半导体所复试
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清华大学831半导体物理、器件及集成电路考研参考书目、考研真题、复试分数线831半导体物理、器件及集成电路课程介绍研究半导体原子状态和电子状态以及各种半导体器件内部电子过程的学科。
是固体物理学的一个分支。
研究半导体中的原子状态是以晶体结构学和点阵动力学为基础,主要研究半导体的晶体结构、晶体生长,以及晶体中的杂质和各种类型的缺陷。
研究半导体中的电子状态是以固体电子论和能带理论为基础,主要研究半导体的电子状态,半导体的光电和热电效应、半导体的表面结构和性质、半导体与金属或不同类型半导体接触时界面的性质和所发生的过程、各种半导体器件的作用机理和制造工艺等。
半导体物理学的发展不仅使人们对半导体有了深入的了解,而且由此而产生的各种半导体器件、集成电路和半导体激光器等已得到广泛的应用。
典型的半导体主要是由共价键结合的晶体。
如硅、锗的晶体具有半导体物理学金刚石结构(图1),Ⅲ-Ⅴ化合物以及一些Ⅲ-Ⅵ化合物具有闪锌矿结构(图2)或纤锌矿结构(图3)。
这些都是最典型的共价键结合的晶体结构,其中每个原子由四个共价键与近邻原子相结合。
能带的概念组成共价键的价电子呈现出相对集中于近邻原子之间的空间分布,它们同时又是运动于晶体中的共有电子,具有典型的连续能量分布(图4)就是由X射线电子谱所测的硅中价电子的能量分布)。
按照固体的能带理论,晶体中的电子态分属于若干能带,每个能带包含能量连续分布的2N个电子态(计入自旋),N代表晶体包含的元胞总数。
上述价电子的能量分布实际上包含着几个部分相互重叠的能带,它们正好被晶体中的价电子所填满,统称为价带。
原理能带中的电子态是用一个波数矢k标志的,它的意义近似于一个自由电子的德布罗意波的波数。
为了展示能带中的电子态,往往采用以k为坐标的“k空间”,k空间中的一点表示一个电子态(不计自旋),k的取值限于环绕原点的一个具有晶体对称性的多面体区域,称为布里渊区。
图5表示半导体物理学金刚石(或闪锌矿)晶体的布里渊区。
中国科学技术大学各专业考研复试经验精编➢物理化学专业复试分为笔试和面试,笔试综合化学,只有选择题和填空题,推荐科大出版社的小黄书以及历年的综合化学真题。
面试分为英语面试和学术面试。
英语面试为朗读一段英文文献并翻译,通常老师会问你联系的是哪个方向的老师或者你喜欢哪个方向,然后给你一段相关文献。
学术面试大概有十个老师左右,自我介绍中英文都可以,然后老师会随机问一些问题,有可能是课本上的问题,或者你对某个研究方向的理解,甚至你为什么选择科大。
➢有机化学专业复试由综合面试(110分)和实验(40分)两部分构成。
面试的流程如下:研究生办教学秘书按初试名次顺序挨个喊人,依次进场,进场桌子上放着ABC三张A4纸,每张纸上有大概三分之二篇幅三四百单词数的英文,教学秘书说你随机从里面选一张,给你三分钟时间看,有不会的单词你可以问,三分钟后翻译成中文说出来。
英文面试后面试组的老师会开始就专业、综合能力、科研经历、毕业设计等方面展开第二轮面试提问。
如果跨专业报考的话,老师通常还会问下考研选择该专业的原因。
实验:我当时考察的实验是HCI溶液滴定Na2CO3测算含量。
实验过程中有两个老师监考,而且在考试的时候老师还现场进行指导。
个人认为实验还是很简单的。
➢电子工程与信息科学专业复试通常包括笔试、机试和面试(特殊时期除外,如今年疫情)。
笔试:虽然是三门课,好像很厉害的样子,但是考的题目有限,就拿计算机网络来说吧,考的都是大题,题库不超过30个题,全部背掉吧。
要知道你若能进复试,面对的都是高手,你不好好准备,就会被淘汰!!!这是每年唯一不变的地方。
微机原理,考得很细,甚至有点偏,上课好好上,网上有周何琴教授的视频,实在不行自己下载了看。
通信原理也是很多题库,都看看,理解了就行了,今年考了循环码,没考卷积码!机试:word 、excel 、ppt今天都考了,但是PPT就是来打酱油的,3分,好多人都不做!主要是前两个。
然后就是C语言了,题目不是很难,多练习练习,大家都没问题的。
注:结合《半导体物理》季振国编著浙江大学出版社重点看第二章半导体材料的成分与结构第三章晶体中电子的能带第一章量子力学初步1、光电效应、康普顿散射证明电磁波除了具有波动性外,还具有性,即光具有。
2、受爱因斯坦光量子的启发,德布罗意提出实物粒子具有性,德布罗意波长公式为。
3、写出光子的能量与动量。
4、画出下列方势阱中的电子能级图。
(a)(b) (c)5、谐振子的能量本征值为。
6、什么是电子的隧道效应,并举实例说明此原理的应用。
7、什么是测不准原理,并举实例说明此原理的应用。
第二章半导体材料的成分与结构1、什么是半导体材料?常见的半导体材料有哪些?2、画出导体,半导体以及绝缘体的能带图。
3、常见半导体的晶体结构有哪些?晶体结构的测量方法有哪些?4、写出正空间与倒空间的基矢关系。
5、简述能带的形成。
答案第一章1、粒子性 波粒二象性2、波动性 h =p λ 3、E h p k ν==4、电子的基态能级分布5、1()2n E n ω=+6、粒子能够穿透比它能量更高势垒的现象,它是粒子具有波动性的表现。
例如场致发射、扫描隧道显微镜7、粒子的空间位置与动量不能同时确定,或者无法做到同时使空间位置与动量都非常精确。
例如现在大力发展蓝光光存储介质利用此原理。
第二章1、导电性介于导体和绝缘体之间,具有能带结构以及合适的禁带宽度且具有负温度系数的一类材料成为半导体材料。
例如Si 、Ge 、GaAs 、InSb 、GaN 、SiC 、ZnO2、3、半导体材料按结构分有单晶、多晶、非晶、纳米晶、团簇、超晶格等。
常见的晶体结构有金刚石结构、闪锌矿结构、纤锌矿结构。
晶体结构的测量方法有XRD (X 射线衍射)、电子衍射、激光衍射、中子衍射等。
4、 232111233121212312213123222222a a a a b a a a V a a a a b a a a V a a a a b a a a Vππππππ⨯⨯==⋅⨯⨯⨯==⋅⨯⨯⨯==⋅⨯ 5、N 个原子相接近形成晶体时发生原子轨道的交叠并产生能级分裂现象。
2019年华中科技光电国家实验室考研复试时间复试内容复试流程复试资料及经验随着考研大军不断壮大,每年毕业的研究生也越来越多,竞争也越来越大。
对于准备复试的同学来说,其实还有很多小问题并不了解,例如复试考什么?复试怎么考?复试考察的是什么?复试什么时间?复试如何准备等等。
今天启道小编给大家整理了复试相关内容,让大家了解复试,减少一点对于复试的未知感以及恐惧感。
准备复试的小伙伴们一定要认真阅读,对你的复试很有帮助啊!院系简介武汉光电国家研究中心是科技部于2017年首批获批的6个国家研究中心之一,依托华中科技大学组建。
它是适应大科学时代基础研究特点的学科交叉型国家科技创新基地,是国家科技创新体系的重要组成部分。
其前身武汉光电国家实验室(筹),为科技部2003年批准筹建的首批五个国家实验室之一。
复试时间复试内容(科目)学术学位招生目录专业学位招生目录复试分数线复试流程(一) 专业笔试 (占复试总成绩的40%)1. 报考计算机系统结构和计算机技术专业的研究生参照计算机科学与技术学院复试细则,并参加计算机科学与技术学院组织的笔试、上机测试和英语测试(具体见计算机科学与技术学院官网通知)。
2. 报考光学工程、电子科学与技术、信息与通信工程、电子与通信工程专业的研究生,报到时从以下A、B、C试卷中任选一份。
(1)A卷考试科目:考生可从《物理光学与应用光学》《光纤通信技术》《信号与系统》《半导体光电子学》四门课程中任选两门,每门课程50分,满分为100分,考试时间为120分钟。
参考书目:1) 物理光学参考书:《物理光学》竺子民,华中科技大学出版社;《物理光学》梁铨廷,电子工业出版社(第四版);2) 应用光学:《应用光学》张以谟,电子工业出版社(第三版);3) 信号与系统:《信号与系统》奥本海姆,电子工业出版社(第二版);4) 半导体光电子学:《半导体光电子学》黄德修,电子工业出版社(第二版);5) 光纤通信技术:《Fiber-optic communication systems 》G.P.Agrawal,Wiely-interscience,2001年(第三版)。
第1篇一、基础知识部分1. 以下哪些是模拟电子技术中的基本放大电路?(至少列举3种)A. 共射放大电路B. 共集放大电路C. 共基放大电路D. 比较放大电路2. 简述晶体管放大电路中的共射、共集和共基三种组态的特点及适用场合。
3. 以下哪些是数字电子技术中的基本逻辑门?(至少列举3种)A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门4. 简述TTL和CMOS两种逻辑门的特点及适用场合。
5. 列举三种常用的数模转换器(DAC)和模数转换器(ADC)。
6. 简述A/D转换和D/A转换的基本原理。
7. 简述数字信号处理中采样定理的含义。
8. 列举三种常用的滤波器类型。
二、电路分析部分1. 试用叠加定理求解下列电路中的电流I1和I2:```+3V|| R1=2kΩ|_______| || R2=4kΩ ||_______| || R3=6kΩ ||_______| || I1 ||_______| || I2 ||_______| || GND |```2. 求下列RLC串联电路的谐振频率、品质因数和带宽:```+3V|| R=2kΩ|_______| || L=0.5H ||_______| || C=10μF ||_______| || GND |```3. 试用戴维南定理求解下列电路中的电压U:```+10V|| R1=3kΩ|_______| || R2=4kΩ ||_______| || R3=5kΩ ||_______| || R4=6kΩ ||_______| || GND |```4. 试用节点电压法求解下列电路中的电压U1和U2:```+10V|| R1=2kΩ|_______| || R2=3kΩ ||_______| || R3=4kΩ ||_______| || R4=5kΩ ||_______| || GND |```三、数字电路部分1. 试用真值表或卡诺图化简下列逻辑函数:F(A, B, C) = AB + AC + BC2. 试用与非门和或非门实现下列逻辑函数:F(A, B, C) = A + B + C3. 试用D触发器设计一个4位同步加法计数器。
清华大学832半导体器件与电子电路考研参考书目、考研真题、复试分数线832半导体器件与电子电路课程介绍《电子电路分析与设计:半导体器件及其基本应用》主要内容:电子学是研究电荷在空气、真空和半导体内运动的一门科学(注意此处不包括电荷在金属中的运动)。
这一概念最早起源于20世纪早期,以便和电气工程(主要研究电动机、发电机和电缆传输)加以区别,当时的电子工程是一个崭新的领域,主要研究真空管中的电荷运动。
如今,电子学研究的内容一般包括晶体管和晶体管电路。
微电子学研究集成电路(IC)技术,它能够在一块半导体材料上制造包含数百万甚至更多个电路元件的电路系统。
一个称职的电气工程师应该具备多种技能,比如要会使用、设计或构建电子电路系统。
所以在很多时候电气工程和电子工程之间的差别并不像当初定义的那么明显。
编辑推荐为了适应国内高校教学的需要,中译本分成3册出版:《电子电路分析与设计:半导体器件及其基本应用》《电子电路分析与设计:模拟电子技术》《电子电路分析与设计:数字电子技术》《电子电路分析与设计:半导体器件及其基本应用》是第1册,对应原书第1~8章的内容,讲述微电子器件及其基本应用:·半导体材料和PN结·二极管及二极管应用电路·场效应晶体管及基本场效应品体管线性放大电路·双极型晶体管及基本双极型晶体管线性放大电路·电路的频率特性·输出级电路和功率放大器电路《电子电路分析与设计:半导体器件及其基本应用》非常适合作为电类各专业模拟电路课程的教材和相关科研人员白学参考书,也适合作为教师遴选习题的范本。
清华大学考研参考书目科目名称参考书出版社作者335风景园林基础《西方现代景观设计的理论与实践》中国建筑工业出版社王向荣《图解人类景观—环境塑造史论》同济大学出版社[英]杰弗瑞·杰里柯//苏珊杰·里柯译者:刘滨谊《中国古典园林史》(第三版)清华大学出版社周维权342建筑学基础《中国城市建设史》中国建筑工业出版社董鉴泓,主编《外国城市建设史》中国建筑工业出版社沈玉麟,编《中国古代建筑史》中国建筑工业出版社刘敦祯《中国建筑史》中国建筑工业出版社潘谷西《外国建筑史》中国建筑工业出版社陈志华《外国近现代建筑史》中国建筑工业出版社罗小未601艺术概论《艺术概论》文化艺术出版社高等艺术院校《艺术概论》出版组《美学概论》人民出版社王朝闻主编602(建筑/城市、景观)历史《中国城市建设史》中国建筑工业出版社董鉴泓,主编《外国城市建设史》中国建筑工业出版社沈玉麟,编《西方现代景观设计的理论与实践》中国建筑工业出版社王向荣《图解人类景观—环境塑造史论》同济大学出版社[英]杰弗瑞·杰里柯//苏珊杰·里柯译者:刘滨谊《中国古典园林史》(第三版)清华大学出版社周维权《中国古代建筑史》中国建筑工业出版社刘敦祯《中国建筑史》中国建筑工业出版社潘谷西《外国建筑史》中国建筑工业出版社陈志华《外国近现代建筑史》中国建筑工业出版社罗小未603数学分析《数学分析新讲》北京大学出版社张筑生《数学分析》上海科学技术出版社周民强,方企勤604普通物理《大学物理》(第二版)第一册至四册清华大学出版社张三慧605综合化学《无机化学》(上下册)高等教育出版社,2004宋天佑,程鹏,王杏乔《基础有机化学》(第三版)(上下册)高等教育出版社,2005邢其毅主编《分析化学》(第二版)清华大学出版社,1994薛华等《仪器分析》(第2版)清华大学出版社,2002刘密新等《高分子化学》(第四版)化工出版社潘祖仁主编《高分子物理》(第三版)复旦大学出版社何曼君等606生物学《基础生命科学》高等教育出版社第二版吴庆余607西方哲学史《西方哲学简史》北京大学出版社2002赵敦华608科学技术概论《科学技术概论》(第二版)高等教育出版社2006胡显章、曾国屏主编;李正风主持修订609政治学概论《政治科学》华夏出版社迈克尔·罗斯金等《比较政治制度》高等教育出版社曹沛霖等《国际关系分析》北京大学出版社阎学通610社会学理论《社会学(第10版)》中国人民大学出版社1999年版波普诺《社会学理论的结构》(上下册)华夏出版社2001年版乔纳森·特纳《清华社会学评论》鹭江出版社中国友谊出版公司社会科学文献出版社清华大学社会学系611马克思主义基本原理《马克思主义基本原理概论》高等教育出版社2007年版本书编写组《马克思主义哲学导论》当代中国出版社2002年版吴倬、邹广文612语言学基础《An Introduction toLinguistics》外语教学与研究出版社(可从FTP://166.111.107.7下载)Stuart C.Poole616艺术美学《现代艺术哲学》四川人民出版社H.G.布洛克《美学与艺术欣赏》高等教育出版社肖鹰618新闻与传播史论《新闻学概论》中国传媒大学出版社,2007刘建明《转型中的新闻学》南方日报出版社,2005李希光《麦奎尔大众传播理论》清华大学出版社,2006麦奎尔《中国新闻传播史》中国人民大学出版社,2005方汉奇《全球新闻传播史》清华大学出版社,2006李彬《传播学理论:起源、方法与应用》华夏出版社,2000沃纳.赛佛林等《中外广播电视史》复旦大学出版社,2005郭镇之623药理学综合《药理学》第六版人民卫生出版社杨宝峰630中西音乐史《中国古代音乐史》人民音乐出版社杨荫浏著《中国近现代音乐史》高等教育出版社汪毓和编著《西方音乐通史》上海音乐出版社于润洋主编801中西方美术史《西方现代艺术史》天津人民美术出版社H-阿拉森著,邹德侬等译《中国美术史》人民美术出版社王逊著802建筑物理《建筑物理》中国建筑工业出版社西安冶金建筑学院等803建筑环境与设备工程基础(供热、供然气、通风及空调工程基础)《传热学》第三版高等教育出版社1998年12月杨世铭,陶文铨编著《工程热力学》清华大学出版社1995年7月第1版朱明善等编《建筑环境学》中国建筑工业出版社2001年12月第1版金招芬,朱颖心主编804结构力学(含动力学基础)《结构力学(1)基本教程》高教出版社,2006年12月第2版龙驭球805土木工程CAD 技术基础《土木工程CAD 技术清华大学出版社,2006任爱珠、张建平806物理化学《物理化学》人民教育出版社天津大学807大地测量《大地测量学基础》武汉大学出版社孔祥元等著《现代大地控制测量》测绘出版社施一民《误差理论与测量平差基础武汉大学出版社武汉大学测绘学院等编808交通工程《交通规划理论与方法》清华大学出版社2006年陆化普810土力学基础《土力学》前五章清华大学出版社陈仲颐811水文学基础《工程水文学》中国水利水电出版社(河海大学)詹道江,(武汉大学)叶守泽812水力学基础《工程流体力学》(上册)清华大学出版社李玉柱,贺五洲813结构力学基础《结构力学教程》(1、2)高等教育出版社2000年版龙驭球、包世华814项目管理基础《工程项目组织与管理》中国计划出版社注册咨询工程师考试教材编写委员会《成功的项目管理》机械工业出版社翻译本815化学《现代化学基础》高等教育出版社胡忠鲠《大学化学》高等教育出版社傅献彩816环境微生物学《水处理生物学》(第四版)中国建筑工业出版社顾夏声等《微生物学教程》高等教育出版社周德庆《环境微生物学》高等教育出版社王家玲等817环境系统与管理《环境规划学》高等教育出版社郭怀城等《环境与资源经济学概论》高等教育出版社马中《环境系统分析教程》化学工业出版社程声通《环境管理与环境社会科学研究方法》清华大学出版社曾思育818金属学及热处理《材料工程基础》(第二版)清华大学出版社王昆林《工程材料》(第三版)清华大学出版社朱张校主编819电工电子学《电工学》(上、下册,高等教育出版社秦曾煌主编820机械设计基础《机械原理教程》清华大学申永胜《机械设计》高等教育出版社吴宗泽821光学工程基础《工程光学》(1-14章)机械工业出版社郁道银、谈恒英《光学工程基础》清华大学毛文炜822控制工程基础《控制工程基础》清华大学董景新823热流基础《工程热力学》清华大学出版社朱明善等《工程热力学》高等教育出版社沈维道《流体力学》清华大学出版社张兆顺,崔桂香824工程力学(理论力学及材料力学)《理论力学》清华大学出版社李俊峰《材料力学》高等教育出版社刘鸿文《材料力学》高等教育出版社孙训方《材料力学》高等教育出版社,2002年范钦珊等825工程热力学《工程热力学》清华大学出版社朱明善《工程热力学》高教出版社沈维道826运筹学与统计学(数学规划、应用随机模型、统计学各占1/3)《运筹学(数学规划)(第3版)清华大学出版社,2004年1月W.L.Winston 《运筹学》(应用随机模型)清华大学出版社,2004年2月V.G.Kulkarni 《概率论与数理统计》(第1~9章)高等教育出版社,2001年盛聚等827电路原理《电路原理》(第2版)清华大学出版社,2007年3月江辑光刘秀成《电路原理》清华大学出版社,2007年3月于歆杰朱桂萍陆文娟《电路》(第5版)高等教育出版社,2006年5月邱关源罗先觉828信号与系统《信号与系统》上册下册高教出版社2000年第二版2008年第18次、19次印刷郑君里等《信号与系统引论》高教出版社2009年3月第一版郑君里等829电磁场理论《电磁场理论》清华大学出版社2001年2003年重印王蔷李国定龚克《电动力学》高教出版社1997年第二版郭硕鸿831半导体物理、器件及集成电路《Introduction toSemiconductorDevices》清华大学出版社Donald A.Neamen《数字集成电路设计-电路、系统与设计》电子工业出版社,2004.Jan M.Rabaey等著,周润德等译《半导体物理学》电子工业出版社(第6版)或其它出版社(第1-5版)。
真题(本来是一百一十多道,不过很多有重复,我整理了一下,剩下这么多,括号里的提示有同学说的,也有我写的)1.运算放大器原理,一个好的运算放大器考虑什么因素?集成运放由四部分组成,分别为输入级,中间级,输出级和偏置电路,其中过部分功能如下:输入级:一般是双输入的高性能差分放大器。
输入级好坏直接影响运放性能的好坏。
中间级:运放的主放大电路,多采用共射或共源放大电路,还经常采用复合管和电流源做负载,其电压放大倍数可达千倍以上。
输出级:输出电压线性宽,输出电阻小,多采用互补对称输出形式。
偏置电路:用于给各级提供合适的静态工作点。
好的集成运放应是高增值,低功耗,低噪音,宽的摆幅,宽的带宽等。
2。
镜像电流元的工作原理及其注意的因素。
通过控制晶体管的控制端口,使其的参数与另一个晶体管一致,这样,其他的晶体管可以跟踪另外一个晶体管,使其电流等于或按比例地复制参考电流源。
电流源工作时,应注意不要超过其允许的温度范围和晶体管工作的参数。
3。
正反馈与负反馈的区别和原理。
反馈:将输出量的一部分或全部通过一定的电路形式作用于输入回路,用来影响其输入量来改善系统性能的一种措施。
正反馈:根据反馈的效果,使放大电路的净输入量增大的反馈。
负反馈:使净输入量减小的反馈。
直流反馈:反馈量只含直流分量。
交流反馈:反馈量中只含交流成分。
4。
加法器有几种,半加和全加的区别。
半加器:不考虑进位,而将两个一位的二进制数相加,实现半加功能的电路称半加器。
全加器:考虑进位,实现2个二进制数相加的电路结构。
加法器分类:串行进位加法器(行波进位加法器)和超前进位加法器。
行波进位加法器:每一位相加的结果都要等到低一位的进位信号产生以后才能建立起来,这种加法器最大的缺点是速度慢。
超前进位加法器:采用特殊的逻辑电路事先得知每一位全加器的进位输入信号,而无需等待低位向高位的进位信号,显著提高了运算速度,采用这种形式的加法器称超前进位加法器。
5。
信号系统有多少种变换,区别于联系,各自的优缺点。
2018年清华大学集成电路工程考研复试科目复试安排复试分数线流程及复试经验谈启道考研网快讯:2018年考研复试即将开始,启道教育小编根据考生需要,整理2017年清华大学085209 集成电路工程考研复试细则,仅供参考:一、复试科目(启道考研复试辅导班)(1)初试准考证;(2)有效身份证件原件(必须在有效期内)及一份复印件;(3)毕业证书、学位证书(应届生带学生证)原件及一份复印件;(4)大学期间成绩单原件或档案中成绩单复印件(加盖档案单位红章)。
(应届生需提供大一至大四成绩单原件)(5)考生自述(包括政治表现、外语水平、业务和科研能力、研究计划);(6)提醒:参加微纳电子系复试笔试的同学,体检表上的报考院系填“微纳电子系”二、复试时间安排(启道考研复试辅导班)专业笔试(满分100分)安排:工学、工程硕士(含一次调剂考生)专业笔试时间:3月15日下午13:30-15:30;地点:微电子所(新所)三层B312。
复试科目:报考工学硕士微电子学与固体电子学方向的考试科目:半导体物理、器件及集成电路。
报考工学硕士集成电路与系统方向的考试科目:集成电路与系统报考工程硕士专业复试科目:集成电路与系统面试(百分制)面试由微纳电子系业务办公室统一组织。
工学、工程硕士(含一次调剂考生)面试时间: 3月16日,个人面试具体时间、地点3月16日张贴在微电子所门口。
面试地点:清华大学微电子所(新所)如果工程硕士一次调剂未录满,将组织二次调剂面试,如果工程硕士一次调剂录满,将不再组织二次调剂面试。
进入二次调剂复试的考生3月20日参加面试,个人面试具体时间、地点3月20日张贴在微电子所门口。
资格审查不合格者不能参加复试。
资格审查合格后发放复试专业课笔试准考证。
工学、工程硕士(含一次调剂考生)资格审查时间:3月15日上午10:00-10:30。
地点:微电子所(新所)二层茶歇区。
报名工程硕士二次调剂考生资格审查安排:如果工程硕士一次调剂未录满,将组织二次调剂面试,如果工程硕士一次调剂录满,将不再组织二次调剂面试。
03-06部分笔试和面试题目不完全
1、Hall系数测量原理。
实验上如何确定半导体材料的导电类型?
2、Hall迁移率如何测量?它的高低与材料的质量关系如何?你知道几种测量电阻率的方法?
3、什么叫DLTS?如何用DLTS判断多子和少子陷阱?
4、简述光致发光的基本原理和测试方法。
5、什么是C-V法?什么是电化学C-V法?平行板电容器的公式是什么?
6、什么是MBE和MOCVD技术?它们与常规的LPE和LEC等方法有什么不同?
7、简述低维半导体材料定义和性质,什么叫库仑阻塞效应?有什么应用前景?
8、纳米科学与技术的物理内涵?你认为纳米时代已经到来了吗?
9、为什么2DEG有很高的低温电子迁移率?
10、什么叫异质外延?什么叫同质外延?什么叫应变异质结外延?
11、布里渊区的定义。
对称点、对称轴的概念。
(以闪锌矿结构GaAs 为例说明)
12、什么是自发发射?什么是受激发射?以两能级系统加以说明。
13、Si和GaAs晶体中的本征点缺陷有哪些?可能的电学行为如何?
14、晶格振动和声子谱。
15、直接带隙和间接带隙,GeSi是直接带隙吗?
16、你了解STM、AFM工作原理吗?高分辨电镜(RTEM)和扫描电镜(SEM)呢?
17.Si能不能做发光器件,为什么?
下面主要是说一下复试的情况,希望能对需要的同学有所帮助。
笔试部分除了上面的试卷占20%以外,还有20分的听力部分,也占整个成绩的20%。
听力
部分大家普遍感觉不大好,所以也拉不了什么差距。
主要是听几个passage后选择,但是题
目没有告诉哪几个题目对应哪段passage(较郁闷),而且开始的时候语速较慢,大概是V
OA special English 的速度,后来令人猝不及防的一下子又跳到BBC 的语速了。
所以做好
心理准备很重要。
面试
面试小组有4~5个老师,气氛也比较活,但是英语很重要,口语占10分(但个人认为
更重要的是给老师的印象会影响整体得分)。
前几届是进去后先用英语做1分钟的自我介绍
,今年改为老师随机命题了。
我进去后老师先问了我6级成绩,然后叫我描述一下半导体所
两分钟,后来又用英语问了我们学校及自己的家乡之类的。
这个过程
大概有5分钟。
接着一
个老师问我们学过什么相关的课程,我回答半导体物理,老师就接着问日常生活中见过的
用半导体做过的东西有哪些,然后顺着我回答的又问了光探测器的原理,激光器的原理,
描述光生伏特效应等,每一步的回答都会引导老师的下一个问题,所以如果不是很清楚,
尽量不要说太多。
这次面试只有20分钟左右,但考察的不仅仅是专业知识。
比如其中一个
老师要我讲一下大学期间的那些荣誉奖励是怎么得来的,还有一个老师问我圆周率记得多
少位,如此之类的,考查各个方面的素质。
用汉语问相关的专业问题(对着成绩单问),及大学期间做过的实验科研什么的。
后面用英
语问的一些较宽泛的问题。
我现在还记得的就只有下面这几个:
1.大学期间做过些什么研究?
2.微电子工艺学了些什么?(然后顺着你的回答往下问)在微电子工艺中最重要的是什么
?(答案是需要超净间,问得太宽泛了不好回答,如果问最重要的前提是什么就容易了)
你们学的是什么材料的工艺?硅单晶拉出来以后下一步要做什
么?........
3.描述PN结的形成过程,影响内建势垒高度的因素。
什么是声子?什么是格波?能带论中
E~K关系曲线中K的意义。
GaAs是什么结构的?是否所有的三五族半导体化合物都是闪锌矿
结构?
4.薛定谔方程是什么?有何意义,作用以及包含的物理量。
量子阱模型对应的薛定谔方程
中势函数是什么形式的。
5.麦克斯韦方程及其表达式,物理意义。
除了麦克斯韦方程以外还有几个很重要的方程是
计算所必须的,有几个?是哪些?什么是TE模 TM模?(第二本书上波导部分问的还有很多
,不大记得了)达朗贝尔方程的形式及作用。
相关的课程包括半导体物理,量子力学,大学物理CCBP,固体物理,电磁场与电磁波,
微电子工艺等跟研究方向有关的都问到了。
用英语问的记得有以下几个:
1.Can you tell me some courses you’ve learned in University?
2.Do you have any idea about our research?
3.If you were accepted by our institute, what’s your plan?
4.This is the first time you come here, what do you think about
it?
5.Where do you come from? Can you tell me something about your hometown or you
r high school?
2、英语问题:
我老师:你爱看电视么?喜欢什么类型的?某老师:有关反恐,你的见解
某某老师:你没事为什么想考研?我还没回答,某某某老师笑着说:因为她找不到好job
又一老师:类似人生观的一个……比较郁闷,不好扯……
3、开始问专业知识我记得有以下问题:
我老师:说说布拉格公式,以及每一项代表的物理意义,还有公式中的d是指相同原子层间还是相邻原子层间距离
某老师:一个有关准晶的问题,箭与风筝……问我准晶和晶体对称性方面有什么不同
某某老师:金属和半导体接触时,费米面达到统一,相关的一点东西
王院士:什么叫迁移率?和什么有关?
某某:介绍几个你知道的器件……
我老师:差不多了吧?下面还有人呢,下一个吧
英语:
电视和狗更喜欢哪个?(哈) 描述一下现在复试的状况.
专业知识:
甲老师:本科学过半导体吗?? 没有?那好,介绍一下MESFET器件的工作特性.(汗~~~)
乙老师:硅发光问题. 某某某老师:各种格子的区分
甲老师:ld的工作原理
笔试的话不会考那些,基本上都是测试的原理
比如我那时考的是霍尔效应原理,原子力显微镜测试原理,扫描电镜原理等
我记得基本上都是测试原理
附:一位师兄写的复试经验
半导体所的复试时间一般都比较晚,象今年就是4月1号开始的,有的学校在3月25号时就复试结束了。
复试报到时,需要确定导师(当然你如果还没想好报谁时,也可以不指定老师),所以大家最好提前跟导师联系,比如我今年联系了几个老师,结果有的老师已经有很多人报了,并且初试分数都很高,而老师只招那么一两个,我要是报这几个老师的话,被录取的可能性就不高了。
所以,提前联系老师是很重要的,半导体所的招生考试是很公平的,联系老师只是确定一下老师的报考情况,其他的什么暗箱操作是不可能的。
复试分为笔试和面试,笔试(微电子学与固体电子学的光电子方向)主要考半导体物理
和半导体器件,如果你初试选的固体物理的话,那么在这个环节上会比较吃亏,大家要知道复试的一分相当于初试的十分啊。
面试时,可能大家都会比较紧张,其实没必要紧张,大家尽量放松,这样有助于你的面试发挥,半导体所的老师很不错,面试考官会在你进入考场后努力营造一个轻松的氛围的,他们会先和你聊一些轻松的话题,然后才开始问你一些专业的问题。
大家要记住老师问的问题答的好坏不重要,关键是不要冷场,不要和考官们N目相对,却无话可说,如果你能再加上一点点适度的幽默,那就是完美了。
英语口语考试会在最后进行,大家尽力而为吧,语速不要太快,能说多少尽量说多少,老师一般不会出太难的topic,但也不会简单到只说自我介绍就结束的。
还有一个就是,对于面试头两个进去的考生,一般老师会多问几个问题,时间会长点,半个多小时,可能是后边的一倍时间吧,别紧张,老师一般会用第一二个考生的面试成绩作参考,方便为后边的考生打分,这样先进去的打不了高分,但也不会是低分。