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关于LED驱动电源那些常见的⼗款经典LED驱动芯⽚⽬前，芯⽚设计⾏业越来越多的⼚家加⼊了LED设计，设计出众多型号，在此从性能价格⽐⽅⾯详细的谈谈，怎样选择⾃⼰合适的IC，哪些IC最合适⾃⼰准备设计的产品。
为IC设计企业了解市场需要什么样的IC，应该制定什么价位中合适。
价格随时会变动只能为参考值。
质量和价格是决定是否采⽤的因数，符合产品设计质量参数要求很重要！价格更重要！1、美国CATALYST公司-CAT4201这个IC驱动1-7颗1W LED。
效率可达92%，6-28V电压输⼊范围降压型驱动应⽤设计。
它最⼤的优势是封装SOT23⼤⼩，线路简介，符合⽬前多数⼩体积灯杯设计使⽤要求。
⼤阻值范围电流调节，可以电位器宽阻值范围调节亮度，⽐如设计台灯等产品需要这样时。
2、美国国家半导体 LM3404LM3404和LM3402的线路⼀样，不同的是电流可以达到1A，驱动1-15pcsLED性价⽐较⾼。
上⾯所列IC规格都是内置MOS管，内置MOS管可以简化线路设计，⼩体积，降低设计综合成本，故障率也会降低。
因其⽬前IC⼯艺制成、成本等原因⼤于1A以上的LED驱动IC需要外置MOS管。
在我们⽇常产品设计中经常会遇到⼤电流设计，⽐如5W、10W等更⾼功率的设计要求，那只能选择外置MOS管的IC才可以。
3、褒贬不⼀的LED驱动芯⽚IC-AMC7150在当时AMC7150还是不错的，它有个很重要的因数就是价格，有不到2元的市场价格，是你采⽤它的理由。
AMC7150⽬前有⼏⼗家可以直接替换的IC型号，价格战会⽆法避免。
在设计参数要求不⾼的低压4-25V产品中可以选择它，基本驱动能⼒在3W以下应⽤设计。
⽐如1W串3颗或3W 1颗LED设计是稳定的。
4、欧洲Zetex公司-ZXLD1350这颗IC⽬前市场反应良好，也是SOT23⼩体积封装，输⼊7-30V电压降压恒流驱动1-7psc LED，线路简洁实⽤。
设计时Rs要紧靠IC避免供电电压⼤幅度不动，这样会影响恒流效果。
智能功率模块(IPM)，500V/5A 三相全桥驱动
备注1：壳温测试点，请看图3所示。
推荐工作条件
(a)开启(b) 关断
图1. 开关时间定义
控制部分(除非特殊说明，特指每个HVIC)
0123456789101112131415
V F(V)
图2. 自举二极管电阻特性
注：电阻特性：等效电阻：~ 15Ω.
管脚排列图
图4 开关及RBSOA 测试线路（低侧）
复位
检测
复位
输入信号欠压保护状态
低侧供电, V CC
MOSFET 管电流
封装外形图
MOS电路操作注意事项：
静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS电路由于受静电放电影响而引起的损坏：♦操作人员要通过防静电腕带接地。
♦设备外壳必须接地。
♦装配过程中使用的工具必须接地。
♦必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。
声明：
♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
♦任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用Silan产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！
♦产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
士兰微电子 版本号：0.1 http: // 共11页 第11页 产品名称：
SD05M50DB/DBS 文档类型： 说明书 版 权：
杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: // 版 本：
0.1 作 者： 陈颜
修改记录：
1. 初稿。
20A、100V肖特基整流管描述Array SBD20C100T/F/S是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管，广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。
特点♦具有过压保护的保护环结构♦高电流冲击能力♦低功耗，高效率♦正向压降低产品规格分类产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SBD20C100T TO-220-3L SBD20C100T 无铅料管SBD20C100T TO-220HW-3L SBD20C100T 无铅料管SBD20C100F TO-220F-3L SBD20C100F 无铅料管SBD20C100S TO-263-2L 20C100S 无卤料管SBD20C100STR TO-263-2L20C100S无卤编带=25°C)极限参数(除非特殊说明，TC参 数 符 号 额定值 单 位 最大反向峰值电压V RRM100 V 正向平均整流电流I FAV20 A 正向峰值浪涌电流@8.3ms I FSM150 A 工作结温T J150 °C 芯片存储温度范围T STG-40~150 °C 热阻特性参数名称 符号 额定值 单位 芯片对管壳热阻RθJC 2.0 °C/W电参数规格典型特性曲线图1、正向压降典型值图2、反向漏电流典型值图3、结电容典型值I F [A ]V F [V]V R [V]I R [m A ]V R [V]C T [p F ]1010.1204060801001101010.1图4、正向平均整流电流I F A V [A ]T C [°C]155251020封装外形图封装外形图(续)声明：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
♦任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用Silan产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！♦产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！产品名称：SBD20C100T/F/S文档类型：说明书版权：杭州士兰微电子股份有限公司公司主页：http: //版本： 2.1 作者：殷资修改记录：1.增加TO-263-2L封装版本： 2.0 作者：殷资修改记录：1.删除TO-262-3L封装版本： 1.9 作者：殷资修改记录：1.修改TO-220F-3L封装信息2.增加TO-220HW-3L封装3.修改TO-220-3L封装信息版本： 1.8 作者：张科锋修改记录：1.修改“封装外形图”版本： 1.7 作者：张科锋修改记录：1.增加TO-262-3L封装版本： 1.6 作者：张科锋修改记录：1.修改图4版本： 1.5 作者：张科锋修改记录：1.增加“正向平均整流电流”曲线版本： 1.4 作者：张科锋修改记录：1.修改“封装外形图”版本：13 作者：张科锋修改记录：1.修改说明书模板版本： 1.2 作者：张科锋修改记录：1.增加康比TO-220F-3L封装版本： 1.1 作者：张科锋修改记录：1.增加TO-220-3L、TO-220F-3L友益薄框架封装；康比TO-220-3L封装版本： 1.0 作者：张科锋修改记录：1.原版士兰微电子文档类型：说明书。
SD6807D 说明书带PFC 的原边控制模式LED 驱动控制芯片描述SD6807D 是集成PFC 功能的原边控制模式的LED 驱动控制芯片，内置650V 高压功率MOSFET 。
它采用固定导通时间控制来实现PFC 功能，并提供精确的恒流控制，具有非常高的平均效率。
采用SD6807D 设计系统，可以省去光耦、次级反馈控制、环路补偿，精简电路，降低成本。
主要特点♦ 低启动电流 ♦ 原边控制模式♦ 内置650V 高压功率MOSFET ♦ 前沿消隐 ♦ 固定导通时间控制 ♦ VCC 过压保护 ♦ VCC 欠压锁定 ♦ 过温保护 ♦ 逐周期限流 ♦ 峰值电流补偿 ♦LED 短路保护应用♦ LED 灯泡 ♦AC 输入LED 照明产品规格分类产品名称 封装形式 打印名称材料 包装 SD6807DDIP-8-300-2.54--无铅料管内部框图*脉冲宽度由最大结温决定=25°C) 电气参数(内置MOSFET部分, 除非特别说明, TambSD6807D是集成PFC功能的原边控制模式的LED驱动控制芯片，内置650V高压功率MOSFET。
通过变压器初级线圈的电流，间接控制系统的输出电流，从而达到输出恒流的目的。
SD6807D采用固定导通时间控制来实现PFC功能，并提供精确的恒流控制，具有较高的稳定性和平均效率。
1.启动电路和欠压锁定开始时，电路由交流输入电压通过启动电阻对VCC脚的电容充电。
当VCC充到16V，电路开始工作。
电路正常工作以后，如果电路发生保护，输出关断，由于电路此时供电由辅助绕组提供，VCC开始降低，当VCC低于8V，控制电路整体关断，电路消耗的电流变小，又开始对VCC脚的电容充电，启动电路重新工作。
2.导通瞬3.当功率，限流比较器动作，其中nR senMOSFET关断。
4.FB过零检测（谷底开通）和副边导通时间检测在FB过零时，功率MOSFET开通，而后功率MOSFET开通时间达到COMP控制的时间，功率MOSFET关断，此时FB端电压为正。
高功率因数反激式PWM控制器
日光灯
产品规格分类
产品名称 封装形式 打印名称 材料 包装
无铅料管SD7530 DIP-8-300-2.54
SD7530
无铅料管
SD7530S
SD7530S SOP-8-225-1.27
无铅编带SD7530STR SOP-8-225-1.27
SD7530S
内部框图
40
OL -600/800
误差
放大器
比较器
SD7530说明书
电气参数 (除非特别指定，V
CC
=22V；C O=1nF；-25°C<T amb<125°C)
TEL 158********
SD7530说明书
TEL 158********
管脚描述
封装外形图
SD7530说明书
MOS电路操作注意事项：
静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS电路由于受静电放电影响而引起的损坏：
• 操作人员要通过防静电腕带接地。
• 设备外壳必须接地。
• 装配过程中使用的工具必须接地。
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。
声明：
•士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
•任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用Silan产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损
失情况的发生！
•产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
TEL 158********。
内置高压功率MOSFET的多重模式控制器产品规格分类典型输出功率能力内部框图电气参数(内置功率MOSFET部分，除非特殊说明，T=25︒C)amb重模式控制，具有抖频、峰值电流补偿、软启动功能，还集成各种异常状态的保护功能。
SD8666QS可减少外围元件，增加效率和系统的可靠性，适用于反激式变换器。
多种控制模式SD8666QS具有多重模式控制。
在重载条件下（VFB>2V），系统会有两种工作状态，当输入电压低时，工作在CCM 模式，此时为PWM控制，固定频率55KHz，当输入电压高时，工作在DCM模式，此时工作在QR模式，可以减小开关损耗，最大频率限制在69KHz。
随着负载降低，在中载和轻载条件下（1.3V<VFB<2V），工作在QR+PFM模式，最大限制频率开始降低直到最低频率23KHz，期间谷底开通仍然存在，可以提高转换效率。
在空载和极轻负载条件下（VFB<1V），进入打嗝模式，有效地降低待机功耗。
SD8666QS具有低压重载升频功能，输入电压低于100V时，重载条件下，（VFB>2.4V），频率随FB电压增加而升高，提高低压的极限输出功率。
如图1所示。
过图 2. VCC过压保护的波形图输出过载保护当输出发生过载时，FB电压会升高，当升到FB过载保护点4.2V时，且再经过过载保护延时90ms后，功率MOSFET 关断，VCC电压开始下降；当VCC电压降到关断电压8V时，电路重新启动。
输出过载保护的波形如图3所示。
滤波4上的电阻上的CS电压连续4个周期都大于1V时，就判定输出二极管短路。
此时功率MOSFET关断，且进入锁定状态。
当AC输入电压断开，VCC电压下降至锁定点5V时，才能解除锁定状态；当AC输入电压重新上电后，系统将重新启动。
AC输入电压欠压保护在功率MOSFET导通时，辅助绕组电压为负，DEM管脚钳位为0V。
SD8666QS通过设定外部检测电阻，检测DEM 管脚流出的电流。
高压半桥驱动电路描述SDH2103DA / SDH2103SA是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压功率器件的半桥驱动电路。
它内置欠压保护，防止功率管在低的控制电压下工作；具有高低侧输入信号互锁保护功能及内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。
特性♦高侧浮动偏移电压600V♦输出电流+0.25A / -0.65A♦输入逻辑兼容3.3V / 5V / 15V♦内置死区时间♦高低侧输入信号互锁保护♦低侧欠压（UV）保护♦dV/dt误动作防止功能v 应用♦马达驱动♦高亮度放电灯具♦开关电源♦空调、等离子电视等家电产品规格分类产品名称封装形式打印名称材料包装SDH2103DA DIP-8-300-2.54 SDH2103DA 无卤料管SDH2103SA SOP-8-225-1.27 SDH2103SA 无卤料管SDH2103SATR SOP-8-225-1.27 SDH2103SA 无卤编带内部框图极限参数(除非特别注明，否则T amb =25°C)推荐工作条件电气参数（除非特别说明，否则T amb =25°C ，V CC =V BS （=V B -V S ）=15V ）管脚排列图HINLOV S HO V BGND LIN V CC管脚描述功能描述SDH2103DA/SDH2103SA 是用于N 型功率MOSFET 和IGBT 等高压功率器件的半桥驱动电路，正常工作时输出HO 与输入HIN 保持逻辑同相，输出LO 与输入LIN 保持逻辑反相。
SDH2103DA/SDH2103SA 具有输入信号死区时间，该功能防止被驱动的两个MOSFET 或IGBT 因同时导通而产生大电流，有效保护功率器件。
SDH2103DA/SDH2103SA 同时具备欠压（UV ）保护功能，当V CC 的电压低于欠压保护检测电压时，LO 和HO 均输出低电平。
该功能防止被驱动的MOSFET 或IGBT 工作在高电压大电流状态下，有效保护功率器件并避免后续设备在低效率下工作。
