半导体地地研究所获奖情况

半导体公司年会主持稿5篇半导体公司年会主持稿【篇1】男：已向我们挥手告别。

女：迈开脚步滚滚而来。

男：尊敬的各位领导。

女：亲爱的各位同事。

合：大家上（下午、晚上）午好！男：在年会之际能与大家欢聚一堂，我倍感荣幸。

女：在这里我先向大家问个好，祝大家身体好、工作好、财运好，玩好、乐好，来点掌声好不好？（主持人带头鼓掌）男：站在岁末我们回望过去，过去有太多的感动与故事。

女：站在岁首我们企盼未来，未来有更多的期望与梦想。

男：在这继往开来的日子，我们举办欢乐祥和的年会，庆贺我们的业绩，展望我们的未来。

女：同时向在座的各位致以诚挚的问候，道一声。

合：你们辛苦了！（鞠躬）男：现在我宣布。

男：公司年会。

合：正式开始！（如果有开场表演，现在出场，表演开始）男：接下来，我们以热烈的掌声有请（黄先生）致辞！女：感谢黄先生的精彩讲话！女：你到咱们公司几年啦？男：算上今年，已经2年的时间了。

女：嗯，是挺长时间了，但是咱们公司已经10岁了，当时我还是一初中生，而你也就是个小学生吧！（具体情况改动）男：是啊！女：那你知道公司都有哪些业绩呢？男：我知道（介绍一部分）女：挺不错嘛，也让我来考考大家，做个小游戏（有奖竞答，公司的相关问题，比如业绩啊，特殊年份啊，诸如此类的。

此处请自备答案）（3个左右问题即可）。

男：这些辉煌的业绩都离不开在座的各位同仁的支持，请掌声送给自己，送给大家（带头鼓掌）。

之后文艺节目开始（根据具体节目串词）。

男：（带感，劲爆类）。

女：真是意犹未尽啊！女：年会已进行一半，咱们在座的观众也应该活动活动啦！那么开始我们的游戏时间吧。

男：岁月不居，天道酬勤。

女：百舸争流，千帆竞发。

男：难忘的，我们共同走过。

憧憬的，我们共同迎来。

女：快乐的时光总是过得很快，相聚虽短暂，情谊无限长！男：在这里，祝愿我们公司在新的一年继续扬鞭奋进，乘风破浪，再创佳绩！女：感谢为本次晚会付出辛勤劳动的所有演职人员，感谢参加年会的所有来宾朋友。

物理学奖美国,布拉顿(WalterHouserBrattain1902-1987),研究半导体、发明晶体管获奖理由:因对半导体的研究和发现了晶体管效应，与肖克利和巴丁分享了1956年度的诺贝尔物理学奖金。

简历布拉顿（Brattain,WalterHouser)美国物理学家。

1902年2月10日生于中国（父母是美国人）厦门。

布拉顿的少年时期是在牧场上度过的。

他1924年毕业于惠特曼学院（在华盛顿州沃拉沃拉），1929年在明尼苏达大学取得博士学位。

同年，他进入贝尔电话实验室，成为一名物理学研究人员。

第二次世界大战期间，他在那里从事潜艇磁探测的工作。

他同肖克利和巴丁共同获得1956年诺贝尔物理学奖。

1967年，他接受惠特曼学院的聘请，担任了自己母校的教授。

美国,巴丁(JohnBardeen1908-1991),研究半导体、发明晶体管生平1908年5月23日生于威斯康星州麦迪逊城，1923年入威斯康星大学电机工程系就学，毕业后即留在该校担任电机工程研究助理。

1930-1933年在匹兹堡海湾实验研究所从事地球磁场及重力场勘测方法的研究。

1928年获威斯康星大学理学士学位，1929年获硕士学位。

1936年获普林斯顿大学博士学位。

1933年到普林斯顿大学，在E·P·维格纳的指导下，从事固态理论的研究。

1935-1938年任哈佛大学研究员。

1936年以《金属功函数理论》的论文从普林斯顿大学获得哲学博士学位。

1938-1941年任明尼苏达大学物理学助理教授，1941-1945年在华盛顿海军军械实验室工作，1945-1951年在贝尔电话公司实验研究所研究半导体及金属的导电机制、半导体表面性能等基本问题。

1947年和其同事W·H·布喇顿共同发明第一个半导体三极管，一个月后，W·肖克莱发明PN结晶体管。

这一发明使他们三人获得1956年诺贝尔物理学奖，巴丁并被选为美国科学院院士。

美国芯片法案1.背景半导体/芯片是武器系统、计算机、通信、汽车和其他现代电子技术产品的核心，是信息产业的基石。

虽然最初是在美国发明的，但如今美国多数企业所使用的高端芯片大部分源于进口，占比高达九成；而预计到2025年，美国现有的半导体芯片产能只能满足美国国内需求的20%，且现有半导体芯片在技术上已经落后，不能制造最新研发的先进芯片，同时，外国竞争对手正在大举投资以主导该行业。

因此，美国为了确保美国技术制造和国防供应链安全，欲将芯片制造转移至国内。

2021年1月，国会通过了两党美国芯片法案的资金计划，授权商务部(DOC)、国防部(DoD)和国务院(DOS)开展活动，发展对美国竞争力和关系国家安全的国内半导体制造业。

此外，日益加剧的全球科技竞争引发了美国对经济和国家安全的担忧，其他国家宣布了在人工智能和微电子等关键经济和国家安全技术领域占据全球领先地位的计划。

美国研发支出占GDP的比例接近60多年来的最低点，落后于韩国、日本和德国等发达经济体。

为改变目前美国在半导体制造领域的落后及科技投入下降的不利局面，经过漫长的立法谈判，美国参议院和众议院近期达成一致，高票通过《2022年芯片和科学法案》，帮助大幅提高美国制造的半导体生产，并最终加速关系到国家安全的纳米技术、量子计算、人工智能、下一代通信、计算机硬件、生物技术、网络技术和其他新兴能力的创新和发展。

2.法案要点分析《法案》可以分为三部分内容：其中半导体芯片部分和技术研发的科学部分是重点2.1 芯片产业2.1.1 美国芯片基金：542亿美元用于芯片和公共无线供应链创新(ORAN)商务部制造业激励措施：390亿美元财政援助。

用于半导体制造、组装、测试、高级封装或研发的国内设施和设备的建设、扩建或现代化，其中20亿美元专门用于成熟半导体。

60亿美元可用于直接贷款和贷款担保的成本。

商务部研发：110亿美元，具体包括：国家半导体技术中心(NSTC)：先进半导体制造研发和样机制造；投资新技术；并扩大劳动力培训和发展机会国家高级包装制造计划：联邦研发计划，加强高级组装、测试和包装(ATP)能力，与NSTC合作制造美国半导体研究所：政府、行业和学术界合作，研究半导体机械的虚拟化，开发ATP能力，以及设计和传播培训微电子计量研发：国家标准与技术研究所(NIST)的研究项目，旨在提高测量科学、标准、材料特性、仪器、测试和制造能力美国芯片劳动力和教育基金：2亿美元。

国家科技奖及历届最高科技奖获奖人为了奖励在科学技术进步活动中做出突出贡献的公民、组织，调动科学技术工作者的积极性和创造性，加速科学技术事业的发展，提高综合国力，1999年5月国务院发布《国家科学技术奖励条例》。

根据《条例》，国务院设立了五项国家科学技术奖：国家最高科学技术奖，国家自然科学奖，国家技术发明奖，国家科学技术进步奖，中华人民共和国国际科学技术合作奖。

国家最高科学技术奖报请国家主席签署并颁发证书和奖金。

奖金数额由国务院规定。

获奖者的奖金额为500万元人民币。

2000年度至2010年度，共有18位专家被授予"国家最高科学技术奖"。

2000年度获奖人吴文俊(1919.05～) 男，数学家，中国科学院院士，中国科学院数学与系统科学研究院研究员。

袁隆平(1930.09～) 男，杂交水稻专家，中国工程院院士，湖南省农业科学院研究员。

2001年度获奖人黄昆(1919.09～2005.07) 男，物理学家，中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员。

王选(1937.02～2006.02) 男，计算机应用专家，中国科学院、中国工程院院士，北京大学教授。

2002年度获奖人金怡濂(1929.09～) 男，计算机专家，中国工程院院士，国家并行计算机工程技术研究中心研究员。

2003年度获奖人刘东生(1917.11～2008.03) 男，地球环境科学专家，中国科学院院士，中国科学院地质与地球物理研究所研究员。

王永志(1932.11～) 男，航天技术专家，中国工程院院士，中国人民解放军总装备部研究员。

2004年度获奖人空缺2005年度获奖人叶笃正(1916.02～) 男，气象学家，中国科学院院士，中国科学院大气物理研究所研究员。

吴孟超(1922.08～) 男，肝胆外科专家，中国科学院院士，中国人民解放军第二军医大学教授。

2006年度获奖人李振声(1931.02～) 男，小麦遗传育种专家，中国科学院院士，中国科学院遗传与发育生物学研究所研究员。

有获奖经历个⼈简历怎么写有获奖经历个⼈简历怎么写 时间流逝得如此之快，迎接我们的将是新的⼯作机会，新的挑战，需要为此写⼀份简历了哦。

简历怎样写才能让⼈满意呢？下⾯是⼩编精⼼整理的有获奖经历个⼈简历怎么写，欢迎⼤家借鉴与参考，希望对⼤家有所帮助。

个⼈简历中对获奖经历的描述，对于增加⽤⼈单位的信任具有很⼤作⽤，每个⼈的具体获奖情况、获奖奖项有很多种类、范围、期限，求职者应结合应聘岗位感兴趣的奖项，要有所着重和强调，并且⼀定要实事求是、千万不可以弄虚作假。

个⼈简历中可以描述的获奖经历⼤体上分为两个范围，⼀个是在学校⾥获得的奖励，另⼀个就是在⼯作当中获得的奖励。

只有先在⼤体上做好划分⼯作，⽽后再针对具体⽅⾯进⾏研究分析，才能找出最具有份量度的奖励，并且将那些份量度⼩的奖励直接带过或者⼲脆不提。

因为主次先后永远是做简历的最基本要求，下⾯就这两个范围做介绍 就学校范围内可以涉及到哪些⽅⾯?体育运动⽅⾯，不是省或全国级别的冠军头衔坚决不提，学校冠军算什么?这种头衔提了还被认为是⽆意义的东西，看了都觉得是浪费时间。

另外，除⾮是全国性⼤赛当中获得了前三名，否则其他⾮冠军头衔不要提，什么省乒乓球⽐赛亚军、季军没有什么意义的，因为冠军永远是最显著的，⽽亚军是⼀个处于失败者的⾓⾊，因为它败给了冠军⽽只能屈居于⽼⼆的位置。

学习⽅⾯，在学习成绩⽅⾯，获得学校或者省、全国性质的奖励都是可以提的，因为学习阶段的表现是⾮常重要的，在⼤学⾥仍然能够在学习⽅⾯表现如此出⾊，这说明你是⼀个有着较好控制⼒的⼈，不会因为⼤学如此⾃由⽽耽误学业。

在创新活动⽅⾯获得的成绩，创新和其他⽅⾯⼜存在⼀定的区别，因为创新属于⼀种思维⽅⾯的东西，具有创新精神对于员⼯是⾮常重要的，因为喜欢创新所以做事才会动脑⼦、够积极，能够为企业开拓出新的局⾯。

就⼯作范围⼜有哪些奖励可以说的?我们先把⼀些⽆实质性意义的东西做个说明，企业给员⼯颁发的优秀员⼯奖项、优秀⽂员、楷模等奖项是没有什么作⽤的，因为这些属于⼀种形式上的奖励，虽然说这些体现出你在⼯作⽅⾯的表现还是⽐较出⾊的，但是没有⽤⼀种实际的形式体现。

半导体10大研究成果
1.量子比特实现量子超越：在量子计算领域，实现了一些具有超越经典计算能力的重要里程碑，如量子比特的相干控制和纠缠。

2.新型半导体材料的研究：发现和研究了一些新型半导体材料，包括拓扑绝缘体、二维材料（如石墨烯）等，这些材料具有独特的电学和光学性质。

3.自组装技术的发展：自组装技术在芯片制造中取得了重要进展，能够有效地提高集成电路的制造密度，提高性能。

4.超导量子位的进展：在量子计算领域，实现了一些超导量子位的重要突破，包括提高了量子位的运行时间和减小了错误率。

5.神经元芯片的研究：半导体技术在神经科学领域的应用，研究了仿生学方向的芯片，模拟了神经元网络的行为。

6.自适应光学元件：在激光器和光通信领域，研究了一些自适应光学元件，以提高光通信系统的稳定性和性能。

7.极紫外光刻技术（EUV）：EUV技术在半导体芯片制造中取得了显著进展，实现了更小尺寸的制造工艺，提高了芯片集成度。

8.量子点显示技术：在显示技术中，量子点显示技术取得了进展，提高了显示屏的颜色饱和度和能效。

9.能量高效的电源管理技术：针对便携设备和物联网设备，研究了一些能量高效的电源管理技术，以延长电池寿命和提高设备的能效。

10.半导体传感器的创新：开发了一些新型半导体传感器，应用于医疗、环境监测和工业生产等领域，提高了传感器的灵敏度和稳定性。

这仅仅是一小部分半导体领域的研究成果，该领域的研究一直在不断推进。

要了解最新的研究成果，建议查阅相关领域的学术期刊和会议论文。

河北半导体研究所河北半导体研究所是中国河北省的一家重点科研机构，致力于半导体材料、装备和器件的研发和应用。

成立于2002年，经过多年的发展，已经成为中国半导体领域的重要力量。

河北半导体研究所位于河北省石家庄市，占地面积约100亩，拥有现代化的办公楼和实验室设施。

研究所拥有一支高素质的研发团队，包括博士、硕士和工程师，他们均具备丰富的半导体研发经验和优秀的科研能力。

研究所还与国内外多家知名大学和企业建立了紧密的合作关系，形成了强大的学术研发网络。

河北半导体研究所的主要研究方向包括新型半导体材料研发、半导体器件设计与工艺研究、半导体设备研制和半导体应用技术开发等。

研究所致力于在技术创新和产业升级方面发挥积极的作用，推动我国半导体产业的发展。

近年来，河北半导体研究所在新型半导体材料领域取得了一系列突破性的研究成果。

例如，成功研发了高性能的氮化镓材料，该材料在LED照明和光电器件领域具有广阔的应用前景。

此外，研究所还开展了多项半导体器件的研制工作，如高频功放器件、智能传感器、光电子器件等。

这些研究成果不仅提升了我国半导体产业的竞争力，也为我国经济的可持续发展做出了积极贡献。

除了研发工作，河北半导体研究所还积极推动科技成果的转化和应用。

研究所与河北省内的多家企业合作，共同开展产学研项目，将科研成果转化为实际生产力。

此外，研究所还参与了多个省级和国家级科研项目，为我国半导体产业的升级提供了科技支持。

河北半导体研究所将继续秉承"创新、协同、担当、务实"的核心价值观，不断推动半导体科技的发展和产业的进步。

相信在研究所的努力下，中国半导体产业一定会不断迈向新的高度。

半导体研究所获奖情况2001年国家自然科学二等奖：“自组织生长量子点激光材料和器件研究”王占国、封松林、徐仲英、梁基本、徐波等北京市科技进步一等奖：半导体神经网络技术及其应用王守觉、鲁华祥、石林初、石寅、王向东等国家最高科技奖黄昆先生2000年半导体所获奖情况：院自然科学一等奖：“自组织生长量子点激光材料和器件研究”王占国、封松林、徐仲英、梁基本、徐波等院自然科学二等奖：“非晶硅的光致退化机理及消除途径”孔光临、张殿林、廖显伯、赵奕平、岳国珍院科技进步二等奖：“高功率激光二极管列阵”肖建伟、马骁宇、方高瞻、刘宗顺、刘素平等国家科技进步二等奖“670nm半导体量子阱激光器批量生产”郭良马骁宇陈良惠王树堂李玉璋王丽明茅冬升谭满清杨亚丽张洪琴曹青何广平潘贵生1999年1. 670nm半导体量子阱激光器批量生产院科技进步一等奖郭良马骁宇陈良惠王树堂李玉璋王丽明茅冬升谭满清杨亚丽张洪琴曹青何广平潘贵生2．新型医药用水装置院科技进步二等奖闻瑞梅沈英立沈英魁杜国栋刘素英栗广勇谢浩波柳光元任民峰半导体所、北京先路水处理新技术公司3．铌酸锂光波导调制器和微波共面传输线的理论研究院自然科学三等奖祝宁华潘裕斌钟宝璇王仁明吴正德半导体所、中山大学、香港城市大学、深圳大学、电子科技大学1998年1. LPE法制备的高效GaAs太阳电池院科技进步二等奖向贤碧汪乐王加宽常秀兰励翠云杜文会葫雨生高俊华王振英上海冶金所、半导体所2．半导体微结构的电子态及有关的物理性质研究院自然科学一等奖夏建白3．InAs/GaAs量子点和量子阱的静压光谱研究院自然科学二等奖李国华韩和相汪兆平刘振先郑宝真4．大功率半导体量子阱激光器国家科技进步三等奖肖建伟陈良惠杨国文徐遵图徐俊英1997年1.大功率半导体量子阱激光器院科技进步一等奖肖建伟陈良惠杨国文徐遵图徐俊英张敬明刘宗顺庄芳捷胡长虹吕卉李秉臣毕可奎刘素平何晓曦李世祖2.砷化镓材料、器件与电路院科技进步二等奖姚林生王占国夏冠群李爱珍孔梅影刘训春郑东范恒何宏家吴德馨杨玉芬徐鸿达杜立新冯先根邹世昌上海冶金所、半导体所、微电子中心3. 1.48 微米掺铒光纤放大器泵浦院科技进步三等奖彭怀德刘德钧阎莉马骁宇王仲明4. 电子工业用气体--硅烷 GB/T 15909--1995 化学工业部科技进步三等奖余京松何道善佘中玉姚奎鸿化工部西南化工研究院、浙江大学、半导体所5.过渡金属和稀土金属硅化物研究院自然科学二等奖许振嘉陈维德丁孙安何杰王佑祥6.III-V族化合物半导体超晶格的喇曼散射研究院自然科学三等奖汪兆平韩和相李国华江德生丁锟7.二次离子质谱分析的应用基础研究院自然科学三等奖王佑祥查良镇姜志雄陈春华8. 长波长分布反馈激光器国家科技进步二等奖王圩张静媛朱洪亮张济志汪孝杰周帆天慧良李力马朝华1996年1.1.55微米应变层量子阱分布反馈（DFB）激光器院科技进步一等奖王圩张静媛朱洪亮张济志汪孝杰周帆天慧良李力马朝华毕可奎胡雄伟边静祝亚芹王白霞王志杰2.ф2”和ф3”非掺Si-GaAs单晶（片）研究院科技进步二等奖林兰英曹福年白玉珂惠峰卜俊鹏刘明焦吴让元何宏家3.DYL多元逻辑八位高速视频D/A转换器院科技进步二等奖王守觉樊崇德石寅王怀荣朱荣华齐荔陆剑侠陶淑艳半导体所、电子部47所4.减压薄层硅外延片的研制院科技进步三等奖梁骏吾郭钟光邓礼生刘素英郑红军5.轨距及轨向检测装置铁道部科技进步二等奖邓兆阳（第五）许善兴（第六）半导体所为第四完成单位6.Recursion 方法及其在复杂杂质问题中的应用院自然科学三等奖王永良7.环境中砷的治理和检测新方法、新设备国家科技进步三等奖闻瑞梅梁骏吾周淑君赵振环刘任重8.一种电路新结构新原理多元逻辑（DYL）及其实用化国家发明三等奖王守觉石寅鲁华祥尹元茂李远境宋振华1995年1.低阈值1.3um InGaAs/InP 双区共腔双稳激光器院科技进步一等奖张权生吴荣汉林世鸣王启明高洪海高文智吕卉王丽明马朝华刘文旭韩勤段海龙张洪琴卢秀玲杜云2.高质量GaAs/AlGaAs二维电子气材料研制及其器件应用院科技进步二等奖梁基本朱战萍徐波廖奇为孔梅影林兰英王占国杨斌李伟3.“31”工程用一期（首批、二批）抗辐射院科技进步三等奖加固CMOS/SOS集成电路研制刘忠立和致经郁元桓于芳杨钦英4.半导体超晶格量子阱喇曼散射微观理论院自然科学二等奖朱邦芬黄昆汤蕙5.俄歇电子能谱定量分析及有关效应的研究院自然科学二等奖陈维德崔玉德6.半导体应变超晶格的会电子束衍射研究院自然科学二等奖半导体所为第三完成单位注：无档案材料无法确定名单7.稀土－铁－硼及稀土－铁－氮永磁材料的理论研究院自然科学三等奖顾宗权赖武彦8.低阈值和高速超短光脉冲量子阱激光器国家科技进步三等奖陈良惠徐俊英肖建伟张敬明孔梅影1994年1.MOCVD GaAlAs/GaAs超晶格量子阱材料的研制及应用院科技进步二等奖杨辉梁骏吾邓礼生郑联喜胡雄伟张霞李建中葛璜李秉臣2.环境中砷的治理和检测的新方法、新设备院科技进步二等奖闻瑞梅彭永清邓礼生刘任重陈朗星刘成海注：无报奖材料，名单仅供参考3.非晶硅图像传感器线型阵列的研制院科技进步三等奖郑怀德廖显伯孔光临刁宏伟周帆4.氢离子敏场效应器件（与微电子中心合作）院科技进步三等奖李东研崔成烈李志强黄晓兰洪重光5. 电子束掺杂研究院科技进步三等奖王培大（排名第二）半导体所为第二完成单位注：无报奖材料，名单仅供参考6.低维半导体量子输运院自然科学一等奖郑厚植周海平邵华李月霞杨富华7.半绝缘砷化镓中氧缺陷振动光谱及其光敏行为研究院自然科学三等奖宋春英江德生钟学富葛帷锟 B.Pajot1993年1.超晶格量子阱自电光效应器件院科技进步一等奖吴荣汉林世鸣张权生段海龙王启明曾一平孔梅影孙殿照高洪海高文智韩勤吕卉王丽明芦秀玲杜云2.GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器单管及四元线列院科技进步一等奖钟战天（排名第四）李承芳（排名第八）王森（排名第十二）物理所、半导体所注：无报奖材料，名单仅供参考3.计算机测试程序开发及IC测试与应用开发系统院科技进步二等奖林雨肖钢朱文珍李长海胡升陆文兰姜爱华郗志凤4.非晶硅中的亚稳缺陷及界面问题的研究院自然科学二等奖孔光临廖显伯秦国刚钟战天孙国胜5.硅表面性质的晶向关系院自然科学三等奖邢益荣 W.Rankle6.金属有机源MOMBE分子束外延设备和MBE－IV型国家科技进步二等奖分子束外延设备孔梅影（第二）孙殿照（第五）梁基本（第九）中科院沈阳科学仪器研制中心、半导体所、物理所注：无报奖材料，名单仅供参考7.半导体超晶格的电子态与声子模理论国家自然科学二等奖黄昆朱邦芬夏建白1992年1.低阈值和高速超短光脉冲量子阱激光器院科技进步一等奖陈良惠徐俊英肖建伟张敬明孔梅影曾一平周小川马朝华徐遵图王丽明毕可奎杨国文李立康蒋建瞿伟2.MBE-IV型分子束外延和金属有机源分子束外延设备院科技进步一等奖孔梅影孙殿照梁基本韩汝水朱世荣沈阳科仪研制中心、半导体所注：无报奖材料，名单仅供参考3.微机控制光加热外延炉的研制和硅外延技术研究院科技进步二等奖梁骏吾杨辉郭钟光邓礼生郑红军张隽吕旭如黄大定汪光川4.多元逻辑高速数码乘法器电路院科技进步二等奖石寅朱荣华王守觉侯静媛赵泉沐曹秀兰5.小面积高效率非晶硅电池的研究院科技进步三等奖廖显伯孔光临郑怀德李海峰刁宏伟6. 2”直径的半绝缘磷化铟单晶院科技进步三等奖刘巽琅叶式中赵建群焦景华曹惠梅7.分子束外延GaAs/AlGaAs高速器件与光电子器件用料院科技进步三等奖孔梅影孙殿照曾一平梁基本郑海群8.长波长InGaAs.APD光接收组件院科技进步三等奖王树堂胡春阳曾靖夏彩虹何军9.半导体超晶格的静电光谱研究院自然科学三等奖李国华江德生韩和相汪兆平赵学恕10.长波1.3 和1.5um无致冷单模激光器研究国家科技进步二等奖彭怀德马骁宇马朝华陈剑余金中张盛廉吕卉武淑珍赵建和11.硅材料原生缺陷图谱、硅材料诱生缺陷图谱国家科技进步三等奖张一心（排名第四）半导体所为第四完成单位12.中国科学院文献资源合理布局国家科技进步三等奖孟广钧许鸿英谢淑莲高焕宝陈光楹中科院文献情报中心、中科院兰州文献情报中心、中科院成都文献情报中心、中科院上海文献情报中心、半导体所注：无报奖材料，名单仅供参考1991年1.SSPW小型系列高纯水器北京市星火科技一等奖闻瑞梅注：缺档案无法确定名单2.长寿命卫星用SOS－CMOS集成电路五种电路研制院科技进步二等奖刘忠立和致经郁元桓刘荣寰郭安张桂亭昝育德张永刚李国花于芳茅冬升倪秀珍杨钦英3.长波1.3 和1.5μm无致冷单模激光器研究院科技进步二等奖彭怀德马骁宇马朝华陈剑余金中张盛廉吕卉武淑珍赵建和潘贵生赵玲娟王丽明张洪琴王树堂周汝生4.1.5μm分布反馈激光器院科技进步二等奖王圩张静媛汪孝杰田惠良缪育博王宝军张济志马朝华王丽明吕卉张洪琴5.中科院文献资源合理布局院科技进步二等奖梁荫喜注：无报奖材料，名单仅供参考6.全平面结构8mm小功率开关保护器院科技进步三等奖郑东王良臣方浦明王莉邹立寿药建国周春7.集成电路用半绝缘砷化镓热稳定性和均匀性研究院科技进步三等奖林兰英何宏家刘巽琅曹福年白玉珂惠峰吴让元张金福曹惠梅孙文荣徐寿定赵健群费雪英卜俊鹏8.半导体致冷材料与器件院科技进步三等奖陈廷杰彭少近张韵琴唐代维郑秉茹李瑞云9.砷化镓量子阱微结构的光反射调制谱研究院自然科学三等奖江德生庄蔚华王炳心韩志勇注：无报奖材料，名单仅供参考10.长波长InGaAs/InP雪崩光电二极管国家科技进步二等奖王树堂曾靖李锋胡春阳夏彩虹孙捷樊爱香11.电子级气体N2、H2、O2、Ar、He、HCl、国家科技进步三等奖 CO2、NH3 28种杂质分析技术及质量监控闻瑞梅李希云王铁龄王桂英1990年1.八种气体中28种杂质全分析技术及质量监控院科技进步一等奖闻瑞梅李希云王铁龄王桂英注：无报奖材料，名单仅供参考2.半导体制冷技术和设备天津市科技合作一等奖陈廷杰彭少近张韵秦唐代维郑秉茹李瑞云(半导体所)庄如颜王兆乾(计算站)天津市制冷器厂、半导体所注：无报奖材料，名单仅供参考3.长波长InGaAs/InP雪崩光电二极管院科技进步二等奖王树堂曾靖李锋胡春阳夏彩虹4.8mm脉冲雪崩管振荡器院科技进步二等奖杨玉芬张黄河王保强侯梦会刘衍芳吴晓东彭斌5.硅材料原生缺陷图谱、硅材料诱生缺陷图谱机电部科技进步二等奖张一心菜田海高维滨6.（HRIMG）高分辨电子显微像模拟计算机软件院科技进步三等奖褚一鸣段小峰何良王凤莲刘学锋都安彦向南玲7.集成光电转换器 (模样) 院科技进步三等奖李远境赵雅珠虞嘉峰姜文甫赵淑兰宋振华胡景香杨亚丽李大虹朱秀珍注：无报奖材料，名单仅供参考8.低位错、元位错掺Te锑化镓单晶研究院科技进步三等奖焦景华佘辉叶式中林汝淦曹惠梅孙文荣鄢秋明金盾9.半导体AlGaAs/GaAs脉冲功率激光器院科技进步三等奖洪坚王仲明龙泽民马国荣肖丽华赵建社孙晓山10.等电子杂质In在GaAs中行为的研究院科技进步三等奖王占国林兰英杨保华徐寿定万寿科杨锡权何宏家曹福年白玉珂钱家骏范缇文孙虹11.PCVD-310型等电子体非晶硅太阳能电池设备院科技进步三等奖廖显伯半导体所为第二完成单位注：无报奖材料，名单仅供参考12.半导体超晶格和量子阱的光学声子模和弗洛里希作用势院自然科学二等奖黄昆朱邦芬13.GaAs/AlAs超晶格中光学声子的拉曼散射研究院自然科学二等奖汪兆平韩和相李国华江德生14.微重力条件下从溶体生长GaAs单晶及性质研究国家科技进步三等奖林兰英周伯骏钟兴儒王占国石志文蒋四南范缇文李成基曹福年15.分子束外延GaAs-AlGaAs材料国家科技进步三等奖孔梅影李爱珍黄绮孙殿照梁基本黄运衡陈宗圭杨中兴邱建华1989年1.微重力条件下从溶体生长GaAs单晶及性质研究院科技进步一等奖林兰英周伯骏钟兴儒王占国石志文蒋四南范缇文李成基曹福年注：无报奖材料，名单仅供参考2.LPE GaInAsSb/InP异质材料的生长和性质研究院科技进步二等奖龚秀英王占国高风升韩文蔷赵海洋卢文宏注：无报奖材料，名单仅供参考3.电子级气体SJ2794~2797-87电子级气体中机电部科技进步二等奖颗粒和痕量杂质测定方法SJ2798~2804.1-87SJ2805~2807-87尹恩华注：无报奖材料，名单仅供参考4.双束合成低能离子束外延实验机院科技进步三等奖秦复光王向明杨光荣刘大白刘志凯彭少近姚振钰任治璋注：无报奖材料，名单仅供参考5.超晶格电子态理论院自然科学一等奖夏建白黄昆朱邦芬汤惠6.砷化镓中杂质缺陷的红外研究院自然科学二等奖江德生宋春英葛惟锟钟学富许振嘉1988年1.掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备院科技进步一等奖梁骏吾邓礼生郑红军黄大定栾洪发2.DMF－1型大幅度矩形纳秒脉冲发生器院科技进步二等奖周旋鲍秉乾李强贾洪盛3.离子色谱在半导体工业中的应用院科技进步三等奖闻瑞梅李希云付仲华刘秀庆4.单层金属工艺条件下高密度布线设计院科技进步三等奖庄文军高春华程可行牛征虎刘新平1987年1.LSIS－II自动布图设计系统院科技进步一等奖庄文君程可行牛征虎高春华马佐成薄建国王怀伦易涪兰刘新华2.共腔双区（CCTS）DH双稳激光器研究院科技进步二等奖王启明王守武林世鸣李建蒙杜宝勋3.分子束外延高质量GaAs-GaAlAs材料研究院科技进步二等奖孔梅影孙殿照梁基本黄运衡曾一平陈宗圭4.抗辐照SOS－CMOS集成电路院科技进步二等奖刘忠立和致经郁元桓昝育德茅冬生5. 硅单晶次缺陷图集北京市科技进步二等奖张一心蔡田海高维滨6.GaAs/GaAlAs负阻激光器电学、光学特性综合研究院科技进步三等奖王守武张权生吴荣汉李照银7.匀相位半导体激光器及相位测试设备院科技进步三等奖庄婉如石志文杨培生潘贵生马朝华何军马国华孙富荣8.GaAs/GaAlAs量子阱光学性质研究院科技进步三等奖徐仲英李玉璋葛惟锟许继宗郑宝真徐俊英庄蔚华9.二、三、四毫米波段硅肖特基势垒二极管国家科技进步二等奖王森卫薇柳吉林方浦明陈克铭郑东陈微10.1.3微米基横模、低阈值、长寿命激光器国家科技进步二等奖王圩彭怀德张盛廉汪孝杰张静媛11.长波长光探测器件及光发射器件国家科技进步二等奖王圩彭怀德注：无报奖材料，名单仅供参考1986年1.二、三、四毫米硅肖特基势垒二极管检测器院科技进步一等奖王森卫薇柳吉林方浦明陈克铭陈薇郑东2.GaP中N和N和Ni对束缚激子压力行为的研究院科技进步一等奖杨桂林王炳森赵学恕李国华3.1.3μm单模低阈值、长寿命激光器的研制院科技进步二等奖王启明王圩彭怀德张盛廉周汝生4.水平法低位错GaAs的单晶院科技进步二等奖褚一鸣何宏家周伯骏曹福年白玉珂注：无报奖材料，名单仅供参考5.提高高纯水质量的研究院科技进步二等奖闻瑞梅薛继周陶帝先佟静亭龚义元6.短微波半导体器件系统及有关元件质量的研究院科技进步二等奖注：缺档案材料、名单无法确定7.兼容宏单元多元胞模式自动布局和四边通道布线算法院科技进步三等奖程可行庄文君8.多元电路万能函数发生器院科技进步三等奖王守觉王宏道李秀贤注：无报奖材料，名单仅供参考9.高压液封法生长热稳定不掺杂半绝缘GaAs 院科技进步三等奖林兰英叶式中何宏家方兆强曹福年刘巽琅白玉珂焦景华费雪英10.GaAs表面和介面性质对毫米波器件性质的影响院科技进步三等奖陈克铭王森仇兰华陈维德王良臣11.二、三毫米硅雪崩振荡器院科技进步三等奖杨玉芬刘衍芳张黄河侯梦会蔡田海12.N+NP+型InGaAs/InP异质结构PIN光电探测器院科技进步三等奖王树堂曾靖潘荣浚陈良惠马朝华注：无报奖材料，名单仅供参考13.分子束外延GaAs-GaAlAs多量子阱超晶格院科技进步三等奖材料制备的特性孙殿照徐仲英陈宗圭梁基本庄蔚华许继宗黄运衡王玉田王佑祥注：无报奖材料，名单仅供参考14.高速双向负阻晶体管院科技进步三等奖周旋李凤银曹体伦李锦林鲍秉乾15.砷化镓霍尔器件院科技进步三等奖郑一阳张进昌刘衍芳注：无报奖材料，名单仅供参考16.固体化高压毫微秒脉冲电源院科技进步三等奖周旋李锦林鲍秉乾张建成陈子荣注：无报奖材料，名单仅供参考1985年1.分子束外延技术的研究国家科技进步二等奖孔梅影孙殿照注：无报奖材料，名单仅供参考2.提高砷化镓材料质量的研究国家科技进步二等奖林兰英彭瑞伍林耀望莫培根方兆强3.光纤通信用短波长发射器件和探测器件国家科技进步二等奖王启明庄婉如王树堂注：无报奖材料，名单仅供参考4.可控电参数的低位错磷化铟单晶制备国家科技进步三等奖叶式中刘巽琅刘思林孙同年焦景华注：无报奖材料，名单仅供参考。