模拟电子自测题五
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仅供个人使用,请勿用于商业目的第五章放大电路的频率响应自测题一、选择正确答案填入空内。
(1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是。
A.输入电压幅值不变,改变频率B.输入电压频率不变,改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化(2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适(3)当信号频率等于放大电路的fL 或fH时,放大倍数的值约下降到中频时的。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降A.3dBB.4dBC.5dB相位关系是。
与U (4)对于单管共射放大电路,当f = fL时,U ioA.+45˚B.-90˚C.-135˚的相位关系是。
与U 当f = fH时,UioA.-45˚B.-135˚C.-225˚解:(1)A (2)B,A (3)B A (4)C C本文档仅供参考第五章题解-1仅供个人使用,请勿用于商业目的二、电路如图T5.2所示。
已知:VCC=12V;晶体管的Cμ=4pF,fT = 50MHz,rbb'==80。
试求解:(1)中频电压放大倍数;(2)C';(3)fH和fL;(4)画出波特图。
图T5.2解:(1)静态及动态的分析估算:br26mVEQ∥RgIEQT本文档仅供参考第五章题解-2 仅供个人使用,请勿用于商业目的' (2)估算:(3)求解上限、下限截止频率:∥∥∥(4)在中频段的增益为频率特性曲线如解图T5.2所示。
解图T5.2本文档仅供参考第五章题解-3 仅供个人使用,请勿用于商业目的三、已知某放大电路的波特图如图T5.3所示,填空:= dB,=。
(1)电路的中频电压增益20lg|Au mu m(2)电路的下限频率fL≈ Hz,上限频率fH≈ kHz.=。
《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文《模拟电子技术》模拟试题一填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电压()。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变大),发射结压降(变小)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共)、()、()放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流输出电流采用()负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=()。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。
13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路;OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。
14、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称(调幅),未被调制的高频信号是运载信息的工具称(载波信号)。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KU X U Y ),电路符号是()。
二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在(B)状态,但其两端电压必须(C),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于(F )状态。
《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一.填空(25分)(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量一定越 多 ,相反,少数载流子应是 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 。
(2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
(3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
(4)硅二极管的导通电压值约为 0.6V ,锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。
(7)放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变,称为 幅频特性,而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变,称为 相频 特性。
(8)假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、,那么多级放大电路的放大倍数uA = un u u A A A (21)(9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。
二.选择题(每题2分,共20分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 。
(A )电流负反馈 (B ) 电压负反馈 (C ) 直流负反馈 (D )交流负反馈(2)RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
(A )感性 (B ) 阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。
(A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 (D ) 差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。
《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级:姓名总分:一、填空(每空1分,共15分)1. 二极管最主要的特性是(),它的两个主要参数是反映正向特性的()。
2. 三极管工作在三个区域的条件是:放大区(),饱和区()截止区()。
3. 场效应管从结构上分成()和()两大类型,它属于()控制型器件。
4. 集成运算放大器是一种采用()耦合方式的放大电路,最常见的问题是()。
5. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的()作用和对共模信号的()作用。
6. 小功率直流稳压电源由变压器、()、()、()四部分组成。
二、选择题(每空2分,共10分)1. 在图示电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V,则()。
A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以()。
A. 减小温漂B.增大放大倍数C. 提高输入电路D. 减小噪声3. 欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入()负反馈。
A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联4. 欲实现Au=-100的放大电路,应选用()电路。
第五章自我检测题参考答案一、填空题1.乙类互补对称功放的效率比甲类功放高得多,其关键是静态工作点低。
2.由于功放电路中功放管常常处于极限工作状态,因此选择功放管时要特别注意P CM , I CM 和U (BR)C EO 三个参数。
3.设计一个输出功率为20W 的扩音机电路,若用乙类OCL 互补对称功放电路,则应选P cm 至少为4W 的功放管两只。
二、判断题1.乙类互补对称功放电路在输出功率最大时,管子的管耗最大。
(×)2.功放电路的效率是拷输出功率与输入功率之比。
(×)3. 乙类互补对称功放电路在输入信号为零时,静态功耗几乎为零。
(√)4只有当两只三极管的类型相同时才能组成复合管。
(×)5.OCL 电路中输入信号越大,交越失真也越大。
(×)6.复合管的β值近似等于组成它的各三极管β值的乘积。
(√)三、选择题1.功率放大器的输出功率大是(C )。
A.电压放大倍数大或电流放大倍数大B.输出电压高且输出电流大C.输出电压变化幅值大且输出电流变化幅值大2.单电源(+12)供电的OTL 功放电路在静态时,输出耦合电容两端的直流电压为(C )。
A.0VB.+6VC.+12V3.复合管的导电类型(NPN 或PNP)与组成它的(A )的类型相同。
A.最前面的管子B.最后面的管子C.不确定4. 互补对称功放电路从放大作用来看,(B )。
A.既有电压放大作用,又有电流放大作用B.只有电流放大作用,没有电压放大作用C.只有电压放大作用,没有电流放大作用5.甲乙类OCL 电路可以克服乙类OCL 电路产生的(A )。
A.交越失真B.饱和失真C. 截止失真D.零点漂移四、一单电源供电的OTL 功放电路,已知V CC =20V ,R L =8Ω,U CE(sat)忽略不计,估算电路的最大输出功率,并指出功率管的极限参数P CM 、 I CM 、U (BR)CEO 应满足什么条件?解:OTL 功放电路W 25.6W 8102121212L 2om =∙=⎪⎭⎫ ⎝⎛∙=R V P CC W 25.1W 25.62.02.0om CM =⨯=≥P PV 20V 20CC (BR)CEO ==V U ≥A 25.1A 82202L CC CM =⨯=≥R V I第五章 习题参考答案5.1判断题1.功率放大倍数A P >1,即A u 和A i 都大于1。
一.填空题(每小题2分,共30分)1.对 PN 结二极管,当( p )区外接高电位,而( n )区外接低电位,则PN结为正偏。
2. P型半导体中多数载流子是(空穴) ,少数载流子是( 自由电子 ) ;N型半导体中多数载流子是( 自由电子 ), 少数载流子是(空穴)。
位 3 .二极管的正向电流是由(多数)载流子的(扩散)运动形成的;反向电流是由(少数)载流子的(漂移)运动形成的。
4.三极管的输出特性有三个工作区,分别是(饱和区)、(截至区)、(放大区)。
5.为了提高β值,晶体管 BJT 在结构上具有发射结杂质密度(大),基区杂质密度和基区(小)的特点。
6.场效应管 FEJ 的三种基本放大组态∶ CS组态、CD组态和CG组态,其放大特性分别与BJT的(CE)组态、(CC)组态和(CB)组态相似。
7, FET 的(沟导宽度)效应与 BJT 的基区宽度效应相似,基区宽度效应使集电结反偏电压变化对集电极电流ic有影响,而FET的效应使(栅源)电压的变化对íd生影响。
8.稳压管是利用二极管(反向击穿)特性工作的。
9,差动放大器依靠电路的(对称)和(共模输人)负反馈来抑制零点漂移。
10.晶体管工作受温度影响是由于温度升高(R Eβ)增加所致。
11.如果放大器出现非线性失真,则输出频率分量一定比输入频率分量(多)。
12,负反馈以损失(增益)为代价,可以提高(电路)的稳定性;减少(非线性)失真。
13,放大器无反馈时的输出电阻为 RO,对电压取样负反馈的输出电阻为(R O/(1+A F)),而电流取样负反馈的输出电阻为(R0(1+A F))。
14, BTJ 放大器电路中,由于(耦合电容)的影响,使低频段增益是频率的函数,且,由于(极间电容)的影响,使高频段增益也是频率的函数。
15, FET的小型号跨导定义为 gm=(dīD/d u Q s) ,且,耗尽型管与增强型管 gm 不同,是因为其平方律公式(不同)。
模拟电子技术自测题2.1.1·在绝对零度(0K)时,本征半导体中_________ 载流子。
A. 有B. 没有C. 少数D. 多数2.1.2·在热激发条件下,少数价电子获得足够激发能,进入导带,产生_________。
A. 负离子B. 空穴C. 正离子D. 电子-空穴对2.1.3半导体中的载流子为_________。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 电子和空穴2.1.4.N型半导体中的多子是_________。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子2.1.5.P型半导体中的多子是_________。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子2.2.1·当PN结外加正向电压时,扩散电流_________漂移电流。
A. 大于B. 小于C. 等与2.2.2·当PN结外加反向电压时,扩散电流_________漂移电流。
A. 大于B. 小于C. 等于3.2.11在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则v o和v i的相位_________。
A. 同相B. 反相C. 相差90度D. 不确定3.2.12·在单级共基放大电路中,若输入电压为正弦波形,则v o和v i的相位_________。
A. 同相B. 反相C. 相差90度D. 不确定3.2.13·既能放大电压,也能放大电流的是_________组态放大电路。
A. 共射B. 共集C. 共基D. 不确定3.6.10·在单级共集放大电路中,若输入电压为正弦波形,则v o和v i的相位_________。
A. 同相B. 反相C. 相差90度D. 不确定3.6.12·可以放大电压,但不能放大电流的是_________组态放大电路。
A. 共射B. 共集C. 共基D. 不确定3.6.13·可以放大电流,但不能放大电压的是_________ 组态放大电路。
A. 共射B. 共集C. 共基D. 不确定3.6.14·在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中,电压放大倍数小于1的是_________组态。
自测题一一、判断题1.因为P型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。
〔〕2.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
〔〕1.半导体中的少数载流子产生的原因是〔〕。
A.外电场B.内电场C.掺杂D.热激发3.二极管的伏安特性曲线的正向局部在环境温度升高时将〔〕。
A.右移B.左移C.上移D.下移4.当外加偏置电压不变时,假设工作温度升高,二极管的正向导通电流将〔〕。
A.增大B.减小C.不变D.不确定5.三极管β值是反映〔〕能力的参数。
A.电压控制电压B.电流控制电流C.电压控制电流D.电流控制电压8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为U16V,U2,U312V,那么对应该管的管脚排列依次是〔〕。
A.e,b,cB.b,e,c C.b,c,eD.c,b,e11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的〔〕。
A.非饱和B.饱C.截止区D.击区和区穿区1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于。
3.PN结正偏导通,反偏截止,称为PN结的性能。
6.三极管最重要的特性是。
8.场效应晶体管属于控制器件。
9.场效应管的最大优点是。
自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单项选择题三、填空题1.掺杂浓度9.输入电阻高2.漂移3.单向导电性10.增强型MOS管4.变窄5.削弱6.电流放大作用沟道增强型沟道增强型7.增大8.电压自测题二一、判断题1.晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻,故它与静态工作点无关。
〔〕2.放大电路必须加上适宜的直流电源才能正常工作。
〔〕5.直接耦合放大电路只能放大直流信号,不能放大交流信号。
〔〕二、单项选择题1.在根本共射放大电路中,负载电阻减小时,输出电阻将〔〕。
A.增大B.减少 C.不变2D.不能确定A.增大B.减少C.不变D.不能确定6.晶体管能够放大的外部条件是〔〕。
A.发射结正偏,集电结正偏B.发射结正偏,集电结反偏C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结反偏,集电结反偏7.组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使〔〕。
模拟电子技术自测题五
一.选择题(20分)
1.整流的目的是。
A.将交流变为直流
B.将高频变为低频
C.将正弦波变为方波
D.滤除高频成分
2.工作在放大区的某个三极管,当I B从20μA增大到40μA 时,I C从1mA 增大到2mA,则它的β值为。
A. 10
B. 50
C. 100
D. 500
3. 放大变化缓慢的信号应该采用放大器。
A. 直接耦合
B. 阻容耦合
C.变压器耦合
4.功放电路的效率主要与有关。
A. 电源提供的直流功率
B. 最大不失真输出功率
C. 输入信号的大小
D.电路的工作状态
5.差模信号是差动放大电路二个输入端对地电压之。
A. 和
B. 差
C. 比
D. 平均值
6.理想运算放大器的两个重要结论是。
A. 虚地和虚短
B. 虚地和虚断
C. 虚短和虚断
D. 虚短和反相
7.正弦波振荡器的振荡频率由决定。
A. 放大电路
B. 反馈网络
C. 选频网络
D. 积分电路
8.稳压二极管构成的稳压电路是稳压电路。
A. 串联型
B. 并联型
C. 开关型
9.某一个放大电路,负载开路时测得输出电压为4V,接上5kΩ负载时输出电压降为2.5V,则其输出电阻为。
A. 500Ω
B. 800Ω
C. 300Ω
D. 3kΩ
10. 决定单管共射电路上限截止频率的主要因素为。
A. 负载阻抗
B. 耦合电容
C. 输入电压
D. 三极管极间电容
二.分析计算题:
1.(12分)
如图,三极管参数r be=1.5K,β=100,
(1)试求电压放大倍数Au
(2)试写出交流负载线方程。
2.(10分)
图示电路,若R1、R2、R3和Uz已知,
求Uo的表达式。
3.(10分)
已知某单管共射电路的幅频特性为
(1)试求Aum,f H,f L
(2)写出放大倍数
A 的表达式。
4.(12分)
OCL互补功放电路如图,已知电源电压为±18V,T1、T2的饱和压降U CES=2V,R L=8Ω,
(1)求最大不失真输出功率Pom。
(2)为保证电路安全可靠工作,对T1、T2性能
指标有什么要求?
5.(12分)
试推导出图示电路Uo表达式。
6.(10分)
图示比较器电路,
(1) 说明是哪一类比较器,并求
出阈值电压。
(2) 画出传输特性曲线。
7.(14分)
图示差动放大电路,输入电压Uid=Ui1-Ui2
(1)试计算双端输出时的Aud,Rid,Ro
(2)若改为单端输出,且要求输出电压与输入电压同相,则负载电阻应接在哪个三极管的集电极?
(3)若Ui1=7mV, Ui2=3mV, 则双端输出时输出电压Uo=?
参考答案
一.填空题:
1.A
2.B
3.A
4.D
5.B
6.C
7.C
8.B
9.D
10. D
二.分析计算题:
1.
(1)Au=-170
(2)交流负载线方程:)1.1(55
.212.6--=-C CE I U 2.
Uo=(1+R3/R2)*Uz
3.
(1) Aum=-100,f H =10Hz ,f L =105Hz
(1) )10
1)(101(105f j f j jf A ++-=
4.
(1) Pom=16W
(2) Pcm ≥4W, Icm ≥2.25A, U (BR)CEO ≥36V
5.
i O U R R U 1
22
1+=
6.
(1) 窗口比较器,U T1=5V, U T2=3V。
(2)
7.
(1) Aud=-55.6,Rid=18K,Ro=60K
(2)负载电阻应接在T2集电极.
(3)Uo=222.4V。