矩量法求解带电平行板单位长度电容

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矩量法求解带电平行板单位长度电容 一.矩量法 若非齐次方程

()Lfg (1-1) 式中L是线性算子,g为已知函数,f为未知函数。令f在L定义域中被展开为f1,f2,f3…的组合::

nnn

ff (1-2)

式中是n系数。将(1-2)代入(1-1)得:()nnnLfg (1-3) 在L的值域上定义一个权函数w1,w2,w3…的集合,并对每个mw取式(1-3)的内积,则 ,(),nnmmnLfgww (1-4)

式中m=1,2,3,…此方程组写成矩阵形式:[][][]mnnmlg (1-5) 式中 11122122,,...[],,............mn

wLfwLflwLfwLf









(1-6)

12[]n 12,[],m

wggwg





(1-7)

若矩阵[]l是非奇异,则存在逆矩阵1[]l,则便为 1[][][]nmnmlg (1-8) f的解由(1-2)得出。 下面就利用矩量法对带电导体板进行求解。

二.正方形导体板 图1 平行正方导体板 一块正方形导体板,如图1所示。边长为2a米,位于z=0平面,中心坐标

在原点,设(,)xy表示导电板上面电荷密度,板的厚度为零,则空间任意一点的静电位是 ''''(,)(,,)4aaaaxy

xyzdxdyR (1-9)

式中'2'22()()Rxxyyz。板上边界条件是V(常数),此时积分方程是 ''''

'2'2

(,)4()()aaaaxyVdxdyxxyy

 (1-10)

式中|x|1(,)aaaaqCdxdyxyVV (1-11)

将导体板划分为N个正方形小块,定义函数

(1-12) 而面电荷密度表示为:

1(,)Nnnnxyf (1-13)

将式(1-13)代入(1-10)中,得:

nf=

1

0 在nS

在其他mS 1NmnnnVl m=1,2,3,…N (1-14)

式中 '''2'2

1

4()()aamnaaldxdyxxyy (1-15)

解得,据此电荷密度由逼近,平行板电容相应地近似为: 111NnnmnnnmnCSlSV



(1-16)

若令 22/baN表示的边长,由nS本身面上的单位电荷密度在其中心处产生的电位是

2212(0.8814)4bbmnbbbldxdyxy

 (1-17)

nS上单位电荷在mS中心处产生的电位是 2224()()nmnmnmnmnSblRxxyy

(1-18)

三.两平行正方导电板

图2 平行正方导体板 两平行正方导体板如图2所示。如果上下都分为N个正方形小块,则分块数为2N,设在每块上的电荷密度是常数,在每块的中心选配总场,则矩阵为2N*2N阶矩阵:

[][][][][]tttbbtbblllll



(1-19)

式中t表示“上板”,b表示“下板”。在对角线上的N*N阶子矩阵是单板的矩阵,即

[][]ttbbll (1-20) 而非对角线子矩阵斯板间相互矩阵,它们必须相等: [][]tbbtll (1-21) 假设安排元素的顺序,使m=n时分块面积正好在另一块的上面,即,当d时,它们重合。于是,当 mn 时,

2222()()tbmnmnmnblxxyyd

(1-22)

当m=n时,在正方形分块可用相同面积的圆来近似,并在其距离d处计算电位。积分结果是:

20.282(2)[1()]42tbmn

ddlbbb (1-23)

这就完成了的计算。 假如要计算通常的两层板间电容,这相当于上板电压为+v,下板电压为-v,因此激励矩阵是:

[]tmmbmggg



(1-24)

式中: [][]tbmmVggV



(1-25)

n对应于每分块上的电荷密度。但由对称性可知,上板密度显然是下板密

度的负值,因此有 [][][][][]ttnnnbtnn



(1-26)

我们将[][][]lg化为[][][]tttbttmnmnnmllg (1-27) 它只是一个N*N阶矩阵方程。用矩阵求和可得上板电荷密度为: 1[][[]][]ttttbtnmnmnmnnllg (1-28)

所以平行板电容器的电容是: 12t

nnupboard

CS (1-29)

因为所有24nSb,而[]tgV,所以上式为 122()tttbmnmnCbll

(1-30) 四.源程序及其仿真结果 1.平行板电容: (1.)%求双层板电容函数capdoublesquare.m function C=capdoublesquare(a,d,N) n1=sqrt(N); b=a/n1; e1=1e-9; E=1/36/pi*e1; %介电常数 for i=1:n1 %获取各小块中心坐标 for j=1:n1 k=n1*(i-1)+j; x(k)=(2*i-1)*b; y(k)=(2*j-1)*b; end end for m=1:N for n=1:N if m==n ltt(m,n)=2*b/pi/E*0.8814; ltb(m,n)=0.282/E*2*b*(sqrt(1+pi/4*((d/b)^2))-sqrt(pi)*d/2/b); else ltt(m,n)=b^2/pi/E/sqrt((x(m)-x(n))^2+(y(m)-y(n))^2); ltb(m,n)=b^2/pi/E/sqrt((x(m)-x(n))^2+(y(m)-y(n))^2+d^2); end end end

L1=ltt-ltb; L2=inv(L1); Lsum=sum(sum(L2)); C=2*b^2*Lsum; (2.)%方平行板电容capdouble.m clc; clear; N=36; %上下板分成36块 a=1; e1=1e-9; E=1/36/pi*e1; %介电常数 x=0:0.01:1; nn=length(x); A=4*a^2; for i=1:nn if i==1 Cnorm(i)=1; % Cnorm归一化电容 else d(i)=2*a*x(i); nm(i)=E*A/d(i); C(i)=capdoublesquare(a,d(i),N); Cnorm(i)=C(i)/nm(i); end end disp('Cnorm='); disp(Cnorm); plot(x,Cnorm,'-b'); axis([0,max(x),0,3.5]); xlabel('d/2a'); ylabel('Cd/EA归一化电容'); title('方平行板电容(用EA/d归一化)'); (3.)仿真结果如下图所示:

2平行板电荷密度: (1.)%双层板电荷分布密度chargedouble.m clc clear a=1; N=100; v=1; d=0.05*a; n1=sqrt(N); b=a/n1; E=1/36/pi*10^(-9); %介电常数 x=zeros(1,N); y=zeros(1,N); for i=1:n1 %获取各小块中心坐标