如何选吸收电容

电容选用及公式计算☆电容（或称电容量）是表征电容器容纳电荷本领的物理量。

我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。

电容器从物理学上讲，它是一种静态电荷存储介质（就像一只水桶一样，你可以把电荷充存进去，在没有放电回路的情况下，刨除介质漏电自放电效应/电解电容比较明显，可能电荷会永久存在，这是它的特征），它的用途较广，它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。

主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、隔直流等电路中。

电容的符号是C。

C=εS/d=εS/4πkd(真空)=Q/U在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等，换算关系是：1法拉(F)= 1000毫法(mF)=1000000微法(μF)1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。

电容与电池容量的关系：1伏安时=25法拉=3600焦耳1法拉=144焦耳相关公式一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，即：C=Q/U 但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即：C=εS/4πkd 。

其中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离， k则是静电力常量。

常见的平行板电容器,电容为C=εS/d.（ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离。

）定义式：C=Q/U电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2=Q^2/2C多电容器并联计算公式：C=C1+C2+C3+…+Cn多电容器串联计算公式：1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn三电容器串联：C=(C1*C2*C3)/(C1*C2+C2*C3+C1*C3)旁路、退耦、耦合电容的选取高手和前辈们总是告诉我们这样的经验法则：“在电路板的电源接入端放置一个1～10μF 的电容，滤除低频噪声；在电路板上的电源与地线之间放置一个0.01～0.1μF 的电容，滤除高频噪声。

mos管导通过程及rc吸收电路电容取值文章标题：深度解析MOS管导通过程及RC吸收电路电容取值导语：MOS管在电子电路中扮演着重要的角色，其导通过程和RC吸收电路的电容取值对电路性能有着重大影响。

本文将深入探讨MOS 管的导通过程和RC吸收电路电容取值的相关知识，帮助读者更深入地理解这一主题。

一、MOS管导通过程MOS场效应管是一种半导体器件，其导通过程影响着电路的性能和稳定性。

在MOS管的导通过程中，主要包括沟道形成、载流子注入和沟道导通三个阶段。

1. 沟道形成阶段当MOS管的栅极电压高于阈值电压时，栅极和源极之间就会形成一个电场，促使沟道在栅极和源极之间形成。

这个阶段的关键是栅极电压的变化以及电场对沟道的影响。

2. 载流子注入阶段一旦沟道形成，当栅极电压进一步增加时，电场作用下的载流子就会被注入沟道中，形成导通通道。

这个阶段的关键是载流子的注入和沟道导通的形成。

3. 沟道导通阶段当沟道导通后，MOS管就会处于导通状态，电流可以流过。

这个阶段的关键是沟道导通后的电流传输和电路中的响应。

以上三个阶段构成了MOS管导通过程的基本步骤，理解这一过程对于深入理解MOS管的工作原理和电路的性能至关重要。

二、RC吸收电路电容取值RC吸收电路中的电容取值对于电路的稳定性和性能有着重要的影响，合理选择电容值可以提高电路的响应速度和稳定性。

在RC吸收电路中，电容的取值需要考虑以下几个因素：1. 信号频率不同的信号频率需要选择不同数值的电容，一般来说，高频信号需要小电容来提高响应速度，而低频信号则需要大电容来确保稳定性。

2. 电路功耗电容的取值还需要考虑电路的功耗情况，以确保在满足响应速度和稳定性的前提下，尽量降低功耗。

3. 电路的灵敏度和动态范围合理选择电容值可以提高电路的灵敏度和动态范围，对于提升电路性能有着积极的作用。

通过以上方面的考量，可以确定RC吸收电路中所需的电容取值，以满足电路对于响应速度和稳定性的要求。

晶闸管可控硅阻容吸收元件的选择TPMK standardization office【 TPMK5AB- TPMK08- TPMK2C- TPMK18】一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。

我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。

它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。

若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。

即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。

因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN 结组成。

在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。

当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。

如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。

因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。

为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。

因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。

同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。

由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。

RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。

可控硅并联‎阻容吸收电‎路的选型与‎计算为什么要在‎晶闸管两端‎并联阻容网‎络一、在实际晶闸‎管电路中，常在其两端‎并联RC串‎联网络，该网络常称‎为RC阻容‎吸收电路。

我们知道，晶闸管有一‎个重要特性‎参数－断态电压临‎界上升率d‎l v/dlt。

它表明晶闸‎管在额定结‎温和门极断‎路条件下，使晶闸管从‎断态转入通‎态的最低电‎压上升率。

若电压上升‎率过大，超过了晶闸‎管的电压上‎升率的值，则会在无门‎极信号的情‎况下开通。

即使此时加‎于晶闸管的‎正向电压低‎于其阳极峰‎值电压，也可能发生‎这种情况。

因为晶闸管‎可以看作是‎由三个PN‎结组成。

在晶闸管处‎于阻断状态‎下，因各层相距‎很近，其J2结结‎面相当于一‎个电容C0‎。

当晶闸管阳‎极电压变化‎时，便会有充电‎电流流过电‎容C0，并通过J3‎结，这个电流起‎了门极触发‎电流作用。

如果晶闸管‎在关断时，阳极电压上‎升速度太快‎，则C0的充‎电电流越大‎，就有可能造‎成门极在没‎有触发信号‎的情况下，晶闸管误导‎通现象，即常说的硬‎开通，这是不允许‎的。

因此，对加到晶闸‎管上的阳极‎电压上升率‎应有一定的‎限制。

为了限制电‎路电压上升‎率过大，确保晶闸管‎安全运行，常在晶闸管‎两端并联R‎C阻容吸收‎网络，利用电容两‎端电压不能‎突变的特性‎来限制电压‎上升率。

因为电路总‎是存在电感‎的(变压器漏感‎或负载电感‎)，所以与电容‎C串联电阻‎R可起阻尼‎作用，它可以防止‎R、L、C电路在过‎渡过程中，因振荡在电‎容器两端出‎现的过电压‎损坏晶闸管‎。

同时，避免电容器‎通过晶闸管‎放电电流过‎大，造成过电流‎而损坏晶闸‎管。

由于晶闸管‎过流过压能‎力很差，如果不采取‎可靠的保护‎措施是不能‎正常工作的‎。

RC阻容吸‎收网络就是‎常用的保护‎方法之一。

二、整流晶闸管‎(可控硅)阻容吸收元‎件的选择电容的选择‎C=(2.5-5)×10的负8‎次方×IfIf=0.367Id‎Id-直流电流值‎如果整流侧‎采用500‎A的晶闸管‎(可控硅)可以计算C‎=(2.5-5)×10的负8‎次方×500=1.25-2.5mF选用2.5mF，1kv 的电容器电阻的选择‎：R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56选择10欧‎PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负1‎2次方×R)2Pfv=2u(1.5-2.0)u=三相电压的‎有效值阻容吸收回‎路在实际应‎用中，RC的时间‎常数一般情‎况下取1~10毫秒。

吸收电容选型
吸收电容选型需要考虑以下因素：
1.工作电压：选型时需要保证电容的额定电压大于或等于实际工作电压，以避免电容损坏。

2.容值：吸收电容的容值需要根据电路的需求来确定。

一般来说，电容容值越大，对峰值电压的吸收能力越强。

3.超压容量：吸收电容需要具备一定的超压容量，以确保应对电路中可能出现的瞬态电压。

4.稳定性：对于需要长期稳定工作的电路，需要选择具有较高稳定性的电容。

5.尺寸和成本：选型时还需要考虑电容的尺寸和成本，以符合实际需求并控制成本。

总的来说，吸收电容的选型需要综合考虑以上因素，以选出最合适的电容进行应用。

100nf高频吸收电容参数
100nF高频吸收电容的参数可以包括以下几个方面：
1. 电容值：100nF表示电容的数值为100纳法拉（nanofarad），即100*10^-9法拉。

这个数值决定了电容的存储能力，即能存储的电荷量。

2. 容差：高频吸收电容的容差通常在10%范围内，表示电容值与标称值之间的允许偏差。

例如，10%容差的100nF电容的实际值可以在90nF~110nF之间。

3. 工作电压：高频吸收电容的工作电压一般在几十伏至数百伏之间，具体取决于应用需求。

它表示电容器可以承受的最大电压。

4. 温度系数：高频吸收电容的温度系数表示电容值随温度变化的程度。

一般来说，温度系数越小，电容的性能越稳定。

5. 尺寸：高频吸收电容的尺寸可以根据生产厂家和规格而有所不同，通常采用贴片式封装，常见的尺寸有0402、0603、0805等。

需要注意的是，这些参数仅代表了高频吸收电容的一些基本特性，具体的性能和应用需求还需要根据具体情况进行选择。

一电容的作用作为无源元件之一的电容，其作用不外乎以下几种：应用于电源电路，实现旁路、去藕、漉波和储能的作用，下面分类详述之。

1）旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。

就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。

为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。

这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。

地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。

2）去藕去藕，又称解藕。

从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。

如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的〃耦合〃。

去藕电容就是起到一个“电池〃的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。

将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。

旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。

高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1?F、0.01?F等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10?F或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。

旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。

这应该是他们的本质区别。

3）漉波从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。

但实际上超过1?F的电容大多为电解电容,有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。

有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。

电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。

电容越大低频越容易通过，电容越大高频越容易通过。

igbt吸收电容
IGBT收电容是具有重要意义的一种吸收电容，它可以在电力电子设备中发挥重要作用。

IGBT收电容是电力电子技术中专用于吸收模拟功率电路中模拟功率脉冲的电容。

为了保护IGBT元件，尽量减少模拟脉冲的消耗，IGBT收电容的型号的选择非常重要。

首先需要了解的是关于IGBT吸收电容的结构和特点。

IGBT吸收电容主要由表面安装或内部安装的金属外壳、电解电容、导线组成。

为了有效的抑制IGBT的脉冲消耗，IGBT吸收电容的容量越大越好。

IGBT吸收电容的电阻小，主要由晶体管内部产生，IGBT吸收电容可以给晶体管内部提供电路保护。

此外，IGBT吸收电容表面不锈钢材质，可以防止湿气以及其他损害。

其次，IGBT吸收电容的型号选择非常重要。

由于IGBT吸收电容的容量越大越好，所以在选择时要根据IGBT的电流值选择合适的型号，使得IGBT吸收电容更好地作用。

此外，IGBT吸收电容的外部形状也是型号选择的重要指标之一，因为要确保IGBT吸收电容能够顺利安装在电路中。

最后，IGBT吸收电容的安装非常重要。

在安装IGBT吸收电容前，需要先检查IGBT吸收电容的电路线是否正确，以及电容是否安装在正确的位置。

此外，IGBT吸收电容的安装位置应该尽量远离晶体管，以防止电容内部的电磁共振产生损害。

总之，IGBT吸收电容具有举足轻重的作用，因此在使用IGBT模拟功率脉冲电路时，IGBT吸收电容的结构、型号选择以及安装等都
是非常重要的关键环节。

只有正确的选择和安装，IGBT吸收电容才能发挥最大的作用，IGBT元件才能得到最佳的保护。