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智能功率模块(IPM)，500V/2A 三相全桥驱动描述SD02M50DAE/DAS 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。
其内置了6个快恢复功率MOS 管和3个半桥高压栅极驱动电路。
SD02M50DAE/DAS 内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。
由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。
SD02M50DAE/DAS 采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。
主要特点♦ 内置6个500V/2A 的快恢复功率MOS 管 ♦ 内置高压栅极驱动电路(HVIC) ♦ 内置欠压保护 ♦ 内置自举二极管♦ 内置负温度系数电阻用于温度检测♦ 完全兼容3.3V 和5V 的MCU 的接口，高电平有效 ♦ 3个独立的负直流端用于变频器电流检测的应用 ♦优化并采用了低电磁干扰设计 ♦ 绝缘级别1500V rms /min应用♦ 室内/户外空调 ♦ 冰箱压缩机 ♦ 排气扇 ♦ 风扇 ♦ 空气净化器 ♦洗碗机水泵产品规格分类备注1：壳温测试点，请看图5所示。
推荐工作条件电气特性参数（除非特殊说明，Tamb=25︒C，VCC =VBS=15V）逆变器部分(除非特殊说明，特指每个快恢复MOSFET)(a)开启(b) 关断图1. 开关时间定义控制部分 (除非特殊说明，特指每个HVIC)备注2：BV DSS 是指加在每个功率MOSFET 源漏之间的极限最高电压，实际应用的时候，考虑到导线杂散电感的影响，V PN 必须足够小于BV DSS 这个值，以保证在任何时候加到MOSFET 上的V DS 都不会超过B VDSS 。
备注3：t ON 和t OFF 包括内部的驱动IC 的传输延迟时间。
列出的值是在实验室的测试条件，会随着应用现场不同的印刷电路板和电线的效果而不同。
请参阅图1的开关时间定义和图6的开关测试电路图。
3VD235600YL高压MOSFET芯片描述Ø3VD235600YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；Ø先进的高压分压终止环结构；Ø较高的雪崩能量；Ø漏源二极管恢复时间快；Ø该芯片可采用TO-251型式封装，典型的成品规格为2N60；Ø封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动；芯片简图芯片介绍项目描述圆片尺寸6Inch管芯尺寸2060μm *2720μm管芯数量2815 dice/wafer芯片厚度300±20µm.正面金属 /厚度Al(1%Si) : 3µm.背面金属 /厚度Ti/Ni/Ag:0.1/0.3/0.4μm栅极压点尺寸（PAD1）454.2μm *536μm划片道宽度80μm *80μm极限参数(T amb=25°C)参数名称符号额定值单位漏源电压V DS600V 栅源电压V GS±30V 漏极电流I D 2.0A 耗散功率(TO-251封装)P D44W 工作结温T J150°C 贮存温度T stg-55～+150°C电参数(T amb=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压B VDSS V GS=0V， I D=250µA600--V 栅极开启电压V TH V GS= V DS，I D=250µA 2.0- 4.0V 漏源漏电流I DSS V DS=600V，V GS=0V-- 1.0µA 导通电阻R DS(on)V GS=10V，I D=1.0A-- 4.6Ω栅源漏电流I GSS V GS=±30V，V DS=0V--±100nA 漏源寄生二极管正V FSD I S=2.0A, V GS=0V-- 1.4V 向导通压降声明：•士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
士兰微电子推出高压MOS管的原
杭州士兰微电子公司在绿色电源控制器领域继续推出新品----内置
650V高压MOS管的原边控制开关电源SD6853/6854。
该产品带有可编程的
线损补偿和峰值电流补偿功能，采用PFM调制技术，提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路，具有非常高的稳定性和平均效率。
广泛适用于手机充电器、小功率适配器、待机电源、MP3及其他便携式设备。
SD6853/6854是离线式开关电源集成电路，内置高压MOS管、带有
线损补偿和峰值电流补偿的高端开关电源控制器，采用了士兰微电子自主知
识产权的专利技术。
通过检测变压器原级线圈的峰值电流和辅助线圈的反馈
电压，间接控制系统的输出电压和电流，从而达到输出恒压或者恒流的目的。
在一定的输出功率范围内，可通过反馈电阻设定输出电压;可通过峰值电流采样电阻设定输出电流。
也可以根据需要设置线损补偿和峰值电流补偿，以达
到最佳的输出电压、输出电流的调整率。
正常的工作周期分为峰值电流检测和反馈电压检测：当MOS管导通，通过采样电阻检测原级线圈的电流，输出电容对负载供电，输出电压VOUT
下降;当原级线圈的电流到达峰值时，MOS管关断，检测FB端电压，存储在次级线圈的能量对输出电容充电，输出电压VOUT上升，并对负载供电。
当同时满足恒压、恒流环路控制的开启条件后，MOS管才开启，芯片再次进入。
SD30M60AC说明书智能功率模块 600V/30A 3相全桥驱动描述SD30M60AC是高度集成、高可靠性的3相无刷直流电机驱动电路，主要应用于较低功率的变频驱动，如空调、洗碗机、工业缝纫机等。
其内置了6个低损耗的IGBT管和3个高速半桥高压栅极驱动电路。
SD30M60AC内部集成了欠压、短路、过温等各种电路，提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。
由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。
SD30M60AC采用了高绝缘、易导热的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合要求紧凑安装的应用场合。
主要特点♦内置6个600V/30A的低损耗IGBT；♦内置高压栅极驱动电路；♦内置欠压保护和过温、过流保护；♦内置自举二极管；♦完全兼容3.3V和5V的MCU的接口，高电平有效；♦3个独立的负直流端用于变频器电流检测的应用；♦报警信号：对应于低侧欠压保护和短路保护；♦封装体采用DBC设计，热阻极低；♦绝缘级别：2500Vrms/min。
应用♦空调压缩机♦冰箱压缩机♦低功率变频器♦工业缝纫机产品规格分类产品名称封装形式打印名称材料包装SD30M60AC DIP-27H SD30M60AC 无铅料管内部框图极限参数参数符号参数范围单位逆变器部分加在PN之间的直流母线电压V PN450 V 加在PN之间的直流母线电压（浪涌）V PN(Surge)500 V 集电极和发射极之间的电压V CES600 V 单个IGBT集电极持续电流，T C=25°C I C30 A 单个IGBT集电极尖峰电流，T C=25°C，I CP60 A 脉冲宽度小于1毫秒每个模块最大集电极耗散功率，T C=25°C P C106 W 控制部分控制电源电压V CC20 V 高侧控制电压V BS20 V 输入信号电压V IN-0.3~17 V参数符号参数范围单位故障输出电源电压V FO-0.3~V CC+0.3 V故障输出电流I FO 5 mA V FO管脚的灌电流电流检测脚的输入电压V SC-0.3~V CC+0.3 V整体系统短路保护的限制电压点V PN(PROT)400 V V CC=V BS=13.5~16.5V, T J=150°C, 单次且小于2微秒模块外壳工作温度T C-40~125 °C 限制条件：-40°C≤T J≤150°C存储温度范围T STG-40~150 °C每个IGBT的结到外壳的热阻RθJC Q 1.2 °C/W 每个FRD的结到外壳的热阻RθJC F 1.9 °C/W 绝缘电压60赫兹，正弦，1分钟V ISO2500 V rms 连接管脚到散热器安装扭矩T 0.5~0.8 N.m 安装螺丝：-M3，推荐值0.62N.m自举二极管正向电流（T C=25°C）I F0.5 A自举二极管正向峰值电流（T C=25°C，1ms脉冲宽度）I FP 2.0 A 推荐工作条件电气特性参数(除非特别说明，T amb =25°C ，V CC =V BS =15V)逆变器部分(a)开启过程(b)关闭过程图1. 开关时间定义控制部分备注1: 故障输出脉宽t FO 取决于C FOD ，C FO =18.3×10-6×t FO [F] 备注2: 短路保护只对低侧有效自举二极管部分（除非特别说明，适用于每个自举二极管）0.00.10.20.30.40.50.60.70.80.91.00123456789101112131415内置自举二极管 V F -I F 特性I F (A )V F (V)注：电阻特性：等效电阻：~ 15Ω。
内置高压功率MOSFET的多重模式控制器产品规格分类典型输出功率能力内部框图电气参数(内置功率MOSFET部分，除非特殊说明，T=25︒C)amb重模式控制，具有抖频、峰值电流补偿、软启动功能，还集成各种异常状态的保护功能。
SD8666QS可减少外围元件，增加效率和系统的可靠性，适用于反激式变换器。
多种控制模式SD8666QS具有多重模式控制。
在重载条件下（VFB>2V），系统会有两种工作状态，当输入电压低时，工作在CCM 模式，此时为PWM控制，固定频率55KHz，当输入电压高时，工作在DCM模式，此时工作在QR模式，可以减小开关损耗，最大频率限制在69KHz。
随着负载降低，在中载和轻载条件下（1.3V<VFB<2V），工作在QR+PFM模式，最大限制频率开始降低直到最低频率23KHz，期间谷底开通仍然存在，可以提高转换效率。
在空载和极轻负载条件下（VFB<1V），进入打嗝模式，有效地降低待机功耗。
SD8666QS具有低压重载升频功能，输入电压低于100V时，重载条件下，（VFB>2.4V），频率随FB电压增加而升高，提高低压的极限输出功率。
如图1所示。
过图 2. VCC过压保护的波形图输出过载保护当输出发生过载时，FB电压会升高，当升到FB过载保护点4.2V时，且再经过过载保护延时90ms后，功率MOSFET 关断，VCC电压开始下降；当VCC电压降到关断电压8V时，电路重新启动。
输出过载保护的波形如图3所示。
滤波4上的电阻上的CS电压连续4个周期都大于1V时，就判定输出二极管短路。
此时功率MOSFET关断，且进入锁定状态。
当AC输入电压断开，VCC电压下降至锁定点5V时，才能解除锁定状态；当AC输入电压重新上电后，系统将重新启动。
AC输入电压欠压保护在功率MOSFET导通时，辅助绕组电压为负，DEM管脚钳位为0V。
SD8666QS通过设定外部检测电阻，检测DEM 管脚流出的电流。
高压半桥驱动电路描述SDH2103DA / SDH2103SA是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压功率器件的半桥驱动电路。
它内置欠压保护，防止功率管在低的控制电压下工作；具有高低侧输入信号互锁保护功能及内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。
特性♦高侧浮动偏移电压600V♦输出电流+0.25A / -0.65A♦输入逻辑兼容3.3V / 5V / 15V♦内置死区时间♦高低侧输入信号互锁保护♦低侧欠压（UV）保护♦dV/dt误动作防止功能v 应用♦马达驱动♦高亮度放电灯具♦开关电源♦空调、等离子电视等家电产品规格分类产品名称封装形式打印名称材料包装SDH2103DA DIP-8-300-2.54 SDH2103DA 无卤料管SDH2103SA SOP-8-225-1.27 SDH2103SA 无卤料管SDH2103SATR SOP-8-225-1.27 SDH2103SA 无卤编带内部框图极限参数(除非特别注明，否则T amb =25°C)推荐工作条件电气参数（除非特别说明，否则T amb =25°C ，V CC =V BS （=V B -V S ）=15V ）管脚排列图HINLOV S HO V BGND LIN V CC管脚描述功能描述SDH2103DA/SDH2103SA 是用于N 型功率MOSFET 和IGBT 等高压功率器件的半桥驱动电路，正常工作时输出HO 与输入HIN 保持逻辑同相，输出LO 与输入LIN 保持逻辑反相。
SDH2103DA/SDH2103SA 具有输入信号死区时间，该功能防止被驱动的两个MOSFET 或IGBT 因同时导通而产生大电流，有效保护功率器件。
SDH2103DA/SDH2103SA 同时具备欠压（UV ）保护功能，当V CC 的电压低于欠压保护检测电压时，LO 和HO 均输出低电平。
该功能防止被驱动的MOSFET 或IGBT 工作在高电压大电流状态下，有效保护功率器件并避免后续设备在低效率下工作。
