电压V 2 的正负半周均有电流流过负载,在负载形成单方向的全波脉动电压。 桥式整流电路计算主要参数: 单相全波整流电路图 利用副边有中心抽头的变压器和两个二极管构成如下图所示的全波整流电路。从图中可见正负半周都有电流流过负载,提高了整流效率。 全波整流的特点: 输出电压V O 高;脉动小;正负半周都有电流供给负载,因而变压器得到充分利用,效率较高。 主要参数: 桥式整流电路电感滤波原理 电感滤波电路利用电感器两端的电流不能突变的特点,把电感器与负载串联起来,以达到使输出电流平滑的目的。从能量的观点看,当电源提供的电流增大(由电源电压增加引起)时,电感器L把能量存储起来;而当电流减小时,又把能量释放出来,使负载电流平滑,电感L有平波作用 桥式整流电路电感滤波优点:整流二极管的导电角大,峰值电流小,输出特性较平坦。 桥式整流电路电感滤波缺点:存在铁心,笨重、体积大,易引起电磁干扰,一般只适应于低电压、大电流的场合。 例10.1.1桥式整流器滤波电路如图所示,已知V 1 是220V交流电源,频率为 50Hz,要求直流电压V L =30V,负载电流I L =50mA。试求电源变压器副边电压v 2 的有效 值,选择整流二极管及滤波电容。 桥式整流电路电容滤波电路 图分别是单相桥式整流电路图和整流滤波电路的部分波形。这里假设t<0时,电容器C已经充电到交流电压V 2 的最大值(如波形图所示)。 结论1:由于电容的储能作用,使得输出波形比较平滑,脉动成分降低输出电压的平均值增大。 结论2:从图可看出,滤波电路中二极管的导电角小于180o,导电时间缩短。因此,在短暂的导电时间内流过二极管很大的冲击电流,必须选择较大容量的二极管。 在纯电阻负载时: 有电容滤波时: 结论3:电容放电的时间τ=R L C越大,放电过程越慢,输出电压中脉动(纹波)成分越少,滤波效果越好。取τ≥(3~5)T/2,T为电源交流电压的周期。 整流电路输出电压计算 对于整流电压的输出电压大小,大家一定不陌生。很多人会说,输出平均值全波倍,半波倍的交流有效。但是在设计中,我们常常发现一个事实,例如在半波整流后,

总时差双代号网络图时间计算参数-计算题及答案

总时差(用TFi-j表示),双代号网络图时间计算参数,指一项工作在不影响总工期的前提下所具有的机动时间。用工作的最迟开始时间LSi-j与最早开始时间ESi-j之差表示。 自由时差,指一项工作在不影响后续工作的情况下所拥有的机动时间。用紧后工作的最早开始时间与该工作的最早完成时间之差表示。 网络图时间参数相关概念包括: 各项工作的最早开始时间、最迟开始时间、最早完成时间、最迟完成时间、节点的最早时间及工作的时差(总时差、自由时差)。 1总时差=最迟完成时间—尚需完成时间。计算结果若大于0,则不影响总工期。若小于0则影响总工期。 2拖延时间=总时差+受影响工期,与自由时差无关。 3自由时差=紧后最早开始时间—本工作最早完成时间。 自由时差和总时差-----精选题解(免B) 1、在双代号网络计划中,如果其计划工期等于计算工期,且工作i-j的完成节点j在关键线路上,则工作i-j的自由时差()。 A.等于零 B.小于零 C.小于其相应的总时差 D.等于其相应的总时差 答案:D 解析:

本题主要考察自由时差和总时差的概念。由于工作i-j的完成节点j在关键线路上,说明节点j为关键节点,即工作i -j的紧后工作中必有关键工作,此时工作i-j的自由时差就等于其总时差。 2、在某工程双代号网络计划中,工作M的最早开始时间为第15天,其持续时间为7天。 该工作有两项紧后工作,它们的最早开始时间分别为第27天和第30天,最迟开始时间分别为第28天和第33天,则工作M的总时差和自由时差()天。 A.均为5 B.分别为6和5 C.均为6 D.分别为11和6 答案:B 解析: 本题主要是考六时法计算方法 1、工作M的最迟完成时间=其紧后工作最迟开始时间的最小值所以工作M 的最迟完成时间等于[28,33]=28 2、工作M的总时差=工作M的最迟完成时间-工作M的最早完成时间等于28-(15+7)=6 3、工作M的自由时差=工作M的紧后工作最早开始时间减工作M的最早完成时间所得之差的最小值: [27-22;30-22]= 5。 3、在工程网络计划中,判别关键工作的条件是该工作()。

开关电源设计中的主要参数名称

开关电源设计中的主要参数名称 P O额定输出功率 η整机效率 Is 次级绕组电流 I PRI 初级绕组电流 I R初级绕组脉动电流I R=I p*K RP(比值关系) K RP初级绕组电流比例因素K RP=I R/I p Ip 初级绕组峰值电流 Ip=I R/K RP(比值关系) Ip=I AVG/(1-0.5K RP)*Dmax(数值) I RMS初级绕组有效值电流 Dmax 最大占空比 Dmax=U OR/U OR+U Imin-U DS(on)*100% U Imin最低直流电压(一般取90V) C XT初级绕组的分布电容 C D次级绕组的分布电容 C OSS输出电容值 U DS漏-源峰值脉冲 U OR初级绕组感应电压 L PO初级绕组漏感 L SO次级绕组漏感 I AVG输入电流平均值I AVG=P o/η*U Imin B M最大磁通密度B M=100*I P*L P/N P*S J δ磁芯气隙宽度δ=40ΠS J(N P2/1000L P-1/1000A L) M 铜线安全边距,三重绝缘线 M=0 I SP次级峰值电流I SP=I P*N P/N S I SRMS次级有效值电流 I RI输出滤波电容上的纹波电流 Dsm 次级导线最小直径(裸线) DSM 次级导线最大外径(带绝缘层) DSM=b-2M/Ns J 初级绕组的电流密度(一般值为4-10A/mm2) U(BR)S次级整流管最大反向峰值电压U(BR)S=Uo+Umax*Ns/Np U(BR)FB反馈级整流管最大反向峰值电压U(BR)FB=U FB+Umax*N F/N P Uo 输出额定电压 U FB反馈额定电压 N S输出次级绕组匝数 Ns=(Uo+U D)*N P*(1-Dam)/V in(min)*Dmax N F反馈绕组匝数N F=Ns*U FB+U F2/Uo+U F1 N P初级绕组匝数N P=Ns*U OR/Uo+U F1 ;N P=L P*I P/Ae*B U RI 输出纹波电压U RI=I SP*ro I RMS整流桥输入有效值电流I RMS=Po/η*umin*Cosφ I OM最大输出电流 ro 输出电容的等效串联电阻值(可查电容规格)

【重磅】双代号网络图时间参数计算

双代号网络图时间参数计算 双代号网络图时间参数计算 双代号网络图是应用较为普遍的一种网络计划形式。它是以箭线及其两端节点的编号表示工作的网络图。 双代号网络图中的计算主要有六个时间参数: ES:最早开始时间,指各项工作紧前工作全部完成后,本工作最有可能开始的时刻; EF:最早完成时间,指各项紧前工作全部完成后,本工作有可能完成的最早时刻 LF:最迟完成时间,不影响整个网络计划工期完成的前提下,本工作的最迟完成时间;LS:最迟开始时间,指不影响整个网络计划工期完成的前提下,本工作最迟开始时间;TF:总时差,指不影响计划工期的前提下,本工作可以利用的机动时间; FF:自由时差,不影响紧后工作最早开始的前提下,本工作可以利用的机动时间。 双代号网络图时间参数的计算一般采用图上计算法。下面用例题进行讲解。 例题:试计算下面双代号网络图中,求工作C的总时差? 早时间计算: ES,如果该工作与开始节点相连,最早开始时间为0,即A的最早开始时间ES=0; EF,最早结束时间等于该工作的最早开始+持续时间,即A的最早结束EF为0+5=5; 如果工作有紧前工作的时候,最早开始等于紧前工作的最早结束取大值,即B的最早开始FS=5,同理最早结束EF为5+6=11,而E工作的最早开始ES为B、C工作最早结束(11、8)

取大值为11。 迟时间计算: LF,如果该工作与结束节点相连,最迟结束时间为计算工期23,即F的最迟结束时间LF=23;LS,最迟开始时间等于最迟结束时间减去持续时间,即LS=LF-D; 如果工作有紧后工作,最迟结束时间等于紧后工作最迟开始时间取小值。 时差计算: FF,自由时差=(紧后工作的ES-本工作的EF); TF,总时差=(本工作的最迟开始LS-本工作的最早开始ES)或者=(本工作的最迟结束LF-本工作的最早结束EF)。 该题解析: 则C工作的总时差为3. 总结: 早开就是从左边往右边最大时间 早结=从左往右取最大的+所用的时间 迟开就是从右边往右边最小时间 迟开=从右往左取最小的+所用的时间 总时差=迟开-早开;或者;总时差=迟结-早结 自由差=紧后工作早开-前面工作的早结 希望你看懂啦。呵呵 工作最早时间的计算:顺着箭线,取大值 工作最迟时间的计算:逆着箭线,取小值 总时差:最迟减最早 自由时差:后早始减本早完 1.工作最早时间的计算(包括工作最早开始时间和工作最早完成时间):“顺着箭线计算,依次取大”(最早开始时间--取紧前工作最早完成时间的最大值),起始结点工作最早开始时间为0。用最早开始时间加持续时间就是该工作的最早完成时间。 2.网络计划工期的计算:终点节点的最早完成时间最大值就是该网络计划的计算工期,

开关电源技术规格书

开关电源技术规格书 Switching Power Supply Specification 型号Model: 1305AC 拟制(Editor) :段家贵 审核(Verifier) : 批准(Approver) : 版本(Edition) :1305 1、总则Introduction 该款电源参考intel提出的ATX12V V2.31标准设计制造,额定输出功率90W。 。 The Power Supply was designed reference Intel Power Supply Design Guide ATX12V 2.31. Rated output total power is90W. 2、电气特性Electrical 2.1、 2.2、直流精度 [鍵入文字]

注:当+12V处于峰值电流负载时,输出电压范围为±10%。 Note: At +12VDC peak loading, regulation at the +12V outputs can go to ±10%. 2.3、直流功率分布Typical Power Distribution 2.4、 注意:1、噪声与纹波的测试带宽为10Hz~20MHz; 2、在测试噪音与纹波期间,用一个0.1UF瓷片电容和10UF的电解电容并接在输出端上。 Note: 1、Ripple and noise are defined as periodic or random signals over a frequency band of 10Hz to 20 MHz. 2、Measurements shall be made with an oscilloscope with 20 MHz of bandwidth. Outputs should be bypassed at the connector with a 0.1μF ceramic disk capacitor and a 10 μF electrolytic capacitor to simulate system loading. 2.5、电源效率Efficiency 在25℃下,直流输入11.4V-12.6V 、Intel规定的满负载条件下,电源效率不小于80%。 The efficiency of the power supply should be greater than or equal to 80%, at nominal input voltage of DC 11.4V-12.6V input, under the load conditions defined in the form factor specific sections of intel PSDG, at 25℃。

电路图及元件符号大全

二极管 表示符号:D 变容二极管 表示符号:D 双向触发二极管 表示符号:D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 桥式整流二极管 表示符号:D 肖特基二极管隧道二极管 光敏二极管或光电接收二 极管 发光二极管 表示符号:LED

光敏三极管或光电接收三 极管 表示符号:Q,VT 单结晶体管(双基极二极 管) 表示符号:Q,VT 复合三极管 表示符号:Q,VT PNP型三极管 表示符号:Q,VT PNP型三极管 表示符号:Q,VT NPN型三极管 表示符号:Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN 型三极管 表示符号:Q,VT IGBT 场效应管 表示符号:Q,VT 带阻尼二极管IGBT 场效应 管 表示符号:Q,VT 稳压二极管 表示符号:ZD,D 隧道二极管 双色发光二极管 表示符号:LED

NPN型三极管 表示符号:Q,VT 带阻尼二极管NPN型三极 管 表示符号:Q,VT 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS 电阻电阻器或固定电阻 表示符号:R 电位器 表示符号:VR,RP,W 可调电阻 表示符号:VR,RP,W

电位器 表示符号:VR,RP,W 三脚消磁电阻 表示符号:RT 二脚消磁电阻 表示符号:RT 压敏电阻 表示符号:RZ,VAR 光敏电阻 CDS 电容(有极性电容) 表示符号: 电容(有极性电容) 表示符号:C 电容(无极性电容) 表示符号:C 四端光电光电耦合器 表示符号:IC,N 六端光电光电耦合器 表示符号:IC,N

场效应管增强型N-MOS 电阻电阻器或固定电阻 表示符号:R 可调电阻 表示符号:VR,RP,W 热敏电阻 表示符号:RT 可调电容 表示符号:C 单向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 石英晶体滤波器

桥式整流电路计算

桥式整流电路计算 桥式整流属于全波整流,它不是利用副边带有中心抽头的变压器,用四个二极管接成电桥形式,使在电压V2的正负半周均有电流流过负载,在负载形成单方向的全波脉动电压。 桥式整流电路计算主要参数: 单相全波整流电路图 利用副边有中心抽头的变压器和两个二极管构成如下图所示的全波整流电路。从图中可见正负半周都有电流流过负载,提高了整流效率。 全波整流的特点: 输出电压V O高;脉动小;正负半周都有电流供给负载,因而变压器得到充分利用,效率较高。 主要参数: 桥式整流电路电感滤波原理 电感滤波电路利用电感器两端的电流不能突变的特点,把电感器与负载串联起来,以达到使输出电流平滑的目的。从能量的观点看,当电源提供的电流增大(由电源电压增加引起)时,电感器L把能量存储起来;而当电流减小时,又把能量释放出来,使负载电流平滑,电感L有平波作用

桥式整流电路电感滤波优点:整流二极管的导电角大,峰值电流小,输出特性较平坦。 桥式整流电路电感滤波缺点:存在铁心,笨重、体积大,易引起电磁干扰,一般只适应于低电压、大电流的场合。 例10.1.1桥式整流器滤波电路如图所示,已知V1是220V交流电源,频率为50Hz,要求直流电压V L=30V,负载电流I L=50mA。试求电源变压器副边电压v2的有效值,选择整流二极管及滤波电容。

桥式整流电路电容滤波电路 图10.5分别是单相桥式整流电路图和整流滤波电路的部分波形。这里假设t<0时,电容器C已经充电到交流电压V2的最大值(如波形图所示)。 结论1:由于电容的储能作用,使得输出波形比较平滑,脉动成分降低输出电压的平均值增大。

经验整流电路简单的计算公式

整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。 整流电路分类: 单向、三相与多项整流电路; 还可分为半波、全波、桥式整流电路; 又可分为可控与不可控;当全部或部分整流元件为可控硅(晶闸管)时称可控整流电路 (一)不可控整流电路 1、单向二极管半波整流电路 半波整说是以"牺牲"一半交流为代价而换取整流效果的,电流利用率很低;因此常用在高电压、小电流的场合,而在一般无线电装置中很少采用。 输出直流电压U=0.45U2 流过二极管平均电流I=U/RL=0.45U2/RL 二极管截止承受的最大反向电压是Um反=1.4U2 2、单向二极管全波整流电路 因此称为全波整流,全波整流不仅利用了正半周,而且还巧妙地利用了负半周,从而大大地提高了整流效率(Usc=0.9e2,比半波整流时大一倍) 另外,这种电路中,每只整流二极管承受的最大反向电压,是变压器次级电压最大值的两倍,因此需用能承受较高电压的二极管。 输出直流电压U=0.9U2

流过二极管平均电流只是负载平均电流的一半,即流过负载的电流I=0.9U2/RL流过二极管电流I=0.45U2/RL 二极管截止时承受2.8U2的反向电压 因此选择二极管参数的依据与半波整流电路相比有所不同,由于交流正负两个半周均有电流流过负载,因此变压器的利用率比半波整流高。 二极管全波整流的另一种形式即桥式整流电路,是目前小功率整 流电路最常用的整流电路。 3、二极管全波整流的结论都适用于桥式整流电路,不同点仅是每个二 极管承受的反向电压比全波整流小了一半。 桥式电路中每只二极管承受的反向电压等于变压器次级电压的最大值,比全波整洗电路小一半! U=0.9U2 流过负载电流I=0.9U2/RL 流过二极管电流I=0.45U2/RL 二极管截止承受反向电压U=1.4U2 另外,在高电压或大电流的情况下,如果手头没有承受高电压或整定大电滤的整流元件,可以把二极管串联或并联起来使用。 图5-7 示出了二极管并联的情况:两只二极管并联、每只分担电路总电流的一半,三只二极管并联,每只分担电路总电流的三分之一。总之,有几只二极管并联,"流经每只二极管的电流就等于总电流的几分之一。但是,在实际并联运用时",由于各二极管特性不完全一致,不能均分所通过的电流,会使有的管子困负担过重而烧毁。因此需在每只二极管上串联一只阻值相同的小电阻器,使各并联二极管流过的电流接近一致。这种均流电阻R 一般选用零点几欧至几十欧的电阻器。电流越大,R应选得越小。

单代号搭接网络计划时间参数计算

单代号搭接网络计划时间参数计算 在一般的网络计划(单代号或双代号)中,工作之间的关系只能表示成依次衔接的关系,即任何一项工作都必须在它的紧前工作全部结束后才能开始,也就是必须按照施工工艺顺序和施工组织的先后顺序进行施工。但是在实际施工过程中,有时为了缩短工期,许多工作需要采取平行搭接的方式进行。对于这种情况,如果用双代号网络图来表示这种搭接关系,使用起来将非常不方便,需要增加很多工作数量和虚箭线。不仅会增加绘图和计算的工作量,而且还会使图面复杂,不易看懂和控制。例如,浇筑钢筋混凝土柱子施工作业之间的关系分别用横道图、双代号网络图和搭接网络图表示,如下图所示。 施工过程 名 称 施工进度(天) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 一.搭接关系的种类及表达方式 单代号网络计划的搭接关系主要是通过两项工作之间的时距来表示的,时距的含义,表示时间的重叠和间歇,时距的产生和大小取决于工艺的要求和施工组织上的需要。用以表示搭接关系的时距有五种,分别是STS (开始到开始)、STF (开始到结束)、FTS (结束到开始)、FTF (结束到结束)和混合搭接关系。 (一)FTS (结束到开始)关系 结束到开始关系是通过前项工作结束到后项工作开始之间的时距(FTS )来表达的。如下图所示。 扎钢筋 浇筑混凝土 支模1 支模2 支模3 1 2 4 3 5 6 8 7 9 10 支模1 2 支模2 2 支模3 2 扎筋2 1 扎筋3 1 扎筋1 1 浇筑混凝土1 2 浇筑混 凝土2 2 浇筑混 凝土3 2 支模 6 扎钢筋 3 浇筑 6 STS=4 FTF=1 STS=1 FTF=4 i j FTS i j FTS D i D j

各种开关电源变压器各种高频变压器参数EEEEEEEIEI等等的参数

功率铁氧体磁芯 常用功率铁氧体材料牌号技术参数 EI型磁芯规格及参数

PQ型磁芯规格及参数 EE型磁芯规格及参数 EC、EER型磁芯规格及参数

1,磁芯向有效截面积:Ae 2,磁芯向有效磁路长度:le 3,相对幅值磁导率:μa 4,饱和磁通密度:Bs 1磁芯损耗:正弦波与矩形波比较 一般情况下,磁芯损耗曲线是按正弦波+/-交流(AC)激励绘制的,在标准的和正常的时候,是不提供极大值曲线的。涉及到开关电源电路设计的一个共同问题是正弦波和矩形波激励的磁芯损耗的关系。对于高电阻率的磁性材料如类似铁氧体,正弦波和矩形波产生的损耗几乎是相等的,但矩形波的损耗稍微小一些。材料中存在高的涡流损耗(如大 一般情况下,具有矩形波的磁芯损耗比具有正弦波的磁芯损耗低一些。但在元件存在铜损的情况下,这是不正确的。在变压器中,用矩形波激励时的铜损远远大于用正弦波激励时的铜损。高频元件的损耗在铜损方面显得更多,集肤效应损耗比矩形波激励磁芯的损耗给人们的印象更深刻。举个例子,在 20kHz、用17#美国线规导线的绕组时,矩形波激励的磁芯损耗几乎是正弦波激

励磁芯损耗的两倍。例如,对于许多开关电源来说,具有矩形波激励磁芯的 5V、20A和30A输出的电源,必须采用多股绞线或利兹(Litz)线绕制线圈,不能使用粗的单股导线。 2Q值曲线 所有磁性材料制造厂商公布的Q值曲线都是低损耗滤波器用材料的典型曲线。这些测试参数通常是用置于磁芯上的最适用的绕组完成的。对于罐形磁芯,Q值曲线指出了用作生成曲线时的绕组匝数和导线尺寸,导线是常用的利兹线,并且绕满在线圈骨架上。 对于钼坡莫合金磁粉芯同样是正确的。用最适合的绕组,并且导线绕满了磁芯窗口时测试,则Q值曲线是标准的。Q值曲线是在典型值为5高斯或更低的低交流(AC)激励电平下测量得出的。由于在磁通密度越高时磁芯的损耗越大,故人们警告,在滤波电感器工作在高磁通密度时,磁芯的Q值是较低的。3电感量、AL系数和磁导率 在正常情况下,磁芯制造厂商会发布电感器和滤波器磁芯的AL系数、电感量和磁导率等参数。这些AL的极限值建立在初始磁导率范围或者低磁通密度的基础上。对于测试AL系数,这是很重要的,测试AL系数是在低磁通密度下实施的。 某些质量管理引入检验部门,希望由他们用几匝绕组检查磁芯,并用不能控制频率或激励电压的数字电桥测试磁芯。几乎毫不例外,以几百高斯、若干

整流电路计算

桥式整流属于全波整流,它不是利用副边带有中心抽头的变压器,用四个二极管接成电桥形式,使在电压V2的正负半周均有电流流过负载,在负载形成单方向的全波脉动电压。 桥式整流电路计算主要参数: 单相全波整流电路图 利用副边有中心抽头的变压器和两个二极管构成如下图所示的全波整流电路。从 图中可见,正负半周都有电流流过负载,提高了整流效率。 全波整流的特点: 输出电压V O高;脉动小;正负半周都有电流供给负载,因而变压器得到充 分利用,效率较高。 主要参数:

桥式整流电路电感滤波原理 电感滤波电路利用 电感器两端的电流不能突变的特点,把电感器与负载串联起来,以达到使输出电流平滑的目的。从能量的观点看,当电源提供的电流增大(由电源电压增加引起)时,电感器L把能量存储起来;而当电流减小时,又把能量释放出来,使负载电流平滑,电感L有平波作用 桥式整流电路电感滤波优点:整流二极管的导电角大,峰值电流小,输出特性较平坦。 桥式整流电路电感滤波缺点:存在铁心,笨重、体积大,易引起电磁干扰, 只适应于低电压、大电流的场合。

例10.1.1桥式整流器滤波电路如图所示,已知V1是220V交流电源,频率为50Hz, 直流电压V L=30V,负载电流I L=50mA。试求电源变压器副边电压v2的有效值,选择整流二极管及滤波电容。

桥式整流电路电容滤波电路 图10.5分别是单相桥式整流电路图和整流滤波电路的部分波形。这里假设‘ 、 t<0时,电容器C已经充电到交流电压V2的最大值(如波形图所示)。 结论1:电容的储能作用,使得输出波形比较平滑,脉动成分降低输出电压的平均值增大。

线路参数计算公式

参数计算(第一版) 1.线路参数计算内容 1.1已知量: 线路型号(导线材料、截面积mm 2)、长度(km)、排列方式、线间距离(m)、外径(mm)、分裂数、分裂距(m)、电压等级(kV)、基准电压U B (kV , 母线电压作为基准电压)、基准容量S B (100MV A)。 1.2待计算量: 电阻R(Ω/km)、线电抗X(Ω/km)、零序电阻R0(Ω/km)、零序电抗X0(Ω/km)、对地电纳B (S/km)、对地零序电纳B0(S/km)。 1.3计算公式: 1.3.1线路电阻 R=ρ/S (Ω/km) R*=R 2B B U S 式中 ρ——导线材料的电阻率(Ω·mm 2/km); S ——线路导线的额定面积(mm 2)。 1.3.2线路的电抗 X=0.1445lg eq m r D +n 0157.0(Ω/km) X*=X 2B B U S 式中 m D ——几何均距,m D =ac bc ab D D D (mm 或cm,其单位应与eq r 的单位相同); eq r ——等值半径, eq r =n n m rD 1 (mm,其中r 为导线半径); n ——每个导线的分裂数。 1.3.3零序电阻 R0=R+3R g (Ω/km)

R0*=R02B B U S 式中 R g ——大地电阻, R g =π2×10-4×f =9.869×10-4×f (Ω/km)。在f =50Hz 时,R g =0.05Ω/km 。 1.3.4零序电抗 X0=0.4335lg s g D D (Ω/km) X0*=X02B B U S 式中 g D ——等值深度, g D =γf 660 ,其中γ为土壤的电导率,S/m 。当土壤电导率不明确时,在一 般计算中可取g D =1000m 。 s D ——几何平均半径, s D =32m D r '其中r '为导线的等值半径。若r 为单根导线的实际半径,则 对非铁磁材料的圆形实心线,r '=0.779r ;对铜或铝的绞线,r '与绞线股 数有关,一般r '=0.724~0.771r ;纲芯铝线取r '=0.95r ;若为分裂导线 ,r '应为导线的相应等值半径。m D 为几何均距。 1.3.5对地电钠 B=610lg 58.7-?eq m r D (S/km) B*=B B B S U 2 式中

电路元器件图形符号

电气符号表示 1.U、V、W 是用国际标准表示的三相三线制供电的三条电源火(相)线,有时也常常用L1、L2、L3来表示,习惯上,我们经常用国家标准的A、B、C,现在为与国际标准接轨,我们规定用U、V、W来表示。三相四线制是在三相三线制的基础上增加了一条零线(N)。三相五线制是将三相四线制的零线一分为二,即将三相四线制的零线分为保护零线(PE)和工作零线(N)。在施工布线时,我们习惯上分别用黄、绿、红、黑、黄绿双色线来表示U、V、W、N、PE。 2.QF QF表示低压断路器,又称自动空气开关或自动开关,当电路发生短路、严重过载时,它能自动切除故障电路,有效地保护串联在它后面的电气设备,常常用于不太频繁的接通和断开线路中的电路。安装时,低压断路器必须垂直安装,不能横装或倒装。接线时,一般规定上面为进线(即接电源),下面为出线(即接负载)。操作时,低压断路器的操作把手向上时表示合闸(即闭合),操作把手向下时表示分闸(即断开)。如果由于某故障使其跳闸时,这时必须先将其操作把手向下拉到底后再合闸,否则,合不上闸。常用的低压断路器外形及图形符号如图2所示。 3.KM KM表示交流接触器,其图形符号如图3(b)所示,适用于频繁操作和远距离控制。从使用角度来看,它主要有三部分,一是线圈(它有220V和380V两种,接在控制电路中),二是主触头(一般有三个常开触头,接在主电路中),三是辅助触头(一般有两个常开触头和两个常闭触头,接在控制电路中)。所谓“常开”、“常闭”是指电磁系统未通电动作前触头的状态,即常开触头是指线圈未通电时,其动、静触头是处于断开状态,线圈通电后就闭合,所以常开触头又称为动合触头。常闭触头是指线圈未通电前,其动、静触头是闭合的,而线圈通电后则断开,所以常闭触头又称为动断触头。其外形一般有两种,一种是考工柜上的,另一种如图3(a)所示。检查时,我们可以用万用表的R×1挡检查触头系统的开断情况,用万用表的R×10或R×100挡或数字表的2K挡检查线圈的好坏。 4.FR FR表示热继电器,它在电路中用作电动机的过载保护,具有反时限特性。检查时,热继电器必须检查其热元件和辅助常闭触头。若因过载使热继电器动作时,其辅助常闭触头将断开而不通,若要使其闭合,则必须按手动复位按钮使之复位,有的只需待双金属片冷却后即自动复位。 5.FU FU表示熔断器(俗称保险),在照明电路中用作过载和短路保护,而在电动机主电路中只作短路保护。检查时,可用万用表的R×1挡或数字表的200欧挡测其电阻,若电阻为0,则是好的,若电阻为无穷大,则说明已熔断。

整流变压器的参数计算

整流变压器的参数计算 晶闸管变流设备一般都是通过变压器与电网连接的,因此其工作频率为工频初级电压即 为交流电网电压.经过变压器的耦合,晶闸管主电路可以得到一个合适的输入电压,是晶闸 管在较大的功率因数下运行.变流主电路和电网之间用变压器隔离,还可以抑制由变流器进 入电网的谐波成分,减小电网污染.在变流电路所需的电压与电网电压相差不多时,有时会 采用自耦变压器;当变流电路所需的电压与电网电压一致时,也可以不经变压器而直接与电 网连接,不过要在输入端串联"进线电抗器"以减少对电网的污染. 变压器的参数计算之前,应该确定负载要求的直流电压和电流,确定变流设备的主电路 接线形式和电网电压.先选择其次级电压有效值U2,U2数值的选择不可过高和过低,如果 U2过高会使得设备运行中为保证输出直流电压符合要求而导致控制角过大,使功率因数变 小;如果U2过低又会在运行中出现当α=αmin时仍然得不到负载要求的直流电压的现象.通 常次级电压,初级和次级电流根据设备的容量,主接线结构和工作方式来定.由于有些主接 线形式次级电流中含有直流成分,有的又不存在,所以变压器容量(视在功率)的计算要根 据具体情况来定. 5.5.1 变压器次级相电压U2的计算 整流器主电路有多种接线形式,在理想情况下,输出直流电压Ud与变压器次级相电压U2有以下关系 BUVdKUKU2= (5.39) 其中KUV为与主电路接线形式有关的常数;KB为以控制角为变量的函数,设整流器在控 制角α=0和控制角不为0时的输出电压平均值分别为Ud0和Udα,则KUV= Ud0/ U2,KB=Ud α/Ud0. 在实际运行中,整流器输出的平均电压还受其它因素的影响,主要为: (1)电网电压的波动.一般的电力系统,电网电压的波动允许范围在+5%~-10%,令 ε为电压波动系数,则ε在0.9~1.05之间变化,这是选择U2的依据之一.考虑电网电压最 低的情况,设计中通常取ε=0.9~0.95. (2)整流元件(晶闸管)的正向压降.在前面对整流电路的分析中,没有考虑整流元 件的正向压降对输出电压的影响,实际上整流元件要降掉一部分输出电压,设其为UT.由 于整流元件与负载是串联的,所以导通回路中串联元件越多,降掉的电压也就越多.令

双代号网络图时间参数的计算

双代号网络图时间参数的计算 参数名称符号英文单词 工期 计算工期TCComputer Time 要求工期TR RequireTime 计划工期T P Plan Time 工作的 时间参数 持续时间D i-jDay 最早开始时间ES i-j Earliest Starting Tim e 最早完成时间EF i—j Earliest Finishing Time 最迟完成时间LFi—jLatest Finishing Time 最迟开始时间LSi—jLatest Starting Time 总时差TFi-j Total Float Time 自由时差FF i-j Free Float Time 二、工作计算法 【例题】:根据表中逻辑关系,绘制双代号网络图,并采用工作计算法计算各工作的时间参数。 工作A B C DEFGHI 紧前-A A B B、C C D、E E、 F H、G 时间333854422

(一)工作的最早开始时间ESi—j —-各紧前工作全部完成后,本工作可能开始的最早时刻。 (二)工作的最早完成时间EF i—j EF i-j=ES i-j + D i—j 1。计算工期Tc等于一个网络计划关键线路所花的时间,即网络计划结束工作最早完成时间的最大值,即T c=max{EF i—n} 2.当网络计划未规定要求工期Tr时, Tp=T c 3.当规定了要求工期Tr时,T c≤T p,T p≤T r —-各紧前工作全部完成后,本工作可能完成的最早时刻。

(三)工作最迟完成时间LFi-j 1.结束工作的最迟完成时间LFi-j=T p 2.其他工作的最迟完成时间按“逆箭头相减,箭尾相碰取小值”计算. --在不影响计划工期的前提下,该工作最迟必须完成的时刻。 (四)工作最迟开始时间LS i-j LSi—j=LFi—j—D i-j --在不影响计划工期的前提下,该工作最迟必须开始的时刻。

电路图常见电器元件标识符号

电气元件图形符号介绍_常用电气元件图形符号大全 电气图形符号是指用于各种设备上,作为操作指示或用来显示设备的功能或工作状态的图形符号,例如:电气设备用图形符号、纺织设备用图形符号等。网站数据库中收录现行的含有设备用图形符号的国家标准共26项,所含设备用图形符号共2902个。 图形符号的种类和组成: 图表符号一般分为:限定符号、一般符号、方框符号、以及标记或字符。 限定符号不能单独使用,必须同其他符号组合使用,构成完整的图形符号。 如交流电动机的图表符号,由文字符号、交流的限定符号以及轮廓要素组成。 延时过流继电器图形符号,由测量继电器方框符号要素,特性量值大于整定值时动作和延时动作的限定符号以及电流符号组成。 方框符号一般用在使用单线表示法的图中,如系统图和框图中,由方框符号内带有限定符号以表示对象的功能和系统的组成,如整流器图表符号,由方框符号内带有交流和直流的限定符号以及可变性限定符号组成。 常用电气元件图形符号: 1、基本文字符号

2、辅助文字符号 图形符号大全:

开关 多级开关一般符号单线表示 多级开关一般符号多线表示 接触器 KM 接触器 负荷开关 具有自动释放功能的负荷开关 熔断器式断路器 断路器 QF 隔离开关 QS 熔断器一般符号 FU 跌落式熔断器 FF

熔断器式开关 熔断器式隔离开关 熔断器式负荷开关 当操作器件被吸合时延时闭合的动合触点 当操作器件被释放时延时闭合的动合触点 当操作器件被释放时延时闭合的动断触点电气图用图形符号 当操作器件被吸合时延时闭合的动断触点 当操作器件被吸合时延时闭合和释放时延时断开的动合触点 按钮开关 SB

经验整流电路简单的计算公式

经验整流电路简单的计 算公式 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】

整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。 整流电路分类: 单向、三相与多项整流电路; 还可分为半波、全波、桥式整流电路; 又可分为可控与不可控;当全部或部分整流元件为可控硅(晶闸管)时称可控整流电路 (一)不可控整流电路 1、单向二极管半波整流电路 半波整说是以"牺牲"一半交流为代价而换取整流效果的,电流利用率很低;因此常用在高电压、小电流的场合,而在一般无线电装置中很少采用。 输出直流电压U= 流过二极管平均电流 I=U/RL=RL 二极管截止承受的最大反向电压是 Um反= 2、单向二极管全波整流电路 因此称为全波整流,全波整流不仅利用了正半周,而且还巧妙地利用了负半周,从而大大地提高了整流效率(Usc=,比半波整流时大一倍) 另外,这种电路中,每只整流二极管承受的最大反向电压,是变压器次级电压最大值的两倍,因此需用能承受较高电压的二极管。 输出直流电压U=

流过二极管平均电流只是负载平均电流的一半,即流过负载的电流I=RL流过二极管电流I=RL 二极管截止时承受的反向电压 因此选择二极管参数的依据与半波整流电路相比有所不同,由于交流正负两个半周均有电流流过负载,因此变压器的利用率比半波整流高。 二极管全波整流的另一种形式即桥式整流电路,是目前小功率整 流电路最常用的整流电路。 3、二极管全波整流的结论都适用于桥式整流电路,不同点仅 是每个二极管承受的反向电压比全波整流小了一半。 桥式电路中每只二极管承受的反向电压等于变压器次级电压的最大值,比全波整洗电路小一半! U= 流过负载电流I=RL 流过二极管电流I=RL 二极管截止承受反向电压U= 另外,在高电压或大电流的情况下,如果手头没有承受高电压或整定大电滤的整流元件,可以把二极管串联或并联起来使用。 图5-7 示出了二极管并联的情况:两只二极管并联、每只分担电路总电流的一半,三只二极管并联,每只分担电路总电流的三分之一。总之,有几只二

工程网络计划有关时间参数的计算典型例题

工程网络计划有关时间参数的计算典型例题 例题1:某工程双代号网络计划如下图所示(单位:天)。该网络计划的关键线路为()。 A.①→③→⑤→⑥ B.①→③→④→⑤→⑥和①→②→③→④→⑤→⑥ C.①→②→⑤→⑥和①→②→③→④→⑥ D.①→②→③→⑤→⑥ 【正确答案】B 【答案解析】按工作计算法可知,总工期为14天,关键线路为:①→③→④→⑤→⑥和①→②→③→④→⑤→⑥两条。参见教材P128. 例题2:[背景资料]某施工企业与业主签订了某工程的施工承包合同。经监理工程师审核批准的施工进度计划如下图所示(时间单位:天)。 根据上述背景资料,回答下列第1~4小题: 第1小题:双代号网络图中虚箭线表示()。 A.资源消耗程度B.工作的持续时间C.工作之间的逻辑关系D.非关键工作 【正确答案】C

【答案解析】在双代号网络图中,为了正确地表达图中工作之间的逻辑关系,往往需要用虚箭线。虚线是实际工作中并不存在的一项虚设工作,故它们既不占用时间,也不消耗资 源。 在双代号网络图中,任意一条实箭线都要占用时间、消耗资源。参见教材P116. 第2小题:监理工程师审核批准的施工进度计划工期是()天。 A.210 B.245 C.280 D.300 【正确答案】D 【答案解析】本题实质就是计算该网络计划的工期。计算得到的最早开始时间、最早完成时间、最迟开始时间、最迟完成时间、总时差和自由时差。由图可知计划工期是300天。由于该网络计划图较简单,也可以分别计算四条线路的持续时间,关键线路的长就是计划工 期。参见教材P127. 工期泛指完成任务所需要的时间,一般有以下3种; (1)计算工期,根据网络计划时间参数计算出来的工期,用T c表示; (2)要求工期,任务委托人所要求的工期,用T r表示; (3)计划工期,根据要求工期和计算工期所确定的作为实施目标的工期,用T p表示。 网络计划的计划工期T p应按下列情况分别确定:当已规定了要求工期T r时,T p≤T r; 当未规定要求工期时,可令计划工期等于计算工期,T p=T r。 计算过程见下图所示:

IGBT驱动电路参数计算详解

IGBT驱动电路参数计算详解 大功率IGBT 模块在使用中驱动器至关重要,本文介绍在特定应用条件下IGBT门极驱动性能参数的计算方法,经验公式及有关CONCEPT 驱动板的选型标准,得出的一些参数值可以作为选择一款合适IGBT驱动器的基本依据。 1 门极驱动的概念 IGBT存在门极-发射极电容Cge,门极-集电极电容Cgc,我们将IGBT的门极等效电容定义为Cg,门极驱动回路的等效电路如下图所示: 其本质是:一个脉冲电压源向RC电路进行充放电,对于这个电压源,有2个物理量我们需要关心,1.它的功率;2.它的峰值电流。 2 驱动功率的计算 驱动器是用来控制功率器件的导通和关断。为了实现此功能,驱动器对功率器件的门极进行充电以达到门极开通电压VGE_on,或者是对门极进行放电至门极关断电压 VGE_off。 门极电压的两种电平间的转换过程中,在驱动器门极驱动电阻及功率器件组成的回路中产生一定的损耗。这个参数我们称为驱动功率PDRV。驱动器必须根据其所驱动的功率器件所需的驱动功率来选择。 驱动功率可以从门极电荷量QGate,开关频率fIN,以及驱动器实际输出电压摆幅ΔVGate 计算得出: P DRV = Q Gate * f IN * ΔV Gate (Eq. 1) 备注:P DRV: 驱动器每通道输出功率;f IN: IGBT开关频率;Q Gate :IGBT门极电荷,可从规格书第一页查出,不同IGBT该数值不同;ΔV Gate:门极驱动电压摆幅,等于驱动正压+U 和负压–U 之间差值。 如果门极回路放置了一个电容CGE (辅助门极电容),那么驱动器也需要对该电容进行充放电,如图1 所示:

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