宁波大学2606高级数字系统设计B_2015年考博真题
- 格式:pdf
- 大小:867.35 KB
- 文档页数:2
宁波大学2020年博士研究生招生考试初试试题(B卷)(答案必须写在考点提供的答题纸上)宁波大学2019年博士研究生招生考试初试试题(A卷)(答案必须写在考点提供的答题纸上)第1页共1页宁波大学2018年博士研究生招生考试初试试题(B卷)(答案必须写在考点提供的答题纸上)科目代码: 2607 科目名称:生物化学与分子生物学第 1 页共1 页宁波大学2014年攻读博士学位研究生入学考试试题(B卷)(答案必须写在答题纸上)考试科目:生物化学与分子生物学科目代码:2607适用专业:水产养殖、渔业资源、水产资源综合利用一、名词解释(任选10题,每题4分,共40分)1.Michaelis constant(Km)2.β-oxidation of fatty acid3.salt-out of proteinpetitive inhibition of enzyme5.high performance liquid chromography(HPLC)6.isoelectric point7.transfer RNA(tRNA)8.2,4-dinitrofluorobenzene(DNFB)9.transcriptome10.T-vector11.single nucleotide polymorphism(SNP)12.Southern blotting二、问答题(共60分)1.什么是生物学中心法则。
(5分)2.什么是荧光定量PCR?简述其反应原理和意义。
(5分)3.说明饥饿情况下动物机体动员脂肪及蛋白质的意义。
(10分)4.凝胶过滤层析和SDS-PAGE均可用来测定蛋白的分子量,简述各自的基本原理,并说明用这两种方法测得的血红蛋白分子量有什么差别?(10分)5.试述DNA复制过程中需要哪些酶和蛋白质参与,各具什么作用。
(10分)6.NCBI是National Center for Biotechnology Information的简称,即美国国立生物技术信息中心,这个网站对你学习分子生物学的过程中有什么作用?(10分)7.你如何理解分子生物学?在水产养殖、渔业资源和水产品资源利用中可以解决哪些问题,至少举2例加以详细说明。
(答案必须写在考点提供的答题纸上)(答案必须写在考点提供的答题纸上)下面对于p型半导体形成的MIS结构,说法正确的是()。
A.强反型时,表面的少子浓度会大于体内的多子浓度;(答案必须写在考点提供的答题纸上)(答案必须写在考点提供的答题纸上)第1页共3页科目代码:3823总分值:100科目名称:半导体物理一、选择题(40分每题2分)1.如果半导体中电子浓度等于空穴浓度,则该半导体以()导电为主。
A.本征 B.受主 C.空穴 D.施主2.下列三种结构示意图属于多晶结构的是()。
A B C 3.电子是带()电的粒子。
A.正 B.负 C.零 D.准粒子4.当B 掺入Si 中时,它是()杂质。
A.受主 B.深 C.浅 D.复合中心5.杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()。
A.变大,变小B.变小,变大C.变小,变小D.变大,变大。
6.在热力学温度零度时,能量比F E小的量子态被电子占据的概率为()。
A.大于1/2B.小于1/2C.等于1/2D.等于17.金属和半导体接触分为()。
A.整流的肖特基接触和整流的欧姆接触B.整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触8.一块半导体材料,光照在材料中会产生非平衡载流子,若光照忽然停止t τ=后,其中非平衡载流子将衰减为原来的()。
A.1/eB.1/2C.0D.2/e9.载流子在电场作用下的运动为()。
A.漂移运动B.扩散运动C.热运动D.复合运动10.锗的晶格结构和能带结构分别是()。
A.金刚石型和直接禁带型B.闪锌矿型和直接禁带型C.金刚石型和间接禁带型D.闪锌矿型和间接禁带型11.当半导体材料处于热平衡时,其电子浓度与空穴浓度的乘积为()。
A.变化量B.常数C.杂质浓度和杂质类型D.禁带宽度和温度12.与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量()。
(答案必须写在考点提供的答题纸上) A. 3 B. 2(答案必须写在考点提供的答题纸上)(答案必须写在考点提供的答题纸上)考试科目:半导体器件科目代码:2604适用专业:微纳信息系统一、单项选择题:本大题共5小题,每小题5分,共25分。
在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填在题前的括号内。
错选、多选或未选均不得分。
()1.在半导体太阳能电池中,关于暗电流说法正确的是A.没有光照时电流B.由外加偏压产生C.其方向与光电流方向相同D.由光生电压降落在势垒区而产生()D正常工作时,其MOS单元半导体表面所处状态是A.强反型B.多子积累C.深耗尽D.多子耗尽()3.在以下复合跃迁中,非辐射复合跃迁是A.带间复合B.激子复合C.俄歇复合D.不存在()4.与LED量子效率有关的因素有A.结两侧参杂浓度B.结深C.表面反射D.以上都有关()5.太阳能电池工作时,对应P-N结内部处于:A.正偏电压B.反偏电压C.没有电压D.耗尽第1页共2页考试科目:半导体器件科目代码:2604适用专业:微纳信息系统二问答题(共35分)1.采用载流子扩散与漂移的观点分析PN结的单向导电性。
(10分)2.试述NPN双极型晶体管的四种工作模式。
(15分)3.试述金属-半导体接触:肖特基接触与欧姆接触的各自特点。
(10分)三.计算与推导(共40分)1.计算一硅p-n结在300K时的内建电势,其N A=1018cm-3和N D=1015cm-3.(10分)2.一理想晶体管其发射效率为0.999,集基极漏电流为10μA,假设I B=0,请算出由空穴所形成的放大模式发射极电流。
(15分)3.简述评估太阳能电池器件性能的四个基本参数,那些因素会影响太阳能电池器件性能(15分)第2页共2页考试科目:半导体器件科目代码:2604适用专业:微纳信息系统第1页共2页一、判断题(共20分,每题1分)1.()半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。