IGBT吸收电容选型手册(EACO)
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绝缘栅双极晶体管(IGBT)是总线电压几百至上千伏的应用的理想之选。
作为少数载流子器件,IGBT在该电压范围内具备优于MOSFET的导通特性,同时拥有与MOSFET十分相似的栅极结构,能实现轻松控制。
此外,由于无需采用集成式反向二极管,这使制造商能够灵活地选择针对应用优化的快速“复合封装(co-pak)”二极管(IGBT和二极管采用同一个封装),这与固有MOSFET二极管相反,固有MOSFET二极管的反向恢复电荷Qrr和反向恢复时间trr会随着额定电压的升高而增大。
当然,导通效率的提高需要付出代价:IGBT通常具备相对较高的开关损耗,这可降低应用开关频率。
这二者之间的权衡以及其他应用和生产注意事项为数代IGBT以及不同的子类器件的诞生创造了条件。
众多的产品使得在选型时采用严格的流程变得十分重要,因为这可对电气性能和成本产生重大影响。
从用户角度而言,IGBT选型过程可实现简化,如图1所示。
由于该过程具备重复属性,因此十分适合实现自动化操作。
国际整流器公司现已开发出一个实用的在线选型工具,如图2所示。
这个工具包含IR公司200多种IGBT器件的电气模型和热模型。
电压选择以往用于110V至220V整流总线应用的IGBT的额定电压为600V,而用于三相380V 至440V整流总线应用的IGBT 的额定电压为1200V。
IR还推出数量有限的900V IGBT。
近几年来,IR为扩大客户的选型范围,又推出了330V器件(通常不用于直接连接市电的应用)。
与MOSFET不同,IGBT无雪崩额定值,因此确保在最差条件下IGBT的电压低于击穿电压额定值十分重要。
在这种最差条件下,通常需要考虑以下几点:* 采用最大线路输入电压的最大总线电压和最大总线过压(例如电机驱动应用的电气制动)* IGBT采用最大开关速度(di/dt)、最大杂散电感和最小总线电容关断时的最大过冲电压* 最低的工作温度(由于击穿电压具备负温度系数)短路安全工作区额定值这种特性指器件能够在一定时间内(单位:微秒)承受通过终端输入的最大总线电压,并能够安全关断。
eaco吸收电容引言:电容是电子元件中常见的一种 pass元件。
它能够存储电荷并且具有吸收电能的能力。
本文将重点介绍eaco吸收电容,包括其定义、工作原理、应用领域等方面。
一、eaco吸收电容的定义eaco吸收电容是一种特殊的电容,其名称源自于其英文全称"Electro-Absorption Capacitor"。
它是一种用于接收和存储电能的元件,能够吸收电能并将其储存起来。
eaco吸收电容通常由两个导体板之间的绝缘层构成,导体板上涂有一层吸收材料。
二、eaco吸收电容的工作原理eaco吸收电容的工作原理是基于电荷的吸收和释放。
当外部电源施加电压时,电容器内的电场会发生变化,吸收材料会吸收电能并将其储存。
当外部电源断开或改变电压方向时,电容器会释放之前储存的电能。
通过控制电容器的电场强度和电压变化,可以实现对电能的吸收和释放。
三、eaco吸收电容的特点1. 快速响应:eaco吸收电容具有快速响应的特点,能够迅速吸收和释放电能。
这使得它在一些需要快速响应的电子设备中得到广泛应用,如通信设备、雷达系统等。
2. 高效能量转换:eaco吸收电容具有高效能量转换的特性,能够将电能转化为其他形式的能量。
这使得它在一些能量转换和储存系统中具有重要作用,如太阳能光伏系统、风能发电系统等。
3. 宽工作温度范围:eaco吸收电容具有较宽的工作温度范围,能够适应各种恶劣环境条件下的工作。
这使得它在一些特殊环境或高温、低温条件下的应用中具有优势。
四、eaco吸收电容的应用领域1. 通信设备:eaco吸收电容在通信设备中得到广泛应用。
它可以用于电源管理系统、信号处理电路等,实现电能的吸收和释放,提高设备的性能和稳定性。
2. 光伏系统:eaco吸收电容在光伏系统中被用于能量的吸收和储存。
它可以将太阳能转化为电能,并将其储存起来,以供后续使用。
3. 风能发电系统:eaco吸收电容也可以应用于风能发电系统中。
Electrical specifications, ordering codesOrdering CodeCap (μF)Dimension (mm) du/dt (v/μs)Ipeak (A)Irms@25˚C @10kHz (A)ESR@10kHz(m Ω)Lroundflat, oval dD T H Un 700VDC , Urms 380VAC , Us 1050V STD-700-0.22-32FO 0.22 32 7.9 14.3 0.8 480 106 5.5 9.9 STD-700-0.33-32# 0.33 32 14.2 9.5 17.5 0.8 480 158 6 6.9 STD-700-0.47-32# 0.47 32 16.6 11.9 19.9 0.8 480 226 8 4.7 STD-700-0.68-32# 0.68 32 19.7 14.9 22.9 1.0 480 326 9 3.9 STD-700-0.68-44# 0.68 44 15.6 10.9 18.9 1.0 325 221 9 4.4 STD-700-1.0-44# 1.0 44 18.7 13.9 21.9 1.2 325 325 9 3.9 STD-700-1.5-44# 1.5 44 22.6 16.3 27.5 1.2 325 488 12 3.3 STD-700-2.0-44# 2.0 44 25.9 19.5 30.7 1.2 325 650 12 3.0 STD-700-2.2-44# 2.2 44 27.1 20.7 31.9 1.2 325 715 12 2.9 STD-700-2.2-57# 2.2 57 22.6 16.3 27.5 1.2 240 528 12 3.8 STD-700-2.5-44# 2.5 44 28.8 22.4 33.6 1.2 325 813 12 3.5 STD-700-2.5-57# 2.5 57 24.0 17.7 28.9 1.2 240 600 12 3.8 STD-700-3.0-44#3.04431.425.036.21.2325975123.1GENERAL TECHNICAL CHARACTERISTICSReference standards : IEC 61071-60068 Dielectric : Polypropylene film Construction : Extended double side metallized carrier film with internal series connection and metallized film Coating : Polyester tape wrapping, UL94V-0 resin end fill Leads: Tinned copper wire ELECTRICAL CHARACTERISTICSOperating temperature range(case) : - 40 to + 85 ˚C Capacitance : 0.0068 to 8.5μF Rated Voltage : 700 to 3000 VDC Tolerance : ± 5% , ± 10% Dissipation factor: ≤6×10-4 Measured at 1000±20 Hz and 25±5˚C Life expectancy : 100,000 hours at Un and 70 ˚C(Hot-spot temperature) TEST METHODS AND PERFORMANCES Dielectric strength:1.5Un applied for 10s at 25±5˚CTest voltage terminal to case : 3kVAC/50Hz for 60sInsulation resistance : 30000s but need not exceed 30G Ω,(typical value), after 1 minute of electrification at 100Vdc (25±5˚C ) ORDERING CODEPlease refer to Page 8, item FElectrical specifications, ordering codesOrdering Code Cap(μF)Dimension (mm) du/dt(v/μs)Ipeak(A)Irms@25˚C@10kHz (A)ESR@10kHz(mΩ) Lround flat, ovaldD T HUn 700VDC , Urms 380VAC , Us 1050VSTD-700-3.0-57# 3.0 57 26.2 19.8 31.0 1.2 240 720 12 3.3 STD-700-3.3-44# 3.3 44 32.9 26.4 37.6 1.2 325 1073 12 2.9 STD-700-3.5-57# 3.5 57 28.2 21.8 33.0 1.2 240 840 12 2.7 STD-700-4.0-57# 4.0 57 30.0 23.6 34.8 1.2 240 960 12 2.6 STD-700-4.7-57# 4.7 57 32.5 26.0 37.2 1.2 240 1128 12 2.5 STD-700-5.6-57# 5.6 57 35.4 28.8 40.0 1.2 240 1344 12 2.3 STD-700-6.8-57 6.8 57 38.9 1.2 240 1632 12 2.0 STD-700-8.5-57 8.5 57 43.3 1.2 240 2040 12 1.6 Un 850VDC , Urms 450VAC , Us 1275VSTD-850-0.10-32FO 0.10 32 5.9 12.3 0.8 700 70 4 11.5 STD-850-0.15-32FO 0.15 32 7.6 14.0 0.8 700 105 5.5 8.6 STD-850-0.22-32# 0.22 32 13.7 9.1 17.1 0.8 700 154 6.5 6.5 STD-850-0.22-44# 0.22 44 11.1 7.1 13.5 0.8 400 88 6.5 7.9 STD-850-0.33-32# 0.33 32 16.4 11.7 19.7 1.0 700 231 8 4.8 STD-850-0.33-44# 0.33 44 13.2 8.5 16.5 1.0 400 132 7.5 6.2 STD-850-0.47-32# 0.47 32 19.3 14.6 22.6 1.0 700 329 9 9.5 STD-850-0.47-44# 0.47 44 15.4 10.7 18.7 1.0 400 188 9 5.3 STD-850-0.68-44# 0.68 44 18.2 13.5 21.5 1.0 400 272 9 3.2 STD-850-1.0-44# 1.0 44 21.8 15.6 26.8 1.2 400 400 12 3.3 STD-850-1.5-44# 1.5 44 26.4 20.1 31.3 1.2 400 600 12 2.8 STD-850-2.0-44# 2.0 44 30.4 23.9 35.1 1.2 400 800 12 3.0 STD-850-2.2-44# 2.2 44 31.8 25.3 36.5 1.2 400 880 12 2.3 STD-850-2.2-57# 2.2 57 26.5 20.1 31.3 1.2 290 638 12 2.8 STD-850-2.5-44# 2.5 44 33.8 27.3 38.5 1.2 400 1000 12 2.6 STD-850-2.5-57# 2.5 57 28.1 21.7 32.9 1.2 290 725 12 2.8 STD-850-3.0-57# 3.0 57 30.7 24.3 35.5 1.2 290 870 12 2.6 STD-850-3.3-57# 3.3 57 32.2 25.7 36.9 1.2 290 957 12 2.4 STD-850-4.0-57# 4.0 57 35.3 28.8 40.0 1.2 290 1160 12 2.3 STD-850-4.7-57 4.7 57 38.2 1.2 290 1363 12 2.0 STD-850-5.6-57 5.6 57 41.6 1.2 290 1624 12 1.7 Un 1000VDC , Urms 480VAC , Us 1500VSTD-1000-0.10-32FO 0.10 32 7.7 12.5 0.8 850 85 5 12 STD-1000-0.15-32FO 0.15 32 9.1 15.5 0.8 850 128 6 8.2 STD-1000-0.22-32# 0.22 32 15.6 10.9 18.9 1.0 850 187 7 7.8 STD-1000-0.33-32# 0.33 32 18.7 14.0 22.0 1.0 850 281 9 4.5 STD-1000-0.33-44# 0.33 44 14.9 10.2 18.2 1.0 570 188 9 5.8 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500VAC , Us 1800VSTD-1200-0.10-32FO 0.10 328.7 13.5 0.81100 110 5 10.7 STD-1200-0.10-37# 0.10 3710.7 6.7 13.1 0.8840 84 5 11.8 STD-1200-0.10-44# 0.10 449.8 5.8 12.2 0.8650 65 5 13.1 STD-1200-0.15-32# 0.15 32 14.3 9.6 17.6 1.0 1100 165 6 7.7 STD-1200-0.15-37# 0.15 3712.7 8.1 16.1 1.0840 126 6 8.7 STD-1200-0.15-44# 0.15 4411.5 7.5 13.9 1.0650 98 6 10.0 STD-1200-0.22-32# 0.22 3217.0 12.3 20.3 1.01100 242 9 5.4 STD-1200-0.22-37# 0.22 3715.0 10.3 18.3 1.0840 185 9 6.0 STD-1200-0.22-44# 0.22 4413.6 8.9 16.9 1.0650 143 9 7.6 STD-1200-0.33-32# 0.33 32 20.5 15.7 23.7 1.0 1100 363 9 4.5 STD-1200-0.33-37# 0.33 37 18.1 13.3 21.3 1.0 840 277 9 4.8 STD-1200-0.33-44# 0.33 44 16.3 11.6 19.6 1.0 650 215 9 5.4 STD-1200-0.47-37# 0.47 37 21.3 15.1 26.3 1.0 840 395 9 4.0 STD-1200-0.47-44# 0.47 44 19.7 14.4 22.4 1.0 650 306 9 4.8 STD-1200-0.68-37# 0.68 37 25.4 19.0 30.2 1.2 840 571 12 2.9 STD-1200-0.68-44# 0.68 44 22.8 16.5 27.7 1.2 650 442 12 3.9 STD-1200-1.0-44# 1.0 44 27.4 21.0 32.2 1.2 650 650 12 3.4 STD-1200-1.0-57# 1.0 57 22.8 16.5 27.7 1.2 385 385 12 3.8 STD-1200-1.2-44# 1.2 44 29.9 23.4 34.6 1.2 650 780 12 3.0 STD-1200-1.2-57# 1.2 57 24.9 18.5 29.7 1.2 385 462 12 3.4 STD-1200-1.5-44# 1.5 44 33.3 26.8 38.0 1.2 650 975 12 2.7 STD-1200-1.5-57# 1.5 57 27.7 21.3 32.5 1.2 385 578 12 3.0 STD-1200-2.0-57# 2.0 57 31.8 25.3 36.5 1.2 385 770 12 2.6 STD-1200-2.2-57# 2.2 57 33.3 26.8 38.0 1.2 385 847 12 2.5 STD-1200-2.5-57# 2.5 57 35.4 28.9 40.1 1.2 385 963 12 2.3 STD-1200-3.0-57 3.0 57 38.7 1.2 385 1155 12 2.0 STD-1200-3.3-57 3.3 57 40.6 1.2 385 1270 12 1.7 STD-1200-4.0-57 4.0 57 44.6 1.2 385 1540 12 1.5 Un 1500VDC , Urms 570VAC , Us 2250VSTD-1500-0.068-32FO 0.068 32 8.5 14.9 0.8 1225 83 4 13.8 STD-1500-0.10-32# 0.10 32 14.7 10.0 18.0 0.8 1225 123 5.5 9.6 STD-1500-0.15-32# 0.15 32 17.7 13.0 21.0 1.0 1225 184 7 7.2 STD-1500-0.22-32# 0.22 32 21.1 14.9 26.1 1.0 1225 270 9 5.3 STD-1500-0.22-44# 0.22 44 16.8 12.1 20.1 1.0 800 176 9 7.0 STD-1500-0.33-44# 0.33 44 20.2 15.5 23.5 1.0 800 264 9 5.3 STD-1500-0.47-44# 0.47 44 23.9 17.6 28.8 1.2 800 376 11 4.3 STD-1500-0.68-44# 0.68 44 28.5 22.1 33.3 1.2 800 544 12 3.7 STD-1500-1.0-44# 1.0 44 34.4 27.9 39.1 1.2 800 800 12 3.2 STD-1500-1.0-57# 1.0 57 28.6 22.2 33.4 1.2 570 570 12 3.7 STD-1500-1.2-57# 1.2 57 31.2 24.8 36.0 1.2 570 684 12 3.4 STD-1500-1.5-57# 1.5 57 34.8 28.3 39.5 1.2 570 855 12 2.9 STD-1500-2.0-57 2.0 57 40.0 1.2 570 1140 12 2.5 STD-1500-2.2-57 2.2 57 41.9 1.2 570 1254 12 2.3 STD-1500-2.5-57 2.5 57 44.6 1.2 570 1425 12 2.1 Un 1700VDC , Urms 575VAC , Us 2550VSTD-1700-0.033-32FO 0.033 32 5.9 12.3 0.8 1350 45 3.9 24.6 STD-1700-0.047-32FO 0.047 32 7.4 13.8 0.8 1350 63 4.0 18.2 STD-1700-0.068-32# 0.068 32 13.3 8.7 16.7 0.8 1350 92 4.1 13.7 STD-1700-0.10-32# 0.10 32 15.8 11.1 19.1 0.8 1350 135 5.7 9.3 STD-1700-0.15-32# 0.15 32 19.1 14.3 22.3 1.0 1350 203 8.0 7.0Electrical specifications, ordering codesOrdering Code Cap(μF)Dimension (mm) du/dt(v/μs)Ipeak(A)Irms@25˚C@10kHz (A)ESR@10kHz(mΩ) Lround flat, ovaldD T HUn 1700VDC , Urms 575VAC , Us 2550VSTD-1700-0.22-32# 0.22 32 22.8 16.5 27.7 1.0 1350 297 9.0 5.2 STD-1700-0.22-44# 0.22 4418.113.321.3 1.0880 194 9.0 6.8 STD-1700-0.33-44# 0.33 44 21.8 15.6 26.8 1.0 880 290 9.0 4.9 STD-1700-0.47-44# 0.47 44 25.8 19.5 30.7 1.2 880 414 12 4.0 STD-1700-0.68-44# 0.68 44 30.8 24.4 35.6 1.2 880 598 12 3.5 STD-1700-1.0-44# 1.0 4437.230.641.8 1.2880 880 12 3.0 STD-1700-1.0-57# 1.0 5730.924.435.6 1.2610 610 12 3.4 STD-1700-1.2-57# 1.2 5733.827.238.4 1.2610 732 12 3.1 STD-1700-1.5-57 1.5 5737.6 1.2610 915 12 2.6 STD-1700-2.0-57 2.0 5743.3 1.2610 1220 12 2.4 Un 2000VDC , Urms 630VAC , Us 3000VSTD-2000-0.022-32FO 0.022 32 5.411.80.81750 39 2.5 34.5 STD-2000-0.033-32FO 0.033 327.013.40.81750 58 3.5 23.7 STD-2000-0.047-32FO 0.047 328.116.10.81750 82 4.5 16.8 STD-2000-0.047-44# 0.047 4410.4 6.412.80.81000 47 4 21.0 STD-2000-0.068-32# 0.068 3215.010.318.3 1.01750 119 5.5 11.8 STD-2000-0.068-44# 0.068 44 12.1 8.1 14.5 0.8 1000 68 5.5 16.3 STD-2000-0.10-32# 0.10 32 17.8 13.1 21.1 1.0 1750 175 7.5 8.4 STD-2000-0.10-44# 0.10 44 14.2 9.6 17.6 1.0 1000 100 7 12.4 STD-2000-0.15-44# 0.15 44 17.1 12.4 20.4 1.0 1000 150 9 6.6 STD-2000-0.22-44# 0.22 44 20.4 15.6 23.6 1.0 1000 220 9 6.0 STD-2000-0.33-44# 0.33 44 24.7 18.4 29.6 1.2 1000 330 12 4.7 STD-2000-0.47-44# 0.47 44 29.9 23.4 34.6 1.2 1000 473 12 3.9 STD-2000-0.56-44# 0.56 44 32.4 25.9 37.1 1.2 1000 560 12 3.6 STD-2000-0.56-57# 0.56 57 26.5 20.1 31.3 1.2 640 358 12 4.5 STD-2000-0.68-57# 0.68 57 29.1 22.7 33.9 1.2 640 435 12 4.0 STD-2000-1.0-57# 1.0 57 35.1 28.6 39.8 1.2 640 640 12 3.3 STD-2000-1.2-57 1.2 57 38.3 1.2 640 768 12 3.0 STD-2000-1.5-57 1.5 57 42.8 1.2 640 960 12 2.2 Un 2500VDC , Urms 700VAC , Us 3750VSTD-2500-0.022-32FO 0.022 32 6.9 13.3 0.8 2150 47 3.5 24.0 STD-2500-0.033-32FO 0.033 32 8.2 16.2 0.8 2150 71 4 22.7 STD-2500-0.047-32# 0.047 32 15.0 10.3 18.3 0.8 2150 101 5 15.5 STD-2500-0.068-32# 0.068 32 17.3 13.0 21.0 1.0 2150 146 6.5 11.1 STD-2500-0.10-32# 0.10 32 21.3 15.0 26.2 1.0 2150 215 8.5 7.8 STD-2500-0.10-44# 0.10 44 16.9 12.1 20.1 1.0 1350 135 8.5 12.2 STD-2500-0.15-44# 0.15 44 20.4 15.6 23.6 1.0 1350 203 9 8.1 STD-2500-0.22-44# 0.22 44 24.4 18.1 29.3 1.2 1350 297 11 5.9 STD-2500-0.33-44# 0.33 44 29.6 23.2 34.4 1.2 1350 446 12 4.5 STD-2500-0.33-57# 0.33 57 24.7 18.3 29.5 1.2 880 290 12 5.4 STD-2500-0.47-57# 0.47 57 29.2 22.8 34.0 1.2 880 414 12 4.4 STD-2500-0.68-57# 0.68 57 34.9 28.4 39.6 1.2 880 598 12 3.7 STD-2500-0.82-57 0.82 57 38.3 1.2 880 722 12 3.3 STD-2500-1.0-57 1.0 57 42.2 1.2 880 880 12 2.8 Un 3000VDC , Urms 750VAC , Us 4500VSTD-3000-0.0068-32FO 0.00632 5.1 9.9 0.8 2750 19 1.5 89.0 STD-3000-0.010-32FO 0.010 32 5.9 12.3 0.8 2750 28 2 61.0 STD-3000-0.015-32FO 0.015 32 7.1 13.5 0.8 2750 41 3 42.5 STD-3000-0.022-32# 0.022 32 13.1 8.4 16.4 0.8 2750 61 4 28.5 STD-3000-0.033-32# 0.033 32 15.7 11.0 19.0 1.0 2750 91 5 19.7 STD-3000-0.047-32# 0.047 32 18.4 13.7 21.7 1.0 2750 129 6.5 13.8Electrical specifications, ordering codesOrdering Code Cap(μF)Dimension (mm)du/dt(v/μs)Ipeak(A)Irms@25˚C@10kHz (A)ESR@10kHz(mΩ) Lround flat, ovaldD T HUn 3000VDC , Urms 750VAC , Us 4500VSTD-3000-0.047-44# 0.047 44 14.7 10.0 18.0 1.0 1600 75 6 17.8 STD-3000-0.068-44# 0.068 44 17.3 12.6 20.6 1.0 1600 109 8 12.8 STD-3000-0.10-44# 0.10 4420.714.525.7 1.21600 160 11 9.4 STD-3000-0.15-44# 0.15 4425.118.830.0 1.21600 240 12 6.8 STD-3000-0.22-44# 0.22 4430.223.734.9 1.21600 352 12 5.2 STD-3000-0.22-57# 0.22 57 25.1 18.8 30.0 1.2 990 218 12 5.9 STD-3000-0.33-57# 0.33 5730.524.135.3 1.2990 327 12 4.9 STD-3000-0.39-57# 0.39 5733.126.637.8 1.2990 386 12 4.4 STD-3000-0.47-57 0.47 5736.3 1.2990 465 12 4.0 STD-3000-0.68-57 0.68 5743.4 1.2990 673 12 3.5。
英飞凌IGBT模块选用指南英飞凌IGBT模块选用指南对于一个具体的应用来说,在选择英飞凌IGBT模块时需考虑其在任何静态、动态、过载(如短路)的运行情况下:(i):器件耐压;(ii):在实际的冷却条件下,电流的承受力;(iii):最适合的开关频率;(iv):安全工作区(SOA)限制;(v):最高运行温度限制。
一、器件耐压的选择因为大多数IGBT模块工作在交流电网通过单相或三相整流后的直流母线电压下,所以通常IGBT模块的工作电压(600V、1200V、1700V)均对应于常用电网的电压等级。
考虑到过载,电网波动,开关过程引起的电压尖峰等因素,通常电力电子设备选择IGBT 器件耐压都是直流母线电压的一倍。
如果结构、布线、吸收等设计比较好,就可以使用较低耐压的IGBT模块承受较高的直流母线电压。
下面列出根据交流电网电压或直流母线电压来选择IGBT 耐压的参考表。
二、电流的选择半导体器件具有温度敏感性,因此IGBT模块标称电流与温度的关系比较大。
随着壳温的上升IGBT模块可利用的电流就会下降,英飞凌IGBT模块是按壳温TC=80℃来标称其最大允许通过的集电流极电流(IC)。
对于西门子/英飞凌NPT-IGBT 芯片来说,当TC≤25℃时,这个电流值通常是一个恒定值,但随着TC 的增加,这个可利用的电流值下降较快,有些公司是按TC=25℃的电流值来标称型号,这需用户特别注意。
需指出的是:IGBT 参数表中标出的IC 是集电极最大直流电流,但这个直流电流是有条件的,首先最大结温不能超过150℃,其次还受安全工作区(SOA)的限制,不同的工作电压、脉冲宽度,允许通过的最大电流不同。
同时,各大厂商也给出了2 倍于额定值的脉冲电流,这个脉冲电流通常是指脉冲宽度为1ms 的单脉冲能通过的最大通态电流值,即使可重复也需足够长的时间。
如果脉冲宽度限制在10μs 以内,英飞凌NPT-IGBT 短路电流承受能力可高达10 倍的额定电流值。
IGBT驱动电路的选择及驱动电阻的选择I GBT驱动电路的选择绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在今天的电力电子领域中已经得到广泛的应用,在实际使用中除IGBT自身外,IGBT 驱动器的作用对整个换流系统来说同样至关重要。
驱动器的选择及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。
驱动器功率不足或选择错误可能会直接导致IGBT 和驱动器损坏。
以下总结了一些关于IGBT 驱动器输出性能的计算方法以供选型时参考。
IGBT 的开关特性主要取决于IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻。
图1是IGBT 门极电容分布示意图,其中CGE 是栅极-发射极电容、CCE 是集电极-发射极电容、CGC 是栅极-集电极电容或称米勒电容(Miller Capacitor)。
门极输入电容Cies 由CGE 和CGC 来表示,它是计算IGBT 驱动器电路所需输出功率的关键参数。
该电容几乎不受温度影响,但与IGBT集电极-发射极电压VCE 的电压有密切联系。
在IGBT数据手册中给出的电容Cies 的值,在实际电路应用中不是一个特别有用的参数,因为它是通过电桥测得的,在测量电路中,加在集电极上C 的电压一般只有25V(有些厂家为10V),在这种测量条件下,所测得的结电容要比VCE=600V 时要大一些(如图2)。
由于门极的测量电压太低(VGE=0V )而不是门极的门槛电压,在实际开关中存在的米勒效应(Miller 效应)在测量中也没有被包括在内,在实际使用中的门极电容Cin值要比IGBT 数据手册中给出的电容Cies 值大很多。
因此,在IGBT数据手册中给出的电容Cies值在实际应用中仅仅只能作为一个参考值使用。
确定IGBT 的门极电荷对于设计一个驱动器来说,最重要的参数是门极电荷QG(门极电压差时的IGBT 门极总电荷),如果在IGBT 数据手册中能够找到这个参数,那么我们就可以运用公式计算出:图一门极驱动能量 E = QG ? UGE = QG ? [ VG(on) - VG(off) ] 门极驱动功率 PG = E ? fSW = QG ? [ VG(on) - VG(off) ] ? fSW 驱动器总功率 P = PG + PS(驱动器的功耗)平均输出电流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG ? fSW 最高开关频率fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC) 峰值电流IG MAX = ΔUGE / RG m in = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min 其中的 RG min = RG extern + RG intern fsw max. : 最高开关频率IoutAV : 单路的平均电流QG : 门极电压差时的IGBT门极总电荷RG extern : IGBT 外部的门极电阻RG intern : IGBT 芯片内部的门极电阻但是实际上在很多情况下,数据手册中这个门极电荷参数没有给出,门极电压在上升过程中的充电过程也没有描述。
MKP-IGBT SERIES
用于:IGBT模块保护吸收
应用:
IGBT 模块突波吸收,高频、大电流、高脉冲线路电气特性:
电容量: 0.047μF to 5.6μF, 参考表格数据材料特性:双面金属化聚丙烯(PP)薄膜额定电压: 700,850,1000,1200,1500,2000,2500 ,3000VDC
封装:阻燃工程塑胶外壳,阻燃环氧树脂填充
损耗角正切: 测试条件 1000±20 Hz , 25±5℃.Cr≤1.5μF, 4×10-4; Cr>1.5μF, 7×10-4绝缘电阻: 3000s,s= MΩ. μF
测试条件 1 minute,100Vdc (25±5℃)
耐电压: 2Ur (DC)测试条件 10s,t25±5℃,1Min 工作温度: -40~+85℃
最大许可环境温度: +70℃ (额定功率、电流,自然散热条件下工作)
电容量对时间的变化 : -3% ,
30,000 小时(有效电压工作状态),或100,000 hours (额定电压工作状态)
尺寸:参考下页资料(可按客户需求定制特殊规格)
IGBT吸收电容器(Snubber capacitor for IGBT)
外形图 Outline Drawing
IGBT模块保护
IGBT模块保护。
IGBT模块选型参考1.IGBT模块的功率损耗IGBT关断截止时,I(t)≈o,损耗的功率可忽略。
为了便于分析,将损耗分为导通损耗和开关损耗。
另外,开关损耗也可分为两类:具有理想二极管时IGBT的开关损耗和考虑二极管反向恢复时间时IGBT的开关损耗。
IGBT导通时,如果电流为方波脉冲,那么导通能量就等于电流、电压降和导通时间三者之积。
IGBT在任意电流和温度时的最高电压降,根据数据表提供的数据,可按以下两步得到:首先,从IGBT集电极发射极饱和电压与壳温的关系曲线上找出能满足所需电流的集电极发射极饱和电压。
然后,为了得到最大压降,在给定结温下从该曲线上得出的电压降必须乘以电气特性表中给出的最大值与典型值之比。
如果栅极驱动电压不是15V,最大压降值还需要些修正,修正系数可参考器件公司的IGBT设计手册。
如果电流不是方波脉冲,导通损耗只能用积分计算。
这样必须建立电流波形和电压降的数学表达式,这些函数关系可参考器件公司的IGBT设计手册。
在负载为电感的电路中,开关导通引起续流二极管反向恢复,同时开关器件中产生很大的电流尖峰,从而使IGBT和续流二极管的开关损耗增加。
考虑到二极管反向恢复引起的开关损耗,IGBT总的开关损耗可由下式给出:Po = Pss + Psw式中:Esw(on)为每一个脉冲对应的IGBT开通能量(在tj= 125℃、峰值电流Icp条件下);Esw(off)为每个脉冲对应的IGBT关断能量(在tj=125℃、峰值电流Icp条件下);Psw为变频电源每臂的PWM开关功率;Icp为正弦输出电流的峰值;Uce(sat)为IGBT的饱和电压降(在Tj= 125℃、峰值电流Icp条件下);Fsw为开关频率;D为PWM信号占空比;θ为输出电压与电流之间的相位角(功率因数为cosθ)。
2.IGBT模块参数的选择IGBT已广泛应用于20KHz的硬开关变换器及频率更高的软开关变换器中。
通常情况下,选择IGBT模块的参数时应考虑以下几个方面的因素。
IGBT 吸收电容采用突波吸收电容减小UPS直流总线电压[出处/作者]:庄宏刘静众所周知,逆变器是UPS的核心部分,逆变器的性能决定了UPS的输出性能指标。
在一个由整流器、逆变器、充电器等组成的UPS中(如图1),逆变器不但要承受来自负载的冲击,还要随时对直流总线电压的波动进行调整。
大量的统计数据证明,直流总线电压的异常波动和负载的冲击是造成逆变器故障的主要原因。
在UPS实际运用过程中,负载的冲击不可避免,而稳定直流总线电压、减小直流总线电压的纹波却是可以做到的。
图1 UPS结构框图直流总线电压的纹波主要由整流输入电压的波动和逆变器IGBT开关的反冲电压回馈至直流总线形成。
如果纹波过大,就会造成整流滤波电容温升过高,寿命缩短,同时加大了逆变器PWM调节频繁程度,容易造成控制电路不稳定而导致故障发生。
由于直流总线直接和外部电池连接,过高的直流总线纹波电压还会成为 EMI干扰源。
在整流器输出端减小市电造成的50Hz电压纹波主要采用大容量的铝电解电容器并联,而对于逆变器高频开关反冲电压形成的电压纹波则要寻求新的途径来解决。
如图2是一个20KVAUPS的桥式整流滤波电路和逆变电路,其中直流总线上的滤波电容由六个2200μF/600WV的电解电容并联组成。
逆变电路的PWM频率为20KHz,在每个IGBT模块上安装了如图3所示的RCD吸收回路。
在该UPS带载16KW达到30分钟情况下,测得的直流总线电压波形如图4所示,直流总线电压纹波的峰峰值达到 120V,吸收回路上的电阻R温度达到95°C,温升变化为2.5°C/分钟。
如果去掉吸收回路上的电阻R,则由于直流总线上的纹波依然存在,IGBT关断后的反冲电压将沿吸收回路上的D和C泄放,造成D温升过快损坏,甚至使IGBT损坏。
因此直流总线电压纹波过大还影响到了吸收回路的正常工作。
原因分析:直流总线电压纹波过大,是由于IGBT在高速开关状态下的电流浪涌突波形成的。
英飞凌IGBT单管规格书正确制定IGBT单管规格书的制定目的是为了确保商品的质量和性能一致,方便购买者了解产品的技术参数和特性。
制定规格书的过程必须遵循一定的准则和标准,以确保规格书的准确性、可靠性和易读性。
在制定规格书时,需要考虑到以下几个重要因素:产品功能和性能产品的安全性和可靠性产品的使用环境和要求产品的生命周期管理产品的市场竞争力正确制定IGBT单管规格书对于生产和销售单位来说非常重要,它可以帮助消费者更好地理解产品,并提供准确的比较参考。
同时,规格书也是产品质量监督和检验的重要依据,有助于质量管理和售后服务的完善,从而提升企业的竞争力和信誉度。
正确制定IGBT单管规格书需要考虑多个因素,包括产品功能、安全性、市场竞争力等。
制定规格书时,应尽量遵循准则和标准,确保其准确性和易读性。
规格书的正确制定对于企业和消费者都非常重要,可以提供产品的技术参数和特性,帮助消费者选择合适的产品,并提升企业的竞争力和信誉度。
制定IGBT单管规格书时需要包含的基本要素包括但不限于以下内容:电气参数:包括输入和输出电压、电流、功率、频率等相关参数。
结构尺寸:即IGBT单管的外形尺寸和重量等信息。
温度特性:包括工作温度范围、温度系数等。
特殊功能和性能:例如开关速度、损耗特性、故障保护等。
安装和使用说明:包括焊接要求、贮存和运输条件、电路连接等。
规格书的正确制定应当充分准确地描述IGBT单管的技术参数和特性,以帮助用户了解和选择合适的产品,并在使用过程中得到正确的应用和操作指导。
详细解释IGBT单管规格书正确制定的步骤,包括收集信息、分析需求、编写规格、验证确认等。
收集信息:深入了解所涉及的IGBT单管产品,包括其特性、性能参数和技术要求等。
获取技术文档、产品手册和相关资料,确保准确理解产品规范。
分析需求:与相关利益相关者、工程师和设计团队沟通,了解客户需求和应用场景。
确定产品规格书所需的功能、性能和特性,以满足客户需求。
ORDERING CODEPlease refer to Page 8, item AElectrical specifications, ordering codesDimention(mm)Ordering CodeCap (μF) L B H du/dt(v/μs) Ipeak (A) Irms@25˚C @10kHz (A)ESR@10kHz(m Ω) Un 700VDC , Urms 380VAC , Us 1050V STM-700-1.0-&P# 1.0 42.524.5 27.5 325 325 15.0 3.2 STM-700-1.2-&P# 1.2 42.5 24.5 27.5 325 390 16.0 3.1 STM-700-1.5-&S# 1.5 42.5 22.0 30.0 325 487 18.0 2.8 STM-700-2.0-&P# 2.0 42.5 33.5 35.5 325 650 22.0 2.5 STM-700-2.0-&S# 2.0 42.5 28.0 37.0 325 650 21.5 2.5 STM-700-2.2-&P# 2.2 42.5 33.5 35.5 325 715 22.5 2.4 STM-700-2.2-&S# 2.2 42.5 28.0 37.0 325 715 22.0 2.4 STM-700-2.5-&P# 2.5 42.5 33.5 35.5 325 812 23.0 2.2 STM-700-2.5-&S# 2.5 42.5 28.0 37.0 325 812 22.5 2.2 STM-700-3.0-&P# 3.0 42.5 33.0 45.0 325 975 26.0 2.1 STM-700-3.0-&S# 3.0 42.5 30.0 45.0 325 975 25.5 2.1 STM-700-3.3-&P# 3.3 42.5 33.0 45.0 325 1072 26.5 2.1 STM-700-3.3-&S# 3.3 42.5 30.0 45.0 325 1072 26.0 2.1 STM-700-3.5-&P# 3.5 42.5 33.0 45.0 325 1134 27.0 2.0 STM-700-3.5-&S# 3.5 42.5 30.0 45.0 325 1134 26.5 2.0 STM-700-4.0-&P# 4.0 57.5 30.0 45.0 220 880 27.0 2.3 STM-700-4.0-&S# 4.0 42.5 33.0 45.0 325 1300 32.0 1.8 STM-700-4.7-&P# 4.7 57.5 35.0 50.0 220 1034 31.0 2.1 STM-700-4.7-&S# 4.7 57.5 30.0 45.0 220 1034 30.5 2.1 STM-700-5.0-&P# 5.0 57.5 35.0 50.0 220 1100 31.0 2.1 STM-700-5.0-&S# 5.0 57.5 30.0 45.0 220 1100 30.5 2.1 STM-700-5.6-&P# 5.6 57.5 35.0 50.0 220 1232 32.0 2.0 STM-700-6.8-&S# 6.8 57.5 35.0 50.0 220 1496 32.0 2.0 STM-700-10.0-&S#10.057.542.556.0220220033.01.3GENERAL TECHNICAL CHARACTERISTICSReference standards : IEC 61071-60068 Dielectric :Polypropylene filmConstruction : Extended double side metallized carrier film with internal series connection and metallized filmCoating : Solvent resistant plastic case with resin sealing Flame retardant execution (UL94V-0 ) Leads:Tinned copper lugs for screw fixing or soldering on PCBSELECTRICAL CHARACTERISTICSOperating temperature range : - 40 to + 85 ˚C (case) Capacitance : 0.047 to 10μF Rated Voltage : 700 to 3000 VDC Tolerance : ± 5% , ± 10%Dissipation factor: ≤6×10-4 Measured at 1000±20 Hz and 25±5˚CLife expectancy :100,000 hours at Un and 70 ˚C (Hot-spot temperature) TEST METHODS AND PERFORMANCESDielectric strength:1.5Un applied for 10s at 25±5˚C Test voltage terminal to case : 3kVAC/50Hz for 60sInsulation resistance :30000s but need not exceed 30G Ω (typical value), after 1 minute of electrification at 100Vdc (25±5˚C )Lug terminal type, (refer to Page 5- 7 ) B. K. U. C. UF. CF. R. G. T. TF. E. D. N. L available Custom design available upon requestElectrical specifications, ordering codesDimention(mm)Ordering CodeCap (μF) L B H du/dt(v/μs)Ipeak (A)Irms@25˚C @10kHz (A) ESR@10kHz(m Ω)Un 850VDC , Urms 450VAC , Us 1275V STM-850-0.82-&P# 0.82 42.5 24.5 27.5 400 328 15.5 3.1 STM-850-1.0-&P# 1.0 42.5 24.5 27.5 400 400 17.5 2.7 STM-850-1.0-&S# 1.0 42.5 22.0 30.0 400 400 17.0 2.7 STM-850-1.5-&P# 1.5 42.5 33.5 35.5 400 600 23.0 2.2 STM-850-1.5-&S# 1.5 42.5 28.0 37.0 400 600 22.5 2.2 STM-850-2.0-&P# 2.0 42.5 33.5 35.5 400 800 23.5 2.2 STM-850-2.2-&P# 2.2 42.5 30.0 45.0 400 880 26.5 2.0 STM-850-2.5-&P# 2.5 42.5 33.0 45.0 400 1000 27.0 2.0 STM-850-2.5-&S# 2.5 42.5 30.0 45.0 400 1000 26.5 2.0 STM-850-3.0-&P# 3.0 57.5 30.0 45.0 280 840 28.0 1.9 STM-850-3.3-&P# 3.3 57.5 30.0 45.0 280 924 28.5 2.2 STM-850-4.0-&P# 4.0 57.5 35.0 50.0 280 1120 29.5 2.1 STM-850-4.7-&P# 4.7 57.5 35.0 50.0 280 1316 32.0 1.9 STM-850-6.8-&S# 6.8 57.5 42.5 56.0 280 1904 33.0 1.5 Un 1000VDC , Urms 480VAC , Us 1500VSTM-1000-0.68-&P# 0.68 42.5 24.5 27.5 500 340 15.0 3.3 STM-1000-0.75-&P# 0.75 42.5 24.5 27.5 500 375 15.5 3.2 STM-1000-0.75-&S# 0.75 42.5 22.0 30.0 500 375 15.0 3.2 STM-1000-1.0-&S# 1.0 42.5 28.0 37.0 500 500 17.0 2.9 STM-1000-1.2-&P# 1.2 42.5 33.5 35.5 500 600 22.0 2.5 STM-1000-1.2-&S# 1.2 42.5 28.0 37.0 500 600 21.5 2.5 STM-1000-1.5-&P# 1.5 42.5 33.5 35.5 500 750 23.5 2.2 STM-1000-1.75-&P# 1.75 42.5 33.0 45.0 500 875 23.5 2.1 STM-1000-1.75-&S# 1.75 42.5 30.0 45.0 500 875 23.0 2.1 STM-1000-2.0-&P# 2.0 42.5 33.0 45.0 500 1000 26.5 2.0 STM-1000-2.2-&P# 2.2 57.5 30.0 45.0 350 770 26.5 2.5 STM-1000-2.5-&S# 2.5 57.5 30.0 45.0 350 875 28.0 2.1 STM-1000-3.0-&P# 3.0 57.5 35.0 50.0 350 1050 31.0 2.1 STM-1000-3.3-&P# 3.3 57.5 35.0 50.0 350 1155 31.0 2.0 STM-1000-5.0-&S# 5.0 57.5 42.5 56.0 350 1750 33.0 1.6 Un 1200VDC , Urms 500VAC , Us 1800VSTM-1200-0.22-&P# 0.22 42.5 24.5 27.5 650 143 11.5 5.2 STM-1200-0.22-&S# 0.22 42.5 15.0 26.0 650 143 11.0 5.2 STM-1200-0.33-&P# 0.33 42.5 24.5 27.5 650 210 12.0 5.1 STM-1200-0.33-&S# 0.33 42.5 15.0 26.0 650 210 11.5 5.1 STM-1200-0.39-&P# 0.39 42.5 24.5 27.5 650 254 13.0 4.6 STM-1200-0.39-&S# 0.39 42.5 17.0 28.0 650 254 12.5 4.6 STM-1200-0.47-&P# 0.47 42.5 24.5 27.5 650 308 14.0 4.1 STM-1200-0.47-&S# 0.47 42.5 22.0 30.0 650 308 13.5 4.1 STM-1200-0.56-&S# 0.56 42.5 22.0 30.0 650 364 14.0 3.7 STM-1200-0.56-&P# 0.56 42.5 24.5 27.5 650 364 14.5 3.7 STM-1200-0.68-&P# 0.68 42.5 33.5 35.5 650 442 19.0 3.3 STM-1200-0.68-&S# 0.68 42.5 22.0 30.0 650 442 18.5 3.3 STM-1200-0.82-&P# 0.82 42.5 33.5 35.5 650 533 20.0 3.0 STM-1200-0.82-&S# 0.82 42.5 28.0 37.0 650 533 19.5 3.0 STM-1200-1.0-&P# 1.0 42.5 33.5 35.5 650 650 20.5 2.7 STM-1200-1.0-&S# 1.0 42.5 28.0 37.0 650 650 20.0 2.7 STM-1200-1.2-&P#1.242.533.045.065078023.52.4Electrical specifications, ordering codesDimention(mm)Ordering CodeCap (μF) L B H du/dt(v/μs) Ipeak (A) Irms@25˚C @10kHz (A)ESR@10kHz(m Ω) Un 1200VDC , Urms 500VAC , Us 1800V STM-1200-1.2-&S# 1.2 42.530.0 45.0 650 780 23.0 2.4 STM-1200-1.5-&P# 1.5 42.5 33.0 45.0 650 975 25.0 2.1 STM-1200-1.5-&S# 1.5 42.5 30.0 45.0 650 975 24.5 2.1 STM-1200-2.0-&P# 2.0 57.5 30.0 45.0 455 910 27.0 1.7 STM-1200-2.2-&P# 2.2 57.5 35.0 50.0 455 1001 30.0 2.4 STM-1200-2.2-&S# 2.2 57.5 30.0 50.0 455 1001 29.5 2.4 STM-1200-2.5-&P# 2.5 57.5 35.0 50.0 455 1138 31.0 2.3 STM-1200-3.0-&P# 3.0 57.5 35.0 50.0 455 1365 32.0 2.1 STM-1200-4.5-&S# 4.5 57.5 42.5 56.0 455 2047 33.0 1.7 Un 1500VDC , Urms 570VAC , Us 2250VSTM-1500-0.33-&P# 0.33 42.5 24.5 27.5 800 264 13.5 4.6 STM-1500-0.39-&S# 0.39 42.5 22.0 30.0 800 312 13.5 4.3 STM-1500-0.47-&P# 0.47 42.5 33.5 35.5 800 376 18.0 3.7 STM-1500-0.47-&S# 0.47 42.5 28.0 37.0 800 376 17.5 3.7 STM-1500-0.68-&P# 0.68 42.5 33.5 35.5 800 544 19.5 3.1 STM-1500-0.68-&S# 0.68 42.5 28.0 37.0 800 544 19.0 3.1 STM-1500-0.75-&P# 0.75 42.5 33.5 35.5 800 600 20.5 2.8 STM-1500-1.0-&P# 1.0 42.5 33.0 45.0 800 800 23.0 2.5 STM-1500-1.0-&S# 1.0 42.5 30.0 45.0 800 800 22.5 2.5 STM-1500-1.2-&P# 1.2 57.5 30.0 45.0 560 672 25.0 2.8 STM-1500-1.5-&P# 1.5 57.5 35.0 50.0 560 840 28.0 2.5 STM-1500-1.8-&P# 1.8 57.5 35.0 50.0 560 1008 29.5 2.3 STM-1500-2.5-&S# 2.5 57.5 42.5 56.0 560 1400 31.0 1.8 Un 1700VDC , Urms 575VAC , Us 2550VSTM-1700-0.22-&P# 0.22 42.5 24.5 27.5 880 194 13.2 5.3 STM-1700-0.22-&S# 0.22 42.5 17.0 28.0 880 194 13.0 5.3 STM-1700-0.33-&P# 0.33 42.5 24.5 27.5 880 290 14.0 5.0 STM-1700-0.33-&S# 0.33 42.5 22.0 30.0 880 290 13.5 5.0 STM-1700-0.47-&P# 0.47 42.5 33.5 35.5 880 413 19.0 3.8 STM-1700-0.47-&S# 0.47 42.5 28.0 37.0 880 413 18.5 3.8 STM-1700-0.56-&P# 0.56 42.5 33.5 35.5 880 492 19.5 3.1 STM-1700-0.56-&S# 0.56 42.5 28.0 37.0 880 492 19.0 3.1 STM-1700-0.68-&P# 0.68 42.5 33.5 35.5 880 598 20.0 2.9 STM-1700-0.82-&P# 0.82 42.5 33.0 45.0 880 721 22.1 2.5 STM-1700-0.82-&S# 0.82 42.5 30.0 45.0 880 721 19.5 2.5 STM-1700-1.0-&P# 1.0 57.5 30.0 45.0 610 610 23.5 2.7 STM-1700-1.2-&P# 1.2 57.5 30.0 45.0 610 732 26.2 2.6 STM-1700-1.5-&P# 1.5 57.5 35.0 50.0 610 915 28.5 2.4 STM-1700-2.2-&S# 2.2 57.5 42.5 56.0 610 1342 30.0 1.8 Un 2000VDC , Urms 630VAC , Us 3000VSTM-2000-0.10-&P# 0.10 42.5 24.5 27.5 1000 100 8.0 13.0 STM-2000-0.10-&S# 0.10 42.5 15.0 26.0 1000 100 7.5 13.0 STM-2000-0.15-&P# 0.15 42.5 24.5 27.5 1000 150 10.5 7.5 STM-2000-0.15-&S# 0.15 42.5 17.0 28.0 1000 150 10.0 7.5 STM-2000-0.22-&P# 0.22 42.5 24.5 27.5 1000 220 12.0 5.1 STM-2000-0.22-&S# 0.22 42.5 22.0 30.0 1000 220 11.5 5.1 STM-2000-0.33-&P# 0.33 42.5 33.5 35.5 1000 330 16.5 4.1 STM-2000-0.33-&S# 0.33 42.5 28.0 37.0 1000 330 16.0 4.1 STM-2000-0.39-&P# 0.39 42.5 33.5 35.5 1000 390 17.5 3.6 STM-2000-0.39-&S# 0.39 42.5 28.0 37.0 1000 390 17.0 3.6 STM-2000-0.47-&P#0.4742.533.045.0100047020.53.2Electrical specifications, ordering codesDimention(mm)Ordering CodeCap (μF) L B H du/dt(v/μs) Ipeak (A) Irms@25˚C @10kHz (A)ESR@10kHz(m Ω) Un 2000VDC , Urms 630VAC , Us 3000V STM-2000-0.47-&S# 0.47 42.528.0 37.0 1000 470 20.0 3.2 STM-2000-0.56-&P# 0.56 42.5 33.0 45.0 1000 560 21.5 3.0 STM-2000-0.68-&P# 0.68 57.5 30.0 45.0 700 476 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一、什么是IGBTIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。
应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。
由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。
较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。
导通IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似,主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。
如等效电路图所示(图1),其中一个MOSFET驱动两个双极器件。
基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。
当正栅偏压使栅极下面反演P基区时,一个N沟道形成,同时出现一个电子流,并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。
如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内,那么,J1将处于正向偏压,一些空穴注入N-区内,并调整阴阳极之间的电阻率,这种方式降低了功率导通的总损耗,并启动了第二个电荷流。
最后的结果是,在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑:一个电子流(MOSFET 电流);空穴电流(双极)。
关断当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时,沟道被禁止,没有空穴注入N-区内。
在任何情况下,如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降,集电极电流则逐渐降低,这是因为换向开始后,在N层内还存在少数的载流子(少子)。