扩散参数。
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水分子扩散系数
(原创实用版)
目录
1.水分子扩散系数的定义
2.水分子扩散系数的测量方法
3.水分子扩散系数的影响因素
4.水分子扩散系数的应用
正文
水分子扩散系数是指水分子在单位时间内,通过单位面积的膜的扩散通量与水分子浓度的比值。
这个系数是描述水分子在各种材料中的扩散能力的重要参数,其值越大,表示水分子在这些材料中的扩散速度越快。
测量水分子扩散系数的方法通常有几种,其中最常用的是使用膜渗透法。
在这个方法中,我们将水分子通过一个半透膜,然后测量水分子通过这个膜的时间。
通过这个时间,我们可以计算出水分子的扩散速度,从而得出水分子扩散系数。
水分子扩散系数的大小受到许多因素的影响,包括温度、压力、材料的性质以及水分子的浓度等。
一般来说,温度越高,水分子的扩散系数越大;压力越大,水分子的扩散系数也越大。
此外,材料的性质也会影响水分子的扩散系数,例如,一些材料可能对水分子有阻隔作用,从而降低水分子的扩散系数。
水分子扩散系数在许多领域都有应用,包括环境科学、生物医学和材料科学等。
第1页共1页。
扩散参数规范表
4.整流管产品工艺代码:ZP-4
工艺代码:ZP-2
注:①上述标准有效期至2015年5月30日。
上述工艺参数供参考,其它按工艺文件要求执行。
有效期到后,更新版本或由副总工程师签字延期。
②参考时间应以设定中心值为准,如实际超出上述偏差时,经工程师确认,方可在公差范围内调整。
否则必须评审确定。
③镓扩散时间,不得随意调整。
如必须修正时,应由工程师确认,并附说明,指明磷扩散工艺时间参考。
④带*型号产品待试验验证,批量投入工程师指令流程。
拟制:审核:批准:
发放范围:晶圆制造部镓扩散(检验员共用)、磷扩散(检验员共用)各1份,共2份。
sd模型扩散参数-概述说明以及解释1.引言1.1 概述SD模型(System Dynamics Model)是一种用于模拟和研究动态系统行为的建模方法。
通过对系统内各个变量之间的关系进行建模,SD模型可以帮助我们更好地理解和预测系统的行为,从而为决策提供科学依据。
在SD模型中,扩散参数是一个重要的概念。
它描述了系统中物质、信息或者经济资源等在不同部分之间的流动程度。
换句话说,扩散参数可以理解为描述不同部分之间互相影响程度的量度。
在现实生活中,很多系统都可以通过SD模型来进行建模,比如生态系统、经济系统、社会系统等等。
而在这些系统中,扩散参数的选择和设定是至关重要的。
因为扩散参数的大小和影响程度将直接决定系统中各个部分之间的相互作用强度,从而对系统整体行为产生重要影响。
在编写SD模型时,我们需要通过实证研究或者专家经验来确定扩散参数的数值。
在实际操作中,常常会面临到参数求解的复杂性和不确定性。
因此,为了提高模型的可靠性和准确性,我们需要结合实际情况,合理选择和设定扩散参数,以使模型具有更好的描述和预测能力。
总之,扩散参数是SD模型中的一个重要概念,它描述了系统中不同部分之间的互相影响程度。
在建立SD模型时,正确选择和设定扩散参数是确保模型准确性和可靠性的关键步骤。
通过深入理解和运用扩散参数,我们可以更好地研究和分析系统的行为特征,为决策提供科学指导。
1.2 文章结构文章结构部分的内容包括对整篇文章的结构进行介绍和说明,让读者能够清晰了解文章的组织和内容布局。
下面是关于"文章结构"部分的内容示例:2. 文章结构本文按照以下结构进行组织和阐述。
首先,引言部分会提供一个概述,介绍本研究的背景和研究目的。
然后,正文部分将详细讨论SD模型的扩散参数,分为三个要点进行阐述。
最后,结论部分对文章进行总结,分析了研究结果的影响,并提出了一些建议。
引言部分旨在为读者提供对SD模型扩散参数的整体了解。
大气扩散模型参数符号解释
Us (Vs )——烟气出口流速(m/s ); Q H ——烟囱的热排放率(KJ 千焦),Q H 越高烟云抬升的浮力就越大,大多
数烟云抬升模式认为其中α=1/4~1,常取α为2/3;
D (d )——烟气出口内径(m );
ū——烟囱出口处的平均风速(m/S );
T s ——烟囱出口温度(K );
T a ——环境大气温度(K ),取当地近5年平均值; t —气体扩散时间,气体由泄露源泄漏时刻t=0; x,y,z —以泄漏源为坐标原点,空间任意一点的坐标; C —空间中任一点的气体浓度;
k —气体扩散系数;
Q —气体由扩散源扩散时施放的气体总量;
μ--平均风速; σ--用浓度标准偏差表示y 轴上的扩散参数; H —气体扩散的有效高度; x —下风方向到泄漏点源的距离; y —侧风方向离泄漏源点的距离; z —垂直向上方向离泄漏源点的距离; l-距离泄漏源的距离; p 0-泄漏源的总浓度;
m-放射性气体排出的速度; s-放射性气体排除后向四周扩散的速度; α H Q ∝ ∆H。
液体扩散系数
液体扩散系数是一种量化了液体扩散形态与行为的参数。
它描述了液体在单位
高度变化时受到的动力效率,表示液体在不同状态下的流动性。
液体扩散系数的量化值可以帮助科学家以准确的速度和浓度来映射液体的流动性,从而实现对液体运动性的高效跟踪。
液体扩散系数最常用于分析液体的湮没趋势,如饮用水和油气的成层流动性以
及重金属的渗透性。
这个系数被用于描述液体如何通过外表面运动,以及液体渐变如何影响流动。
例如,特定类型气体体系中温度升高后,运动性会增加,液体扩散系数也会随之增加。
测量液体扩散系数,可以计算出它在特定体系中的运动性变化百分比。
进行液体扩散分析时需要对流动性能进行详细分析,以准确测量液体扩散系数,并利用这个数值更加精准的控制液体的流动性能。
随着互联网的发展,液体扩散系数的研究也得到了大幅度的推进。
越来越多的
科学家正探索如何利用液体扩散系数的力量来改善现有的液体技术。
例如,许多液体分析软件正在使用液体扩散系数,让实验人员可以更加精确的控制液体流动性能,作出更有效的调节。
在液体扩散系数在其中发挥作用的同时,新技术也可以让工程师以更快的速度进行持续分析和研究,从而推动液体的进步。
液体扩散系数是一个非常强大的参数,它可以有效地帮助科学家研究液体的流
动性,控制液体的行为,改善液体技术,并加速液体产业的发展。
在互联网的促进下,科学家也正逐渐发掘液体扩散系数所蕴含的潜力,以进一步让其服务于液体技术领域。
扩散系数和粘度的关系
扩散系数和粘度是液体流动过程中的两个重要参数。
扩散系数是描述液体中的分子扩散过程的参数,而粘度则是描述液体流动过程中的阻力的参数。
一般来说,扩散系数与粘度之间存在一定的关系,但是这种关系并不是十分显著。
在一般情况下,扩散系数随着粘度的升高而升高。
这是因为,当粘度升高时,液体流动的阻力也会升高,分子扩散过程就会变得更加困难。
但是,这种关系并不是线性的,而是呈指数级别的关系。
此外,扩散系数与粘度还可能存在其他的关系。
例如,在某些特定的温度范围内,扩散系数可能随着粘度的升高而降低。
这是因为在这个温度范围内,液体的分子运动可能会受到某些因素的限制,导致分子扩散速率降低。
另外,扩散系数和粘度之间的关系还可能受到液体的种类、浓度、温度等因素的影响。
因此,在研究扩散系数和粘度之间的关系时,需要注意这些因素的影响。
总的来说,扩散系数和粘度之间存在一定的关系,但是这种关系并不是十分明显,并且可能受到许多因素的影响。
因此,在研究扩散系数和粘度之间的关系时,需要注意这些因素的影响。
扩散过程;高方阻工艺;电池性能参数。
祝飞属于恒定表面浓度的扩散,浓度沿纵深的浓度分布为余误差型。
磷源在扩散温度下分解并沉积在硅面上向内部扩散。
此时表面浓度为P在Si中的固溶度,结深随时间逐渐推进,扩散层方阻随通源时间变小。
⏹停源再分布过程,理论上是恒定杂质总量的扩散,但实际上还需考虑到此时:硅面上还有已沉积但未扩散的磷;炉内仍有残留磷源;表面高磷浓度薄层被氧化为PSG。
这个过程中表面浓度可能会降低,结深继续向纵深推进,不排除方阻有逐渐变大的可能。
这有效降低了表面杂质复合中心,提高了表面少子寿命,增加了短波响应,从而有效的提高I SC和V OC,从而提高N cell。
⏹高方阻的问题:高方阻还意味着表面薄层电阻的明显增加,这将增大R S,降低FF。
所以高方阻工艺的关键是使得I SC和V OC的提高大于FF的损失。
⏹高方阻扩散要求:(1)保证方阻均匀性是一切的前提,其影响因素为:设备因素包括温度、尾气负压、排风;工艺因素包括预沉积氧化层的厚度、磷源浓度等。
要求极差值小于8,通过实验确定各参数。
(2)高方阻的扩散方案:原则是降低掺杂量,如降温、减小源的浓度等,但需配合diffusion time和drive in time的调整。
通过DOE(Desire of experiments)确定具体参数。
(3)在原有制程工艺上进行试生产,若看到I SC和V OC的提升,尤其是V OC的提高,则证明高方阻扩散成功。
⏹高方阻镀膜要求:(1)若表面钝化效果糟糕,则高方阻造成的I SC提升会因此而再次损失。
(2)为了配合高方阻对短波响应的提升,PECVD镀膜时要考虑对n和d做出调整,从而减少短波反射。
(3)用椭圆偏振光法(即椭偏仪)可以测量膜厚和折射率,本质是通过检测、分析入射光和反射光的偏振状态,是间接获得结果的一种非接触测量方法。
需DOE实验确定具体参数。
⏹高方阻印刷要求:按原有的印刷工艺,对N cell进行确认,若有提高,则只需调节烧结工艺;若没有提高或者提高很少,则需变更正电极网版的设计,原则一是“细线密栅”,二是不增加遮光面积。
用烟羽图象分析估算湍流和扩散参数用烟羽图象分析估算湍流和扩散参数本文通过对大型风洞中烟羽的瞬时和时间平均图象的分析,估算了下风向上的单粒子和双粒子扩散率.在图象法相同的风洞条件下.我们又对甲烷示踪气进行释放和采样,直接测得单粒子的扩散速率(即时间平均情形).用烟羽图象法估算和示踪法直接测量所得的扩散率之相关为09其均方根误差为7.6舾,实测与估算值之比的几何平均为1.09.利用单,双粒子扩散的估算值可以计算下列湍流参数;侧向风速方差&;,拉格朗B时间尺度,涡旋扩散率,涡旋耗散率e.以及掘风向湍强.以上诸参数值与流场直接测量值相当吻合.本文详缨介绍r泅羽图象方法,并表明这是一种准确,实用和经济的方法.一,引言在许多风洞和现场测试中,都希望不采用快速响应测风仪器或示踪气体采样的方法就能估算出湍流和扩散参数.在对于缺少电源和采样器难于布置的复杂地形区尤为如此.遇有这些情况下,采用烟羽法不仅可估算扩散参数,还能求得湍流参数.此法之所以实用,N0IJpo于1979,1980年早已加以阐述.其原理是:运用Gifford婀羽理论(1959),分析瞬时和时均烟流的冒像,可分别确定噼时及平均烟浇的扩散参数8翱.然后将扩散参数估计值仪入各种相应的湍泷参数公式,可得出湍流参数的储葬值.日"(1966)和Byzovaet口t(1970)己有过类似的做法.为了证实烟剐方法的准确性羊}1可用性, 1981年元月我们在美国国家环保局流休栏式组(子北卡研究三角带)的大型风洞中做了一次烟羽试验.这次试验的情况和特征详见Snydert979年文.本文介绍这个试验的结果和有关拉格朗B时间尺度f,侧向风速均方根值6,涡旋扩散率K,涡旋耗散率e和湍流强度i.二,实验方法本实验按以下顺序进行.首先在风洞内制造油雾烟流,甩并排安置在风洞侧面几米远的两个照相机摄影.一个相机用4分钟曝光,另一个在这4分钟内每隔15秒一次,以/60秽的速囊快拍,4分钟的时间是通过反复试验选完的,以产生在均匀照明条件下有清晰边界的平均烟羽图像.在风洞风速保持为1.Om/s,烟的释放速率维持不变条件下重复三次试验.图1显示了这些瞬时和时均烟羽照片的实例.然后以同样的风澜条件,在风洞中相同位置上释放甲烷示踪气体.利用火焰电离气相色谱仪顺烟羽中心线下风向几个不同距离处沿垂向测量甲烷的4分钟浓度分布.这些浓度值用来计算时均扩散参数Br…这是下标.意为观侧值.过些值可用以同时均烟羽图像分析求稼的扩散参数进行比较圈!典型的瞬间(z/6os)和时均(i丑n)魍羽影像此项试验后,用热膜探头对风漏内水平和垂直气流方向的风速进行详尽的测量.释放点砼的垂直和水平方向时均流速和湍强分别见图2和圈3.这些图表明在横剖面上的湍流近于均匀.图4显示了风洞轴向上的速度和湍强分布.湍强从源处(:0)的0.125皿遵tmt'sl图2风j胃内z=O,Y芒O处垂直方向上的风速与湍流强度分布图3风洞内源高70c111,x=O处侧风向水平剖面的风速与湍强分布圈4风漏内z兰70era.Y=O处风速与湍强沿轴线的分布蠢暑下降到可见烟流末端(x=an)的O.075处.端流在可见烟流长度中降低了约40西,这卑均匀湍流的假定有了矛盾.然而,可以接受这种假定下所得的结果.在下风向2'和4'处测得的欧拉单点风速自相关图形见瞬5依据B!]zova等人(1970)的方法,我们取欢拉^TDI.一Ma韶0='BnaIOIl2~一9涧'})图5下风向x=0,2和4m.Y兰O,z=70cm位置的自相关图时间尺度,为0.5f.,这里fo是自相关值首次达到负值经过的时间.估计的平均值为0.74秒.在=0处测得的侗风向速度的均方根值为9.1厘米-秒~.这些值将用来计算"观测舶湍流参数同时与用烟流分析法得到并在均匀湍流理论假定下导出的对应值进行比较.三,烟羽分析Gifford烟羽理论(195g)认为时均烟羽在下风向距离处的扩散参数.与时均烟流的几何形状有如下关系:蘸(1)其中z是可见烟羽的半宽度,z_是最大烟流半宽度,e是自然对数的底.该公式是在烟粒子的时均侧风向分布为高斯型,烟羽可见边缘为一条烟粒子积分视线浓度的等值线假定(Roberts,1923)下得到的.运用(1)式时,靠肉眼从图片上直接分辨烟羽可见边缘通常是困难的.尤其是在接近下风向末端时.为避免这个阊题,利用微密39^星N度计扫描图象底片,给出光学密度值作为离主轴的侧风向距离的函数下风向0.5和2处的扫描实例见图6()和6(&).用高斯分布检验这些数据,发现如果假定光学密度与可见烟粒子浓度的积分线成线性关系,则.酎风向的粒子分布的确是高斯型的.这就验证了烟流理论的第一个假定.用微密度计在离源0.25,0.51.0,2一和3.5处扫描结果的高斯分布图形见图7.这些曲线可由下式来表示:图6(a)对应于源后下风0.5米处的光学密度射面.实线为最佳拟台的高斯曲线EN图6(b)对应于源后下风向2米处的光学密度削面.实线为最佳拟台高斯曲线p=poe一./(2)其中p是光学密度.z是俱4风向距离,po是某一给定的下风向距离上最大光学密度, B是扩散参数.图7各种下风向距离处实舅光学密摩的高斯拟台寝1各种下风向置嵩的光学密度饲风商赞的塞斯参敷X(cm)P0即(七m)Zz(cm)z:E(cm)—__251.1885.653.94.8J500.91223.087.27.21O0O.614102.0812.311.11500.d90229.5914.013.72000.462249.6615.715.0_250099d16.3913.315.0L'3∞0.40,0,1'拈$9r乱7131r3500.385528.2712.311.1Ze是光学密度为0.30点处的垂向距离,ZE!是ZE的最小二秉估计值表1列出了p0和fJ随下风向距离变化的函数值.羽当拾定光学密度值p时,烟羽宽度zF可以(2)式得到.该步骤中作了光学密度线即是等积分烟流粒子浓度线的假定,这一假定类似于Robert的阻光定律,也是Gifford烟羽理论的第二假定(1959).以上分析中采用了随意选定的p值0.30,所得的z日值也同其平滑值z一起列在表1中,是由个满足z日的二次多项式得出.这里所用的二次式为:Z日=2.0+0.116一2.58x10—(3)该式可求得源的下风向2.25米处的最大半宽z,为15.13厘米.将上述z,和z值代入(1)式,求得o,把o的值与由甲烷示踪烟流实验的直接观铡的扩散值一同绘于图8.表2列出了a,和o.值,这里下标0表示观测值.图8中所显示的扩散观测值与计算值相当吻台.它们的相关系数为0.99,均方根误差为7.6嘧,D,a/a,的几何平均值为1.09.这些结果证实了Giffoocd(1959)的烟羽公式.§最曩垂图8烟羽分析和甲烷示踪气推求的单粒子扩散参散估计囊2扩做参量随下风向噩鼻变化囊x(cm)d晡口Z口1JOr252.21.51.6503.83.02.34.Il006.96.13.38.4I5010.37.96.612.420013.79.010.3l5.125016.59.513.6l7.230019.511.3l5.919.435021.910.3I9.321.7表中.l为沿烟羽轴线的瞬时扩散.口M为烟羽的弯曲程度,GT为烟羽的总扩散.aTO是甩甲烷示踪气实验得到的烟羽总扩散.以上数值的单位均为cm,平均风速为1=/s.如同我们在下一节将要见到的,拉格朗日时间尺度可由相对或瞬时的扩敲估计值D一来确定.a1值由一系列瞬时快照(1/6os)得到.而用微密度计扫描这些底片相当困难,所以这些瞬间烟羽快照的每一条中心线是用手工来数字化的,并将烟流中心线的方差o:作为下风向距离的函数来计算.这些值代表烟羽的弯曲程度.ar由下面的关系得到:a}=oi+D:(4)Df,D.和of的值列于表2.aJ和a,对应于xl构图形如图9所示.此图形类似于由大烟羽所得到的图形(Nappo,1980),并且清楚地表明在1O0和300厘米之间存在一个加速的相对扩散区域.图9表明,相对扩散与T3/2成正化.这与Batchelor的理论预澳j相一致.单粒子扩散在于r<时与成正比,这里是拉格朗日时间尺度.当扩散时间短的时候,Batchetor(1950)的相对扩散理论预测扩散与r成正比,这与图9所示的相接近.其间的差异是由于源处有直径约O.8厘米的烟粒子初始分离现象.下风嵯鼻(ciII1图9烟羽分析推求的单粒子和糨对的扩散参数四,结果扩散理论涉及到大气扩散对大气湍流的影响.如果能独立地估丝'那么同样的理论就可用于计笋堂叁邀由此可得以下结果,并综合于表3.41裹5用■羽圈象洼和直接风塌薯量采樽的赭藏参敢1.一向风速的均方根值.侧向风速分量的均方根值,0y,已由fo,扩散公式得到.即在短的扩散时闯内,符台以下公式:o}=oST(5)当用25厘米处的o值(表2)及相应的传输时问为0.25秒时,可计算出口为8.8cm/s. 如前所述的,的直接测量值为9.1cm/s.2.拉格朗日时间尺度}~Smitb改进的粒子扩散理论(1068)和Gfford~格朗日动力扩散理论,可以推出瞬时或相对的扩散参数a的同样的表达式, 即:o÷.盟(6)0【式中y用前面实验得到的值8.8cm/s,0r在25~m处的值见表2,的计算值为3.2秒.欧拉时间尺度fj由速度测量得到为0.74秒.采用关系或f一9,而中性条件下B一4,则的"观测值为3.0秒.3.涡旋扩散率涡旋扩散率数,由下列公式给出:K=a}(7)采用0y和的烟羽估算值.可确定出为248cm/s.用o和的实铡值得到的为250cm/s.4.涡旋耗散率£Batcbelor(1952)用涡旋耗赦率e表示相对扩散参数a,采用以下公式:oi—c】sTS(8)这里c:=O.4.当传输时间取为3秒和口{值由表2为253cm,可求得B为23.4cm /s3.B~zova等人(197o)给出e的关系式为:8=oU(2c.)(9)这里C】一0.6,用a和的实测值,则可算出£的观测值为23.Ocm/s.5.湍流强度由口/给定的湍流强度很容易从a的试验值计算得到,i=8.8晒.而由直接量铡得到一9.1嘶.五,结论上述结果表明,烟羽分析法是一种获取现场及实验室瞬问和时间平均大气扩散估算的准确,经济而有效的方法.运用均匀湍流扩散理论的结果,这些数据能估算出湍流参数值,而这些在其他情形下(例如在水里)是不容易得到的.这些工作是在美国国家海洋气象局和美国能源部的合作下完成的.如果没有美国国家环保局流体模式组RobertLawson和Ro—getThompsom的帮助,这项研究是无法进行的.特此致谢.参考文(略).宁奇伟译自~Atmospheric Environmont~V o.18.№.2, 1984.施鲁怀校。
扩散过程;高方阻工艺;电池性能参数。
祝飞
属于恒定表面浓度的扩散,浓度沿纵深的浓度分布为余误差型。
磷源在扩散温度下分解并沉积在硅面上向内部扩散。
此时表面浓度为P在Si中的固溶度,结深随时间逐渐推进,扩散层方阻随通源时间变小。
⏹停源再分布过程,理论上是恒定杂质总量的扩散,但实际上还需考虑到此时:硅面上还有已沉积但未扩散的
磷;炉内仍有残留磷源;表面高磷浓度薄层被氧化为PSG。
这个过程中表面浓度可能会降低,结深继续向纵深推进,不排除方阻有逐渐变大的可能。
这有效降低了表面杂质复合中心,提高了表面少子寿命,增加了短波响应,从而有效的提高I SC和V OC,从而提高N cell。
⏹高方阻的问题:高方阻还意味着表面薄层电阻的明显增加,这将增大R S,降低FF。
所以高方阻工艺的关键
是使得I SC和V OC的提高大于FF的损失。
⏹高方阻扩散要求:(1)保证方阻均匀性是一切的前提,其影响因素为:设备因素包括温度、尾气负压、排风;
工艺因素包括预沉积氧化层的厚度、磷源浓度等。
要求极差值小于8,通过实验确定各参数。
(2)高方阻的扩散方案:原则是降低掺杂量,如降温、减小源的浓度等,但需配合diffusion time和drive in time的调整。
通过DOE(Desire of experiments)确定具体参数。
(3)在原有制程工艺上进行试生产,若看到I SC和V OC的提升,尤其是V OC的提高,则证明高方阻扩散成功。
⏹高方阻镀膜要求:(1)若表面钝化效果糟糕,则高方阻造成的I SC提升会因此而再次损失。
(2)为了配合高
方阻对短波响应的提升,PECVD镀膜时要考虑对n和d做出调整,从而减少短波反射。
(3)用椭圆偏振光法(即椭偏仪)可以测量膜厚和折射率,本质是通过检测、分析入射光和反射光的偏振状态,是间接获得结果的一种非接触测量方法。
需DOE实验确定具体参数。
⏹高方阻印刷要求:按原有的印刷工艺,对N cell进行确认,若有提高,则只需调节烧结工艺;若没有提高或
者提高很少,则需变更正电极网版的设计,原则一是“细线密栅”,二是不增加遮光面积。
同样需要DOE。
⏹高方阻烧结要求:烧结温度的调节简单说就是升降每个温区的温度。
一般要求“高温快烧”。
太阳电池的电性能
⏹理想电池的伏安特性【I-V Curve】
太阳电池本质上是一个大面积的二极管,二极管伏安特性为:I=I0exp[(qV/nkT)-1],I0为暗电流,表征二极管中性区少子复合的强弱,正向偏压下的多子扩散电流由少子复合决定。
光照下太阳电池可以等效为二极管并联电流源,电流源方向与外加电压方向相反,其伏安特性为I=I0exp[(qV/nkT)-1]-I L,考虑到太阳电池本身是一个电源,无需外接电压,因此太阳电池的伏安特性表示为:I=I L-I0exp[(qV/nkT)-1]。
⏹短路电流【Short-Circuit Current】
短路电流由光生载流子的产生和收集情况决定,理想电池的I SC=I L(不考虑寄生电阻),其大小受以下因素影响:电池面积,其与短路电流密度J SC共同影响I SC;光强度,即光子数目,同样的光强,紫光的光子数要比红光光子数少;电池的光学性能,能否减少光损失;电池收集性能,取决于表面钝化和少子寿命。
⏹开路电压【Open-Circuit Voltage】
太阳电池静电流为0时的电压值。
V OC =(nkT/q)ln[(I L/I0)+1],开路电压随暗饱和电流增大而减小。
暗饱和电流与中性区少子复合相关。
因此少子复合越弱,则开路电压越高。
⏹寄生电阻【Parasitic Resistance】
寄生电阻用来表征太阳电池内部的能量浪费,根据浪费形式不同,分为串联电阻(Series Resistance)和并联电阻(Shunt Resistance)两部分。
寄生电阻对电性能的影响主要体现在Fill Factor上。
R S的来源一是电流在电池发射极和基区的损失;二是MS接触电阻;三是电池正栅和背接触电阻。
R S 会减小FF;严重时会减小I SC;不会影响V OC;其大小用V OC处的斜率来表征。
R Sh的来源主要是制造过程中引入的缺陷,与电池设计无关。
低并阻为光生电流提供了另一条通路,消
⏹。