半导体器件柔性可拉伸半导体器件第8部分：柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性测试方法1 范围本文件描述了用于评价柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性的术语和测试方法。
对测试方法的说明包括了试验流程和所用设备。
本文件还包括环境温度和相对湿度等测试条件的通用要求。
本文件中描述的测试方法侧重于评价稳定性，而不是可靠性。
2 规范性引用文件本文件没有规范性引用文件。
3 术语和定义下列术语和定义适用于本文件。
3.1柔性电阻存储器flexible resistive memory通过改变介电材料的电阻来实现存储功能的柔性器件。
3.2弯曲半径bending radius按内部曲率测量的管道、管材、板材、电缆或软管等材料可弯曲的最小半径。
3.3低阻态resistance of low resistance stateLRS由施加较高电压（单极性转变）或正向偏压（双极性转变）所引发的一种稳定电阻状态。
3.4高阻态resistance of high resistance stateHRS由施加较低电压（单极性转变）或反向偏压（双极性转变）所引发的一种稳定电阻状态。
3.5置位电压set voltage用于转换至低电阻状态的电压。
3.6复位电压reset voltage用于转换至高电阻状态的电压。
总则4测试方法4.1 本文件适用于柔性电阻存储器，用于评价其延展性、柔韧性和稳定性。
这种类型的半导体器件主要用于与柔性或可穿戴相关的电子产品，这些电子产品在使用时通常会被拉伸或弯折。
因此，器件能在机械形变下保持其主要性能参数至关重要。
本标准的第1部分描述了详细的性能参数和测试流程，本文件中的表1汇总了适用于电阻存储器的性能参数和测试流程。
本文件着重于测试延展性、柔韧性和稳定性的试验方法，并包括对试验设置的描述。
机械形变会引发电阻存储器性能退化率增加,是电阻存储器可靠性最显著的问题之一。
这种性能退化是由此类半导体器件所使用的电极和阻变材料中的裂纹造成的。
