化学镍金工艺中甩金问题的探讨

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图可 知 ,与正常镍 面 的形貌相 比较 ,甩
金处 的镍层 结构受 到不 同程度 的破坏 ,
从 而呈 现 出a 、c 、b 三种 不 同的形 貌特
图2正常处镍面 与甩金处镍 面的S M形貌 E
征 。镍 层的破坏使之与金层 的结合力显 著下 降 ,直接导致 沉金后甩金 。 对 图2 中的正常处 与甩 金处 的镍 面 a 、c 、b 三处进 行能谱 (D ) E S扫描 ,对镍 层 的微 观区域的元素分布进行定性定量 分 析 。其 扫描 分析 结果如 图3 所示 。由 图可知 ,正 常 的镍 层 只存 在N 、P i 两种 元 素 ,甩 金镍 面 a 、c 、b 三处 均有 N 、 i P 以外 的元 素 存 在 ,特 别 是 在 b 两 、c 处 ,有c 元素存在 。 u 从 化 学镍 沉 积 的反应 可 知 ,在 金 属 镍 沉 积 的 同时 ,伴 随着 单 质 P 的析
镍 金 的催化 晶体 ,铜原 子 由于不具 备化 学镍金 沉积 的 催化 晶种 的特性 ,所 以通过 置换 反应 可使铜 面沉积 所
需要 的催化 晶种 。
图1化学镍金甩金图片
14多 雷 钒 21年 月 4 路资 0 01 7 第 期
很多需按键接触 的电子器械( 如手机 、电
出 。这 说 明镍 层 中含 P 于正常 现象 。 属
而 在 甩 金 的镍层 中发 现 的c 元 素应 该 u
是 导 致 甩 金 的 最 根 本 原 因 。 因 为
图3正 常处 与甩 金处的镍面E 分析结果 DS
fu /u的标 准 电极 电位 为 037 C C ) .3V,高
Z N。N)  ̄(i/ i 的标准 电极 电位一 . 0 0 5 V。根 2
【 关键词 】 C ; P B 化学镍金 ; 甩金 ; 表面处理
一 文/ 杭州方正速 能科技有 限公 司 胡燕辉 柳 良平 谢海 山 张育猛


引言
在P B C 行业 中,为 了保证下游装配 的可靠性 和可操
PB C 业界 大都使 用P S PC作 为化 学镍前 的活 dO或 d 1
化剂 ,在活化制程中 ,化学镍 反应如下 :
化 学 镍 金 又 称 沉 镍 金 ,业 界 常 称 为 无 电镍 金
fl t l s i e I m ri o ) Ee r e c l m es nG l 。其原 理 是 在裸 铜表 cosN k o d
面上化 学镀 镍 ,然 后化 学浸 金 的一 种可 焊性 表面处理
Hale Waihona Puke 23浸金原理 .P“ d +Cu- ̄ 2+ d - Cu + p -
作性 ,通常需要对P B C 进行最终表面处理 。随着 电子技 术 E新 E异 的发 展 ,表 面处 理技术 也得 到 了快 速 的发 t l
22化 学镍原理 .
展 。 目前 ,常用 的表 面处理 方式有 化学镍 金 、电镀 镍 金 、热风平 整 、有机 保焊 剂(s ) o P 、化学沉银 等 。化 学
化学浸金 的金层 厚度一 般控制在0 3 01r,其 对 . ~. e 0 u
二 、化 学镍金工艺介绍
21化学镍金催化原 理 . 化学 镍金 的沉 积 ,必须在催 化 状态下 ,才 能发生
镍面有良好的保护作用 ,而且具备很好的接触导通性 能 ,

选 择性 沉积 。VⅢ族元 素以及A 等 多金属都 可做 为化学 u
要反应为 :
Ni 2 P02 H2 “+ H2 一 +2 O-+ +2 O3 + H H 2 Ni HP 2 4 + 一 4H2 _ HP03+2 +2 O+ PO2 2 2 P H2 H2 一
他表 面处 理工艺 配合 使用 的兼容 性 ,故在业 界得 到 了
广泛 的应用 。
对化学镍金工艺 中的甩金问题进行了分析探讨 。结果发现 :甩金处镍层被腐蚀而形成空洞 ,E S D 分析发现镍层中含有
C 元素 。这很有可能是金缸受到污染,镀液中存在一定含量8C ,镍层与C u Su u 发生自发 的置换反应置换出C 而沉积在 u 镍层上面 ,从而腐蚀镍层形成大量空洞,使之与金层的结合力下降 ,导致化学镍金后甩金。
浸金是 指在 活性镍 表 面 ,通 过化学 置换 反应 沉积 薄金 ,其反应为 :
2 u H N一2 u i+ C 一 A ( )+ i A 4 N C N
工艺 。虽然 化学镍 金 工艺得 到 了广 泛 的应用 ,但针 对
该工 艺 的品质保证 绝非 易事 。本 文从基 本工 艺 出发 , 对化学镍金 中常见的甩金问题进行 了探讨 。
受 到污染 ,镀 液 中存 在一 定含 量 的c “ u ,镍层 与c 生 自发 的置 换反 u发
镍金 工艺 因其 良好 的装配 焊接性 、接 触导通 性及 与其
在 P ( 其 他 催 化 晶 体 ) 催 化 作 用 下 , N d或 的 i被 N HP , a ,O还原沉积在 铜表面 ,当N沉积覆 盖P 催 化 晶体 i d
时 , 自催化反 应继 续进行 ,直 到所需 的镍 层厚 度 。主
S C l P A 技术 交流 T C N O YE C A G E H OL G X H N E
化学镍金工艺 中甩金问题 的探讨
【 要】 摘 化学镍金工艺能够有效的保护导电和焊接表面而被广泛地应用于P B ̄ 。然而 ,针对该 工艺 的品质保证绝非 C t业 易事。化学镍金工艺受药水等因素的影响 ,在品质上容易会出现甩金、渗镀等不良问题。本文利用S M、E S E D 分析手段
子字典) 都采用化学浸金来保护镍面。
三 、 甩 金 问题 分 析
化 学镍 金 工 艺 的控 制 较 难 ,在 生
产过 程 中受各种 因素的影响 ,甩金问题
时有发生 ,如 图1 所示。 由图可知 ,图中 发生了明显的甩金问题 ,镍面形貌不一。
对 图 1 的 镍 面 进 行 扫 描 电 镜 中 fE ) S M 分析 ,其分析结果 如图2 所示 。由