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tmc士兰微车规级sic功率模块封装技术及发展趋势
摘要：
一、TMC士兰微简介
二、车规级SiC功率模块封装技术
三、车规级SiC功率模块的发展趋势
正文：
TMC士兰微是一家专注于半导体器件制造的企业，近期在车规级SiC功率模块封装技术及发展趋势方面取得了显著成果。
车规级SiC功率模块封装技术是TMC士兰微的重点研发方向之一。
该公司通过不断优化材料选择、器件结构和制造工艺，成功实现了SiC功率模块的高可靠性、高性能和高效率。
目前，TMC士兰微的车规级SiC功率模块封装技术已广泛应用于新能源汽车、充电桩等领域。
随着电动汽车市场的快速发展，车规级SiC功率模块的需求也在不断增加。
根据相关数据显示，未来几年，车规级SiC功率模块市场规模将呈现快速增长的趋势。
同时，随着技术的进步，车规级SiC功率模块的封装技术也将不断优化，从而实现更高的性能和效率。
总之，TMC士兰微在车规级SiC功率模块封装技术及发展趋势方面取得了重要突破，为电动汽车行业的发展做出了积极贡献。
IGBT产业链梳理，大摩热捧的逻辑是什么？今天我们要研究的这条产业链，其实是“新基建”的核心赛道，5G基站、特高压、高铁轨交、充电桩的顺利推动，样样都离不开它。
这行业某龙头A，2020年2月上市以来，连续20个交易日一字涨停，创下近两年的一字板记录。
其股价从首发当日的15.26元/股，一路上涨至199.52元/股，短短半年时间，上涨10倍。
图：龙头A股价图来源：wind再来看港市龙头B，2020年至今涨幅高达69.81%，振幅达154.57%。
图：龙头B股价图来源：wind它就是——IGBT产业链，堪称电力电子行业里的“CPU”。
上述两家代表龙头，分别对应斯达半导VS华虹半导体。
2020年3月份，摩根斯坦利发布研报称，“新基建”计划有一个共同的特点，就是——他们都需要电源管理或由电力驱动。
作为电力电子重要的开关部件，IGBT将有助于推动新基建的发展。
看到这里，值得思考的问题随之而来：一是，IGBT这个赛道增长驱动力是什么？对于半导体行业，技术方向VS需求，什么才是投资的主轴？二是，这个行业的市场参与者有谁？他们未来的增长空间有多少？（壹）功率半导体，按工作的电压和频率，主要划分为MOSFET（40%）、IGBT（33%）、二极管（27%）。
IGBT的集成度、结构的复杂程度均排首位，被称为电力电子行业里的“CPU”。
图：IGBT应用领域来源：国元证券从产业链来看，IGBT作为半导体产业子赛道，根据是否自建晶圆产线，分为IDM和fabless两种模式。
按照生产流程来分，IGBT产业链包括：上游的设计环节，以及中游制造、下游的模组等。
其中：上游——设计环节主要是结合材料的物理性质，对单个器件进行参数设计、调整、性能改良等，代表企业有新洁能、华微电子、斯达半导。
中游——制造环节价值占比40%以上，制造难点在于晶圆减薄、沟槽工艺、应力控制、高剂量离子注入和激光退火等。
代表企业有IDM 厂，如：英飞凌、意法半导体，也有foundry厂：华虹半导体、华润微。
士兰微电子推出QR＋PWM＋PFM控制器SD696X系列芯
片
佚名
【期刊名称】《中国集成电路》
【年(卷),期】2013(22)9
【摘要】杭州士兰微电子近期推出了满足能源之星6级能效标准的SD696X系列芯片，该系列芯片内置高压MOSFET及QR（准谐振）＋PWM＋PFM控制回路，具有多种高效的工作模式，在不同负载条件下均可实现最优效率，满足能源之星LEVEL6（EPS2．0）的效率要求。
SD696X系列芯片覆盖8-18W输出功率，可
广泛应用于机顶盒、DVD播放机、电源适配器等整机产品。
【总页数】2页(P1-2)
【关键词】微电子;芯片;控制器;MOSFET;DVD播放机;电源适配器;能效标准;控制
回路
【正文语种】中文
【中图分类】TN41
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请感知士兰的企业文化及理念,谈谈自身的理解士兰微电子是一家专注于半导体芯片设计、制造和销售的企业，其企业文化和理念主要包括以下几个方面：
1. 创新：士兰微电子非常注重技术创新和产品创新，致力于为客户提供高品质、高性能的半导体芯片产品，以满足客户不断变化的需求。
2. 客户导向：士兰微电子始终坚持以客户为中心的原则，不断加强与客户的沟通和交流，努力理解客户的需求，为客户提供最优质的产品和服务。
3. 团队合作：士兰微电子非常注重团队合作，鼓励员工之间相互学习、相互支持，共同推动企业发展。
4. 责任感：士兰微电子认为企业应该承担社会责任，积极参与公益事业，为社会做出贡献。
就我个人而言，我认为士兰微电子的企业文化和理念非常值得肯定。
在当今激烈的市场竞争环境下，创新是企业生存和发展的关键所在，而士兰微电子正是通过不断进行技术创新和产品创新，才得以在市场上占据一席之地。
此外，士兰微电子对客户的重视和团队合作精神也是企业成功的重要保障。
最后，企业应该承担社会责任，积极参与公益事业，这也是士兰微电子所秉持的理念，这种社会责任感不仅能够提高企业的声誉，还能够推动企业的可持续发展。
功率半导体国产替代龙头股(完整版)功率半导体国产替代龙头股在功率半导体国产替代领域，以下几家公司是最为典型的国产替代龙头股：__斯达半导：国内最大的IGBT模块厂商，国内首家实现750V以上大功率模块量产和批量销售的公司，且产品性能已媲美进口产品。
__华润微：功率半导体产品包括功率器件、功率IC、功率二极管、MOSFET、IGBT及SiC器件等，均达到国内领先水平。
__士兰微：国内IDM模式封装的龙头，拥有650V和1200V的IGBT模块。
__捷捷微电：公司的智能功率模块捷捷稳，应用于风能、太阳能、车辆、工业、家用电器等领域的功率半导体器件。
__宏微科技：国内首家掌握微秒级快速关断技术（GTL）的公司，其微秒级快速关断技术（GTL）可广泛应用于新能源、电力电子、轨道交通、智能制造及家用电器等行业。
__新洁能：SJ-MOSFET的绝对龙头，2020年7月打破新洁能垄断，公司是国内首家研发出NMOSFET并实现量产出货的功率器件企业，也是国内首家研发出SJ-MOSFET并实现量产出货的企业。
此外，还有中航电测、宏发股份、斯达半导、新源里的泰晶科技等公司的产品也在功率半导体国产替代领域发挥着重要作用。
这些公司在近期的表现也非常优秀，为投资者带来了丰厚的回报。
但投资有风险，投资需谨慎。
功率器件半导体龙头股以下是功率器件半导体龙头股：1.斯达半导：公司的IGBT模块已广泛应用于半导体器件、IGBT单管、MOSFET、IGCT、TrenchMOS等产品，广泛应用于消费电子、汽车电子、新能源等领域，公司已经成为国内及国际主流的汽车电子供应商。
2.新洁能：专注于车用半导体功率器件和模块领域。
3.斯莱克：公司的储能电池系统产品在动力电池和储能电池方面已经得到应用。
除上述外，还有华宏科技、宏微科技、捷捷微风、派能科技、润邦股份、大港股份、苏奥传感等个股也被投资者所关注。
功率半导体细分龙头股在功率半导体细分领域，有一些重要的龙头股值得关注。
国产化元器件厂商分类标准国产化元器件厂商可以根据不同的标准进行分类。
以下是一些可能的分类方式：1. 生产类型：IDM（集成设备制造商）：既设计又制造的厂商，如中车时代、嘉兴斯达、比亚迪、士兰微等。
Fabless（无工厂芯片供应商）：只设计不生产的厂商，如华为海思、紫光展锐等。
Foundry（代工厂商）：只制造不设计的厂商，如中芯国际等。
2. 产品类型：集成电路（IC）设计厂商：设计各种集成电路的厂商，如华为海思、紫光展锐等。
分立器件厂商：生产晶体管、二极管等分立器件的厂商。
被动元件厂商：生产电阻、电容、电感等被动元件的厂商。
3. 业务领域：通信领域元器件厂商：主要供应通信领域所需的各种元器件，如华为海思、紫光展锐等。
消费电子领域元器件厂商：主要供应消费电子领域所需的各种元器件，如歌尔股份等。
汽车电子领域元器件厂商：主要供应汽车电子领域所需的各种元器件，如比亚迪半导体等。
4. 地区分布：东部地区厂商：主要分布在东部沿海地区，具有较完善的基础设施和较高的技术水平，如华为海思、中芯国际等。
中西部地区厂商：主要分布在中西部地区，具有丰富的资源和劳动力成本优势，如比亚迪半导体等。
5. 规模与市场份额：大型厂商：规模较大，市场份额较高，具有较高的知名度和影响力，如华为海思、中芯国际等。
中小型厂商：规模较小，市场份额较低，但具有较高的技术水平和创新能力，如新洁能等。
6. 产业链位置：上游厂商：处于产业链上游，主要供应原材料或半成品，如中石化等。
中游制造厂商：处于产业链中游，进行元器件的制造和封装测试，如中芯国际等。
下游应用厂商：处于产业链下游，主要进行元器件的应用和销售，如华为、小米等。
7. 是否上市：上市公司：已经在证券交易所上市的厂商。
非上市公司：尚未上市的厂商。
8. 是否国有：国有企业：国有资本控股的厂商。
民营企业：非国有资本控股的厂商。
9. 成立时间与历史沿革：根据成立时间的长短和历史沿革进行分类。
10. 其他分类方式：还可以根据其他标准进行分类，如企业文化、管理模式、研发实力等。
一、半导体重要支持政策回顾上世纪 80 年代至今，半导体一直是我国政策重点支持对象。
为推动半导体产业发展，增强产业创新能力和国际竞争力，带动传统产业改造和产品升级换代，进一步促进国民经济持续、快速、健康发展，中国中央及地方政府从 80 年代至今近推出了等一系列鼓励和支持半导体产业发展的政策，包括 908,909 工程、国发 18 号文、国家重大 01 专项、02 专项、《国家集成电路产业发展推进纲要》、十三五规划、税收优惠政策以及成立一二期大基金提振行业信心等。
二、十四五期间对半导体支持政策展望2.1 十四五规划对半导体支持着力点之一：先进制程我们认为在十四五规划中，政策一个重要的着力点就是加快先进制程的发展速度，推进 14nm、7nm 甚至更先进制造工艺实现规模量产。
我国半导体市场规模长年占全球市场 1/3 左右，有非常旺盛的需求；晶圆制造行业，由于制程工艺进步迭代以及设备投入等壁垒，导致行业集中度逐渐提升，台积电更是一家独大，以 50%以上的市场份额几乎垄断了全球最先进工艺的客户订单，并且在先进工艺上，台积电一直走在业界前列，该公司 EUV 技术已进入量产且制程涵盖 7+nm、6nm、5nm，紧随其后的是三星，在台积电之后也成功实现了7nm 制程的量产，所不同的是，三星提前使用了 EUV 光刻技术来进行 7nm 工艺，而台积电则把 EUV 留到了 5nm 以后的制程。
目前国内在先进制程上还处于追赶状态，旺盛的国内需求加之资本推动仍促进了中国本土晶圆制造厂商的工艺稳步推进，国内涌现出了中芯国际、华润微电子、华虹半导体等专业晶圆代工厂，并且近些年已经出现明显的晶圆制造往大陆产业转移的趋势，包括台积电（南京）、三星（西安）、SK 海力士（无锡）、中芯国际（北京、上海、宁波、绍兴）、华虹（上海、无锡）、长存（武汉）、长鑫（合肥），先进的晶圆厂在国内建厂会带动国内相关技术人才、设备材料等配套的完善，十四五针对先进制程 14nm 及以下的先进制程将会重点支持。
士兰微前景士兰微是一家致力于微纳技术的研发和应用的企业，因其独特的技术和创新的产品而备受关注。
士兰微前景广阔，有着较大的发展潜力。
首先，士兰微在微纳技术领域有着良好的技术基础。
微纳技术是当今科技领域的热点，涵盖了微电子、纳米材料、纳米制造等多个子领域，拥有广泛的应用前景。
士兰微团队在微纳技术方面积累了丰富的经验和专业知识，可以在技术研发上保持领先的地位，为企业的发展提供坚实的支持。
其次，市场对微纳技术应用的需求不断增加。
微纳技术在电子、医疗、能源、环境等多个领域都有着广泛的应用，如微型芯片、纳米传感器、纳米材料等。
随着科技的进步和社会的发展，对微纳技术应用的需求将不断扩大，这为士兰微提供了广阔的市场空间。
再次，士兰微拥有一支专业的团队和良好的企业文化。
士兰微重视人才的培养和引进，拥有一支高素质、专业化的团队。
他们具备丰富的行业经验和过硬的技术实力，能够不断创新，迎接市场的挑战。
同时，企业文化也是士兰微的竞争优势之一。
他们注重团队合作、创新思维和客户导向，能够提供高品质的产品和服务，树立企业的良好形象。
最后，士兰微还积极开展产学研合作。
微纳技术的研发和应用需要与各类机构进行深入合作，如高校、科研院所和企业。
士兰微与这些机构建立了紧密的合作关系，能够充分利用各方的资源和优势，提升技术水平和产品竞争力。
通过产学研合作，士兰微能够更好地了解市场需求，加速产品的研发和推广。
综上所述，士兰微的前景非常广阔。
凭借其良好的技术基础、市场需求的增加、专业的团队和合作伙伴的支持，士兰微有望在微纳技术领域取得更大的突破和发展。
相信在不久的将来，士兰微将成为行业的领军企业，并为社会的进步和发展做出更大的贡献。
2A 、600V N 沟道增强型场效应管描述SVF2N60RD/M/MJ N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的F-Cell TM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H 桥PWM 马达驱动。
特点♦ 2A ，600V ，R DS(on)(典型值)=3.7 @V GS =10V ♦ 低栅极电荷量 ♦ 低反向传输电容 ♦ 开关速度快 ♦提升了dv/dt 能力命名规则士兰F-Cell 工艺VDMOS 产品标识额定电流标识,采用1-2位数字；例如:4代表 4A额定耐压值，采用2位数字例如：60表示600V封装外形标识例如：FJH:TO-220FJH;F:TO-220FS V F X N X X R X沟道极性标识，N 代表N 沟道版本产品规格分类极限参数(除非特殊说明，T C =25︒C)热阻特性电气参数(除非特殊说明，T C =25︒C)源-漏二极管特性参数注：1. L=30mH ，I AS =6.6A ，V DD =100V ，R G =25Ω，开始温度T J =25︒C;2. V DS =0~400V ，I SD <=12A ， T J =25︒C;3. VDS =0~480V;4. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs ，占空比≤2%；5.基本上不受工作温度的影响。
典型特性曲线图1. 输出特性图2.传输特性漏极电流 – I D （A ）0.010.1100.1110100漏源电压 – V DS （V ）漏极电流 – I D （A ）0.01110024681013579栅源电压 – V GS （V ）3.203.403.603.804.000 1.52 2.5漏源导通电阻 – R D S (o n )（Ω）漏极电流 – I D （A ）图3. 导通电阻vs.漏极电流和栅极电压0.20.40.60.8 1.41.20.11100反向漏极电流 – I D R （A ）源漏电压 – V SD （V ）图4. 体二极管正向压降vs.漏极电流、温度4.201.010.110典型特性曲线（续）0.80.91.11.0-100-5050100200漏源击穿电压（标准化）– B V D S S结温 – T J (°C)图7. 击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻（标准化） – R D S (o n )图8. 导通电阻vs.温度特性结温 – T J (°C)1.21502.0-100-50501002003.0150漏极电流 - I D (A )10-210-110010110101102103图9. 最大安全工作区域(SVF2N60RD/M/MJ)漏源电压- V DS (V)图5. 电容特性电容（p F ）0.1110100漏源电压 – V DS （V ）050150350250450100200400300图6. 电荷量特性栅源电压– V G S (V )0410总栅极电荷 – Q g (nC)246810128262550751001251500.51.01.52.0漏极电流 - I D (A )壳温– T C (°C)图 10. 最大漏电流vs. 壳温典型测试电路12VV DSV GS10V电荷量栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图V DSV GS10%90%E AS 测试电路及波形图V DDLBV DSS I ASV DD封装外形图封装外形图（续）声明：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
I Features专稿三大白电芯片的国产替代现状文/产Jk在线欧阳怀动荡的国际经济形势，让我们深刻认识到中国在 芯片领域存在的巨大弊端，发展国产芯片行业已经刻 不容缓。
芯片“丨册r让-把以刃剑由于国内的半导体产业起步较晚，目前无论在芯片 设计还是制造环节，技术、人才、专利、资金投入与国际 上存在较大差距，1C设计主要表现在系统产品创意不 足，设计与产品实际应用落差较大等，1C制造环节包括 光刻、薄膜、刻蚀、清洗等十几道工艺，其中众多环节的 技术受到西方等国家的封锁，而国内技术还相对比较薄 弱。
面对该局势，如今国内政策大力向半导体产业倾斜，半导体企业更应该具备破釜沉舟的勇气和“十年磨一 剑”的工匠精神。
借助制造业的生产效率和产业链优势，中国己成为 全球最大的白色家电生产基地，其中空调占全球80%的产 能，冰箱和洗衣机也超过了509^但三大白色家电所需的 核心芯片自给率严重不足，尤其是在高端芯片领域,90%以上使用的是进口产品。
面对“惭愧”的现实，国内企业一直 在追赶，近几年效果正逐步显现。
家电芯片N产介业发力iV j进三大白电芯片主要分为两大类：一类是功率模块 (IPM模块、分立器件），一类是MCU芯片。
以空调为 例，1PM模块是整个室外机变频电控里面的核心芯片，应 用涵盖变频风机和变频压缩机驱动，实现空调全直流变 频。
MCU是白色家电产品的大脑，应用涵盖主控、变频、显示、触控等方面控制。
据产业在线统计数据，2017至 2019年三年时间里，国产功率模块在三大白电中的比例 由3.4%提升至5.4%,国产MCU芯片在三大白电中的比例 由8.8%提升至9.4%,虽然目前占比仍然较小，但芯片国产 替代前期进程都比较缓慢，待后期进入放量阶段将迎来 较大比例的提升。
在家电MCU芯片领域,首先由于国内芯片发展起步 较晚，目前走在世界前列的主要是瑞萨电子以及赛普拉斯 等外资企业，尤其是用于变频控制的32位高端芯片，国内 几乎占不到可观的比例，关键技术和系统芯片的整合能力 也较低。
