热蒸发镀膜-8-2012(1)
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一、实验目的1. 理解并掌握热蒸发镀膜的基本原理和操作步骤。
2. 掌握真空系统的操作方法,学习真空度对镀膜质量的影响。
3. 通过实验,观察不同材料在真空环境下的蒸发特性,分析镀膜质量与蒸发条件的关系。
二、实验原理热蒸发镀膜是一种物理气相沉积技术,利用材料在高温下蒸发,并在冷却的基板上形成薄膜的过程。
实验中,将待镀材料放置在真空室内,通过加热使材料蒸发,蒸发物质在基板上沉积形成薄膜。
三、实验器材1. 真空镀膜机2. 真空泵3. 真空计4. 待镀材料(金属或合金)5. 基板6. 温度控制器7. 加热器8. 真空阀门9. 数据采集系统四、实验步骤1. 准备实验器材,确保真空镀膜机、真空泵、温度控制器等设备正常工作。
2. 将待镀材料放置在真空室内,用真空泵将真空室抽至所需真空度(一般低于10^-3Pa)。
3. 打开加热器,逐渐升温至所需温度,使待镀材料蒸发。
4. 在基板上放置所需数量的基板,调整基板与待镀材料的距离,控制蒸发速率。
5. 通过数据采集系统实时监测真空度、温度、蒸发速率等参数,记录实验数据。
6. 实验结束后,关闭加热器,等待真空室内温度降至室温,然后关闭真空泵,取出基板。
五、实验结果与分析1. 实验过程中,真空度对镀膜质量有显著影响。
当真空度低于10^-3Pa时,镀膜质量较好,表面光滑,膜层均匀;真空度越高,镀膜质量越好。
2. 温度对蒸发速率和镀膜质量有重要影响。
在一定温度范围内,随着温度升高,蒸发速率加快,膜层厚度增加;但温度过高会导致膜层表面出现缺陷,影响镀膜质量。
3. 基板与待镀材料的距离对镀膜质量也有影响。
距离过近,蒸发物质难以在基板上均匀沉积;距离过远,蒸发物质在基板上的沉积速度变慢,膜层厚度不均匀。
六、实验总结本次实验成功掌握了热蒸发镀膜的基本原理和操作步骤,了解了真空度、温度、基板与待镀材料距离等因素对镀膜质量的影响。
实验结果表明,在合适的实验条件下,可以制备出高质量的镀膜。
七、实验建议1. 在实验过程中,应严格控制真空度、温度等参数,以确保镀膜质量。
真空蒸发镀膜 1、真空蒸发镀膜原理真空镀膜按其技术种类可分成以下真空蒸发镀膜1、真空蒸发镀膜原理真空镀膜按其技术种类可分成以下几类:一:真空蒸发,包括电阻式加热蒸发,电子束加热蒸发,低压大电流反应蒸发等,,二:真空溅射,包括二极溅射、射频溅射、反应溅射、非平衡磁控溅射、中频磁控反应溅射等,,三:离子镀,包括溅射离子镀、空心阴极离子镀膜、反应离子镀、真空电弧离子镀等,。
真空获得、真空测量取得的进展是薄膜技术迅速实现产业化的决定性的因素。
真空镀膜方法的不断改进开创了真空技术在薄膜领域应用的新篇章. 真空蒸发和溅射这两种真空物理镀膜工艺,是迄今在工业上能够制备光学薄膜的两种最主要的工艺。
真空离子镀是大批量生产耐磨硬质膜层,如机械泵TiC,TiN等,的主要的工艺,在油扩散泵---抽气系统出现之后,它们才获得大规模地应用。
真空蒸发镀膜的原理是:先将镀膜室内的气体-2抽到10Pa以下的压强,通过加热蒸发源使臵于蒸发源中的物质蒸发,蒸汽的原子或分子从蒸发源表面逸出,沉积到基片上凝结后形成薄膜,它包括抽气,蒸发,沉积等基本过程。
真空环境是镀膜的首要条件:,1,可防止在高温下因空气分子和蒸发源发生反应,而使蒸发源劣化,,2,可防止蒸汽原子或分子在沉积到基片上的途中和空气分子碰撞而阻碍蒸汽原子或分子直接到达基片表面,以及由于蒸汽原子、分子间的相互碰撞而在到达基片表面前就凝聚,或在途中就生成其它化合物,,3,可防止在形成薄膜的过程中,空气分子作为杂质混入膜内或在膜中形成其它化合物。
真空蒸发镀膜常用的蒸发源有电阻式加热蒸发源、电子束加热蒸发源、激光加热蒸发源、空心热阴极等离子束加热蒸发源、感应式加热蒸发源等。
在高真空或超高真空下,用电阻、高频、电子束、激光等加热技术,在玻璃、塑料、和金属等基体上可蒸发沉积100多种金属、半导体、和化合物薄膜。
其中,电子束反应蒸发制备多层光学薄膜是一种方便有效的手段,在批量化生产中已被普遍采用,其优点是:电子束加热温度可达3500?左右,蒸发材料基本上不受限制,即使钨和钼也可蒸镀,蒸发速率高,100,750000 Å/s,,而且蒸发速率和电子束聚集调节方便,通过对蒸发材料的局部熔化或坩埚水冷,蒸发材料不与坩埚发生反应,保证了膜料的高纯度。
热蒸发式真空镀膜仪技术参数1. 工作条件1.1电力供应:380V(±6%),50Hz,功率不高于15KW,地线对地电阻4Ω1.2工作温度:15︒C-25︒C1.3工作湿度:< 60% (20︒C)1.5仪器运行的持久性:仪器可连续使用1.6 仪器的工作状态:较强的防震抗磁能力,工作稳定1.7 仪器设备的安全性:符合放射线防护安全标准和电器安全标准2. 设备用途:实现热蒸发式碳膜喷镀。
特别用于低温单颗粒三维重构中的的低温样品载网支持膜制备,确保样品制备中载网支持膜的导电性和良好的支撑性能。
3. 技术规格3.1 真空镀膜腔室尺寸不小于Ø350×H350mm3.2 真空镀膜腔室配有观察窗。
3.3 真空系统为无油系统。
*3.4 极限真空:≤5×10-5Pa*3.5 暴露大气10分钟内并充干燥氮气开始抽气,30分钟真空度≤6×10-4Pa,两小时内真空度≤1×10-4Pa。
3.6 设两组蒸碳电极,并配备直径3mm碳棒卡套。
蒸发电源为2kW/8V直流恒流电源3.7 蒸碳电极周围配备挡板,实现定向碳棒喷镀,降低真空腔体表面污染3.8 在样品与蒸发源间设有高度可调的电动挡板3.9 样品台可在电机驱动下绕自身轴线旋转,也可静止喷镀。
3.10 留出供inficon-SQC310C膜厚仪进行膜厚测量的接口注:*表示必须满足且重要的指标4. 技术文件:4.1 投标人应提供仪器主体及主要附件的详细的操作,安装,及调整说明书。
4.2投标人应提供电子版说明书。
5.技术服务5.1 设备安装、调试和验收5.1.1现场安装;现场调试;按照买方和卖方双方同意的标准对主机、附件,软件的性能和功能进行测试;在买方对主机、附件,软件的性能和功能进行测试合格的基础上,由买方授权人签字验收。
5.1.2服务:在中国设立两家或以上的固定维修站,并配备专业维修工程师,北京地区至少1名工程师,能提供及时有效的售后服务。
二氧化硅蒸发镀膜1.引言1.1 概述概述二氧化硅蒸发镀膜是一种常用的表面处理技术,利用蒸发镀膜方法将二氧化硅材料沉积在各种基材表面上,形成一层均匀、透明且具有良好性能的薄膜。
该薄膜具有优良的物理、化学性能,广泛应用于电子、光学、太阳能等领域。
随着科学技术的不断进步,人们对于表面处理技术的要求也越来越高。
而二氧化硅蒸发镀膜由于其独特的特性和优势,成为了一种备受关注的技术。
通过二氧化硅蒸发镀膜,可以改变材料表面的光学、电学、热学等性质,从而提高材料的功能和性能。
本文将介绍二氧化硅蒸发镀膜的原理和方法,以及其在不同应用领域的应用情况。
同时,总结二氧化硅蒸发镀膜的优势,并展望其未来发展的前景。
通过深入了解二氧化硅蒸发镀膜技术的特点和应用,可以更好地认识和利用这一技术,促进材料表面处理领域的发展。
1.2 文章结构文章结构部分的内容可以包括以下内容:文章结构的设定对于一篇长文的组织和阅读来说非常重要。
在本文中,我们将按照以下结构进行论述:1. 引言:在引言部分,我们将对二氧化硅蒸发镀膜进行概述,并介绍本文的目的。
2. 正文:- 2.1 二氧化硅蒸发镀膜的原理和方法:在这一部分,我们将详细介绍二氧化硅蒸发镀膜的工作原理和镀膜方法,并解释其背后的物理化学过程。
- 2.2 二氧化硅蒸发镀膜的应用领域:在这一部分,我们将探讨二氧化硅蒸发镀膜在不同领域的应用,包括电子设备制造、光学薄膜、防反射涂层等。
我们将介绍其在各个领域的优势和潜在应用价值。
3. 结论:- 3.1 总结二氧化硅蒸发镀膜的优势:在这一部分,我们将总结二氧化硅蒸发镀膜的优势,例如其高质量、可控性和适用性等,并强调其在现代科技和工程中的重要性。
- 3.2 展望二氧化硅蒸发镀膜的未来发展:在这一部分,我们将展望二氧化硅蒸发镀膜的未来发展趋势,包括技术改进、新材料探索等方面的可能性。
我们将讨论现有挑战,并提出未来研究的方向和可能的解决方案。
通过以上结构的合理安排,我们旨在全面系统地介绍二氧化硅蒸发镀膜,从其原理和方法、应用领域到优势和未来发展进行论述,以期为读者提供全面深入的了解和启发。