南京理工大学2004电子技术基础考研试题

南京理工大学研究生入学考试大纲
科目名：《电子技术基础》
一. 考试内容
模拟电路部分
1半导体器件
（1）半导体的基本概念：本征半导体；PN结
（2）半导体二极管：①半导体二极管的伏安特性；半导体二极管的主要参数；半导体二极管电路的分析。

（3）稳压二极管：稳压二极管的伏安特性；稳压二极管的主要参数；稳压二极管电路的分析。

（4）半导体三极管：三极管的电流放大特性；三极管的特性曲线和主要参数
（5）场效应管：
①结型场效应管的工作原理；伏安特性；主要参数；输出特性曲线；转移特性曲线；
②绝缘栅型场效应管的工作原理；伏安特性；主要参数；输出特性曲线；转移特性曲线；输出特性曲线的三个区；
2基本放大电路
（1）三极管放大电路：固定偏置放大电路的组成和分析；分压偏置放大电路的组成和分析；有交流射极电阻的共射放大电路的组成和分析；共集放大电路的组成和分析；
（2）场效应管放大电路：场效应管放大电路；场效应管的微变等效模型；场效应管的两种静态偏置电路：自给偏压电路与分压式偏置电路；基本共源电路的组成、静态分析、动态分析方法；基本共漏电路及其静态、动态分析。

3 多级放大电路。

南京理工大学研究生入学考试大纲科目名：《电子技术基础》一. 考试内容模拟电路部分1半导体器件（1）半导体的基本概念：本征半导体；PN结（2）半导体二极管：①半导体二极管的伏安特性；半导体二极管的主要参数；半导体二极管电路的分析。

（3）稳压二极管：稳压二极管的伏安特性；稳压二极管的主要参数；稳压二极管电路的分析。

（4）半导体三极管：三极管的电流放大特性；三极管的特性曲线和主要参数（5）场效应管：①结型场效应管的工作原理；伏安特性；主要参数；输出特性曲线；转移特性曲线；②绝缘栅型场效应管的工作原理；伏安特性；主要参数；输出特性曲线；转移特性曲线；输出特性曲线的三个区；2基本放大电路（1）三极管放大电路：固定偏置放大电路的组成和分析；分压偏置放大电路的组成和分析；有交流射极电阻的共射放大电路的组成和分析；共集放大电路的组成和分析；（2）场效应管放大电路：场效应管放大电路；场效应管的微变等效模型；场效应管的两种静态偏置电路：自给偏压电路与分压式偏置电路；基本共源电路的组成、静态分析、动态分析方法；基本共漏电路及其静态、动态分析。

3 多级放大电路（1）多级放大电路的三种耦合方式：（2）阻容耦合放大电路及其分析方法；（3）直接耦合放大电路及其分析方法；（4）变压器耦合放大电路；4差分放大电路（1）差放电路的工作原理：差放电路的组成；抑制零漂的原理；信号的三种输入方式：差模、共模、任意输入方式；共模电压放大倍数；差模电压放大倍数；共模抑制比；（2）差放电路的四种输入输出方式；双端输入双端输出方式；双端输入单端输出方式；（3）长尾差分放大电路:电阻长尾差分放大电路的静态分析和动态分析；带恒流源长尾差放电路的组成和静态分析、动态分析；5功率放大电路（1）功率放大电路的特点；（2）功率放大电路的三种工作状态；甲类、乙类、甲乙类功率放大电路的特点。

（3）甲类功率放大电路的组成及分析方法（甲类功率放大电路的工作原理，静态分析，动态分析。

【电光】南理工2004年《微波技术》A卷（附答案）分析（教师组卷、存档用）一.简答题 (10分)1.试给出微波的频率和波长 (在自由空间) 范围.2.(1) 传输线中的不同模式具有各自不同的特点, 简述圆波导中TE11,TM01和TE01模的不同特点;(2) 在以下的三种工程应用中, 应各自选择何种模式作为其工作模式最为有利? (a) 毫米波长距离多径通讯; (b) 机械扫描雷达天线用的旋转关节 (rotating joints); (c) 极化衰减器.3.为了降低矩形波导中主模的截止频率, 可以采取哪些措施?4.在何种情况下可以忽略微带线的辐射损耗? (Radiation loss)二.(1) 画出矩形波导中TE02模和TM21模的横截面场分布示意图. (5分)(2) 根据主模的壁电流分布特点, 试简单阐述波导测量线的工作原理.（5分)(3) 如果提供一台信号源, 一付波导测量线和选频放大器, 请简述驻波和波导波长的测量方法. (5分)三.波导衰减器可以用图(1)所示的一段截止波导构成.假设波导宽边a=22.86cm,工作频率为12GHz. 试求解以下问题: (15分)(1) 两段波导中主模的截止频率;(2) 如果衰减量为50dB, 问中间的截止波导的长度为多少毫米？四. 微波器件的散射参数可以用矢量网络分析仪测量得到, 其外部特性便可以用散射参数来表示. 下面是测量所得的某二端口微波器件的S-参数: (10分)据此S-参量, 请确定该二端口器件的如下外部特性参量:(1) 插入相移θ;(2) 输入驻波比;(3) 插入衰减(dB).五．假设一个50Ω的微带线，衬底介电常数为2.33, 衬底厚度为1.27mm, 导带宽度为3.913mm, 工作频率为2.5GHz. 试求：（15分）（１）有效介电常数；（２）波导波长；（３）如果根据上述参数设计一微带线谐振器，请问其长度如何选择？ []32320.320.880.880.32j j j j e e s e e ππππ=六．用Smith 圆图求图 (2) 所示无耗传输线的以下参量：（20 分）(1) 传输线上的驻波比和终端负载处的电压反射系数；(2) 该传输线的输入阻抗；(3) 若相邻两波节点的间距为60mm, 试求终端负载到第一个电压波腹点和第一个电压波节点的实际距离；(4) 给出第一个电压波腹点和波节点处的输入阻抗值(非归一化值)．图(2)七．魔Ｔ(Magic T) 是一种应用非常广泛的无源微波器件，图(3) 所示是其结构示意图．如果微波信号分别从Ｅ臂和Ｈ臂输入，试分析能量的输出特性，并画出各端口的电场分布图．（15分）图(3)Z in ? L= 0.32λZ L =60+j50Ω Z 0=50Ω微波技术试题答案及评分标准一. 简答题（10分，每小题2.5分）1. 微波的频率范围: 300MHz ~ 300GHz , 在自由空间的波长为1m~1mm 。

[][]的平均值为多少？态上力学量）在少？（体系能量的平均值为多出现的概率是多少可测得哪些值？各个值态的体系进行能量测量）对处于求（是正的实数。

，其中，的矩阵表示分别为：学量及力系哈密顿量算符为态空间中得基矢，体和、中，态十一、已经体系处于状的可能值是多少？下，力学量）（）（十、求在状态的几率为多少？的值为的本征态，求在此态中）如果粒子处于的本征值和本征态；（）表象中，求（九、在）能量至一级修正。

（示；）微扰哈密顿的矩阵表。

写出（《，其中矩阵表示为八、体系哈密顿算符的分）能量至二级修正值。

（为实数。

用微扰公式求，且七、在能量表象中分）。

（。

证明，六、设分）。

（中算符的表示为五、试证明在动量表象分）（的本征值和本征函数。

分量四、求角动量的分的可微函数，试证明：是三、设分）彼此正交。

（同能级的束缚态波函数）中运动，证明属于不（二、粒子在一维势场分）流密度。

（计算其几率密度和几率的粒子处于定态波函数一、质量为试题（量子力学）年硕士研究生入学考试南京理工大学A A H AHS L J Y S Y S S S S S S H b a E E a E b b a E H i S S pi xI z pf i q f pq q q f i p q x V erm Z Z Z Z y x y x Z y x Z ikrZψψαωαωϕϕϕϕϕϕψϕθχϕθχψααααββαβαϕ3)2(?1010100001ˆ200020001ˆˆˆ212121-ˆˆˆ),(),(231222ˆ,ˆ1ˆ2112002002ˆ15,,ˆ152ˆ,2ˆ100115ˆ15-i ˆ)15.(2)(,)(,,1515,12004003213211121-1021020102012⎪⎪⎪⎭⎫⎝⎛=⎪⎪⎪⎭⎫⎝⎛=++=+=⎥⎦⎤⎢⎣⎡+==⎪⎪⎪⎭⎫⎝⎛=≠⎪⎪⎭⎫+ ⎝⎛+=-==⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=∂∂=∂∂====ψ南京理工大学2005年硕士研究生入学考试试题[][]()()面。

机密★启用前江苏大学2004年硕士研究生入学考试试题考试科目：电子技术考生注意：答案必须写在答题纸上，写在试题及草稿纸上无效！需要用计算器。

一、单项选择题（本大题共20小题，每小题2分，共40分） 请将正确选项前的字母连同题号一起，写上答题纸，否则不予计分。

1、当PN 结外加反向电压时，其耗尽层变宽，势垒增强。

因此，扩散电流为【 】。

A 、零；B 、无穷大；C 、毫安数量级；D 、微安数量级2、界定双极型晶体三极管（BJT ）安全工作区的3个极限参数是I CM 、P CM 和【 】。

A 、I CEO ；B 、U （BR ）CER ；C 、U （BR ）CEO ；D 、U CES3、在某一放大电路中，测得一只BJT 的3个管脚的电位分别是12V 、11.7V 、6V ，可知该管的类型为【 】。

A 、PNP 锗管；B 、NPN 锗管；C 、PNP 硅管；D 、NPN 硅管4、与BJT 相比，场效应晶体管（FET ）的温度稳定性【 】。

A 、差一些；B 、好得多；C 、与BJT 大致相同；D 、差得很5、交流负反馈能从4个方面改善放大电路的性能，改善的程度均与【 】有关。

A 、反馈系数； B 、反馈深度； C 、环路增益； D 、闭环增益6、单级BJT 共射放大电路的上限频率f H 主要由【 】决定。

A 、BJT 的C b ′e 和C b ′c ； B 、隔直耦合电容C 1、C 2； C 、BJT 的f α和f β； D 、共射电路的静态工作点Q7、工作在线性区的集成运算放大器处于【 】状态。

A 、理想；B 、开环；C 、不但开环，而且引入正反馈；D 、闭环（引入负反馈） 8、在如下由集成运放组成的应用电路中，运放处于线性区的电路是【 】。

A 、三角波发生电路； B 、电容三点式振荡器； C 、迟滞型电压比较器； D 、反相输入积分运算电路9、实际功放电路中的双极型晶体三极管常采用甲乙类，而不采用乙类工作状态，因为乙类工作状态会引起功放电路输出波形的【 】。

南京理工大学2004年硕士学位研究生入学考试试题试题编号：200410030考试科目：微机原理与接口技术B （满分150分）考生注意：所有答案（包括填空题）按试题序号写在答题纸上，写在试卷上不给分一、填空题（30分）1.子程序设计中，参数传递的方法主要有、和。

2.16位二进制补码可表示的数的范围为。

3-指示性语句和指令性语句分别在程序的和中起作用。

4.系统初始化后，己知SS=2500H，SP=200H，则堆栈医域的大小为。

5.8086/8088系统中，己知SP=3E00H,若在CS段偏移2568H单元存放一条CALL LABI （近程调用），则该指令执行后，SP= ，IP= 。

6.某微机系统中内存RAM区由INTEL2114 （1K*4）芯片组成，若RAM总容量为6K字节，则需要片2114芯片。

若另采用3-8译码，则至少需要地址总线中的.根地址线。

7.知有两个十进制数X=-88,Y=40。

试计算：[X]H= H； [X-YV H。

8.CPU和DMA控制器之间是通过CPU的引脚、进行总线控制权交换的。

9.串行接口芯片INTEL8251A同步方式有内同步和外同步两种方式，按内同步方式工作时引脚SYNDET作为输端，按外同步方式工作时引脚SYNDET 作为输端.该芯片的引脚TxRDY为“1”的条件是。

10.CPU与存储器或I/O端口传输一次数据所用的时间称为。

11.当数据从8255A的端口C上读出时，8255A的引脚CS , Al, AO, RD, WR分别为电平。

12.静态RAM芯片的较低，但在其工作过程中，不需要进行操作: 而动态RAM芯片刚好相反。

13.8259A中断管理中，单片8259A可管理8级中断，若有7片级联时.最多可管理级中断14.#微机系统中采用Cache存储器的作用是，影响Cache存储器效率发挥的主要因素为Cache的容量和，通常用“命中率”来衡量Cache的效率，其含义是，15.当8255A的端口A工作在方式2时，需要C 口的根信号线作为联络线使用，此时B 口可以工作在。

[][]的平均值为多少？态上力学量）在少？（体系能量的平均值为多出现的概率是多少可测得哪些值？各个值态的体系进行能量测量）对处于求（是正的实数。

，其中，的矩阵表示分别为：学量及力系哈密顿量算符为态空间中得基矢，体和、中，态十一、已经体系处于状的可能值是多少？下，力学量）（）（十、求在状态的几率为多少？的值为的本征态，求在此态中）如果粒子处于的本征值和本征态；（）表象中，求（九、在）能量至一级修正。

（示；）微扰哈密顿的矩阵表。

写出（《，其中矩阵表示为八、体系哈密顿算符的分）能量至二级修正值。

（为实数。

用微扰公式求，且七、在能量表象中分）。

（。

证明，六、设分）。

（中算符的表示为五、试证明在动量表象分）（的本征值和本征函数。

分量四、求角动量的分的可微函数，试证明：是三、设分）彼此正交。

（同能级的束缚态波函数）中运动，证明属于不（二、粒子在一维势场分）流密度。

（计算其几率密度和几率的粒子处于定态波函数一、质量为试题（量子力学）年硕士研究生入学考试南京理工大学A A H A HS L J Y S Y S S S S S S H b a E E a E b b a E H i S S pi x I z pf i q f p q q q f i p q x V e rm Z Z Z Z y x y x Z y x Zikr Z ψψαωαωϕϕϕϕϕϕψϕθχϕθχψααααββαβαϕ3)2(?1010100001ˆ200020001ˆˆˆ212121-ˆˆˆ),(),(231222ˆ,ˆ1ˆ2112002002ˆ15,,ˆ152ˆ,2ˆ100115ˆ15-i ˆ)15.(2)(,)(,,1515,12004003213211121-1021020102012⎪⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=⎪⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=++=+=⎥⎦⎤⎢⎣⎡+==⎪⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=≠⎪⎪⎭⎫+ ⎝⎛+=-==⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=∂∂=∂∂====ψ南京理工大学2005年硕士研究生入学考试试题[][]()()面。

南京理工大学电子技术基础2012年攻读硕士学位研究生模拟试卷（二）（试卷上做答无效，请在答题纸上做答，试后本卷必须与答题纸一同交回）科目名称：电子技术基础 ( 含数字与模拟电路 )第一部分：模拟电路一、填空题 ( 共 10 分，每小题 2 分 )1 、由二极管 D 和正偏直流电源V ，交流信号源υs 及负载 RL 构成的串连电路，当V ＝ 3V 时，测得 RL 上的交流压降 U L＝ 100mV 。

若调节V ＝4V ，其他参数不变，则υL =_______100mV 。

2 、基本放大电路的静态工作电流调得太大，容易产生_______ 失真，这种失真属于_______ 失真。

3 、放大器中的噪声是_______, 是放大器中_______ 所造成的。

放大器的噪声系数 N F的定义是：________ 。

4 、某负反馈放大电路，其开环增益 Ag ＝ 100mS ，反馈系数 Fr ＝ 10KΩ，开环输入电阻R i ＝ 3KΩ，则其闭环输入电阻R if ＝_________ 。

（R i 和R if 均为未考虑偏置电阻的输入电阻）5 、由集成运放构成的非正弦波信号（三角波、矩形波、锯齿波）发生电路，通常由________和________ 电路两部分组成。

二、分析与计算题1 ．（ 8 分）对于增强型 n 沟 MOSFET ，1 ）写出其在线性区的伏安特性表达式；2 ）在 V DS＞＞ 2 （ V GS－ V TH）条件下，写出上述伏安特性表达式的近似表达式；3 ）已知 MOSFET 的μn · Cox ＝ 50 μA/V 2 ， V TH＝ 0.7V, 当V GS =2.5V ，求此时该 MOSFET 的等效导通电阻 R ON＝？2 ．（ 10 分）两相同单级放大器组成二级放大器，回答如下问题1 ）在其单级放大器的截止频率处，二级放大器的放大倍数比其单级中频放大倍数下降多少 dB ？2 ）为保证二级放大器的上限频率为 106 Hz ，下限频率为 156Hz ，计算每个单级放大器的上限频率和下限频率分别应为多少？3 ．（ 6 分）一理想运算放大器组成的电路如图所示，试求该电路的输入电阻R i 表达式。

南京理工大学电子技术基础2012年攻读硕士学位研究生模拟试卷（一）（试卷上做答无效，请在答题纸上做答，试后本卷必须与答题纸一同交回）科目名称：电子电路 ( 包括模拟电子技术基础和数字电子技术基础 )Ⅰ . 模拟电路部分 ( 共 75 分 )一、填空题（共 20 分，每空 1 分）1. 在共射、共集、共基三种基本组态电路中，希望工作频率较高的电路是_____ ；希望带负载能力最强的电路是。

2. 集成运算放大器的输入级多采用差动放大电路的原因是_____ ；输出级采用互补对称电路的原因是 _____。

3. 一个完整的串联型稳压电路由_____ 、_____ 、_____ 等四部分组成。

4. 从反馈组态看，同相比例运算电路属于_____ 负反馈；反相比例运算电路属于_____ 负反馈。

5. 理想集成运算放大器的电压放大倍数 A vd = _____；输入电阻 R id=_____ ；输出电阻 R0 =_____ ；共模抑制比 K CMR =_____ 。

6. 正反馈电路形成的正弦波振荡器的频率是根据_____ 条件确定；欲使振荡器能自行建立振荡，满足的条件是_____ ；振荡器的稳幅条件是_____ 。

7. 在桥式整流电路中，负载为纯电阻，如变压器次级的交流电压有效值 V2= 20V ，则整流输出直流电压 V0__________ = V ，而整流二极管所承受的最大反向电压 V RM =_____ V 。

8. 某负反馈放大电路，其开环增益 Ag = 100ms ，反馈系数 F r =10kΩ，开环输入电阻R′i = 3kΩ，则其闭环输入电阻R′if =__________ （R′i、R′if 均为未考虑偏置电阻的输入电阻）。

二、选择题（在每小题的备选答案中选出一个正确答案，将其号码填在题干的括号内。

每小题 1 分，共 10 分）1. 晶体三极管基极电流I B =0.02mA ，发射极电流I E =1.02mA ，其电流放大系数β、α分别为（）。