静电场边界条件证明
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问题-02-7-1 静电场的边值问题可分为哪几类,是否均满足唯一性定理?
解答:静电场中的典型边值条件包括3类:(1)给定场域边界上的电位值,称为第一类边值条件;(2)给定场域边界上电位的法向导数值,称为第二类边界条件;(3)部分场域边界上给定电位、另一部分场域边界上给定电位的法向导数,称为混合边界条件。
上述三类边界条件与标量电位满足的泛定方程组合成相应的边值问题。
对于第一类边值问题,电位和电场强度的解均唯一;对于第二类边值问题,电场强度的解唯一,电位的解可以相差某一常数,若选定电位参考点,则电位的解也唯一;对于混合边值问题,电位和电场强度的解均唯一。
2.5 静电场基本方程 分界面上的衔接条件2.5.1 静电场的基本方程总结静电场环量特性及闭合面通量特性,得到了反映静电场基本特性的方程⎰=⋅l 0d l E (2.5.1) ⎰=⋅S q S D d (2.5.2)0=⨯∇E (2.5.3) ρ=⋅∇D (2.5.4)称之为静电场的基本方程,方程(2.5.1)和(2.5.2)是基本方程的积分形式,它们从整体上以表明静电场的无旋性(守恒性)和静电场的有散性(有源性)这两个基本特征。
方程(2.5.3)和(2.5.4)是以上两基本方程对应的微分形式,它们更为直接地描述静电场的无旋性和有散性的分布特性。
基本方程的微分形式显得更为重要。
一方面,可以从散度和旋度角度描述静电场中各点场与源的关系;另一方面,在计算上反映静电场域空间各点场与源的变化情况。
从计算角度看:基本方程的积分形式适用于大范围的分析计算,它们在静电场的任何区域都成立;而微分形式适合于在同种介质中求解场量(指E 、D 、φ)的分布,在不同介质分界面上它不成立。
由唯一性定理可知,散度和旋度再加上边界条件共同唯一地确定静电场,这边界条件还需要基本方程的积分来推求。
研究介质极化的影响,有D = ε0E + P (2.5.5a )D = ε E(2.5.5b )方程(2.5.5a )和(2.5.5b )是联系D 、E 的媒质的构成方程,它们不是基本方程,但其重要性是不言而喻的。
(2.5.5a )对任何介质均成立,方程(2.5.5b )只适用于各向同性线性介质。
2.5.2 介质分界面上的衔接条件在不同介质的分界面上,可能存在极化电荷和自由电荷,它们使场量的大小和方向都可能发生突变,导致了在不同介质的分界面上D 、E 不连续。
在此处,静电场基本方程的微分形式不再适用,我们从基本方程的积分形式出发,导出介质的分界面衔接条件的出发点。
分界面两侧为各向同性线性介质,介电系数分别为ε1和ε2,同时还需要规定分界面正法线方向:由介质1指向介质2,有n e 。
静电场边值问题的唯一性定理摘要:静电场边值问题及其唯一性定理是一重要知识点,定理的表述和证明都涉及较多的数学知识。
由于唯一性定理的概念对于许多问题(如静电屏蔽)的确切理解有很大帮助,所以我们将给此定理一个物理上的论证,期待大家能从中有所受益. 关键词:静电场;边值;唯一性;静电屏蔽1、问题的提出实际中提出的静电学问题,大多不是已知电荷分布求电场分布,而是通过一定的电极来控制或实现某种电场分布。
这里问题的出发点(已知的前提),除给定各带电体的几何形状、相互位置外,往往是在给定下列条件之一;(1) 每个导体的电势U K ; (2) 每个导体上的总能量Q K ;其中K=1,2,……为导体的编号。
寻求的答案则是在上述条件(称为边界条件)下电场的恒定分布。
这类问题称为静电场的边值问题。
这里不谈静电场边值问题如何解决,而我们要问:给定一组边界条件,空间能否存在不同的恒定电场分布?唯一性定理对此的回答是否定的,换句话说,定理宣称:边界条件可将空间里电场的恒定分布唯一地确定下来。
2、几个引理在证明唯一性定理之前,先作些准备工作——证明几个引理。
为简单起见,我们暂把研究的问题限定为一组导体,除此之外的空间里没有电荷。
(1)引理一 在无电荷的空间里电势不可能有极大值和极小值。
用反证法。
设电势U 在空间某点P 极大,则在P 点周围的所有邻近点上梯度U ∇ρ必都指向P 点,即场强U E ∇-=ρρ的方向都是背离P 点的(见图1-1a 。
)这时若我们作一个很小的闭合面S 把P 点包围起来,穿过S 的电通量为0)(>⋅=⎰S d E S E ρρϕ (1)根据高斯定理,S 面内必然包含正电荷。
然而这违背了我们的前提。
因此,U 不可能有极大值。
用同样的方法可以证明,U 不可能有极小值(参见图1-1b )。
(2)引理二 若所有导体的电势为0,则导体以外空间的电势处处为0。
因为电势在无电荷空间里的分布是连续变化的,若空间有电势大于0(或小于0)的点,而边界上又处处等于0,在空间必然出现电势的极大(或极小)值,这违背引理一。
电场边界条件
电场边界条件是用来描述电场在两种不同介质之间的行为的规
律。根据电场的边界条件,我们可以推导出电场在边界处的连
续性和反射规律。
1. 正交边界条件:当光束从一个介质射入另一个介质时,垂直
于界面的分量在界面上是连续的,即电场的垂直分量在界面两
侧相等。
2. 切向边界条件:当光束从一个介质射入另一个介质时,平行
于界面的分量在界面上是连续的,即电场的平行分量在界面两
侧相等。
3. 斜交边界条件:当光束从一个介质射入另一个介质时,斜交
界面上的电场可由正交和切向边界条件来确定。
这些边界条件可以通过麦克斯韦方程组来推导和解释。通过解
麦克斯韦方程组,我们可以得到反射、折射和透射等现象的数
学表达式,从而揭示电场在不同介质中传播的行为。
静电场电位边值问题唯一性定理的补充与完整证明陈文卿;闫述【摘要】The electrostatic boundary value problem and the uniqueness of solutions are sup-plemented and proved in this paper.At first,the region condition and the convergence bound-ary are distinguished from the usual mixed singularity.The form of Robin Problem in electro-static field boundary value problem is confirmed.The convergence condition and the infinite boundary condition are added to the uniqueness theorem of solutions.These boundary condi-tions are re-classified according to the form of mathematical expressions.Then in the proof of the uniqueness of the potential solutions under boundary conditions,infinite boundary condi-tions and convergence conditions,the problem of the coefficient of the third kind of boundary condition and the applicative boundary value problem with infinite space are solved.We also demonstrate the uniqueness of potential solutions for Dirichlet and Robin Problem and con-stant differences in the potential of Neumann Problem.Finally,the application of region,in-finity and convergence boundary conditions in problems solving is illustrated by an example.The supplemented theorem can be better used as the basis for solving problems and follow-up learning.%本文对静电场电位边值问题与解的唯一性定理作了补充与完整的证明.首先将区域边界与衔接边界从通常的混称中区分开来,确认了静电场边值问题中第三类边界条件应有的形式,在解的唯一性定理中增加了衔接条件和无限远边界条件,并根据数学表达式的形式重新归类.然后在区域边界条件、无限远边界条件和衔接条件下电位解的唯一性的证明中,讨论了第一、第三类边值问题电位解的唯一性与全二类边界条件下电位存在常数差的问题,解除了第三类边界条件系数为正的限制,说明了整个求解空间为无限大时适用的边值问题.最后通过例题说明了区域、无限远和衔接3种边界条件在解题中的应用.补充后的定理可以更好地作为解题和后续学习的依据和基础.【期刊名称】《物理与工程》【年(卷),期】2017(027)006【总页数】6页(P54-59)【关键词】电位的边值问题;区域边界条件;衔接条件;唯一性定理;证明【作者】陈文卿;闫述【作者单位】江苏大学计算机科学与通信工程学院,江苏镇江 212013;江苏大学计算机科学与通信工程学院,江苏镇江 212013【正文语种】中文电位的边值问题与解的唯一性是通信和电子信息类相关专业本科阶段电磁场与电磁波和电动力学课程中静电场部分的重要内容,也是求解其他边值问题的基础。
1.分析方法
采用基本方程的积分形式。
、分解为与分界面垂直和平行的两个分量:
2.请考虑一下,下面的证明应该采用哪个定律或方程:
电场的环流方程 高斯通量定律
在分界面上取一小的矩形闭合路径,两个边 与分界面平行并分居于分界面
的两侧,高h为无限小量(如下图所示)。对于此矩形回路,电场强度变量
在此回路上的环量为零,可写作
是取矩形回路的边构成的矢量,其方向与介质1中绕行回路的方向一
取回路包围的矩形面积的法向单位矢量为,则有 ,代入
得
或改写成
图1.6.2 边界条件的证明2
因回路是任取的,对于不同的取向上式总成立,表明有 ,
即 或写成
所以,在不同的介质分界面上的电场强度变量的切向分量应该是连续的。电
场强度的切向分量连续的边界条件用电位函数表示时,可得到 表明
分界面上的电位函数也是连续的。
1.分析方法
采用基本方程的积分形式。
、分解为与分界面垂直和平行的两个分量:
2.请考虑一下,下面的证明应该采用哪个定律或方程:
电场的环流方程 高斯通量定律
首先在分界面上取一个小的柱形
闭合面,其上、下底面与分界面
平行并分居于分界面两侧,高h
为无 限小量(如图所示)。对于
此闭合面,高斯通量定律写成
得
是分界面上的自由电荷密度。
当分界面上没有自由电荷时则有
或, 可
得分界面上的法向分量的边界
条件。
图1.6.1 边界条件的证明1