静电场中的高斯定理
- 格式:doc
- 大小:108.00 KB
- 文档页数:2
静电场的高斯定理1. 概述静电场的高斯定理(Gauss’s Law for Electrostatics)是描述静电场的一条基本定理。
它是电磁学中非常重要的一个定理,可以用于分析和计算静电场的特性。
本文将详细介绍静电场的高斯定理的定义、推导以及应用。
2. 高斯定理的定义高斯定理是指,在电荷分布对于静电场的影响下,通过任意闭合曲面的电通量与该闭合曲面所包围的总电荷量之间存在一种数学关系。
数学上,高斯定理可以表示为:高斯定理公式高斯定理公式其中,\\Phi_E 表示电通量,Q 表示闭合曲面所包围的总电荷量,\\varepsilon_0 是真空中的介电常数。
3. 高斯定理的推导高斯定理的推导基于几个基本假设和条件:•静电场是一种无法回避的事实。
•电场从正电荷向负电荷的方向传递能量。
•电场线从正电荷出发,以箭头表示,并且永远不会相交。
在推导高斯定理时,可以将电荷分布看作是由离散点电荷组成的,然后再经过极限过程转化为连续分布的情况。
首先,假设存在一个闭合曲面 S,并在该曲面上取一个微小面元 dA。
考虑这个面元上的电通量dΦ。
由于电场线不可能相交,所以dΦ 可以表示为电场的大小与面元法向量 n 的夹角的余弦值乘以面元的大小:电通量公式电通量公式其中,E 表示面元上的电场强度。
考虑整个曲面上的电通量,可以将所有微小面元上的电通量相加:曲面上电通量公式曲面上电通量公式接下来,将电场用电荷所产生的库伦定律进行表示。
对于一个离散的点电荷 q_i,其电场与面元的夹角为 \\theta_i,则根据库伦定律:点电荷电场公式点电荷电场公式其中,r 是点电荷到面元的距离。
考虑到所有离散点电荷对电通量的贡献,可以将电通量表示为:电通量离散公式电通量离散公式其中,r_i 是离散点电荷到面元的距离。
当离散点电荷的数量非常多时,可以将上述离散形式转化为连续分布的形式。
考虑到面元上的电荷密度 \\rho(面元上的电荷量除以面元的大小),可以将上述公式表示为:电通量连续形式公式电通量连续形式公式其中,V 表示面元所包围的体积。
§11-3 静电场的高斯定理一、 电场线电场线是为了描述电场所引进的辅助概念,它并不真实存在。
1、E用电场线描述规定:E 方向:电力线切线方向大小:E 的大小=该电力线密度=垂直通过单位面积的电力线条数=dsdN即 ds dNE(即:某点场强大小=过该点并垂直于E的面元上的电力线密度。
)2、静电场中电场线性质⑴不闭合、不中断、起自正电荷,止于负电荷。
⑵任意两条电场线不能相交,这是某一点只有一个场强方向的要求。
二、 电通量定义:通过电场中某一面的电力线数叫做通过该面的电场强度通量,用e 表示。
下面分几种情况讨论。
1、匀强电场⑴平面S 与E 垂直。
如图所示,由E的 大小描述可知:⑵平面S 与E 夹角为 ,如图所示,由E的大小描述知:S E ES ES ecos )(n S S式中n 为S的单位法线向量。
2、在任意电场中通过任意曲面S 的电通量如图所示,在S 上取面元dS ,dS 可看成平面,dS 上E 可视为均匀,设n为S d 单位法向向量,S d 与该处E 夹角E 为 ,则通过dS 电场强度通量为:S d E d e通过曲面S 的电场强度通量为:se e S d E d在任意电场中通过封闭曲面的电场强度通量e sE dS vv Ñ注意:通常取面元外法向为正。
三、高斯定理高斯定理是关于通过电场中任一闭合曲面电通量的定理,现在从一简单例子讲起。
1、如图所示,q 为正点电荷,S 为以q 为中心以任意r 为半径的球面,S 上任一点p 处E为:r e r q E 2042、通过闭合曲面S 的电场强度通量为:ssr se dS rq e S d rq S d E 202044(r、ds v同向)202044 qdS r q dS r q ss结论:e 与r 无关,仅与q 有关)(0const 2、点电荷电场中任意闭合曲面S 的电场强度通量⑴q 在S 内情形如图所示,在S 内做一个以q 为中心, 任意半径r 的闭合球面S 1,由1知,通过S 1 的电场强度通量为q。
真空中静电场的高斯定理公式=n(n+1)/2+1,高斯定理也称为高斯通量理论,或称作散度定理、高斯散度定理、高斯-奥斯特罗格拉德斯基公式、奥氏定理或高-奥公式。
在静电学中,表明在闭合曲面内的电荷之和与产生的电场在该闭合曲面上的电通量积分之间的关系。
高斯定律表明在闭合曲面内的电荷分布与产生的电场之间的关系。
高斯定律在静电场情况下类比于应用在磁场学的安培定律,而二者都被集中在麦克斯韦方程组中。
因为数学上的相似性,高斯定律也可以应用于其它由平方反比律决定的物理量,例如引力或者辐照度。
静电场中的高斯定理:高斯定理是静电学中的一个重要定理, 它反映了静电场的一个基本性质, 即静电场是有源场, 其源即是电荷。
可表述为: 在静电场中, 通过任意闭合曲面的电通量, 等于该闭合曲面所包围的电荷的代数和的1/ε倍, 与闭合曲面外的电荷无关。
表达式为01()1/n i i S E ds q φε==∙=∑⎰⎰ (1)高斯定理是用来求场强E 分布, 定理中, S 是任意曲面, 由于数学水平的限制, 要由高斯定理计算出E,则对由场的分布有一定的要求, 即电荷分布具有严格的对称性( 若电荷分布不对称性即不是均匀的, 引起电场分布不对称, 不能从高斯定理求空间场强分布,高斯定理当然仍是成立的) , 由于电荷分布的对称性导致场强分布的对称性, 场强分布的对称性应包括大小和方向两个方面。
典型情况有三种:1) 球对称性, 如点电荷, 均匀带电球面或球体等;2) 轴对称性, 如无限长均匀带电直线, 无限长均匀带电圆柱或圆柱面, 无限长均匀带电同轴圆柱面3) 面对称性, 如均匀带电无限大平面或平板,或者若干均匀带电无限大平行平面。
根据高斯定理计算场强时, 必须先根据电荷分布的对称性, 分析场强分布的对称性; 再适当选取无厚度的几何面作为高斯面。
选取的原则是:○1 待求场强的场点必须在高斯面上;○2 使高斯面的各个部分或者与E 垂直, 或者E 平行;○3 与E 垂直的那部分高斯面上各点的场强应相等;○4 高斯面的形状应是最简单的几何面。
最后由高斯定理求出场强。
高斯定理说明的是通过闭合曲面的电通量与闭合曲面所包围的所有电荷的代数和之间的关系, 即闭合曲面的总场强E 的电通量只与曲面所包围的电荷有关, 但与曲面内电荷的分布无关。
但闭合曲面上的电场强度却是与曲面内外所有电荷相联系的,是共同激发的结果。
下面举一些例子来说静电场中高定理的应用:例1:一半径为R 的带电球体,其电荷体密度分布为()Ar r R ρ=≤,0()r R ρ=>,A 为大于零的常量。
静电场和磁场的高斯定理静电场和磁场是物理学中重要的概念,它们在电磁学中起着至关重要的作用。
本文将介绍静电场和磁场的高斯定理,探讨它们在物理学中的应用。
一、静电场的高斯定理静电场是由电荷引起的,它存在于带电粒子周围的空间中。
静电场的高斯定理描述了电场通过闭合曲面的通量与该闭合曲面内的电荷量之间的关系。
高斯定理表明,闭合曲面内的电场通量等于该闭合曲面内的电荷量除以真空介电常数。
具体而言,如果一个闭合曲面内的电荷量为Q,那么通过该闭合曲面的电场通量Φ等于Q除以真空介电常数ε0。
这个定理对于计算复杂的电场分布非常有用。
我们可以选择适当的闭合曲面来简化计算。
通常选择的闭合曲面是对称的,以便于利用对称性简化计算。
静电场的高斯定理在电场分布对称的情况下特别有用。
例如,当电荷分布具有球对称性、柱对称性或平面对称性时,可以选择相应的闭合曲面来简化计算。
这样,我们就可以通过计算闭合曲面内的电荷量来确定电场的分布情况。
二、磁场的高斯定理磁场是由运动电荷或电流引起的,它是与静电场相对应的一种场。
磁场的高斯定理描述了磁场通过闭合曲面的通量为零。
与静电场不同,磁场的高斯定理表明,闭合曲面内的磁场通量等于零。
这意味着磁场线没有起点和终点,它们是闭合的曲线。
磁场的高斯定理说明了磁单极子不存在。
在物理学中,我们一直没有观察到磁单极子,只有磁偶极子。
这是因为磁场的通量总是形成闭合回路,不存在孤立的磁荷。
磁场的高斯定理对于研究磁场分布非常有用。
通过选择适当的闭合曲面,我们可以计算闭合曲面内的磁场通量,从而确定磁场的分布情况。
三、静电场和磁场的应用静电场和磁场的高斯定理在物理学和工程学中有广泛的应用。
在物理学中,静电场和磁场的高斯定理是研究电场和磁场分布的重要工具。
通过选择适当的闭合曲面,可以简化计算,并确定电场和磁场的分布情况。
在工程学中,静电场和磁场的高斯定理被应用于电场和磁场的建模和仿真。
工程师可以利用高斯定理来计算闭合曲面内的电荷量或磁荷量,从而确定电场和磁场的分布情况,进而设计和优化电子设备和电磁系统。
静电场中的高斯定理:高斯定理是静电学中的一个重要定理, 它反映了静电场的一个基本性质, 即静电场是有源场, 其源即是电荷。
可表述为: 在静电场中, 通过任意闭合曲面的电通量, 等于该闭合曲面所包围的电荷的代数和的1/ε倍, 与闭合曲面外的电荷无关。
表达式为01()1/ni i S E ds q φε==∙=∑⎰⎰ (1)高斯定理是用来求场强E 分布, 定理中, S 是任意曲面, 由于数学水平的限制, 要由高斯定理计算出E,则对由场的分布有一定的要求, 即电荷分布具有严格的对称性( 若电荷分布不对称性即不是均匀的, 引起电场分布不对称, 不能从高斯定理求空间场强分布,高斯定理当然仍是成立的) , 由于电荷分布的对称性导致场强分布的对称性, 场强分布的对称性应包括大小和方向两个方面。
典型情况有三种:1) 球对称性, 如点电荷, 均匀带电球面或球体等;2) 轴对称性, 如无限长均匀带电直线, 无限长均匀带电圆柱或圆柱面, 无限长均匀带电同轴圆柱面3) 面对称性, 如均匀带电无限大平面或平板,或者若干均匀带电无限大平行平面。
根据高斯定理计算场强时, 必须先根据电荷分布的对称性, 分析场强分布的对称性; 再适当选取无厚度的几何面作为高斯面。
选取的原则是:○1 待求场强的场点必须在高斯面上;○2 使高斯面的各个部分或者与E 垂直, 或者E 平行;○3 与E 垂直的那部分高斯面上各点的场强应相等;○4 高斯面的形状应是最简单的几何面。
最后由高斯定理求出场强。
高斯定理说明的是通过闭合曲面的电通量与闭合 曲面所包围的所有电荷的代数和之间的关系, 即闭合曲面的总场强E 的电通量只与曲面所包围的电荷有关, 但与曲面内电荷的分布无关。
但闭合曲面上的电场强度却是与曲面内外所有电荷相联系的,是共同激发的结果。
下面举一些例子来说静电场中高定理的应用:例1:一半径为R 的带电球体,其电荷体密度分布为()Ar r R ρ=≤,0()r R ρ=>,A 为大于零的常量。
电场的高斯定理电场是物理学中重要的概念之一,它描述了电荷间相互作用的力。
为了更好地理解电场的性质和计算电场强度,物理学家引入了高斯定理。
本文将会介绍电场的高斯定理及其应用。
1. 高斯定理的定义电场的高斯定理是描述电场通量与电荷之间关系的重要定理。
它的数学表达式为:∮E⋅dA = Q/ε0在这个公式中,∮E⋅dA表示电场E对一个封闭曲面的通量,Q表示通过该封闭曲面的净电荷量,ε0为真空介质的介电常数。
2. 高斯定理的意义和应用高斯定理描述了电场的通量与被封闭电荷的关系,它对求解复杂电荷分布的电场有很大的简化作用。
利用高斯定理,可以轻松地计算出球对称电荷分布的电场强度。
此外,高斯定理还可用于求解导体表面的电场和电势,从而帮助我们更好地理解电场行为。
3. 高斯面的选择在应用高斯定理进行电场计算时,选择适当的高斯面是至关重要的。
一般情况下,我们选择一个与电荷分布对称的高斯面,这样可以使计算更简单。
对于点电荷,选择以该点电荷为球心的任意球面作为高斯面;对于线电荷,可以选择以线电荷为轴的柱面作为高斯面;对于面电荷,选取以面电荷为中心的任意闭合曲面作为高斯面。
4. 高斯定理的物理解释高斯定理的物理解释是:电场的通量与通过封闭曲面的净电荷量成正比,与曲面形状无关。
这意味着无论曲面是球面、柱面还是其他形状,只要曲面内的净电荷量不变,通过曲面的电场通量也将保持不变。
5. 高斯定理的示例为了更好地理解高斯定理的应用,这里给出一个示例。
假设一个均匀带电球体,球体上的电荷密度为ρ。
我们将选择一个以球心为中心的球面作为高斯面。
球面上的电场通量将与球内的净电荷量成正比,而球内的净电荷量等于球体的总电荷,即Q = 4πR^3ρ/3。
根据高斯定理的公式,我们可以很容易地计算出球面上的电场强度。
6. 高斯定理的应用范围高斯定理的应用范围非常广泛,不仅适用于静电场,也适用于恒定电场。
它在求解电场问题时提供了一种简洁而有效的方法。
在电荷分布具有某种对称性时,特别是球对称或柱对称分布时,高斯定理的应用更加简单。
高斯定理在静电场中的应用问题高斯定理及其在静电场中的应用1. 什么是高斯定理高斯定理,又称高斯公式,是物理学中由德国物理学家和数学家卡尔·莫尔·高斯于1813年提出的,也可用于解决复杂的物理问题的公式。
它主要描述了在一个给定空间内,任何物体上表观存在的力以及它们对其他物体产生的作用。
2. 高斯定理在静电场中的应用高斯定理具有普遍的应用,其中之一是静电场应用,高斯定理可以用于描述一个静电场中任意点上物体表面定义的电势能量。
高斯定理可以被应用于电容器中的电荷分布,表面电场的测量,以及解决可偶极应力和电流分布的问题。
例如,当静电场作用于电容器中电荷的时候,高斯定理指出啮合内封闭的曲面的电势V即可计算出来。
V = ∫∇⋅E⋅ds 这里E是内电场,ds是封闭曲面的法线面积元素积分二面积,这就是我们常说的壶体定理,也就是曲面电势的积分。
同样,高斯定理也可以被用来求解表面电场分布。
此时,我们可以在平板电极上放置很小的无质量电荷观测表面电场分布情况,然后用高斯定理求解电荷周围的电场。
例如,由高斯定理可以算出在任何点P处电荷密度induces 的电场E = ɸ/4πɛ0,在此过程中ɸ为电容器上的电荷,ɛ0是空气介质的介电常数。
另外,高斯定理还被广泛用于解决可偶极应力和电流的分布状况,比如在测试图中,它可以用来求解球面上任意一点处的电场强度。
用高斯定理求解可偶极应力分布,计算结果显示封闭曲面上垂直于表面的电场强度E必定是相等的,其数值为Φ/4πɛ0。
而当一个界面施加了足够的电场压强时,这个界面上的可偶极应力分布的特殊表象就会变化。
因此,高斯定理也可以用于解决由可偶极应力引起的项目求解问题。
3. 结论从上述内容可以看出,高斯定理的应用过于广泛,但是在应用静电场中,它可以帮助我们很好地解决复杂的物理问题,比如说电容器中的电荷分布,表面电场的测量,以及可偶极应力和电流分布的求解问题。
因此可以说,高斯定理为我们在研究静电场领域提供了极大的便利,使我们可以以较少的代价求出场中任意物体表面定义的电势能量,从而使我们能更好地理解和研究静电场。
静电场中的高斯定理:
高斯定理是静电学中的一个重要定理, 它反映了静电场的一个基本性质, 即静电场是有源场, 其源即是电荷。
可表述为: 在静电场中, 通过任意闭合曲面的电通量, 等于该闭合曲面所包围的电荷的代数和的1/ε倍, 与闭合曲面外的电荷无关。
表达式为
01()1/n
i i S E ds q φε==•=∑⎰⎰ (1)
高斯定理是用来求场强??E 分布, 定理中, S 是任意曲面, 由于数学水平的限制, 要由高斯定理计算出E,则对由场的分布有一定的要求, 即电荷分布具有严格的对称性( 若电荷分布不对称性即不是均匀的, 引起电场分布不对称, 不能从高斯定理求空间场强分布,高斯定理当然仍是成立的) , 由于电荷分布的对称性导致场强分布的对称性, 场强分布的对称性应包括大小和方向两个方面。
典型情况有三种:
1) 球对称性, 如点电荷, 均匀带电球面或球体等;
2) 轴对称性, 如无限长均匀带电直线, 无限长均匀带电圆柱或圆柱面, 无限长均匀带电同轴圆柱面
3) 面对称性, 如均匀带电无限大平面或平板,或者若干均匀带电无限大平行平面。
根据高斯定理计算场强时, 必须先根据电荷分布的对称性, 分析场强分布的对称性; 再适当选取无厚度的几何面作为高斯面。
选取的原则是:
○
1 待求场强的场点必须在高斯面上;○
2 使高斯面的各个部分或者与E 垂直, 或者E 平行;○
3 与E 垂直的那部分高斯面上各点的场强应相等;○
4 高斯面的形状应是最简单的几何面。
最后由高斯定理求出场强。
高斯定理说明的是通过闭合曲面的电通量与闭合 曲面所包围的所有电荷的代数和之间的关系, 即闭合曲面的总场强E 的电通量只与曲面所包围的电荷有关, 但与曲面内电荷的分布无关。
但闭合曲面上的电场强度却是与曲面内外所有电荷相联系的,是共同激发的结果。
下面举一些例子来说静电场中高定理的应用:
例1:一半径为R 的带电球体,其电荷体密度分布为()Ar r R ρ=≤,0()r R ρ=>,A 为大于零的常量。
试求球体内外的场强分布及其方向。
解:在球内取半径为r 、厚为d r 的薄球壳,该壳内所包含的电荷为 23d d 4d 4d q V Ar r r Ar r ρ==⋅π=π
在径为r 的球面内包含的总电荷为
430d 4d Ar r r A V q V r
ππρ==⋅=⎰⎰⎰⎰ ()r R ≤
以该球面为高斯面,按高斯定理有 0421/4εAr r E π=π⋅
得到 ()0214/εAr E =, (r ≤R )
方向沿径向向外
在球体外作一半径为r 的同心高斯球面,按高斯定理有
0422/4εAR r E π=π⋅
得到 ()20424/r AR E ε=,()r R > 方向沿径向向外
例题2:有两个同心的均匀带电球面,半径分别为1R 、2R )(21R R <,若大球面的面电荷密度为σ,且大球面外的电场强度为零,求:(1)小球面上的面电荷密度;(2)大球面内各点的电场强度。
解: (1)设小球面上的电荷密度为σ',在大球面外作同心的球面为高斯面,
由高斯定理: 0
'1220int 4'4d επσπσεR R q S E S ⋅+⋅==⋅⎰⎰ ∵大球面外0=E ∴ 2221440R R σπσπ'⋅+⋅=
解得: 221()R R σσ'=- (2) 大球面内各点的场强两个均匀带电球面场强的迭加:内部场强为零,外部相当点电荷
在1r R <区域: 00021=+=+=E E E
在12R r R <<区域: 2112204'04R E E E r πσπε=+=+=2
20⎪⎭⎫ ⎝⎛-r R εσ 2 对高斯定理的几点说明
高斯定理是电磁学中的重要定理之一。
其数学表达式为
01
()1/n
i i S E ds q φε==•=∑⎰⎰ 它表示通过闭合曲面的电通量等于该闭合曲面内电荷代数和的0
1ε倍。