点缺陷符号和反应式[课资借鉴]

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晶体结构缺陷(一)缺陷反应方程式

知识点047. 点缺陷的Kroger-Vink符号表达V FeV Na, 阳离子空位是负电中心因为需要正电荷才能达到电中性V Ca ,, V Cl . V O .. 阴离子空位是正电中心因为需要负电荷才能达到电中性Ni Fe Ca Na . Al Na .. Na Ca, Na Al ,, 高价阳离子置换低价阳离子荷正电，荷电量为有效电荷低价阳离子置换高价阳离子荷负电，荷电量为有效电荷O Cl, Cl O . Na i . O i ,, 高价阴离子置换低价阴离子荷负电，荷电量为有效电荷低价阴离子置换高价阴离子荷正电，荷电量为有效电荷阳离子间隙，荷正电，荷电量为离子电价阴离子间隙，荷负电，荷电量为有效电荷 e , h .随堂练习：答：+V Fe ,,, Ni Fe Ni Fe Zn i .. F O . V Na , Na i . V Mg ,, + V O..知识点048. 缺陷反应方程式的写法热缺陷反应方程式：Ag Ag V Ag + Ag i, .Ag Ag V Ag + Ag i热缺陷反应方程式：Ag Ag V Ag （+ Ag surface AgCl V Ag + V Cl , . ）可省略省略了表面上的离子有缘学习更多＋谓ｙｇｄ３０７６考证资料或关注桃报：奉献教育（店铺）注意：电中性原则化合物中带电的肖特基缺陷都是按照比例出现的, ..Ag2O2V Ag + V O电中性、质量平衡、位置关系三原则电中性原则：质量平衡位置关系缺陷反应方程式中阳离子格点数（含缺陷和正常格点）与阴离子格点数（含缺陷和正常格点）之比，要与基质中阳离子格点数与阴离子格点数之比保持一致。

NaF YF3Na Y,,F F+ 2V F.阳离子的格点数为1（离子置换）阴离子的格点数为3（1个正常格点，2个阴离子空位）阳离子格点数（含缺陷和正常格点）阴离子格点数（含缺陷和正常格点）=基质中阳离子格点数基质中阴离子格点数=13注意：3NaF YF3Na Y,,+ 3F F+ i.阳离子的格点数为1（离子置换）阴离子的格点数为3（3个正常格点）不占格点位置不计入格点数2个？•以正离子为基准，是调整杂质中正离子数目与基质分子式中正离子的数目相同。

无机材料科学基础03-2

晶体结构缺陷——3.2 点缺陷第三章晶体结构缺陷
资源加工与生物工程学院
2. 缺陷反应实例
（1）热缺陷反应方程式）
【例1】 MgO形成肖特基缺陷 MgO形成肖特基缺陷迁移至表面新位置上，即 Mg2+ 和 O2- 迁移至表面新位置上，晶体内部留下空位: 下空位
• ′′ Mg Mg surface＋O O surface ⇔ Mg Mg new surface＋O O new surface＋VMg + VO•
′ Ag Ag ⇔ Ag ＋VAg
• i
晶体结构缺陷——3.2 点缺陷第三章晶体结构缺陷
资源加工与生物工程学院
杂质（组成）（2）杂质（组成）缺陷反应方程式及固溶体化学式——杂质在基质中的固溶过程杂质在基质中的固溶过程体化学式
杂质进入基质晶体时，遵循杂质正负离子分别进入基质正杂质进入基质晶体时，遵循杂质正负离子分别进入基质正负离子位置的原则这样基质晶体的晶格畸变小，的原则，负离子位置的原则，这样基质晶体的晶格畸变小，缺陷容易形成；易形成；在不等价替换时，会产生空位或间隙质点。在不等价替换时，会产生空位或间隙质点。空位杂质缺陷反应方程一般式：杂质缺陷反应方程一般式：
固溶体化学式：固溶体化学式：
Y1－x Na x F3－2 x
以负离子为基准，反应方程式为：负离子为基准，反应方程式为：为基准
固溶体化学式：固溶体化学式： Y1－x Na 3 x F3
→
Y
x 1－ 3
Na x F3
晶体结构缺陷——3.2 点缺陷第三章晶体结构缺陷
资源加工与生物工程学院
【例4】写出CaCl2加入KCl中的缺陷反应式及固溶写出CaCl 加入KCl中的缺陷反应式体化学式

第二章点缺陷.ppt

VM含义即M原子位置是空的。 2.间隙原子（interstitial）亦称为填隙原子，用Mi、Xi来表示，其含义
为M、X原子位于晶格间隙位置。 3. 错位原子错位原子用MX、XM等表示，MX的含义是M原子占据X原子
的位置。XM表示X原子占据M原子的位置。 4. 自由电子（electron）与电子空穴 (hole）
面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。
面缺陷－晶界
晶界示意图
亚晶界示意图
晶界: 晶界是两相邻晶粒间的过渡界面。由于相邻晶粒间彼此位向各不相同，故晶界处的原子排列与晶内不同，它们因同时受到相邻两侧晶粒不同位向的综合影响，而做无规则排列或近似于两者取向的折衷位置的排列，这就形成了晶体中的重要的面缺陷。
• Solid solution of B in A (i.e., random dist. of point defects)
OR
Substitutional alloy (e.g., Cu in Ni)
Interstitial alloy (e.g., C in Fe)
Impurities in Ceramics
体缺陷三维缺陷
位错
小角度晶界、大角度晶界挛晶界面堆垛层错包藏杂质沉淀空洞
1. 点缺陷（零维缺陷） Point Defect
缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。
包括：空位（vacancy）间隙质点（interstitial particle）错位原子或离子外来原子或离子（杂质质点）（foreign particle）双空位等复合体
E原子 > E平均在原来位置上产生一个空位
热缺陷浓度与温度的关系:温度升高时，热缺陷浓度增加

点缺陷符号和反应式

例1· 写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程式

以正离子为基准，反应方程式为：
NaF NaY ''FF 2V
YF3

. F
以负离子为基准，反应方程式为：
例2· 写出CaCl2加入KCl中的缺陷反应方程式

以正离子为基准，缺陷反应方程式为：
CaCl2 Ca ClCl Cli '
2.2点缺陷
本节介绍以下内容：
一、点缺陷的符号表征：Kroger-Vink符号
二、缺陷反应方程式的写法
一、点缺陷的符号表征:Kroger-Vink符号
以MX型化合物为例： 1.空位（vacancy）用V来表示，符号中的右下标表示缺陷所在位置，VM含义即M原子位置是空的。 2.间隙原子（interstitial）亦称为填隙原子，用Mi、Xi来表示，其含义为M、X原子位于晶格间隙位置。
二、缺陷反应表示法
对于杂质缺陷而言，缺陷反应方程式的一般式：
1.写缺陷反应方程式应遵循的原则
与一般的化学反应相类似，书写缺陷反应方程式时，应该遵循下列基本原则：（1）位置关系（2）质量平衡（3）电中性
（1）位置关系：
在化合物MaXb中，无论是否存在缺陷，其正负离子位置数（即格点数）的之比始终是一个常数a/b，即：M的格点数/X的格点数a/b。如NaCl结构中，正负离子格点数之比为1/1，Al2O3中则为2/3。
（2）质量平衡：与化学反应方程式相同，缺陷反应方程式两边的质量应该相等。需要注意的是缺陷符号的右下标表示缺陷所在的位置，对质量平衡无影响。（3）电中性：电中性要求缺陷反应方程式两边的有效电荷数必须相等。
2.缺陷反应实例
（ 1 ）杂质（组成）缺陷反应方程式 ── 杂质在基质中的溶解过程杂质进入基质晶体时，一般遵循杂质的正负离子分别进入基质的正负离子位置的原则，这样基质晶体的晶格畸变小，缺陷容易形成。在不等价替换时，会产生间隙质点或空位。

补充2-缺陷方程

缺陷方程一、点缺陷的符号表征克罗各-明克符号（Kroger-Vink notation）以MX型化合物为例：1.空位（vacancy）用V来表示，符号中的右下标表示缺陷所在位置，V M含义即M原子位置是空的。

2.间隙原子（interstitial）亦称为填隙原子，用M i、X i来表示，其含义为M、X原子位于晶格间隙位置。

3.错位原子错位原子用M X、X M等表示，M X的含义是M原子占据X原子的位置。

X M表示X原子占据M原子的位置。

4.自由电子（electron）与电子空穴(hole）分别用e'和h∙来表示。

其中右上标中的一撇“'”代表一个单位负电荷，一个圆点“ ∙”代表一个单位正电荷。

5.带电缺陷：在NaCl晶体中，取出一个Na+离子，会在原来的位置上留下一个电子e'写成V Na'即代表Na+离子空位，带一个单位负电荷。

同理，，Cl－离子空位记为V Cl∙，带一个单位正电荷。

即：V Na' =V Na＋e'，V Cl∙=V Cl＋h∙。

其它带电缺陷：1)CaCl2加入NaCl晶体时，若Ca2+离子位于Na+离子位置上，其缺陷符号为Ca Na∙，此符号含义为Ca2+离子占据Na+离子位置，带有一个单位正电荷。

2)Ca Zr"表示Ca2+离子占据Zr4+离子位置，此缺陷带有二个单位负电荷。

其余的缺陷V M、V X、M i、X i等都可以加上对应于原阵点位置的有效电荷来表示相应的带电缺陷。

二、缺陷反应表示法对于杂质缺陷而言，缺陷反应方程式的一般式：−→−杂质基质−产生的各种缺陷与一般的化学反应相类似，书写缺陷反应方程式时，应该遵循下列基本原则（1）位置关系：在化合物M a X b中，无论是否存在缺陷，其正负离子位置数（即格点数）的之比始终是一个常数a/b，即：M的格点数/X的格点数≡a/b。

如NaCl结构中，正负离子格点数之比为1/1，Al2O3中则为2/3。

23晶讲义体的结构缺陷精简

1、点缺陷（Point defects）：最简单的晶体缺陷，在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排列。在空间三维方向上的尺寸都很小，约为一个、几个原子间距，又称零维缺陷。包括空位、间隙原子、杂质、溶质原子等。
2、线缺陷（Linear defects）：在一个方向上的缺陷扩展很大，其它两个方向上尺寸很小，也称为一维缺陷。主要为位错。
（2）弗伦克耳缺陷体积不变，肖特基缺陷体积变大。
无机材料科学基础
缺陷浓度
无机材料科学基础
无论是弗伦克耳缺陷还是肖特基缺陷浓度均为下式： C = ns/N = = exp[-E/(2kT)]
影响缺陷浓度的主要因素:温度和缺陷形成能。例如：NaCl晶体重形成间隙质点能量为11.22~12.98×10-19J，
• 固溶体即固体溶液。
无机材料科学基础
固溶体、化合物和混合物比较（以AO溶质溶解在B2O3溶剂中为例）
2AOB2O32AB' VO 2OO
无机材料科学基础
固溶体的分类
1、按溶质和溶剂来划分 • 连续固溶体：溶质和溶剂可以按任意比例互相
固溶 • 不连续固溶体：溶质只能以一定的比例和限度
置，带有一个单位正电荷。
缺陷的有效电荷为(+2) (+1) = +1。如果Ca2+进入间隙
位置，则这种间隙式杂质缺陷表示为
C
a
•• i
。
2)CaZr,,表示Ca2+离子占据Zr4+离子位置，此缺陷带有二个单
位负电荷。
其余的缺陷VM、VX、Mi、Xi等都可以加上对应于原阵点位置的有效电荷来表示相应的带电缺陷。
精品
23晶体的结构缺陷精简
学习内容

点缺陷和缺陷方程写法课件

压力有关。
二、缺陷化学 1. 定义：理论上定性定量地把材料中的点缺陷看作化学实物，并用化学热力学原理来研究缺陷的产生、平衡及其浓度等问题的一门学科。 2. 适用范围：研究对象是晶体缺陷中的点缺陷，且点缺陷的浓度不超过某一临界值（约为0.1at%）。
3. 克罗格-明克（ Kroger-Vink）缺陷符号
AgAg Ag VAg
i
热缺陷反应规律当晶体中剩余空隙比较小时，如NaCl型结构，容易形成肖特基缺陷；当剩余空隙比较大时，如 CaF2型结构，易形成弗仑克尔缺陷。
2. 杂质缺陷一般反应式：杂质
基质
产生的各种缺陷
1）写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程 a. 以正离子为准，Na+占据Y3+位置，带有两个单位负电荷，同时一个F-占据基质晶体中F-位置，按照位置关系，基质中正负离子格点数之比为1：3，现在只引入一个F-。

点缺陷(point defect)
一、点缺陷类型(type of point defect)
1. 几何位置(geometric position) 1.1 填隙原子(interstitial atom)：原子进入晶体中正常结点间的间隙位置。 1.2 空位(vacancy)：正常结点没有被原子或离子占据。 1.3 杂质原子(impurity atom)：外来原子进入晶格。
N n h TSv kT ln n n h TSv kT ln N n
平衡时，
n G / n h TS v kT ln 0 N n
移项得： n kT ln (h TSv ) N n (h TSv ) n exp[ ] N n kT (h TSv ) n exp[ ] N kT n Gf exp( ) N kT

点缺陷

+
V '' Mg
+
VO..
以零O（naught）代表无缺陷状态，则：
MgO形成肖特基缺陷：
O→
V'' Mg
+ VO..
例4·AgBr形成弗仑克尔缺陷
其中半径小的 Ag+ 离子进入晶格间隙，在其格点上留下空位，方程式为：
AgAg→ Ag.i + VA' g
一般规律：
当晶体中剩余空隙比较小，如NaCl型结构，容易形成肖特基缺陷；当晶体中剩余空隙比较大时，如萤石CaF2型结构等，容易产生弗仑克尔缺陷。
VM含义即M原子位置是空的。 2.间隙原子（interstitial）亦称为填隙原子，用Mi、Xi来表示，其含义
为M、X原子位于晶格间隙位置。 3. 错位原子错位原子用MX、XM等表示，MX的含义是M原子占据X原子
的位置。XM表示X原子占据M原子的位置。 4. 自由电子（electron）与电子空穴 (hole）
五、热缺陷与晶体的离子导电性
= j = nze( V ) = nze
式中: n-单位体积中带电粒子的数目
V-带电粒子的漂移（运动）速度
-电场强度 z-粒子的电价
则j=nzeV为单位时间内通过单位截面的电荷量。
=V/是带电粒子的迁移率。
总的电导率
= 1 + 2 ++i = n有本征缺陷（即热缺陷）能斯特—爱因斯坦（Nernst-Einstein）方程：
分别用e，和h ·来表示。其中右上标中的一撇“，”代表一个单位
负电荷，一个圆点“ ·”代表一个单位正电荷。
5. 带电缺陷
在NaCl晶体中，取出一个Na+离子，会在原来的位置上留下一个电子e，，写成VNa’ ，即代表Na+离子空位，带一个单位负电荷;同理，Cl－离子空位记为VCl ·，即代表Cl－离子空位，带一个单位正电荷。

点缺陷

非化学计量化合物TiO2-x可以视为TiO2和Ti2O3 的固溶体，Fe1-xO可以视为FeO和Fe2O3的固溶体。
主要有四种类型： ① 由于负离子空位，金属离子过剩
n型半导体 ② 由于填隙正离子，金属离子过剩
n型半导体 ③ 由于填隙负离子，负离子过剩
p型半导体 ④ 由于正离子空位，负离子过剩
p型半导体
下标总是指晶格中某个特定的原子位置
二缺陷反应式
① 位置关系：在化合物MaXb中M位置数和X的位置数总是保持a:b。
② 质量平衡
③ 电平衡
例如：
Fe O 2Fe 2 3FeO
• Fe2
V" Fe2
3OO
2ZrO2 Y2O3 2ZrY• 3OO Oi"
三本征缺陷（热缺陷）
Байду номын сангаас
1、肖特基缺陷同时产生一个正离子空位和一个
不超过15%。 b、离子价因素两种离子的电价应相等。
否则会产生空位或填隙离子。 c、晶体结构因素晶体结构相同是生成
无限固溶体的必要条件。 d、电负性两种离子的电负性相近有利于
形成固溶体，否则易为化合物。
2、非计量化合物
TiO2-x， Fe1-xO等不符合倍比定律和定比定律的化合物称为非计量化合物。非计量化合物产生的原因：氧化（变价离子）、不等价离子取代等。
离子外,还会造成电子缺陷或带电缺陷。
P Si B Si
P
● Si
+
e′
B Si′ + h●
n型半导体 p型半导体
③ 固溶体
掺杂外来杂质原子的晶体称为固溶体。
固溶体的分类
按杂质原子在固溶体中的位置划分：置换型固溶体和填隙型固溶体

无机材料化学(第5讲点缺陷的表示)

日用化工和电子工业等。
锐钛型钛白粉工艺流程(硫酸法)：
钛铁矿
酸解
沉降
过滤
Hale Waihona Puke 浓缩盐处理二洗漂白
一洗
水解
煅烧
粉碎
成品
硫酸法钛白生产中，偏钛酸煅烧过程对煅烧气氛的要求。
6、点缺陷的平衡浓度
点缺陷作为化学物质参加反应，可用化学平衡的质量作用定律来讨论缺陷平衡浓度。
（1） Frankel 缺陷
AA g gV i Ai• gV A ' g （以AgCl晶体为例）
例如：CaCl2固溶于KCl晶格中
当引入CaCl2时，带入Ca2+离子同时也带入Cl-离子，该 Cl-离子处于KCl晶格中Cl-的位置上，而Ca2+则处于K+位置上，为了保持电中性，对应必须产生K+空位。溶剂 KCl晶格中，K+与Cl-的格位比仍为=1：1，只是存在有 K+空位。
在该例子中，CaCl2固溶于KCl晶格产生的ClCl 和VK·均为能引起位置数增加的缺陷。
再如：
• 若杂质离子价态与被取代正离子的价态不一致，取代时会给晶体带来额外电荷，为中和这些电荷保持电中性，还会产生其它缺陷，如空位或填隙离子。
（i）杂质离子价态比被取代离子价态高，取代同时: （a）产生阳离子空位：
（b）产生间隙阴离子：
Y3F C 2 a F Y C • aF i2 F F
此类缺陷反应方程式的进一步说明：基质和掺杂剂的位置表示；满足电荷平衡、物质平衡及格位平衡。
Y3 FC 2a FY C • aF i' 2FF
关于杂质缺陷的说明：
• 杂质缺陷一般来说并不改变原有基质晶体的晶格，但会使晶格畸变而活化。

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行业倾力
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（2）热缺陷反应方程式
例3·MgO形成肖特基缺陷
MgO形成肖特基缺陷时，表面的Mg2+和O2-离子迁移到表面新位置上，在晶体内部留下空位:
MgMg surface+OO surface MgMg new surface+OO new surface +
V'' Mg
VO..
以零O（naught）代表无缺陷状态，则：
AgAg Agi. VA' g
平衡常数K为：
K
[ Agi. ][VA'g ]
[ AgAg ]
式中 [AgAg]1。
又G=－RTlnK ,则
[
Agi.
]
[VA' g
]
exp(
行业倾力
18
三、热缺陷浓度的计算
在一定温度下，热缺陷是处在不断地产生和消失的过程中，当单位时间产生和复合而消失的数目相等时，系统达到平衡，热缺陷的数目保持不变。
根据质量作用定律，可以利用化学平衡方法计算热缺陷的浓度。
行业倾力
19
化学平衡方法计算热缺陷浓度
（1）MX2型晶体肖特基缺陷浓度的计算 CaF2晶体形成肖特基缺陷反应方程式为：
Cl i
'
以负离子为基准，则缺陷反应方程式为：
CaCl
2
KCl Ca
. K
VK '2Cl Cl
行业倾力
14
基本规律：
低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生负离子空位或间隙正离子。
高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生正离子空位或间隙负离子。
Oห้องสมุดไป่ตู้
V'' Mg
VO..
行业倾力
16
例4·AgBr形成弗仑克尔缺陷
其中半径小的 Ag+ 离子进入晶格间隙，在其格点上留下空位，方程式为：
AgAg Ag.i VA' g
行业倾力
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一般规律：
当晶体中剩余空隙比较小，如NaCl型结构，容易形成肖特基缺陷；当晶体中剩余空隙比较大时，如萤石CaF2型结构等，容易产生弗仑克尔缺陷。
行业倾力
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（2）质量平衡：与化学反应方程式相同，缺陷反应方程式两边的质量应该相等。需要注意的是缺陷符号的右下标表示缺陷所在的位置，对质量平衡无影响。
（3）电中性：电中性要求缺陷反应方程式两边的有效电荷数必须相等。
行业倾力
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2.缺陷反应实例
（1）杂质（组成）缺陷反应方程式──杂质在基质中的溶解过程杂质进入基质晶体时，一般遵循杂质的正负离子分别进入基质的正负离子位置的原则，这样基质晶体的晶格畸变小，缺陷容易形成。在不等价替换时，会产生间隙质点或空位。
行业倾力
3
5.带电缺陷
在NaCl晶体中，取出一个Na+离子，会在原来的位置上留下一个电子e，，写成VNa’ ，即代表Na+离子空位，带一个单位负电荷。同理，Cl－离子空位记为VCl ·，带一个单位正电荷。
即：VNa’=VNa＋e，，VCl ·=VCl＋h·。
行业倾力
4
其它带电缺陷：
1)CaCl2加入NaCl晶体时，若Ca2+离子位于Na+离子位置上，其缺陷符号为CaNa ·，此符号含义为Ca2+离子占据Na+离子位置，带有一个单位正电荷。 2)CaZr,,表示Ca2+离子占据Zr4+离子位置，此缺陷带有二个单位负电荷。
行业倾力
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注意：
一．位置关系强调形成缺陷时，基质晶体中正负离子格点数之比保持不变，并非原子个数比保持不变。
二．在上述各种缺陷符号中，VM、VX、MM、 XX、MX、XM等位于正常格点上，对格点数的多少有影响，而Mi、Xi、e，、h·等不在正常格点上，对格点数的多少无影响。
三．形成缺陷时，基质晶体中的原子数会发生变化，外加杂质进入基质晶体时，系统原子数增加，晶体尺寸增大；基质中原子逃逸到周围介质中时，晶体尺寸减小。
行业倾力
7
1.写缺陷反应方程式应遵循的原则
与一般的化学反应相类似，书写缺陷反应方程式时，应该遵循下列基本原则：
（1）位置关系（2）质量平衡（3）电中性
行业倾力
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（1）位置关系：
在化合物MaXb中，无论是否存在缺陷，其正负离子位置数（即格点数）的之比始终是一个常数a/b，即：M的格点数/X的格点数a/b。如NaCl结构中，正负离子格点数之比为1/1，Al2O3中则为2/3。
其含义为M、X原子位于晶格间隙位置。 3. 错位原子错位原子用MX、XM等表示，MX的含义是M原
子占据X原子的位置。XM表示X原子占据M原子的位置。
行业倾力
2
4. 自由电子（electron）与电子空穴 (hole）分别用e，和h ·来表示。其中右上标中的
一撇“，”代表一个单位负电荷，一个圆点 “ ·”代表一个单位正电荷。
其余的缺陷VM、VX、Mi、Xi等都可以加上对应于原阵点位置的有效电荷来表示相应的带电缺陷。
行业倾力
5
6.缔合中心
电性相反的缺陷距离接近到一定程度时，在库仑力作用下会缔合成一组或一群，产生一个缔合中心， VM和VX发生缔合, 记为（VMVX）。
行业倾力
6
二、缺陷反应表示法
对于杂质缺陷而言，缺陷反应方程式的一般式：
O VC'a' 2VF.
动态平衡 K [VC'a' ][VF. ]2 4[VCa'' ]3
[O]
[O]
G=－RTlnK
又[O]=1， [VF. ] 2[VC''a ]
则
[VCa' '
]
1 34
exp(
G 3RT
)
行业倾力
20
（2）弗仑克尔缺陷浓度的计算
AgBr晶体形成弗仑克尔缺陷的反应方程式为：
2.2点缺陷
本节介绍以下内容：一、点缺陷的符号表征：Kroger-Vink符号二、缺陷反应方程式的写法
行业倾力
1
一、点缺陷的符号表征:Kroger-Vink符号
以MX型化合物为例： 1.空位（vacancy）用V来表示，符号中的右下标表示缺陷所
在位置，VM含义即M原子位置是空的。 2.间隙原子（interstitial）亦称为填隙原子，用Mi、Xi来表示，
行业倾力
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例1·写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程式
以正离子为基准，反应方程式为：
NaF YF3 Na Y ''FF 2VF.
以负离子为基准，反应方程式为：
行业倾力
13
例2·写出CaCl2加入KCl中的缺陷反应方程式
以正离子为基准，缺陷反应方程式为：
CaCl
2
KCl
Ca
. K
Cl Cl