恒定表面浓度的扩散
- 格式:ppt
- 大小:154.00 KB
- 文档页数:4
恒定表面源扩散
恒定表面源扩散是一种重要的环境质量评估方法,用于估算某一特定
环境中由恒定表面源产生的污染物扩散的程度。
该方法具有简单、高效、可靠等优点,在环境评估和控制中得到了广泛的应用。
恒定表面源扩散主要基于康威方程和高斯模型,通过对表面源排放量、风向、风速、大气稳定度等参数进行定量分析,确定污染物扩散面积
和浓度分布,进而估算污染物对环境和人体健康的影响程度。
此外,
该方法还可以用于评估污染物治理措施的效果,并为环保政策的制定
提供科学依据。
恒定表面源扩散方法的应用需要进行大量数据采集、处理和模型建立,同时还需对模型进行严密的验证和精度分析。
在模型建立过程中,需
要考虑实际环境条件对模型的影响,如地形、建筑物、植被等,以及
不同污染物的特性、化学反应和物理过程等。
此外,在使用该方法时,还需注意选择适当的指标和阈值来评估环境质量,并在实践中根据实
际情况不断调整和优化模型。
然而,恒定表面源扩散方法也存在一些局限性和不足,如不考虑污染
物源的变化和间歇性排放对模型的影响,模型结果可能存在误差;模
型的适用范围和可靠性受限于输入参数的准确性和完整性;模型结果
仅供参考,对如何有效地控制和治理污染仍需要进一步的研究。
总之,恒定表面源扩散方法是一种实用、可靠的环境质量评估方法,在环境保护和治理中具有重要的应用价值。
然而,在使用该方法时,需注意模型建立和输入参数的准确性和完整性,以及模型结果的合理性和可靠性,从而为保护环境和人类健康做出更大的贡献。
扩散工艺前言:扩散部按车间划分主要由扩散区域及注入区域组成,其中扩散区域又分扩散老区和扩散新区。
扩散区域按工艺分,主要有热氧化、扩散、LPCVD、合金、清洗、沾污测试等六大工艺。
本文主要介绍热氧化、扩散及合金工艺。
目录第一章:扩散区域设备简介……………………………………第二章:氧化工艺第三章:扩散工艺第四章:合金工艺第一章:扩散部扩散区域工艺设备简介炉管设备外观:扩散区域的工艺、设备主要可以分为:类别主要包括按工艺分类热氧化一氧、二痒、场氧、Post氧化扩散推阱、退火/磷掺杂LPCVD TEOS、SI3N4、POL Y清洗进炉前清洗、漂洗合金合金按设备分类卧式炉A、B、C、D、F、H、I六台立式炉VTR-1、VTR-2、VTR-3 清洗机FSI-1、FSI-2炉管:负责高温作业,可分为以下几个部分:组成部分功能控制柜→对设备的运行进行统一控制;装舟台:→园片放置的区域,由控制柜控制运行炉体:→对园片进行高温作业的区域,由控制柜控制升降温源柜:→供应源、气的区域,由控制柜控制气体阀门的开关。
FSI:负责炉前清洗。
第二章:热氧化工艺热氧化法是在高温下(900℃-1200℃)使硅片表面形成二氧化硅膜的方法。
热氧化的目的是在硅片上制作出一定质量要求的二氧化硅膜,对硅片或器件起保护、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。
硅片氧化前的清洗、热氧化的环境及过程是制备高质量二氧化硅膜的重要环节。
2. 1氧化层的作用2.1.1用于杂质选择扩散的掩蔽膜常用杂质(硼,磷,砷等)在氧化层中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数,因此氧化层具有阻挡杂质向半导体中扩散的能力。
利用这一性质,在硅上的二氧化硅层上刻出选择扩散窗口,则在窗口区就可以向硅中扩散杂质,其它区域被二氧化硅屏蔽,没有杂质进入,实现对硅的选择性扩散。
1960年二氧化硅就已被用作晶体管选择扩散的掩蔽膜,从而导致了硅平面工艺的诞生,开创了半导体制造技术的新阶段。
同时二氧化硅也可在注入工艺中,作为选择注入的掩蔽膜。
材料科学基础(武汉理工大学,张联盟版)课后习题及答案第七章第七章答案7-1略7-2浓度差会引起扩散,扩散是否总是从高浓度处向低浓度处进行?为什么?解:扩散是由于梯度差所引起的,而浓度差只是梯度差的一种。
当另外一种梯度差,比如应力差的影响大于浓度差,扩散则会从低浓度向高浓度进行。
7-3欲使Ca在CaO中的扩散直至CaO的熔点(2600℃)时都是非本质扩散,要求三价离子有什么样的浓度?试对你在计算中所做的各种特性值的估计作充分说明。
已知CaO肖特基缺陷形成能为6eV。
解:掺杂M引起V’’Ca的缺陷反应如下:当CaO在熔点时,肖特基缺陷的浓度为:3+2+所以欲使Ca在CaO中的扩散直至CaO的熔点(2600℃)时都是非本质扩散,M的浓度为,即2+3+7-4试根据图7-32查取:(1)CaO在1145℃和1650℃的扩散系数值;(2)Al2O3在1393℃2+3+和1716℃的扩散系数值;并计算CaO和Al2O3中Ca和Al的扩散活化能和D0值。
解:由图可知CaO在1145℃和1650℃的扩散系数值分别为,Al2O3在1393℃和1716℃的扩散系数值分别为根据可得到CaO在1145℃和1650℃的扩散系数的比值为:,将值代入后可得,Al2O3的计算类推。
7-5已知氢和镍在面心立方铁中的扩散数据为2cm/s和2cm/s,试计算1000℃的扩散系数,并对其差别进行解释。
解:将T=1000℃代入上述方程中可得。
,同理可知原因:与镍原子相比氢原子小得多,更容易在面心立方的铁中通过空隙扩散。
7-6在制造硅半导体器体中,常使硼扩散到硅单晶中,若在1600K温度下,保持硼在硅单晶-3表面的浓度恒定(恒定源半无限扩散),要求距表面10cm深度处硼的浓度是表面浓度的一半,问需要多长时间(已知D1600℃=8×10-12cm/s;当2时,)?解:此模型可以看作是半无限棒的一维扩散问题,可用高斯误差函数求解。
其中-122=0,,所以有0.5=s。