【6-1】在图6.11.1所示的电路中，A均为理想运算放大器，其中的图(e)电路，已知运放的最大输出电压大于UZ，且电路处于线性放大状态，试写出各电路的输出与输入的关系式。
AR2RAR2RFR1uI+_uO+_uI+_uO+_
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
图6.11.1题6-1电路图
解：
图（a）：uO=-2uI； 图（b）： 2OI12RuuRR；
图（c）：uO=-uI+2uI =uI； 图（d）：I1I2O121()duuutCRR；
图（e）： 2OZO23,RuUuRR 故得2O3(1)ZRuUR。
【6-2】电路如图6.11.2(a)所示。
1. 写出电路的名称。
2. 若输入信号波形如图(b)所示，试画出输出电压的波形并标明有关的电压和所对应的时间数值。设A为理想运算放大器，两个正、反串接稳压管的稳压值为±5V。
3. 对电路进行仿真，验证计算结果。 V5ZUAk10k2uit(s)10-101234(V)uI+_uO+_
图6.11.2 题6-2电路图
解：
1. 带限幅的反相比例放大电路；
2. 当| uI |≤1V时，电路增益Auf=-5；当| uI |≥1V时，| uO|被限制在5V。波形如图4-3。
uIt/s10-101234/VuOt5-5/V0.11.92.1/s
图4-3
【6-3】在图6.11.3所示的增益可调的反相比例运算电路中，已知R1＝Rw=10kΩ、R2=20kΩ、UI=1V，设A为理想运放，其输出电压最大值为±12V，求：
1． 当电位器Rw的滑动端上移到顶部极限位置时，Uo=
2． 当电位器Rw的滑动端处在中间位置时，Uo=
1 《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）
一.选择题
1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五
2、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于
3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变
C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变
4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子
5、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定
6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏
8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能
9、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D. 10
10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流
11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间]
A.NPN硅管 B.PNP硅管 C.NPN锗管 D.PNP锗管
《模拟电子技术》复习
一、选择题：
1. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、2.7V，则该BJT三个电极分别是 C 。
（A） B、C、E （B）.C、B、E （C）E、C、B
2. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V，则该BJT三个电极分别是 B 。
（A） B、C、E （B）.C、E、B （C）E、C、B
3. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为VC=6V，VB=0.7V，VE=0V，则该管子工作在
A 。
（A）放大区 （B）截止区 （C）饱和区
4. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为VC=6V，VB=4V，VE=3.6V，则该管子工作在
B 。
（A）放大区 （B）截止区 （C）饱和区
5. 稳压管的稳压区是其工作在 C 。
（A）正向导通 （B）反向截止 （C）反向击穿
6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
（A）增大 （B）减小 （C）不变
7. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β值约为 C 。
（A）83 （B）91 （C）100
8. 三极管放大电路的三种组态中， B 组态的电压放大倍数总是略小于1。 （A）共射 （B）共集 （C）共基
1 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。
A.二 B.三 C.四 D.五
2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。
A.二 B.三 C.四 D.五
3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。
A.大于 B.等于 C.小于
4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于 B.等于 C.小于
5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同
6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子
7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定
9、稳压管的稳压区是其工作在 C
。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
10、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
B. 前者正偏、后者反偏
11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能
12、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。
A. 83 B. 91 C. 100 D. 10
13、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 A 。
A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能
14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流
15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 UCE 。
