电路与模拟电子技术基础(第三版)(真正完全版)

第一章 电路的基本概念和基本定律1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？ 解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。

P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。

本题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向，元件3上电压和电流为关联参考方向，因此 P 1=-U 1×3= -（-5）×3=15W ； P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ；P 3=U 3×（-1）=-3×（-1）=3W ； P 4=-U 4×（-4）=-（-3）×（-4）=-12W 。

元件2、4是电源，元件1、3是负载。

1.2 在题 1.2图所示的RLC 串联电路中，已知)V 33t t C e e (u ---= 求i 、u R 和u L 。

解：电容上电压、电流为非关联参考方向,故()()33133t t t t c du di ce e e e A dt dt--=-=-⨯-=- 电阻、电感上电压、电流为关联参考方向()34t t R u Ri e e V --==-()()3313t t t t L di du Le e e e V dt dt----==⨯-=-+1.3 在题1.3图中，已知I=2A ，求U ab 和P ab 。

解：U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V ， 电流I 与U ab 为关联参考方向，因此P ab =U ab I=6×2=12W1.4 在题1.4图中，已知 I S =2A ，U S =4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。

解：I=I S =2A ，U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ，U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ， U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ，验算：P U +P I +P R =8-12+4=01.5 求题1.5图中的R 和U ab 、U ac 。

第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。

如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。

(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。

习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS 场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。

习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。

习题1-18图习题1-19图R b R e i U +oUR i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=LR '=定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↑。

u A ，↓。

u A ↓。

u A ④增大β，则I BQ基本不变u Ai U +oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ 100.70.0220510CC BEQ b V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q l 点处，0.5,CEQ CQ U V I ≈≈解：①可先用近似估算法求I BQ 100.70.0220510CC BEQb V U mA A R μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处，0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ωi U oU (b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ωi U oU图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻u A R b C 1R iU o U ++_(u R A β=-( u RAβ=-?ouiUAU==o ii i oU RU R R=+iU o U+_(uRAβ=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR biU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k(//c u R A r β=R 1i U oU -m (1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩCR E1Us习题2-27P110答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档)：直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。

模拟电子技术基础第三版课后答案王远.doc模拟电子技术基础第三版课后答案王远【篇一：模电资料】术基础是高等院校电气、信息类（包括原自动化、电气类、电子类）专业知识平台重要核心课程，是学生在电子技术入门阶段的专业基础课。

课程涉及模拟信号的产生、传输及处理等方面的内容，工程实践性很强。

课程任务是使学生获得适应信息时代电子技术的基本理论、基本知识及基本分析方法。

旨在培养学生综合应用能力、创新能力和电子电路计算机分析、设计能力。

课程学习完成能为学生以后深入学习电子技术及其在专业中的应用打好两方面的基础；其一是正确使用电子电路特别是集成电路的基础；其二是为将来进一步学习设计集成电路专用芯片打好基础。

《模拟电子技术基础》是电气电子类各专业的一门重要的技术基础课。

其作用与任务是使学生获得低频电子线路方面的基本理论，基本知识和基本技能。

本课程在介绍半导体器件的基础上，重点要求掌握放大器的各种基本单元电路、放大器中的负反馈、运算放大器及其应用、直流电源等低频电子线路电路的工作原理、分析方法和设计方法，使学生具有一定的实践技能和应用能力。

培养学生分析问题、解决问题的能力和创新思维能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。

教学大纲一、课程名称模拟电子技术基础analog electronics二、学时与学分本课程学时：60 学时(课内) 本课程学分： 3.5 学分三、授课对象电类本科生、专科生四、先修课程电路理论、电路测试与实验技术五、教学目的《模拟电子技术基础》是电子类等专业入门性质的课程，是实践性很强的技术基础课。

课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析问题和解决问题的能力。

通过本课程的学习，使学生具备应用电子技术的能力，为学习后续课程和电子技术在专业中的应用打好基础。

六、主要内容、基本要求及学时分配第一章绪论主要内容基本要求学时数 2第二章半导体二极管及其基本电路主要内容基本要求学时数 4第三章半导体三极管及放大电路基础主要内容基本要求学时数18第四章场效应管放大电路主要内容基本要求学时数 4第五章功率放大电路主要内容基本要求学时数 4第六章集成电路运算放大器主要内容基本要求学时数 6第七章反馈放大电路主要内容基本要求学时数8第八章信号的运算与处理电路主要内容基本要求【篇二：模拟电子技术课程标准】t>电子与信息工程系（院）课程教学标准课程名称模拟电子技术课程类型理论＋实践授课对象三年制大专学生课程学分 4 总学时722009 年12 月《模拟电子技术》教学标准课程名称：模拟电子技术课时：72适用专业：应用电子技术、电子信息工程技术、通信技术、汽车电子技术1．课程定位模拟电子技术是电类专业的一门重要岗位能力课程，是培养生产一线高级技术应用型人才硬件能力的基本入门课程，是十分强调应用实践的工程性质的课程，对人才培养有着至关重要的作用。

模拟电子技术基础第二章双极型晶体三极管和基本放大电路习题解答本章习题：2-4、2-7、2-8、2-10、2-12、2-14、2-172-17、2-19、2-24、2-25作者：孟梦 童瑞川 徐昌洪w.k hd a w.c o 课后答案网2-4：在放大电路中测得晶体管各电极对地的直流电压如下所列，确定它们各为哪个电极，晶体管是NPN型还是PNP型？�解题思路：晶体管工作在放大区时发射结正偏、集电结反偏。

�ebcUUU>>NPN PNPcbeUUU>>⎩⎨⎧=VVBEU7.03.0锗管硅管⎩⎨⎧−−=VVUBE7.03.0锗管硅管w.khdaw.co课后答案网A 管:首先，根据x ，y 差值为0.3判断出z 为c 极，又由c 极电压最小，判断出管子为PNP 型，则e 极电压比b 极要高，故x 为e 极,y 为b 极B 管首先，根据x ，z 差值为0.3判断出y 为c 极，又由c 极电压最高，判断出管子为NPN 型，则b 极电压比e 极要高，故x 为b 极,z 为e 极VU V U V U z y x 6,7.11,12===V U V U V U z y x 5.5,1,2.5−=−=−=w.k hd a w.c o 课后答案网2-7 根据放大电路的组成原则判断电路能否正常放大？如果不能，指出其中的错误，并加以改正。

�放大电路的组成原则：�（1）要有合适的静态工作点，晶体管工作在放大区,发射结正偏、集电结反偏。

�（2）输入信号能加到基极，输出信号能够取得出来。

w.k hd a w.c o 课后答案网a)�由图可知为PNP 型�则需�电路中b 、c 两极电压为正值，e 极接地，不满足发射结正偏、集电结反偏条件。

�应该把V CC 接负电压。

cb e U U U >>w.k hd a w.c o 课后答案网b)b极对地电位为0，无基极偏置电流。

应该将b极经一电阻接VCC。