士兰微SVF5N60规格书(最新版)

智能功率模块(IPM)，500V/5A 三相全桥驱动描述SD05M50DBE/DBS 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。

其内置了6个快恢复功率MOS 管和3个半桥高压栅极驱动电路。

SD05M50DBE/DBS 内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。

由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。

SD05M50DBE/DBS 采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。

主要特点♦ 内置6个500V/5A 的快恢复功率MOS 管 ♦ 内置高压栅极驱动电路(HVIC) ♦ 内置欠压保护♦ 内置自举二极管完全兼容3.3V 和5V 的MCU 的接口，高电平有效♦ 3个独立的负直流端用于变频器电流检测的应用 ♦优化并采用了低电磁干扰设计 ♦绝缘级别1500V rms /min应用♦ 室内/户外空调 ♦ 冰箱压缩机 ♦ 排气扇 ♦ 风扇 ♦ 空气净化器 ♦洗碗机水泵产品规格分类产品名称封装形式 打印名称 环保等级 包装 SD05M50DBE DIP-23E SD05M50DBE 无铅 料管 SD05M50DBSSOP-23HSD05M50DBS无铅料管内部框图极限参数参 数 符号 参 数 范 围 单位 加在P-N之间的电源电压V PN500 V单个功率MOS的漏极持续电流，I D25 3.0 A T C=25°C单个功率MOS的漏极持续电流，I D80 2.0 A T C=80°C单个功率MOS的漏极峰值电流I DP 5.0 A T C=25°C, 脉冲宽度<100μs最大功率耗散，T C=25°C P D14.7 W 控制电源电压V CC20 V 高侧控制电压V BS20 V 输入信号电压V IN-0.3~V CC+0.3 V 工作结温范围T J-40~150 °C 工作壳温范围, T J≤150°C（备注1）T C-40~125 °C 存储温度范围T STG-40~125 °C 结壳热阻RθJC8.5 °C/W绝缘电压，60Hz，正弦，交流1分钟，V ISO1500 V rms 引脚与散热片之间自举二极管正向电流，T C=25°C I F0.5 A自举二极管正向电流峰值，T C=25°C，I FP 1.5 A 脉宽1ms备注1：壳温测试点，请看图3所示。

110A、55V N沟道增强型场效应管描述SVD3205T/F/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子新型平面低压VDMOS 工艺技术制造。

先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于电子镇流器，低功率开关电源。

特点♦110A，55V，R DS(on)（典型值）=7.5mΩ@V GS=10V♦低栅极电荷量♦低反向传输电容♦开关速度快♦提升了dv/dt 能力产品规格分类产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包 装 SVD3205T TO-220-3L SVD3205T 无铅料管SVD3205F TO-220F-3L SVD3205F 无铅料管SVD3205S TO-263-2L SVD3205S 无卤料管SVD3205STR TO-263-2L SVD3205S 无卤编带极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数名称符号参数范围单位SVD3205T SVD3205F SVD3205S漏源电压V DS55 V 栅源电压V GS±20 V漏极电流T C=25°CI D110A T C=100°C 69.6漏极脉冲电流I DM390 A耗散功率（T C=25°C）- 大于25°C每摄氏度减少P D200 58 190 W1.6 0.46 1.52 W/°C单脉冲雪崩能量（注1）E AS909 mJ 工作结温范围T J-55～+150 °C 贮存温度范围T stg-55～+150 °C热阻特性参数名称符号典型值单位SVD3205T SVD3205F SVD3205S芯片对管壳热阻RθJC0.63 2.16 0.66 °C/W 芯片对环境的热阻RθJA62.5 62.5 62.5 °C/W 关键特性参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压B VDSS V GS=0V，I D=250µA 55 -- -- V 漏源漏电流I DSS V DS=55V，V GS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流I GSS V GS=±20V，V DS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压V GS(th)V GS= V DS，I D=250µA 2.0 -- 3.5 V 导通电阻R DS(on)V GS=10V，I D=62A -- 7.5 8.0 mΩ输入电容C issV DS=25V，V GS=0V，f=1.0MHZ -- 2365.4 --pF输出电容C oss-- 740.4 -- 反向传输电容C rss-- 168.6 --开启延迟时间t d(on)V DD=28V，V GS=10V，I D=62A -- 19.96 --ns开启上升时间t r-- 82.96 -- 关断延迟时间t d(off)-- 58.08 -- 关断下降时间t f -- 41.76 --栅极电荷量Q gV DS=44V，V GS=10V，I D=62A -- 67.09 --nC栅极-源极电荷量Q gs-- 13.26 --栅极-漏极电荷量Q gd-- 35.33 --源-漏二极管特性参数参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位源极电流I S MOS管中源极、漏极构成的反偏P-N结-- -- 110A源极脉冲电流I SM-- -- 390源-漏二极管压降V SD I S=110A，V GS=0V -- -- 1.3 V反向恢复时间T rr I S=110A，V GS=0V,di/dt=100A/μS（注2）-- 67.17 -- ns反向恢复电荷Q rr-- 0.17 -- µC 注：1. L=0.30mH，I AS=63A，V DD=28V，R G=25Ω，开始温度T J=25°C；2. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；3. 基本上不受工作温度的影响。

STD5N60DM2DPAKFeatures•Fast-recovery body diode•Extremely low gate charge and input capacitance•Low on-resistance•100% avalanche tested•Extremely high dv/dt ruggedness•Zener-protectedApplications•Switching applicationsDescriptionThis high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Q rr) and time (t rr) combined with low R DS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.N-channel 600 V, 1.38 Ω typ., 3.5 A MDmesh™ DM2Power MOSFET in a DPAK packageSTD5N60DM2DatasheetSTD5N60DM2Electrical ratings 1Electrical ratingsTable 1. Absolute maximum ratings1.Pulse width is limited by safe operating area.2.I SD ≤3.5 A, di/dt=400 A/μs; V DS peak < V(BR)DSS, V DD = 480 V.3.V DS ≤ 480 V.Table 2. Thermal data1.When mounted on a 1-inch² FR-4, 2 Oz copper board.Table 3. Avalanche characteristics1.Pulse width limited by T jmax.2.Starting T j = 25 °C, I D = I AR, V DD = 50 V.STD5N60DM2Electrical characteristics 2Electrical characteristics(T case = 25 °C unless otherwise specified).Table 4. Static1.Defined by design, not subject to production test.Table 5. Dynamic1.C oss eq. is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C oss when V DS increases from 0to 80% V DSS.Table 6. Switching timesSTD5N60DM2Electrical characteristicsTable 7. Source-drain diode1.Pulse width is limited by safe operating area.2.Pulse test: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%.STD5N60DM2Electrical characteristics (curves) 2.1Electrical characteristics (curves)STD5N60DM2 Electrical characteristics (curves)STD5N60DM2 Electrical characteristics (curves)STD5N60DM2Test circuits 3Test circuitsSTD5N60DM2Package information 4Package informationIn order to meet environmental requirements, ST offers these devices in different grades of ECOPACK®packages, depending on their level of environmental compliance. ECOPACK® specifications, grade definitionsand product status are available at: . ECOPACK® is an ST trademark.4.1DPAK (TO-252) type A package informationFigure 19. DPAK (TO-252) type A package outline0068772_A_25Table 8. DPAK (TO-252) type A mechanical data4.2DPAK (TO-252) type E package informationFigure 20. DPAK (TO-252) type E package outline0068772_type-E_rev.25Table 9. DPAK (TO-252) type E mechanical dataFigure 21. DPAK (TO-252) type E recommended footprint (dimensions are in mm)FP_0068772_254.3DPAK (TO-252) packing informationFigure 22. DPAK (TO-252) tape outlineP0K 0U ser direction of feed10 pitches cumulativetolerance on tape +/- 0.2 mmU ser direction of feedRBending radiusB 1including draft andradii concentric around B0AM08852v1Figure 23. DPAK (TO-252) reel outlineAM06038v1 Table 10. DPAK (TO-252) tape and reel mechanical dataRevision historyTable 11. Document revision historyContentsContents1Electrical ratings (2)2Electrical characteristics (3)2.1Electrical characteristics (curves) (5)3Test circuits (8)4Package information (9)4.1DPAK (TO-252) type A package information (9)4.2DPAK (TO-252) type E package information (11)4.3DPAK (TO-252) packing information (13)Revision history (16)IMPORTANT NOTICE – PLEASE READ CAREFULLYSTMicroelectronics NV and its subsidiaries (“ST”) reserve the right to make changes, corrections, enhancements, modifications, and improvements to ST products and/or to this document at any time without notice. Purchasers should obtain the latest relevant information on ST products before placing orders. ST products are sold pursuant to ST’s terms and conditions of sale in place at the time of order acknowledgement.Purchasers are solely responsible for the choice, selection, and use of ST products and ST assumes no liability for application assistance or the design of Purchasers’ products.No license, express or implied, to any intellectual property right is granted by ST herein.Resale of ST products with provisions different from the information set forth herein shall void any warranty granted by ST for such product.ST and the ST logo are trademarks of ST. All other product or service names are the property of their respective owners.Information in this document supersedes and replaces information previously supplied in any prior versions of this document.© 2018 STMicroelectronics – All rights reservedSTD5N60DM2。

5A, 700V 超结MOS功率管SVS70R900S(D)(MJ)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVS70R900S(D)(MJ)E3应用广泛。

如，适用于硬/软开关拓扑。

特点♦5A，700V，R DS(on)(typ.)=0.8Ω@V GS=10V♦创新高压技术♦低栅极电荷♦较强的雪崩能力♦较强的dv/dt能力♦较高的峰值电流能力♦100%雪崩测试♦无铅管脚镀层♦符合RoHS环保标准关键特性参数产品规格分类极限参数(除非特殊说明，T=25︒C)A热特性电气参数(除非特殊说明，T=25︒C)J注：1. 脉冲时间5µs；2. 耗散功率值会随着温度变化而变化，当大于25︒C时耗散功率值随着温度每上升1度减少：0.56W/︒C(TO-263-2L)/ 0.45W/︒C(TO-252-2L)(TO-251J-3L)；3. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；4. 基本上不受工作温度的影响。

典型特性曲线典型特性曲线典型特性曲线（续）典型测试电路V DSV GS 10V栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图DDV V E AS 测试电路及波形图V DDV BV DSSI ASV DDtpTimeV DS(t)I D(t)E AS =12LI AS 2BV DSS BV DSS V DD封装外形图封装外形图(续)重要注意事项：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。

客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。

♦我司产品属于消费类和/或民用类电子产品。

♦在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。

任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。

7A、650V N沟道增强型场效应管描述SVF7N65CF/D/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-Cell TM平面高压VDMOS 工艺技术制造。

先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

特点♦7A，650V，R DS(on)(典型值)=1.1Ω@V GS=10V♦低栅极电荷量♦低反向传输电容♦开关速度快♦提升了dv/dt 能力命名规则士兰F-Cell工艺VDMOS产品标识额定电流标识,采用1-2位数字；例如:4 代表 4A,10 代表 10A, 08 代表 0.8A额定耐压值，采用2位数字例如：60表示600V,65表示650V 封装外形标识.例如：F:TO-220F;D:TO-252; MJ:TO-251J;K:TO-262.S V F X N E X X C X沟道极性标识，N代表N 沟道特殊功能、规格标识，通常省略例如：E 表示内置了ESD保护结构版本产品规格分类产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装 SVF7N65CF TO-220F-3L SVF7N65CF 无卤料管SVF7N65CD TO-252-2L SVF7N65C 无卤料管SVF7N65CDTR TO-252-2L SVF7N65C 无卤编带SVF7N65CMJ TO-251J-3L SVF7N65C 无卤料管SVF7N65CK TO-262-3L SVF7N65CK 无卤料管极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数符号参数范围单位SVF7N65CFSVF7N65CDSVF7N65CMJSVF7N65CK漏源电压V DS650 V 栅源电压V GS±30 V漏极电流T C = 25°CI D7.0A T C = 100°C 4.0漏极脉冲电流I DM28.0 A耗散功率（T C=25°C）- 大于25°C每摄氏度减少P D46 89 90 120 W0.37 0.71 0.72 0.96 W/°C单脉冲雪崩能量（注1）E AS435 mJ 工作结温范围T J-55～+150 °C 贮存温度范围T stg-55～+150 °C热阻特性参数符号参数范围单位SVF7N65CF SVF7N65CD SVF7N65CMJ SVF7N65CK芯片对管壳热阻RθJC 2.7 1.4 1.39 1.04 °C/W 芯片对环境的热阻RθJA62.5 62.0 62.0 62.5 °C/W电性参数(除非特殊说明，TC=25°C)参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压B VDSS V GS=0V，I D=250µA 650 -- -- V 漏源漏电流I DSS V DS=650V，V GS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流I GSS V GS=±30V，V DS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压V GS(th)V GS= V DS，I D=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻R DS(on)V GS=10V，I D=3.5 -- 1.1 1.4 Ω输入电容C issV DS=25V，V GS=0V，f=1.0MHz -- 789 --pF输出电容C oss-- 98 -- 反向传输电容C rss-- 9.0 --开启延迟时间t d(on)V DD=325V，R G=25Ω，I D=7.0A(注2，3) -- 15.0 --ns开启上升时间t r-- 32.0 -- 关断延迟时间t d(off)-- 51.0 -- 关断下降时间t f-- 32.5 --栅极电荷量Q g V DS=520V，I D=7.0A，V GS=10V(注2，3) -- 21.2 --nC栅极-源极电荷量Q gs-- 4.53 -- 栅极-漏极电荷量Q gd-- 10.2 --源-漏二极管特性参数参 数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位源极电流I S MOS管中源极、漏极构成的反偏P-N结-- -- 7.0A源极脉冲电流I SM-- -- 28.0源-漏二极管压降V SD I S=7.0A，V GS=0V -- -- 1.4 V反向恢复时间T rr I S=7.0A，V GS=0V，dI F/dt=100A/µs（注2）-- 499 -- ns反向恢复电荷Q rr-- 3.0 -- µC 注：1. L=30mH，I AS=5.0A，V DD=100V，R G=25Ω，开始温度T J=25°C；2. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；3. 基本上不受工作温度的影响。