下载文档原格式
电路电子技术习题41．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；其门坎电压V th 约为 0.5 伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ增大，I CQ增大，U CEQ减小。
电子技术实验报告实验名称：单级放大电路系别：班号：实验者：学号：实验日期：实验报告完成日期：目录一、实验目的 (3)二、实验仪器 (3)三、实验原理 (3)（一）单级低频放大器的模型和性能 (3)（二）放大器参数及其测量方法 (4)四、实验容 (5)1、搭接实验电路 (5)2、静态工作点的测量和调试 (6)3、基本放大器的电压放大倍数、输入电阻、输出电阻的测量 (6)4、放大器上限、下限频率的测量 (7)5、电流串联负反馈放大器参数测量 (8)五、思考题 (8)六、实验总结 (8)一、实验目的1.学会在面包板上搭接电路的方法；2.学习放大电路的调试方法；3.掌握放大电路的静态工作点、电压放大倍数、输出电阻和通频带测量方法；4.研究负反馈对放大器性能的影响；了解射级输出器的基本性能；5.了解静态工作点对输出波形的影响和负载对放大电路倍数的影响。
二、实验仪器1.示波器 1台2.函数信号发生器 1台3. 直流稳压电源 1台4.数字万用表 1台5.多功能电路实验箱 1台6.交流毫伏表 1台三、实验原理（一）单级低频放大器的模型和性能1. 单级低频放大器的模型单级低频放大器能将频率从几十Hz~几百kHz的低频信号进行不失真地放大，是放大器中最基本的放大器，单级低频放大器根据性能不同科分为基本放大器和负反馈放大器。
从放大器的输出端取出信号电压（或电流）经过反馈网络得到反馈信号电压（或电流）送回放大器的输入端称为反馈。
若反馈信号的极性与原输入信号的极性相反，则为负反馈。
根据输出端的取样信号（电压或电流）与送回输入端的连接方式（串联或并联）的不同，一般可分为四种反馈类型——电压串联反馈、电流串联反馈、电压并联反馈和电流并联反馈。
负反馈是改变房卡器及其他电子系统特性的一种重要手段。
负反馈使放大器的净输入信号减小，因此放大器的增益下降；同时改善了放大器的其他性能：提高了增益稳定性，展宽了通频带，减小了非线性失真，以及改变了放大器的输入阻抗和输出阻抗。
第四章组合逻辑电路1. 解： (a)(b)是相同的电路，均为同或电路。
2. 解：分析结果表明图(a)、(b)是相同的电路，均为同或电路。
同或电路的功能：输入相同输出为“1”；输入相异输出为“0”。
因此，输出为“0”(低电平)时，输入状态为AB＝01或103. 由真值表可看出，该电路是一位二进制数的全加电路，A为被加数，B为加数，C为低位向本位的进位，F1为本位向高位的进位，F2为本位的和位。
4. 解：函数关系如下：SF++⊕=+ABSABS BABS将具体的S值代入，求得F 312值，填入表中。
A A FB A B A B A A F B A B A A F A A F AB AB F B B A AB F AB B A B A B A AB F B A A AB F B A B A B A F B A AB AB B A B A F B B A B A B A B A B A B A F AB BA A A B A A B A F F B A B A F B A B A F A A F S S S S =⊕==+==+⊕===+⊕===⊕===⊕===+⊕===+=+⊕===⊕==+==⊕==Θ=+=+⊕===+++=+⊕===+=⊕===⊕==+=+⊕==+=+⊕===⊕==01111111011010110001011101010011000001110110)(01010100101001110010100011000001235. （1）用异或门实现，电路图如图(a)所示。
(2) 用与或门实现，电路图如图(b)所示。
6. 解因为一天24小时，所以需要5个变量。
P变量表示上午或下午，P＝0为上午，P=1为下午；ABCD表示时间数值。
真值表如表所示。
利用卡诺图化简如图(a)所示。
化简后的函数表达式为D C A P D B A P C B A P A P DC A PD B A P C B A P A P F =+++=用与非门实现的逻辑图如图(b )所示。
电子技术实验报告4—组合逻辑电路的设计与测试系别课程名称电子技术实验班级实验名称实验四组合逻辑电路的设计与测试姓名实验时间学号指导教师报告内容一、实验目的和任务1.掌握组合逻辑电路的分析与设计方法。
2.加深对基本门电路使用的理解。
二、实验原理介绍1、组合电路是最常用的逻辑电路，可以用一些常用的门电路来组合完成具有其他功能的门电路。
例如，根据与门的得知，可以用两个非门和一个或非门组合成一个与门，还可以组合成更复杂的逻辑关系。
逻辑表达式Z= AB =A B2、分析组合逻辑电路的一般步骤是：(1)由逻辑图写出各输出端的逻辑表达式；(2)化简和变换各逻辑表达式；(3)列出真值表；(4)根据真值表和逻辑表达式对逻辑电路进行分析，最后确定其功能。
3、设计组合逻辑电路的一般步骤与上面相反，是：(1)根据任务的要求，列出真值表；(2)用卡诺图或代数化简法求出最简的逻辑表达式；(3)根据表达式，画出逻辑电路图，用标准器件构成电路；(4)最后，用实验来验证设计的正确性。
4、组合逻辑电路的设计举例(1) 用“与非门”设计一个表决电路。
当四个输入端中有三个或四个“1”时，输出端才为“1”。
设计步骤：根据题意，列出真值表如表13-1所示，再填入卡诺图表13-2中。
表13-1 表决电路的真值表表13-2 表决电路的卡诺图然后，由卡诺图得出逻辑表达式，并演化成“与非”的形式： ABD CDA BCD ABC Z +++=最后，画出用“与非门”构成的逻辑电路如图13-1所示：图13-1 表决电路原理图输入端接至逻辑开关（拨位开关）输出插口，输出端接逻辑电平显示端口，自拟真值表，逐次改变输入变量，验证逻辑功能。
三、实验内容和数据记录1、设计一个四人无弃权表决电路(多数赞成则提议通过，即三人以上包括三人)，要求用2四输入与非门来实现。
用74LS20实现逻辑函数的接线图实验测得真值表如下：D C B A Z0 0 0 0 00 0 0 1 00 0 1 0 00 0 1 1 00 1 0 0 00 1 0 1 00 1 1 0 10 1 1 1 01 0 0 0 01 0 0 1 01 0 1 0 01 0 1 1 11 1 0 0 01 1 0 1 11 1 1 0 11 1 1 1 1四、实验结论与心得1. 该实验存在一定测量误差，误差来源于电路箱中得误差，但是误差实验允许范围内，故该实验有效。
电路电子技术习题4本页仅作为文档封面，使用时可以删除This document is for reference only-rar21year.March电路电子技术习题41．在常温下，硅二极管的门槛电压约为，导通后在较大电流下的正向压降约为；锗二极管的门槛电压约为，导通后在较大电流下的正向压降约为。
2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为伏；其门坎电压V th约为伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ增大，I CQ增大，U CEQ减小。
一、填空题（每空1分，共20分）
1、P型半导体中多数载流子是。
2、半导体的导电特性为、、。
3、在正逻辑的约定下，“1”表示电平。
4、根据反馈采样方式的不同，可以分为反馈和反馈。
5、在信号运算电路中，集成运放工作在区，电压比较器工作在区。
6、基本RS触发器的功能有、和。
7、数字电路中，最基本的逻辑运算关系是、和。
8、将模拟量转换为数字量的装置称为。
9、是抑制零点漂移最有效的电路结构，其放大的特点是。
10、半导体存储器按功能可分为存储器、
二、单项选择题（每题3分，共30分）
1、图1中，已知U Z=10V，负载电压U L等于（）
Ａ 5ＶＢ 10ＶＣ 15ＶＤ 20Ｖ
2、在基本放大电路中希望其输入电阻越好，
输出电阻越好。
（）
A 越大越小
B 越大越大
C 越小越大
D 越小
3、在交流放大电路中，要稳定输出电压，提高输入电阻，应引入（）负反馈。
图1
A 串联电压
B 串联电流
C 并联电压
D 并联电流
4、稳压二极管工作于（）
A 死区
B 正向导通区
C 反向截止区
D 反向击穿区
5、放大电路中，微变等效电路分析法（）
A 能分析静态，也能分析动态
B 只能分析静态
C 只能分析动态大信号
D 只能分析动态小信号
6、电路如图2所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V，则电路中电流I的值为( )
A 1mA
B 0mA
C 1A
D 3mA
7、在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流电源也视为短路，这种处理方法是( )
A 正确的
B 不正确的
C 耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。
D 耦合电容视为短路是不正确的，直流电源视为短路则正确。
8、图3放大电路中从运算放大器A2输出端引至A1输入端的是( )负反馈 A
9、图4所示电路中，V A ＝3V ，V B ＝0V ，若二极管的正向压降忽略不计，则V F 为（ ）
A ．－12V
B ．－9V
C ．0V D.3V
10、图5中R E 引入的是（ ）反馈
A 交流
B 交、直流
C 直流
三、分析作图题（共10分）
1、下图电路中，U R =0，输入电压波形如图所示，运算放大器的最大输出电压Uopp=±13V ，画出输出电压波形。
（5分）
U R u o u i R 2
+
+
∞
– ∆ R 1
+ –
+ + –
–
R L
C C
u o + –
2、已知JK 触发器输入波形，试画出其输出端的工作波形（5分）
四、简答题（共10分）
1、共集电极放大电路(射极输出器)的特点。
（4分）
2、使用稳压二极管时应该注意哪些事项？（6分）
五、综合题（共30分）
1、由三极管各管脚电位判定三极管属性（5分） A: 1V B ：0. 3V C: 3V
2、在图示放大电路中，已知U CC =12V,R C =6k Ω,R E =3k Ω，R B1=60k Ω，R B2=20k Ω,R L =6k Ω，晶体管β=50，U BE =0.6V,试求: (1) 静态工作点I B 、I C 及U CE ；
(2) 画出微变等效电路； (3) 动态参数r i 、r o 及A u 。
（15分）
CP J K Q
U CC u o + –
3、下图是一个编码电路，七个输入端的状态如下表所示，试把输出端F2、F1、F0的逻辑表达式写出，并把对应状态填入表中(10分)。
F2
F1
F0。
