模拟电子线路习题习题答案(DOC)

一、判断题：（1）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（ 错 ）（2）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（ 对 ）（3）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（ 错 ）（4）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ 错 ）（5）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ 对 ）（7）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ 错 ）（8）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ 对 ）（9）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（错 ）（11）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。

( 错 )（12）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( 对 )它只能放大交流信号。

( 对 )（13）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( 对 )它只能放大直流信号。

( 错 )（14）只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。

( 错 )（16）运放的共模抑制比cd CMR A A K ( 对 ) （17）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。

( 错 )（18）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。

（ 错 ）（20）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。

（ 错 ）（21）只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。

（ 错 ）（22）放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。

（ 错 ）（23）反馈量仅仅决定于输出量。

（ 对 ）（24）既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。

（ 错 ）（25）运算电路中一般均引入负反馈。

（ 对 ）（26）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。

（ 错 ）（27）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题（满分100分）1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。

（）2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。

（）3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。

（）4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。

（）5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。

（）6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。

（）7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。

（）8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。

（）9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。

（）10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。

（）11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。

A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B.空穴增多，自由电子数目不变C.自由电子增多，空穴不变D.自由电子和空穴数目都不变12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。

A.阻当层不变，反向电流基本不变B.阻当层变厚，反向电流基本不变C.阻当层变窄，反向电流增大D.阻当层变厚，反向电流减小作业1-2一、习题（满分100分）1.N型半导体（）。

A.带正电B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。

A.正常B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。

A.正向偏置时导通，反向偏置时截止B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁D.导通时可等效为一线性电阻4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。

流出三极管 e、c、b 流进三极管 e、c、b流出三极管 c、e、b 流进三极管 c、e、b5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。

《模拟电子电路》练习册（答案）第一讲练习题填空1．半导体中的载流子有两种导电运动，一种称为（扩散）运动，另一种称为（漂移）运动。

2．半导体中有两种载流子：一种是（自由电子）、另一种是（空穴）。

3．半导体中的扩散运动是由于载流子（浓度的不均匀）而引起的。

4．半导体中的漂移运动是由于载流子（在电场的作用下）而引起的。

5．本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（少）。

6．在本征半导体中加入五价元素后,将形成（N ）型半导体。

7．在本征半导体中加入三价元素后, 将形成（P）型半导体。

8．N型半导体中空穴是（少数）载流子。

9．P型半导体中空穴是（多数）载流子。

10．P型半导体中自由电子是（少数）载流子。

11．N型半导体中自由电子是( 多数）载流子。

12．PN结中的电流当温度升高时将会（增加）。

13．二极管的主要特性是它的（单向导电性）。

14．二极管的正向电阻比反向电阻（小）得多。

15．二极管的伏安特性是I = Is（e x p V / Vt —1 ）。

16．硅管的门限电压约为( 0.6 ) V 。

17．锗管的门限电压约为( 0.2 ) V 。

18．稳压二极管稳压时应工作于( 反向击穿区) 。

选择 ( 黑体字为答案 )21. N型半导体或P型半导体都属于(杂质半导体）。

22.半导体中的扩散运动是由于（载流子浓度的不均匀）而形成。

23.二极管的反向电阻比正向电阻( 大) 得多。

24. PN结中载流子的漂移运动是由于(电场的作用)而产生的。

25. MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻( 大得多)。

26. PN结在外加反方向电压的作用下,耗尽层(变宽），流过PN结的电流(很小）。

27. P型半导体中空穴是(多数载流子）。

28. N型半导体中自由电子是(多数载流子)。

29.在本征半导体中掺入少量三价铟元素,将产生(空穴），形成(P ) 型半导体。

30.P型半导体中空穴是(多数载流子)。

31.PN结中载流电子的扩散运动和漂移运动( 相同) 。

模拟电子线路智慧树知到期末考试答案章节题库2024年山东师范大学1.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

答案:错2.在半导体内部，只有电子是载流子( )答案:错3.答案:饱和失真，静态工作点选择太高4.差动放大电路是为了而设置的。

答案:克服零点漂移5.答案:对6.答案:错7.晶体三极管具有能量放大作用( )答案:对8.由于控制输入电流就能控制输出电流，因此常将BJT称为电流控制器件。

（）答案:对9.集成运算放大电路既可以双端输入，又可以单端输入。

（）答案:对10.多级放大电路比单级放大电路的通频带（）。

答案:窄11.晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则三极管所处的状态是（）答案:放大状态12.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）答案:饱和区13.二极管的阳极电位是20V，阴极电位是10V，则该二极管处于（）。

答案:正偏14.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则答案:阻当层变厚，反向电流基本不变15.答案:16.晶体三极管放大电路可实现电压或者电流的放。

答案:对17.双极型三极管同场效应管相比，输入电阻大，热稳定性好。

（）答案:错18.判断N沟道MOS管的夹断电压U＞0, P沟道MOS管的夹断电压U＜0. （）答案:错19.答案:对20.当三极管的两个PN结都正偏时，三极管处于饱和状态。

（）答案:对21.场效应管属于电压控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制型器件。

（）答案:对22.高通滤波器的通频带是指电压的放大倍数不变的频率范围。

（）答案:错23.答案:对24.稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态答案:反偏25.二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好答案:错26.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

答案:错27.在二极管特性的正向导通区，二极管相当于（）。

答案:接通的开关28.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为10V、5.3V和5V，则该三极管的类型为硅NPN型。

模拟电子线路理论知识考核一、选择题1、分压式共射放大电路中的反馈类型是（）。

[单选题] *A、是电流串联负反馈√B、是电流串联正反馈C、是电流并联负反馈D、不存在反馈2、功率放大器的主要作用是不失真地放大信号的（）。

[单选题] *A、电压B、电流C、频率D、功率√3、互补对称式功放电路为了克服（），应将静态工作点设置在甲乙类状态。

[单选题] *A、饱和失真B、截止失真C、交越失真√D、双向失真4、甲类功率放大电路结构简单，但最大的缺点是（A ）。

[单选题] *Ａ、效率低√Ｂ、有交越失真Ｃ、易产生自激D、波形失真严重5、甲乙类OTL电路中，功放管静态工作点设置在（），以克服交越失真。

[单选题] *A、放大区B、饱和区C、截止区D、微导通区√6、甲类功放的理想效率为（）[单选题] *A、75％B、50%√C、78.5%D、58.5%7、乙类推挽（互补对称）功率放大电路的理想最大效率为（）[单选题] *A、50.5%B、60.5%C、75.5%D、78.5%√8、能把交流电变成脉动直流电的是（）[单选题] *A、变压器B、整流电路√C、滤波电路D、稳压电路9、在单相桥式整流电路中，如果一只整流二极管内部断开，则（）[单选题] *A、引起电源短路B、输出电压为零C、输出电压减小√D、输出电压上升10、半导体三极管是一种（）。

[单选题] *A、电压控制电压的器件B、电压控制电流的器件C、电流控制电流的器件√D、电流控制电压的器件11、要获得+12V的稳定电压，集成稳压器的型号应选用（）。

[单选题] *A、CW117B、CW317C、CW7812√D、CW791212、晶体三极管处于截止状态的条件是（）。

[单选题] *A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏√13、在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是（）。

[单选题] *A、NPN管的发射极B、PNP管的发射极√C、PNP管的集电极D、NPN管的基极14、某三极管的发射极电流IE =3.8mA，基极电流IB=40μA，则集电极电流IC为（）[单选题] *A、3.24mAB、4.2 mAC、3.40mAD、3.76mA√15、晶体三极管工作在饱和状态时，它的IC将（）。

《电子线路》考试模拟试题及其参考答案（试卷总分值为100分，考试时间为120分钟，闭卷考试）姓名﹍﹍﹍﹍﹍﹍一、填空题：（每空1分，共30分）1.高频功率放大电路根据静态工作点的位置可分为 , , 等三种。

2．为实现电信号的有效传输，无线电通信通常要进行调制。

常用的模拟调制方式可以分为、和三种。

3．小信号调谐放大器按调谐回路的个数分和。

4．高频功率放大器主要用来放大高频信号，为了提高效率，一般工作在类状态。

5．产生正弦波振荡的条件，。

6.无线电波传播速度固定不变，频率越高，波长；频率_ ，波长越长。

7．放大电路直流通路和交流通路画法的要点是：画直流通路时，把视为开路；画交流通路时，把视为短路。

8．调幅的就是用信号去控制，使载波的随大小变化而变化。

9．小信号谐振放大器的主要特点是以作为放大器的交流负载，具有和功能。

10．通常将携带有信息的电信号称为，未调制的高频振荡信号称为，通过调制后的高频振荡信号称为。

11.石英晶体振荡器是利用石英晶体的工作的，其频率稳定度很高，通常可分为和两种。

12．为了有效地实现基极调幅，调制器必须工作在状态，为了有效地实现集电极调幅，调制器必须工作在状态。

二、单项选择题：（每小题2分、共30分）1．石英晶体谐振于fp时，相当于LC回路的（）A．串联谐振现象 B．并联谐振现象 C．自激现象 D．失谐现象2．丙类高频功率放大器的导通角（）A．360 ° B．180°-360° C．＜180°3．在高频放大器中，多用调谐回路作为负载，其作用不包括（）A．选出有用频率 B．滤除谐波成分 C．阻抗匹配 D．产生新的频率成分4．石英晶体振荡器的主要优点是（）A．容易起振 B．振幅稳定 C．频率稳定度高 D．减小谐波分量5．无线通信系统接收设备中的中放部分采用的是以下哪种电路（）A．调谐放大器 B．谐振功率放大器 C．检波器 D．鉴频器6．振荡器与放大器的区别是（）A．振荡器比放大器电源电压高B．振荡器比放大器失真小C．振荡器无需外加激励信号，放大器需要外加激励信号D．振荡器需要外加激励信号，放大器无需外加激励信号7．在一块正常放大的电路板上，测得某三极管的三个极对地电位如图所示，则管子的导电类型以及管脚自左至右的顺序分别为（）A．NPN型、bec B．NPN型、ebcC．NPN型、ecb D．NPN型、bce8．判断下图是哪一类振荡器（）A．电感三点式B．电容三点式C．改进的电容三点式D．变压器耦合式9.晶体三极管作为放大应用时，其极间电压的设置，首先应该保证( )。

各章节部分习题答案第一章半导体器件【练一练1】1. 导体绝缘体2. N P3. 电子空穴4. 空穴电子5. 电子空穴6. 正负7. 单向导电导通截止【练一练2】1. 正向；反向；0.7V；0.2V2. 最大整流电流IF；最高反向工作电压UR3. 硅，锗；点接触型，面接触型；N；硅；整流4. 小；大5. R=U/I；也要改变【练一练3】1. 发射；基; 集电，ｅ；b; c2. 正向，反向3. 截止区；放大区；饱和区4. 集电结，发射结5. PNP；NPN；NPN；PNP6. 发射；集电；基；发射；集电7. I E=ＩB＋ＩC；直流电流放大系数； ；交流电流放大系数，β8. 基极；集电极；微弱；较大9. 反向；反向；零10. 正向；正向；零【习题1】一、选择题1.ａ2.ｃ３.ｂ４.ｃ 5.ｃ 6.C 7.b 8.ｂ 9.ｂ 10.a 11.c 12.c三、问答题14. 从晶体二极管的伏安特性曲线上看，导通电压低的为诸管，导通电压高的为硅管。

16. 晶体三极管电流放大作用的实质是用微弱的电流控制较大的电流。

晶体三极管具有电流放大作用必须给它的各级加上适当的电压，即：发射结正偏，集电结反偏。

18. 用万用表欧姆挡置“R×100Ω或R×1ｋΩ”处，将红、黑表笔对调分别接触二极管两端，表头将有两次指示。

若两次指示的阻值相差很大，阻值大的那次红笔所接为正极，黑笔所接为负极。

19. 因为在测量阻值时，为使测试棒和管脚接触良好，用两只手捏紧进行测量，相当于给所测元件并联一个人体电阻，所以测量值比较小，认为不合格，但用在设备上却工作正常。

20.（a）截止区（b）放大区 (c) 饱和区第二章放大电路【练一练1】1. 180o;放大器的倒相作用 2. 共发射极；共集电极；共基极 3. 发射极；基极；发射极；集电极；电流；电压 4. 隔直流作用；交流 5. 发射结；集电结6. 不能放大交流信号的电路为（a ）、（b ）、（c ）、（f ）能放大交流信号的电路为 （d ）、（e ） 【练一练2】1. 没有输入信号；估算；图解2. I BQ 、I CQ 和U CEQ3. 减小；增加4. 右移5. 陡6. 晶体管的特性曲线；放大电路的工作状态 【练一练3】1. 倒相；反相器2. 特性曲线；输入电阻；输出电阻3. 输入电阻；r be4. 输出电阻；r o5. LR '1；陡一些；R ’L =R C //R L 6. 大；小 7. 直流负载线的中心 8. 短【习题2】 一、选择题1. b2. a3. b4. c5. b6. c7. c 二、计算题8．I BQ =11 A ，I CQ =0.9mA ，U CEQ =4.2V ，A u = –61，r be =2640 ，r o =2k ； 9．I CQ =3mA ，U CEQ =6V ；10．r i =1668Ω，r o =2kΩ，A u = –72；第三章 含负反馈的放大电路【练一练1】1. B2.B3.A4.C5.C6.A ；B ；B ；B7. 图3.2-11所示电路中，通过R3和R7引入的是：直流电压并联负反馈； 通过R4引入的是：交、直流电流串联负反馈。

模拟电子线路试题模拟电子线路一、单项选择题1、PN结加正向电压时，空间电荷区将（A）。

A．变窄B．不变C．变宽D．不确定2、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（C）。

A．温度B．掺杂工艺的类型C．杂质浓度D．晶体中的缺陷3、在掺杂半导体中，少子的浓度受（A）的影响很大。

A．温度B．掺杂工艺C．杂质浓度D．晶体缺陷4、N型半导体（C）。

A．带正电B．带负电C．呈中性D．不确定5、半导体二极管的重要特性之一是（B）。

A．温度稳定性B．单向导电性C．放大作用D．滤波特性6、实际二极管与理想二极管的区别之一是反向特性中存在（B）。

A．死区电压B．击穿电压C．门槛电压D．正向电流7、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（C）。

A．基本不变B．明显减小C．明显增加D．不确定变化8、二极管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将（D）。

A．右移B．左移C．上移D．下移9、关于BJT的结构特点说法错误的是（C）。

A．基区很薄且掺杂浓度很低B．发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C．基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D．集电区面积大于发射区面积10、某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管工作在（C）。

A．饱和状态B．截止状态C．放大状态D．击穿状态11、小信号模型分析法不适合用来求解（A）。

A．静态工作点B．电压增益C．输入电阻D．输出电阻12、利用微变等效电路可以计算晶体三极管放大电路的（B）。

A．直流参数C．静态工作点B．交流参数D．交流和直流参数13、某单管放大器的输入信号波形为，而输出信号的波形为，则该放大器出现了（C）失真。

A．交越B．截止C．饱和D．阻塞性14、交流信号从b、c极之间输入，从e、c极之间输出，c极为公共端的放大电路是（D）。

A．共基极放大器B．共模放大器C．共射极放大器D．共集电极放大器15、以下不是共集电极放大电路的是（D）。

A．射极输出器B．电压跟随器C．电流放大器D．电压放大器16、共发射极电路中采用恒流源作有源负载是利用其（B）的特点以获得较高增益。

模拟电路(童诗白第四版)习题解答(总135页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥1263第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。

( √ )GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

4A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。

（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。

（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。

（×）（3）线性电路一定是模拟电路。

（√）（4）模拟电路一定是线性电路。

（×）（5）放大器一定是线性电路。

（√）（6）线性电路一定是放大器。

（×）（7）放大器是有源的线性网络。

（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。

（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。

（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。

（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。

（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。

（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。

（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。

（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。

（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。

（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。

（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。

（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。

（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。

3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。

如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。

《模拟电子技术基础》习题参考答案： 第一章 半导体器件基础1-9 解： （a ）二极管导通，U AG =12V 。

（b ）二极管导通，U AG =6V 。

（c ）二极管截止，U AG =6V 。

（d ）二极管截止，U AG =-6V 。

（e ）二极管导通VD 2，二极管VD 1截止，U AG =-6V 。

（f ）二极管VD 1 、VD 2均截止，U AG =12V 。

1-17解：A 管为：NPN 硅管，E 、B 、C 三个电极分别为③3V 、②3.6V 、①9V 。

B 管为：PNP 锗管，E 、B 、C 三个电极分别为①－5V 、③－5.3V 、②－10V 。

1-18 解： （a ）三极管处于放大区 （b ）三极管处于截止区 （c ）三极管处于饱和区（d ）三极管处于放大区 （e ）三极管处于放大区 （f ）三极管处于放大区（g ）三极管处于放大区 （h ）三极管处于饱和区1-19 解： （a ）场效应管的类型为绝缘栅型N 型沟道耗尽型。

其夹断电压U P =-4V ，饱和漏极电流I DSS =5mA（b ）场效应管的类型为绝缘栅型N 型沟道增强型。

其开启电压U T =2V 。

（c ）场效应管的类型为绝缘栅型P 型沟道增强型。

其开启电压U T =-2V 。

（d ）场效应管的类型为结型P 型沟道耗尽型。

其夹断电压U P =3V ，饱和漏极电流I DSS =-4mA 。

《模拟电子技术基础》习题参考答案 第二章 基本放大电路2-4 分析图题2-4所示各电路能否正常工作，并说明理由。

解：（a ）电路不能正常工作，对PNP 型管而言，电源Vcc 、电容C b 、C 1、C 2的极性均不正确。

（b ）电路不能正常工作，电容C 1、C 2的极性均不正确。

（c ）电路不能正常工作，电容C 1、C 2的极性均不正确。

（d ）电路不能正常工作，电容C b 将输入短路，不能保证输入信号顺利地传送到三极管的基极—发射极之间使基极电流产生变化。

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。

想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。

习题1-3某二极管的伏安特性如图 (a)所示：① 如在二极管两端通过 1k ?的电阻加上1.5V 的电压，如图(b)，此时二极管的电流 I 和电压U 各为多少？② 如将图(b)中的1.5V 电压改为3V ，则二极管的电流和电 压各为多少？解：根据图解法求解 ①电源电压为1.5V 时1.5 = U +1I -0.8A, U -0.7V②电源电压为3V 时3 = U +1I -2.2A, U -0.8V可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大, 极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。

N710卩 A , 习题1-2假设一个二极管在50C 时的反向电流为 试问它在20C 和80C 时的反向电流大约分别为多大？ 温度每升高10C ，反向电流大致增加一倍。

2r0AA=1.254A 23"0卩 A = 80A A解：在20C 时的反向电流约为:在80 C 时的反向电流约为:则二习题1-4 已知在下图中，对应地画出二极管的电流形，并在波形图上标出幅U| = lOsin w t (V), R L=1k?，试i D、电压U D以及输出电压u O的波设二极管的正向压降和反向习题1-5 欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z、动态电阻r Z 以及温度系数 a U，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻q愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。

一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z愈大,则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。

温度系数a U的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

习题1-6 某稳压管在温度为 20C,工作电流为 5 mA 时， 稳定电压 U z =10V ，已知其动态内阻 r z =8?，电压的温度系 数 a u =0.09% / C ，试问：① 当温度不变，工作电流改为 20 mA 时，U z 约为多少？ ② 当工作电流仍为 5 mA ，但温度上升至 50C 时，U z 约为 多少？ A U z =A l z r z =(20 -5) X10-X8 =0.12VU z =10+0.12 =10.12 Vi U z /U z "u 'A T =0.09% X (50 —20) =2.7%U z =10X(1 +2.7% ) = 10.27习题1-7 R L =1 k ?，稳压管的U z = 6V ，试求：① 稳压管中的电流I z = ?② 当电源电压U 升高到12V 时，I z 将变为多少？③ 当U 仍为10V ，但R L 改为2k ?时，I z 将变为多少？ 解：① I R =U ^ = 6mAR LI =U -U Z =20mARI z = I - I R L = 20 - 6 = 14 mA② I = —UU=30mA 二 I z = I - I R - 30 - 6 = 24mARL③ I R L = U -^ = 3mA • • I z = I 一 I R L = 20 一 3 =17 mAL R L解：① 在下图中，已知电源电压 U = 10V , R = 200?,+ u OR LI z习题1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压值均为6V,当工作在正向时管压降均为0.7V，如果将他们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。

模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题（满分100 分）1. N型半导体带负电，P型半导体带正电。

（）2•以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。

（）3. PN 结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。

（）4. 晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。

（）5. 硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。

（）6. 在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。

（）7. 晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。

（）8. 晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。

（）9. 晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。

（）10. 三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。

（）11. 温度升高后，在纯净的半导体中（）。

A. 自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B.空穴增多，自由电子数目不变C.自由电子增多，空穴不变12. 如果PN 结反向电压的数值增大（小于击穿电压）D.自由电子和空穴数目都不变，则（）。

A. 阻当层不变，反向电流基本不变C.阻当层变窄，反向电流增大B. 阻当层变厚，反向电流基本不变D.阻当层变厚，反向电流减小4. 工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极8.测得三极管i b =30 yA 时i c =2.4mA ,而i b =40 ^A 时i c =3mA ，则该管的交流电流放大系数3为（）°A.60B.75C.80 D .1009. NPN 型硅管各极对地电位分别是 V 1=6V , V 2=2.7V , V 3=2V ，贝U 1, 2, 3分别为（）°A.基极、集电极、发射极B.发射极、基极、集电极C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）°A.截止区B.放大区C.饱和区D .击穿区11. 在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（）A.输入电阻小，输出电阻大B.输入电阻小，输出电阻小作业1-2一、习题（满分100分）1. N 型半导体（ ）。

模拟电气线路试题及答案一、选择题1. 模拟电路中的放大器主要功能是什么？A. 信号放大B. 信号滤波C. 信号调制D. 信号解调答案：A2. 以下哪个不是模拟电路中常见的元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 微处理器答案：D3. 在模拟电路设计中，通常使用哪种方法来减小噪声？A. 增加电源电压B. 增加信号频率C. 增加电路复杂度D. 使用屏蔽和接地答案：D二、填空题4. 模拟信号的特点是具有______和______。

答案：连续性；幅度变化5. 运算放大器的两个主要输入端分别是______和______。

答案：非反相输入端；反相输入端6. 模拟电路中的反馈可以分为______和______。

答案：正反馈；负反馈三、简答题7. 简述模拟电路与数字电路的主要区别。

答案：模拟电路主要处理的是连续变化的信号，而数字电路处理的是离散的数字信号。

模拟电路的信号幅度可以无限变化，而数字电路的信号只有高电平和低电平两种状态。

模拟电路通常使用模拟元件如电阻、电容、电感和运算放大器等，而数字电路则使用逻辑门和触发器等数字元件。

8. 解释什么是运算放大器的增益，并给出增益的计算公式。

答案：运算放大器的增益是指输出信号与输入信号的比值。

增益的计算公式为：增益 = 电压增益× 电流增益。

四、计算题9. 给定一个RC低通滤波器电路，其中R=1kΩ，C=1μF，计算其-3dB截止频率。

答案：首先计算RC的时间常数τ = R * C = 1kΩ * 1μF = 1ms。

然后，-3dB截止频率 f_c = 1 / (2π * τ) = 1 / (2π * 0.001)≈ 159.15 Hz。

10. 如果一个运算放大器的开环增益为10^6，反馈电阻Rf=10kΩ，输入电阻Ri=1kΩ，求闭环增益。

答案：根据闭环增益公式，闭环增益 Av = Aol / (1 + Aol * (Rf / Ri))，其中Aol是开环增益。

第一章1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =⨯21410cm 3-。

（1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。

（2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =⨯31410cm 3-，重复（1）。

（3）若D N =A N =1510cm 3-,，重复（1）。

（4）若D N =1610cm 3-，A N =1410cm 3-，重复（1）。

解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =⨯5.11010 cm3-，施主杂质D N =⨯21410cm 3->> i n =⨯5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为0n ≈D N =⨯21410cm 3-少子空穴浓度0p =02n n i =⨯125.1610cm 3-该半导体为N 型。

（2）因为D A N N -=14101⨯cm 3->>i n ，所以多子空穴浓度 0p ≈14101⨯cm 3-少子电子浓度0n =02p n i =⨯25.2610cm 3-该半导体为P 型。

（3）因为A N =D N ,所以0p = 0n = i n =⨯5.11010cm 3-该半导体为本征半导体。

（4）因为A D N N -=10-161014=99⨯1014（cm 3-）>>i n ，所以，多子自由电子浓度 0n =⨯991410 cm 3-空穴浓度0p =02n n i =142101099)105.1(⨯⨯=2.27⨯104（cm 3-）该导体为N 型。

1.3 二极管电路如图1.3所示。

已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。

（1） 试求流过二极管的直流电流。

（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I =A 1007.06-=53mA (2) D R =AV310537.0-⨯=13.2Ω D r =D T I U =AV3310531026--⨯⨯=0.49Ω1.4二极管电路如题图1.4所示。