士兰微SVF2N60规格书(最新版)

智能功率模块(IPM)，500V/2A 三相全桥驱动描述SD02M50DAE/DAS 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。

其内置了6个快恢复功率MOS 管和3个半桥高压栅极驱动电路。

SD02M50DAE/DAS 内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。

由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。

SD02M50DAE/DAS 采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。

主要特点♦ 内置6个500V/2A 的快恢复功率MOS 管 ♦ 内置高压栅极驱动电路(HVIC) ♦ 内置欠压保护 ♦ 内置自举二极管♦ 内置负温度系数电阻用于温度检测♦ 完全兼容3.3V 和5V 的MCU 的接口，高电平有效 ♦ 3个独立的负直流端用于变频器电流检测的应用 ♦优化并采用了低电磁干扰设计 ♦ 绝缘级别1500V rms /min应用♦ 室内/户外空调 ♦ 冰箱压缩机 ♦ 排气扇 ♦ 风扇 ♦ 空气净化器 ♦洗碗机水泵产品规格分类备注1：壳温测试点，请看图5所示。

推荐工作条件电气特性参数（除非特殊说明，Tamb=25︒C，VCC =VBS=15V）逆变器部分(除非特殊说明，特指每个快恢复MOSFET)(a)开启(b) 关断图1. 开关时间定义控制部分 (除非特殊说明，特指每个HVIC)备注2：BV DSS 是指加在每个功率MOSFET 源漏之间的极限最高电压，实际应用的时候，考虑到导线杂散电感的影响，V PN 必须足够小于BV DSS 这个值，以保证在任何时候加到MOSFET 上的V DS 都不会超过B VDSS 。

备注3：t ON 和t OFF 包括内部的驱动IC 的传输延迟时间。

列出的值是在实验室的测试条件，会随着应用现场不同的印刷电路板和电线的效果而不同。

请参阅图1的开关时间定义和图6的开关测试电路图。

3VD235600YL高压MOSFET芯片描述Ø3VD235600YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；Ø先进的高压分压终止环结构；Ø较高的雪崩能量；Ø漏源二极管恢复时间快；Ø该芯片可采用TO-251型式封装，典型的成品规格为2N60；Ø封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动；芯片简图芯片介绍项目描述圆片尺寸6Inch管芯尺寸2060μm *2720μm管芯数量2815 dice/wafer芯片厚度300±20µm.正面金属 /厚度Al(1%Si) : 3µm.背面金属 /厚度Ti/Ni/Ag:0.1/0.3/0.4μm栅极压点尺寸（PAD1）454.2μm *536μm划片道宽度80μm *80μm极限参数(T amb=25°C)参数名称符号额定值单位漏源电压V DS600V 栅源电压V GS±30V 漏极电流I D 2.0A 耗散功率(TO-251封装)P D44W 工作结温T J150°C 贮存温度T stg-55～+150°C电参数(T amb=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压B VDSS V GS=0V， I D=250µA600--V 栅极开启电压V TH V GS= V DS，I D=250µA 2.0- 4.0V 漏源漏电流I DSS V DS=600V，V GS=0V-- 1.0µA 导通电阻R DS(on)V GS=10V，I D=1.0A-- 4.6Ω栅源漏电流I GSS V GS=±30V，V DS=0V--±100nA 漏源寄生二极管正V FSD I S=2.0A, V GS=0V-- 1.4V 向导通压降声明：•士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。

SVF4N60D/F/T/M 说明书4A、600V N沟道增强型场效应管描述SVF4N60D/F/T/M N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体 管采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。

先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电 阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。

特点∗ ∗ ∗ ∗ ∗4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 Ω@VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力命名规则产品规格分类产 品 名 称 SVF4N60T SVF4N60F SVF4N60D SVF4N60DTR SVF4N60M SVF4N60M 封装形式 TO-220-3L TO-220F-3L TO-252-2L TO-252-2L TO-251-3L TO-251D-3L 打印名称 SVF4N60T SVF4N60F SVF4N60D SVF4N60D SVF4N60M SVF4N60M 材料 无铅 无铅 无铅 无铅 无铅 无铅 包装 料管 料管 料管 编带 料管 料管杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.12011.08.26 共10页 第1页SVF4N60D/F/T/M 说明书极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)参 数 名称 漏源电压 栅源电压 漏极电流 漏极脉冲电流 耗散功率（TC=25°C） - 大于 25°C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） 工作结温范围 贮存温度范围 TC=25°C TC=100°C 符号 VDS VGS ID IDM PD EAS TJ Tstg 100 0.8 参数范围 SVF4N60T SVF4N60F 600 ±30 4.0 2.5 16 33 0.26 217 -55～+150 -55～+150 77 0.62 SVF4N60D/M 单位 V V A A W W/°C mJ °C °C热阻特性参数名称 芯片对管壳热阻 芯片对环境的热阻 符号 RθJC RθJA 参数范围 SVF4N60T 1.25 62.5 SVF4N60F 3.85 120 SVF4N60D/M 1.61 110 单位 °C/W °C/W关键特性参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数名称 漏源击穿电压 漏源漏电流 栅源漏电流 栅极开启电压 导通电阻 输入电容 输出电容 反向传输电容 开启延迟时间 开启上升时间 关断延迟时间 关断下降时间 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量 符号 BVDSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VDS=480V，ID=4A， VGS=10V (注 2，3) (注 2，3) 测试条件 VGS=0V，ID=250µA VDS=600V，VGS=0V VGS=±30V，VDS=0V VGS= VDS，ID=250µA VGS=10V， ID=2A VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHZ VDD=300V，ID=4A， RG=25Ω 最小值 600 --2.0 -----------典型值 ----2.0 461 57 1.47 15.7 37.3 19.1 19.3 8.16 2.63 3.01 最大值 -1.0 ±100 4.0 2.4 ----------nC ns pF 单位 V µA nA V Ω杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.12011.08.26 共10页 第2页SVF4N60D/F/T/M 说明书源-漏二极管特性参数参 数 名 称 源极电流 源极脉冲电流 源-漏二极管压降 反向恢复时间 反向恢复电荷 注： 1. 2. 3. L=30mH，IAS=3.45A，VDD=155V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25°C； 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 基本上不受工作温度的影响。

智能功率模块600V/20A 3相全桥驱动描述SD20A60FA是高度集成、高可靠性的3相无刷直流电机驱动电路，主要应用于较低功率的变频驱动，如空调、洗碗机、工业缝纫机等。

其内置了6个低损耗的IGBT管和3个高速半桥高压栅极驱动电路。

SD20A60FA内部集成了欠压、短路、过温等各种电路，提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。

由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。

SD20A60FA采用了高绝缘、易导热的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合要求紧凑安装的应用场合。

主要特点♦内置6个600V/20A的低损耗IGBT；♦内置高压栅极驱动电路；♦内置欠压保护和过温、过流保护；♦完全兼容3.3V和5V的MCU的接口，高电平有效；♦3个独立的负直流端用于变频器电流检测的应用；♦报警信号：对应于低侧欠压保护和短路保护；♦封装体采用DBC设计，热阻极低；♦绝缘级别：2500Vrms/min应用♦空调压缩机♦冰箱压缩机♦低功率变频器♦工业缝纫机产品规格分类内部框图极限参数推荐工作条件电气特性参数(除非特别说明，T amb =25 C ，V CC =V BS =15V)(a)开启过程(b)关闭过程图1. 开关时间定义备注1: 故障输出脉宽t FO 取决于C FOD ，C FO =18.3×10-6×t FO [F]备注2: 短路保护只对低侧有效管脚排列图壳温（TC ）检测点DBC 衬底管脚描述控制时序说明保护电路状态IGBT栅极-发射极间电压输出电流分流电阻感应电压故障输出信号（包含外部分流电阻和RC 连接）a1：正常工作：IGBT 导通，并且加载负载电流。

a2：短路电流检测（SC 触发器）。

a3：IGBT 门极硬中断。

a4：IGBT 关断。

a5：故障输出定时器开始工作：故障输出信号的脉冲宽度是由外部电容CFO 设定。

a6：输入"L"：IGBT 处于关断状态。

2A 、600V N 沟道增强型场效应管描述SVF2N60RD/M/MJ N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的F-Cell TM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。

先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H 桥PWM 马达驱动。

特点♦ 2A ，600V ，R DS(on)(典型值)=3.7 @V GS =10V ♦ 低栅极电荷量 ♦ 低反向传输电容 ♦ 开关速度快 ♦提升了dv/dt 能力命名规则士兰F-Cell 工艺VDMOS 产品标识额定电流标识,采用1-2位数字；例如:4代表 4A额定耐压值，采用2位数字例如：60表示600V封装外形标识例如：FJH:TO-220FJH;F:TO-220FS V F X N X X R X沟道极性标识，N 代表N 沟道版本产品规格分类极限参数(除非特殊说明，T C =25︒C)热阻特性电气参数(除非特殊说明，T C =25︒C)源-漏二极管特性参数注：1. L=30mH ，I AS =6.6A ，V DD =100V ，R G =25Ω，开始温度T J =25︒C;2. V DS =0~400V ，I SD <=12A ， T J =25︒C;3. VDS =0~480V;4. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs ，占空比≤2%；5.基本上不受工作温度的影响。

典型特性曲线图1. 输出特性图2.传输特性漏极电流 – I D （A ）0.010.1100.1110100漏源电压 – V DS （V ）漏极电流 – I D （A ）0.01110024681013579栅源电压 – V GS （V ）3.203.403.603.804.000 1.52 2.5漏源导通电阻 – R D S (o n )（Ω）漏极电流 – I D （A ）图3. 导通电阻vs.漏极电流和栅极电压0.20.40.60.8 1.41.20.11100反向漏极电流 – I D R （A ）源漏电压 – V SD （V ）图4. 体二极管正向压降vs.漏极电流、温度4.201.010.110典型特性曲线（续）0.80.91.11.0-100-5050100200漏源击穿电压（标准化）– B V D S S结温 – T J (°C)图7. 击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻（标准化） – R D S (o n )图8. 导通电阻vs.温度特性结温 – T J (°C)1.21502.0-100-50501002003.0150漏极电流 - I D (A )10-210-110010110101102103图9. 最大安全工作区域(SVF2N60RD/M/MJ)漏源电压- V DS (V)图5. 电容特性电容（p F ）0.1110100漏源电压 – V DS （V ）050150350250450100200400300图6. 电荷量特性栅源电压– V G S (V )0410总栅极电荷 – Q g (nC)246810128262550751001251500.51.01.52.0漏极电流 - I D (A )壳温– T C (°C)图 10. 最大漏电流vs. 壳温典型测试电路12VV DSV GS10V电荷量栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图V DSV GS10%90%E AS 测试电路及波形图V DDLBV DSS I ASV DD封装外形图封装外形图（续）声明：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。