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±2G/±4G/±8G/±16G三轴微机械数字加速度计描述SC7A20是一款高精度12bit数字三轴加速度传感器芯片，内置功能更丰富，功耗更低，体积更小，测量更精确。
芯片通过I²C/SPI接口与MCU通信，加速度测量数据以中断方式或查询方式获取。
INT1和INT2中断管脚提供多种内部自动检测的中断信号，适应多种运动检测场合，中断源包括6D/4D方向检测中断信号、自由落体检测中断信号、睡眠和唤醒检测中断信号、单击和双击检测中断信号。
芯片内置高精度校准模块，对传感器的失调误差和增益误差进行精确补偿。
±2G、±4G、±8G和±16G四种可调整的全量程测量范围，灵活测量外部加速度，输出数据率1HZ和400HZ间可选。
芯片内置自测试功能允许客户系统测试时检测系统功能，省去复杂的转台测试。
芯片内置产品倾斜校准功能，对贴片和板卡安装导致的倾斜进行补偿，不占系统资源，系统文件升级不影响传感器参数。
主要特点♦宽电压范围1.71V-3.6V♦ 1.8V兼容数字IO口♦低功耗模式下电源电流低至2µA♦±2G/±4G/±8G/±16G动态全量程范围♦12bit有效数据(HR)♦I²C/SPI数字输出接口♦6D/4D方向检测♦自由落体检测♦单击双击检测及运动检测♦可编程中断生成电路♦内嵌自测试功能♦内嵌FIFO♦10000g高G抗击能力应用♦手机平板♦室内导航♦图像旋转♦运动激活用户接口♦游戏产品规格分类内部框图INT1INT2CSSCL/SPCSDA/SDO/SDISDO/SA0极限参数=25°C)机械参数(VDD=2.5V, TA注意：电路2.5V出厂校准。
电路实际工作电压1.71V-3.6V=25°C)电气参数(VDD=2.5V, TAI²C控制接口参数(=2.5V, TA=25°C)I²C从设备时序图SPI串行外围接口参数(VDD =2.5V, TA=25°C)注：10MHZ时钟速率SPI 从设备时序图管脚排列图7（仰视图）X（俯视图）可检加速度方向管脚描述注：I=输入，O=输出，OC=集电极开路输出，P=被动外部器件，S=电源供电功能描述1详细特点SC7A20是一款极小体积、超低功耗、数字输出的LGA封装的3轴线性加速度计。
智能功率模块(IPM)，500V/2A 三相全桥驱动描述SD02M50DAE/DAS 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。
其内置了6个快恢复功率MOS 管和3个半桥高压栅极驱动电路。
SD02M50DAE/DAS 内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。
由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。
SD02M50DAE/DAS 采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。
主要特点♦ 内置6个500V/2A 的快恢复功率MOS 管 ♦ 内置高压栅极驱动电路(HVIC) ♦ 内置欠压保护 ♦ 内置自举二极管♦ 内置负温度系数电阻用于温度检测♦ 完全兼容3.3V 和5V 的MCU 的接口，高电平有效 ♦ 3个独立的负直流端用于变频器电流检测的应用 ♦优化并采用了低电磁干扰设计 ♦ 绝缘级别1500V rms /min应用♦ 室内/户外空调 ♦ 冰箱压缩机 ♦ 排气扇 ♦ 风扇 ♦ 空气净化器 ♦洗碗机水泵产品规格分类备注1：壳温测试点，请看图5所示。
推荐工作条件电气特性参数（除非特殊说明，Tamb=25︒C，VCC =VBS=15V）逆变器部分(除非特殊说明，特指每个快恢复MOSFET)(a)开启(b) 关断图1. 开关时间定义控制部分 (除非特殊说明，特指每个HVIC)备注2：BV DSS 是指加在每个功率MOSFET 源漏之间的极限最高电压，实际应用的时候，考虑到导线杂散电感的影响，V PN 必须足够小于BV DSS 这个值，以保证在任何时候加到MOSFET 上的V DS 都不会超过B VDSS 。
备注3：t ON 和t OFF 包括内部的驱动IC 的传输延迟时间。
列出的值是在实验室的测试条件，会随着应用现场不同的印刷电路板和电线的效果而不同。
请参阅图1的开关时间定义和图6的开关测试电路图。
3VD235600YL高压MOSFET芯片描述Ø3VD235600YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；Ø先进的高压分压终止环结构；Ø较高的雪崩能量；Ø漏源二极管恢复时间快；Ø该芯片可采用TO-251型式封装，典型的成品规格为2N60；Ø封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动；芯片简图芯片介绍项目描述圆片尺寸6Inch管芯尺寸2060μm *2720μm管芯数量2815 dice/wafer芯片厚度300±20µm.正面金属 /厚度Al(1%Si) : 3µm.背面金属 /厚度Ti/Ni/Ag:0.1/0.3/0.4μm栅极压点尺寸（PAD1）454.2μm *536μm划片道宽度80μm *80μm极限参数(T amb=25°C)参数名称符号额定值单位漏源电压V DS600V 栅源电压V GS±30V 漏极电流I D 2.0A 耗散功率(TO-251封装)P D44W 工作结温T J150°C 贮存温度T stg-55～+150°C电参数(T amb=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压B VDSS V GS=0V， I D=250µA600--V 栅极开启电压V TH V GS= V DS，I D=250µA 2.0- 4.0V 漏源漏电流I DSS V DS=600V，V GS=0V-- 1.0µA 导通电阻R DS(on)V GS=10V，I D=1.0A-- 4.6Ω栅源漏电流I GSS V GS=±30V，V DS=0V--±100nA 漏源寄生二极管正V FSD I S=2.0A, V GS=0V-- 1.4V 向导通压降声明：•士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
带PFC的原边控制模式LED驱动控制芯片SD6800是集成PFC功能的原边控制模式的LED驱动控制芯片。
它采用固定导通时间控制和谷底开通技术，提供精确的恒流控制，具有非常高的平均效率。
采用SD6800设计系统，可以省去光耦、次级反馈控制、环内部框图FB CS GND NCVCC COMP DRNC管脚说明2.驱动电路驱动电路直接由VCC供电。
当DR＝1，MOSFET导通；当DR＝0，MOSFET关断。
为了消除MOSFET导通瞬间的可能引起误触发的毛刺，设置前沿消隐时间T LEB＝0.30μs。
3. 峰值电流检测和采样保持当功率MOSFET 导通，通过采样电阻检测初级线圈电流，该电流呈线性增大，当超过电流限制值0.6V ，限流比较器动作，DR ＝0，功率MOSFET 关断。
正常工作时，由CS 端检测到原边峰值电流I pk ，由FB 端检测到副边整流二极管导通时间T off1。
而输出电流表达式为：T I n 0.5I off1pk out ⋅⋅⋅=其中n 是变压器原副边的匝比，T 是开关周期。
4.5.6.当电路处于过温保护状态，输出驱动电路被关断，以防止电路由于过热而导致的损坏。
过温保护有迟滞特性。
在过温保护以后，要恢复电路正常工作，需要电路的温度降到比过温保护温度约低20°C 。
这样，可以防止过温保护与正常工作状态的反复来回变化。
7.LED 短路保护当LED 短路时，持续512个开关周期，会发生短路保护。
保护后电路自动重启。
应用电路图MOS电路操作注意事项：静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS电路由于受静电放电影响而引起的损坏：• 操作人员要通过防静电腕带接地。
• 设备外壳必须接地。
• 装配过程中使用的工具必须接地。
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。
声明：•士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
非隔离降压型LED恒流驱动芯片描述SDH771XTH是一款高精度LED恒流驱动控制芯片，适用于85VAC~265VAC全范围交流输入电压的非隔离降压型LED恒流电源系统。
SDH771XTH集成500V高压功率MOS和600V续流二极管，内置高压供电电路，无需启动电阻和辅助绕组即能实现芯片的自主供电，同时更省去了传统的外置VCC电源电容，在加快系统启动的同时又极大地节省了系统成本。
电路工作在电感电流临界导通模式，采用特有的高精度电流采样技术，结合内部补偿，能获得高恒流精度和优异的线性/负载调整率。
SDH771XTH内部集成多种保护功能，包括输出短路保护、输出开路保护、逐周期过流保护、过热调节、采样电阻开路保护等，增强了系统的安全性和可靠性。
其中开路保护电压可通过ROVP管脚设置。
特性♦合封500V高压功率MOSFET，性能稳定♦集成600V超快恢复二极管♦集成高压供电，无启动电阻、无VCC电容♦精确恒定电流（<±3%）供给LED♦输出开短路保护♦开路保护电压外部可调♦过热调节功能♦过温保护功能♦逐周期过电流保护♦无辅助绕组应用♦球泡灯♦筒灯♦其他LED照明应用产品规格分类内部框图CSGND极限参数电气参数（除非特别说明，HV=40V，T=25 C）amb注1：温度特性为设计典型结温值。
管脚排列图管脚描述功能描述SDH771XTH 是一款利用BUCK原理搭建的非隔离LED恒流驱动芯片，集成续流二极管、500V高压功率MOSFET，同时带有高压启动供电电路，省去了传统的外部VCC电源电容，极大地简化了系统的设计。
以下是对芯片各功能的具体描述：启动控制SDH771XTH集成了高压启动供电电路，无需启动电阻和辅助绕组供电，通过HV端直接从高压母线取电，特殊的电路设计，也使得芯片无需外部VCC电源电容就能稳定工作，极大地简化了外围电路，同时也减小了系统启动时间。
恒流精度控制电路根据采样电阻上的电压信号控制系统的恒流输出，如下图：400mvVcsI PKI LED峰值电流计算公式为I PK=400/R CS(mA) ，其中R CS为电流采样电阻阻值。
