第一章
1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =?214
10cm
3
-。
（1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =?31410cm 3
-，重复（1）。
（3）若D N =A N =1510cm 3
-,，重复（1）。
（4）若D N =16
10cm
3
-，A N =14
10cm
3
-，重复（1）。
解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =?5.110
10 cm
3
-，施主杂质
D N =?21410cm 3->> i n =?5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为
0n ≈D N =?214
10cm 3
-
少子空穴浓度
0p =0
2
n n i =?125.16
10cm 3-
该半导体为N 型。
（2）因为D A N N -=14101?cm 3
->>i n ，所以多子空穴浓度
0p ≈14
101?cm 3
-
少子电子浓度
0n =0
2
p n i =?25.26
10cm 3-
该半导体为P 型。 （3）因为A N =D N ,所以
0p = 0n = i n =?5.11010cm 3
-
该半导体为本征半导体。
（4）因为A D N N -=10-16
1014
=99?1014
（cm 3
-）>>i n ，所以，多子自由电子浓度
0n =?9914
10 cm 3-
空穴浓度
0p =0
2
n n i =14
2101099)105.1(??=2.27?104（cm 3
-）
该导体为N 型。
1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。 （1） 试求流过二极管的直流电流。
（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？
解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I =
A 1007
.06-=53mA (2) D R =A
V
3
10537.0-?=13.2Ω D r =D T I U =A
V
3310531026--??=0.49Ω
1.4二极管电路如题图1.4所示。
（1）设二极管为理想二极管，试问流过负载L R 的电流为多少？
（2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压7.0)(=on D U V ，试问流过负载L R 的电流是多少？
（3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压7.0)(=on D U V ，()Ω=20on D r ，试问流过负载的电流是多少？
（4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？
（5）增加电源电压E ，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？
解：（1）100==
L
R E
I mA D 题图1.4
10V +
E
R L 100Ω
+ 6V
D
R
100Ω
图1.3
（2）94=-=
L )
on (D R U E I mA
（3）378.R R U E I D
L )on (D =+-=mA
（4） 0I ≈-=或S I I
（5）E 增加，直流电流D I 增加，交流电阻
D
T
I U 下降。 1.6 在图1.6所示各电路中，设二极管均为理想二极管。试判断各二极管是否导通，并求U o 的值。
题图1.6
解：(1)在图(a)中，V 2导通，V 1截止，U 0＝5V 。 (2)在图(b)中，V 1导通，V 2截止，U 0＝0V 。 (3)在图(c)中，V 1、V 2均导通，此时有
V R R R R R E U 984.12
)051.0//1(42
6)//(432140=++?=++?=
1.7 二极管限幅电路如图1.7(a)、(b)所示。将二极管等效为恒压降模型，且U D(on)=0.7V 。
若u i ＝5sin ωt(V)，试画出u 0的波形。
题图1.7
解：(1)在图(a)中：当u i ＞一2.7V 时，V 管截止，u 0＝一2V ；当u i ≤一2.7V 时，V 管导通，u 0＝u i 。当u i ＝5sin ωt(V)时，对应的u 0波形如图答图1.7(a)所示。
(2)在图(b)中：当u i ＞1.3V 时，V 管截止，u 0＝u i ；当u i ≤1.3V 时，V 管导通，u 0＝2V 。
其相应波形如答图1.7 (b)所示。
答图1.7
1.9 在题图1.9 (a)所示电路中，二极管等效为恒压降模型。已知输入电压u1、u2的波形如题图1.9(b)所示，试画出u0的波形。
题图1.9
解：该电路为高电平选择电路，即u1、u2中至少有一个为3V，则u0＝3一0.7＝2.3V。u1、u2均为0时，u o＝一0.7V。其波形答图1.9(c)所示。
答图1.9
1.10 在题图1.10所示电路中，设稳压管的U z ＝5V ，正向导通压降为0.7V 。若u i ＝10 sin ωt(V)，试画出u 0的波形。
题图1.10
解：当u i ≥5V 时，V z 击穿，u 0＝5V 。当u i ≤一0.7V 时，V z 正向导通，u 0＝一0.7V 。
当一0.7V ＜u i ＜5V 时，V z 截止，u 0＝u i 。由此画出的u 0波形如答图1.10所示。
答图1.10
1.11 稳压管电路如题图1.11所示。
（1）设%)101(20±=i U V ，稳压管Z D 的稳定电压Z U =10V ，允许最大稳定电流
max Z I =30mA ，min Z I =5mA, min L R =800Ω,max L R =∞。试选择限流电阻R 的值。
（2）稳压管的参数如（1）中所示，R=100Ω，L R =250Ω，试求i U 允许的变化范围。 （3）稳压管的参数如（1）中所示，当Z U =10V 时，其工作电流Z I =20mA ，Z r =12Ω，
如i U =20V 不变，试求L R 从无穷大到1k Ω时，输出电压变化的值0U ?为多少？
解：（1）因为
max min max min (2210)40030i Z Z L U U V
R I I mA
--=
==Ω+
式中，因max L R ∞→，所以min L I =0，221.02020max =?+=i U V min max min max (1810)457(512.5)i Z Z L U U V
R I I mA
--===Ω++
式中 5.12800
10
max ==
L I mA,)1.02020(min ?-=i U V=18V 选择R 应满足：400Ω (2) 当Ω=250L R 时，40250 10 ==L I mA 。 当Z I 达到最大时 ，17101.0)4030()(max max =+?+=++=Z L Z i U R I I U （V ） 当Z I 为min Z I 时，5.14101.0)405()(min min =+?+=++=Z L Z i U R I I U （V ） 即i V 的变化范围是14.5~17V 。 （3）当∞=L R 时，o U =10V 。 当Ω=k R L 1时，o U =10V 8814.91000 121000 10=+?=+? L Z L R r R （V ） 6.118108814.9-=-=?o U （mV ） 或 6.11812 10001210=+?=+=?Z L Z Z o r R r U U 9(mV) R Z D L R O U + _ i U + _ 题图1.11 + 第二章 2.1已知晶体管工作在线性放大区，并测得个电极对地电位如题图2.1所示。试画出各晶体管的电路符号，确定每管的b、e、c极，并说明是锗管还是硅管。 解： 8V 0V 0.7V 硅 NPN -8V 0V -0.7V 硅 PNP 1V 4V 3.7V 锗 PNP 9V 4.3V 锗NPN 4V 题图（a）： 题图（b）： 题图（c）：题图（d）： 0.7V 8V 0V (a) -0.7V -8V 0V (b) 4V 1V 3.7V (c) 4V 4.3V 9V (d) 题图2.1 2.3已测得晶体管电极管各电极对地电位如题图2.3所示，试判别各晶体管的工作状态（放大、饱和、截止或损坏）。 解：题图（a ）3AX 为PNP 锗管，30.U BE -=V （正偏），74.U CE -=V （反偏），放大状态 题图（b ）：e 结反偏，c 结反偏，截止状态 题图（c ）：e 结正偏，c 结正偏，饱和状态 题图（d ）：e 结开路，晶体管损坏 2.4 PN N +型晶体管基区的少数载流子的浓度分布曲线如题图2.4所示，其中n b 0表示平 衡时自由电子的浓度。 （1）说明每种浓度分布曲线所对应的发射结和集电结的偏置状态。 （2）说明每种浓度分布曲线所对应的晶体管的工作状态。 -5V -0.3V 0V 3AX81 (a) 12V 3V 0V (d) 3DG8 6.6 V 6.3V 7V 3CG21 (c) 8V 2.5V 3V (b) 3BX1 题图2.3 +N ) (x n p 0b n 1 x x O （b ） P N +N ) (x n p b n 1 x x O （a ） P N 解：（1）对于PN N + 晶体管，当发射结（集电结）正偏时，由于从发射区（集电区）向基区注入了非平衡少子电子，所以)(01x x x ==处P 区边界上少子电子的浓度大于平衡的电子浓度0b n ，当发射结（集电结）反偏时，在阻挡层两侧边界上的少子浓度趋向于零。据此，可以判别： （1）图 (a)：发射结反偏，集电结反偏。图 (b)：发射结正偏，集电结反偏。图 (c)：发射结正偏，集电结正偏。图 (d)：发射结反偏，集电结正偏。 （2）图 (a)：截止。图 (b)：放大。图 (c)：饱和。图（d ）：反向放大。 2.6某晶体管的共射输出特性曲线如题图2.6所示 （1） 求I BQ =0.3mA 时，Q 1、Q 2点的β值。 （2） 确定该管的U (BR)CEO 和P CM 。 题图2.6 解：（1）Q 1点：。点：0,502≈≈ββQ （2）。 mW P V U CM CEO BR 330,40)(≈≈ +N ) (x n p b n 1 x x O （d ） P N +N ) (x n p b n 1 x x O （c ） P N 题图2.4 2.7硅晶体管电路如题图2.7所示。设晶体管的7.0)(=on BE U V ，100=β。判别电路的工 作状态。 解：()。 。因而管子处于截止状态中，由于在题图V U U ,U a CC C BE 120==< 题图（b ）： ) V (..U mA .I I A R )(R .I CEQ BQ CQ E B BQ 5735215522517 015=?-====++-= βμβ 处于放大状态 题图（c ）：μ71=BQ I A ，1.7=CQ I mA 36121715.)(.U CEQ -=+-=(V) 不可能，表明晶体管处于饱和状态。 9V 1V D 0.3V （a ） T R B 470k Ω R C 2k Ω R E 1k Ω （b ） T R B 100k Ω R C 2k Ω R E 1k Ω （c ） 15V 15V 题图2.7 2.8题图 2.8(a)、(b)所示分别为固定偏置和分压式电流负反馈偏置放大电路。两个电路中的晶体管相同，U BE(on)=0.6V 。在20o C 时晶体管的β=50，55o C 时，β=70。试分别求两种电路在20o C 时的静态工作点，以及温度升高到55o C 时由于β的变化引起I CQ 的改变程度。 解：题图2.8（a ）为固定偏流电路。 （1）20C o 时 ()mA ..R U U I B on BE CC BQ 0460246 6 012=-=-= mA .I I BQ CQ 2.32046050=?==β 5.52.82.3212=?-=-=C CQ CC CEQ R I U U （V ） （2）55C o 时 5.67)2055(%15050=-??+=β mA I I BQ CQ 3.1050.04667.5=?==β 306V 38V 2105312V ...R I U U C CQ CC CEQ =?-=-= CQ I 的变化为 %....I I CQ CQ 83332 232 21053=-=? 图2.8（b ）为分压式电流负反馈偏置电路。 （1）20C o 时 U CC (12V) (a) R B 246k Ω R C 2.8k Ω T (b) R B1 30k Ω R C 1.8k Ω T R B2 10k Ω R E 1k Ω U CC (12V) 题图2.8 ()15(V) 618109212mA 0921 50576 03k 5710303(V) 12103010 21212.).(.R R I U U )(./..R /βR U U I )(.////R R R U R R R U E C CQ CC CEQ E B BE(on)BB CQ B B B C C B B B BB =+-=+-==+-=+-= Ω====?+=+= （2）55C o 时 ()()V ..R R I U U mA ../..R /βR U U I E C CQ CC CEQ E B BE(on)BB CQ 955118162121621 576576 03=+-=+-==+-= +-= CQ I 的变化为 (%)....I ΔI CQ CQ 3309 209 2162≈-= 2.9晶体管电路如题图2.9所示。已知β＝100，U BE ＝-0.3V (1)估算直流工作点I CQ 、U CEQ 。 (2)若偏置电阻R B 1、R B 2分别开路,试分别估算集电极电位U C 值，并说明各自的工作状态。 (3)若R B2开路时要求I CQ ＝2mA ，试确定R B 1应取多大值。 题图2.9 [] []V R R I U U U m A R U I V U R R R U C E CQ CC ECQ CEQ E RB CQ CC B B B RB 4.5)23.1(212(23 .13 .09.23.09.21215 4715 )1()22122-=+?--=+--=-==-=-= =?+=+=解： （2）当R B1开路时，I 3Q =0,管子截止。U C =0. 当R B2开路时，则有 Ω =?+-?=+++==?+-= ++≈ >=?+-= ++= =?+-=++-= K R m A R R R U U I R V R R R U U U I I m A R R U U I m A R R U I B B E B BE CC CQ B C E C sat CB CC C sat B B C E sat CE CC sat B E B CC B 45423 .11013 .012100)1()3(1.723 .123 .012035.0100)23.1(3 .012)(066.03.1101473 .012)1(3.01112) ()()()(1＝由此解得开路时，由于当状态。此时，所以晶体管处于饱和因为ββ β β 2.10 设计一个分压式电流负反馈偏置放大电路。技术要求是：温度在-55~125C o 范围内变化时，要求1mA 15mA .1I c ≤≤和6V U 5V CE ≤≤，Ω=5k .1R C ，12V U CC =。BJT 的参数是：C 55T o -=时，60=β，88V .0U BE =；C 125T ?=时，150=β， 48V .0U BE =。 解：(1)E R 的估算。根据题意，当C 55T ?-=时，电流C I 应是最低值1mA ，U CE 应是最大值，因为C R 已给出，故可写出： ()() E R 5k 11mA 12V 6V +Ω?-=+-=.R R I U U E C CQ CC CEQ 解得 Ω=5k .4R E 如果R C 未知，可以根据U CC 的数值假设E CQ E R I U =某一数值，本题设 4V U 3 1 R I CC E CQ == ，则)k (414R E Ω==。 （2）B R 的估算。因为 E B BE(on) BB CQ R βR U U I +-= 所以将C T ?-=55和C T ?=125时各参数值代入可得： Ω +-= 4.5k 60R V 8801B .U mA BB （C T ?-=55时） Ω +-= 4.5k 150R V 480151B .U mA .BB （C T ?=125时） 联立求解上述两式，可得： Ω=≈k .U BB 32R V,95B 如果不利用上述关系式运算，也可以利用经验公式，比如选取E B R )10~5(R =去求解。例如设Ω==45k 10R R E B ，则)(...V 136******** 45 U BB ≈?++= ，当T=125C o 时的mA)(177.15 .41504548 .013.6I CQ =+-= ，此时mA I CQ 15.1>的技术要求，因此还需要重新选取 B R 值，直至满足要求为止。 （3）1B R 和2B R 的计算。 Ω =Ω?-=-= Ω=Ω?== k k R R R R R k k .R U U R B B B B B B BB CC B 633232 6565 65329512 1121 （4）核算T=125C o 时的CE U 值。 ()()1V 5V 5451151-V 12....R R I U U E C CQ CC CE =+=+-= 可见，上述结果在允许的范围内，表明设计有效。 2.13 电路如题图2.13所示。设u i 是正弦信号，晶体管工作在放大区，各电容对信号可视作短路。 （1）试画出与u i 相对应的u BE 、B i 、C i 和u CE 的波形。 （2） 将图中的晶体管改成PNP 管，U CC 改成负电源，重复（1）。 解：（1）波形如图2.13（b ）所示。 （2）晶体管改成PNP ，U CC 改成负电源后，波形如图2.13（c ）所示。 2.17 放大电路如图2.17（a ）所示，正常工作时静态工作点为Q 。（1）如工作点变为图2.17（b ）中的' Q 和' 'Q ，试分析是由电路中哪一元件参数改变而引起的？ （2）如工作点变为图2.17（c ）中' Q 和' 'Q 的，又是电路中哪一元件参数改变而引起的？ v i 0 t u BE 0 U BEQ i B 0 I BQ t t i C 0 I CQ t u CE 0 U CEQ t 图 2.13(c) u i 0 t U BEQ 0 t u BE I BQ 0 t i B I CQ 0 t i C U CEQ t u CE 图2.13(a) U CC R B R C C 2 R L C 1 u i + + u o 题图2.13 解：（1）CC U 不变，B R 不变，BQ I 不变，而C R 变化，工作点的变化可见图2.13（b ）。若原工作点为Q ，C R 减小时，移至' Q ，C R 增加时，移至' 'Q 。 （2）C R 不变，负载线斜率不变，和同时变化，工作点的变化如图2.13（c ）所示。如原工作点为Q ，CC U 增加，B R 也增加，工作点可移至' Q ，反之，CC U 下降，B R 也下降，工作点可移至' 'Q 。 2.23 试计算题图2.23所示共射放大电路的静态工作点U CEQ ，源电压放大倍数s o us U U A = ，输入电阻i R 和输出电阻o R 。设基极静态电流μ20=BQ I A ，2=C R k Ω，2=L R k Ω， 9=CC U V ，Ω=150S R ，0'=bb r ，厄尔利电压100=A U V ，100=β，C 为隔直、耦 合电容。 解：（1）计算工作点和e b r '、ce r 。已知 C 1 R B R C C 2 T R L + u o (a) + u i U CC u CE (b) i c ' 'Q ' Q Q U CC 0 u CE (c) i c ' 'Q 'Q Q U CC 题图 2.17 R S C R C V R L + + U o U s + U i U CC 题图2.23 R B μ20=BQ I A 则202.0100=?==BQ CQ I I β（mA ） 2229??? ? ?? +-=???? ??+ -=-=CEQ C L CEQ CQ CC C CC CEQ U R R U I U IR U U (V) 由以上关系式可以看出，因电路输出端没有隔直电容，负载电阻L R 与工作点有关。由上式解得 52.U CEQ =Ｖ 而 () 312 26 1001.I U I U r CQ T EQ T e b '===+=ββ（k Ω） 502 100=== CQ A ce I U r （k Ω） （2）计算源电压放大倍数us A 。 先画出图2.13电路的小信号等效电路如下图所示。 69 3 11502 250100-≈+-=+-=+?-=?= ..////r R R //R //r r R r r R //R //r U U U U A e b S L c ce be S e b e b L C ce s i i o us ';''β β （3）计算输入电阻i R 、输出电阻o R 。 3.1'==e b i r R k Ω 2//=≈=C ce c o R r R R k Ω i i =i b R C R L r ce i c i o U o + + U s + e b i 'U U = e b r ' e b m v g ' (b i β) R o R i 图2.17(b) R s 2.24放大电路如题图 2.24所示。设晶体管的20=β，0'=bb r ，Z D 为理想稳压管， 6=Z U V ，此时晶体管的5.5=CQ I mA 。试问： （1）将Z D 反接，电路的工作状态有何变化？CQ I 又为多少？ （2）定性分析由于Z D 反接，对放大电路电压增益、输入电阻的影响。 解:（1）Z D 反接，3.1424 //247 .0210' =?-=A I CQ β mA ，5'=CEQ V V ，电路仍工作在放大区 （2）Z D 反接，CQ I 增加CQ CQ I I 2' >，m g 增加，e b r '下降，i R 下降，v A 增大 即使考虑正向二极管的' CQ T e I V r = ，结论亦同上 2.25 测得放大电路中某晶体管三个电极上的电流分别为：2mA 、2.02mA 、0.02mA 。己知该管的厄尔利电压|U A |＝120 V ，Ω==='''200,5,60b b c b e b r pF C pF C 。 (1)试画出该晶体管的H 参数交流等效电路，确定等效电路中各参数值。 (2)画出高频混合π型交流等效电路，确定等效电路中各参数值。 U CC C 2 V C 1 + u i D Z + u o R 1.4k Ω R C 1k Ω R B1 24k Ω R B2 24k Ω 题图2.24 Ω =?=+=+=== ==Ω=?==Ω=== =' Ω=-== = ==Ω=?+=++=== ===''''13002 26 101)1()1(8026 2 5,66010060017.0116,2002a 232017.0120 2 100150013101200)1(132 26 10002 .02 )1(CQ T e e b T CQ m c b ce bc ce ce be b b A CQ oe ie e b b ie EQ T e B C I U r r m s U I g pF C M r r k h r pF C r P H m S U I h h r r h I U r I I ββββββ）（）所示。 （参数等效电路如图解： 高频混合π型等效电路如下图所示。 2.28 在题图2.28（a ）所示的共集放大电路（为基极自举电路），已知晶体管的Ω=300'bb r ， 1'=e b r k Ω，∞=ce r ，100=m g mS ；2021==B B R R k Ω，1003=B R k Ω，1==L E R R k Ω，电容1C 、2C 、3C 对信号可视为短路。试画出该电路的交流通路，求 输入电阻i R 和输出电阻o R 的值。 解：其交流通路如图2.28（b ）所示。 1001100' =?==e b m r g β 因为 e b bb B r r R ''3+>> 所以 )(4.49)1//1//20//20)(1001(13.0)//////)(1(21''Ω=+++=+++≈k R R R R r r R L E B B e b bb i β )(27.11//20//20//101 3 .1//////21''Ω≈= +≈E B B e b bb o R R R r r R β 2.30 在题图 2.30所示的共基放大电路中，晶体管的β＝50， '50bb r =Ω.R B1=30k Ω,U cc =12V ,R c =3 k Ω, R B2=15k Ω,R E =2 k Ω,R L =3 k Ω (1) 计算放大器的直流工作点。 (2) 求放大器的A u 2、R i 和R o 。 C 1 R B1 图2.28 U CC R B1 C 1 T + U o R E R B2 R B3 + U i C 2 C 3 R i R o R L T + U R E R B1//R B2 R B3 + U i R i R o R L (b) 《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、 《模拟电子技术》 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分） 1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 （×）2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 （√）3负反馈越深，电路的性能越稳定。 （×）4零点漂移就是静态工作点的漂移。 （√）5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （√）6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （√）7半导体中的空穴带正电。 （√）8 P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （×）9实现运算电路不一定非引入负反馈。 （×）10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。 （×）二、选择填空（10分） （1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；为了展宽频带，应在放大电路中引入 D 。 （A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中， C 。 （A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00 （3）集成运放的互补输出级采用 B 。 （A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。 （A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β （5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是 B ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 C 。 （A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C B u B B u E。 （A）> （B）< （C）= （D）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。 （A）大（B）小（C）相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。解：二极管D截止，u0=-6V 四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。 管号T1 T2T3 管 号 T1T2T3 管脚电位（V）①0.7 6.2 3 电 极 名 称 ① ②0 6 10 ② ③ 5 3 3.7 ③ 材料类型 五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ=0.7V，电流放大系数为β=80，r be=1.2 kΩ，R B=500 kΩ，R C=R L=5 kΩ，V CC=12V。 模电考试试题 Revised by Jack on December 14,2020 选择 1、半导体二极管加正向电压时，有（A） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、三极管工作于放大状态的条件是(A ) A.发射结正偏,集电结反偏 B.发射结正偏,集电结正偏 C.发射结反偏,集电结正偏 D.发射结反偏,集电结反偏 3、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（B） A、输入电阻大 B、输入电阻小 C、输出电阻大 D、输出电阻小 4、共模抑制比KCMR越大，表明电路（C） A、放大倍数越稳定 B、交流放大倍数越大 C、抑制温漂能力越强 D、输入信号中的差模成分越大 5、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，此放大电路应选（A） A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 填空 1、N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。 2、集成运算放大器采用直接耦合方式放大，理想条件Rid为无穷大，R0为0 5、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态。 6、电流源电路特点，直流等效电阻小，交流等效电阻大 7、直流稳压电源一般由电源变压器、滤波电路、整流电路和稳压电路组成 计算 1、放大电路如图1所示,若VCC=12V，Rc=Ω，Rb=400kΩ，Re1=100Ω， Re2=2kΩ，RL=kΩ，=50, r bb=300欧 (1)、求静态工作点； (2)画出其h参数小信号等效电路； (3)、求Av、Ri和Ro。 解（1） I BQ== I CQ=βI BQ= VCEQ=VCC－ICQ(RC＋Re1＋Re2)= （2）画出简化h参数等效电路如图 (3)、rbe=[300+(1+β) ]= 《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习 填 空 1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。 2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。 3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征 。 4.N 型半导体主要靠_______导电，P 型半导体主要靠______导电 。 5.PN 结正向偏置是将P 区接电源的______极，N 区接电源的_____极 。 6.PN 结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN 结的______________________________。 7.整流二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。 8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为________V ，锗二极管的死区电压约为_______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V 。 9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。 10.用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端，当测得的电阻值较小时，黑表笔所接触的一端是二极管的________极 。 11.电路如图所示，试确定二极管是正偏还是反偏。 设二极管正偏时的正向压降为0.7V ，估 算 U A ~ U D 值 。 图 a ：VD 1_______ 偏置 ， U A =_____，U B =_______； 图 b ：VD 2________ 置 ， U C =_____，U D =_______。 12.判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止， 并求出AB 两端电压U AB （设二极管均为理想二极管） 图a ：VD_______，U AB _______。 图b ：VD_______，U AB _______。 图c ：VD_______，U AB _______。 图d ：VD 1_______，VD 2_______， U AB _______ 。 13.硅稳压管是工作在_________状态下的硅二极管，在实际工作中，为了保护稳压管，需在外电路串接 _________。 第一章 1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =?214 10cm 3 -。 （1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =?31410cm 3 -，重复（1）。 （3）若D N =A N =1510cm 3 -,，重复（1）。 （4）若D N =16 10cm 3 -，A N =14 10cm 3 -，重复（1）。 解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =?5.110 10 cm 3 -，施主杂质 D N =?21410cm 3->> i n =?5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为 0n ≈D N =?214 10cm 3 - 少子空穴浓度 0p =0 2 n n i =?125.16 10cm 3- 该半导体为N 型。 （2）因为D A N N -=14101?cm 3 ->>i n ，所以多子空穴浓度 0p ≈14 101?cm 3 - 少子电子浓度 0n =0 2 p n i =?25.26 10cm 3- 该半导体为P 型。 （3）因为A N =D N ,所以 0p = 0n = i n =?5.11010cm 3 - 该半导体为本征半导体。 （4）因为A D N N -=10-16 1014 =99?1014 （cm 3 -）>>i n ，所以，多子自由电子浓度 0n =?9914 10 cm 3- 空穴浓度 0p =0 2 n n i =14 2101099)105.1(??=2.27?104（cm 3 -） 该导体为N 型。 1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。 （1） 试求流过二极管的直流电流。 （2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？ 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I = A 1007 .06-=53mA (2) D R =A V 3 10537.0-?=13.2Ω D r =D T I U =A V 3310531026--??=0.49Ω 1.4二极管电路如题图1.4所示。 （1）设二极管为理想二极管，试问流过负载L R 的电流为多少？ （2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压7.0)(=on D U V ，试问流过负载L R 的电流是多少？ （3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压7.0)(=on D U V ，()Ω=20on D r ，试问流过负载的电流是多少？ （4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？ （5）增加电源电压E ，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？ 解：（1）100== L R E I mA D 题图1.4 10V + E R L 100Ω + 6V D R 100Ω 图1.3 《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是 电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应 引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。 18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄； 21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D； 能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A； （A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D； 大连理工大学网络教育学院 2014年3月份《模拟电子线路》课程考试 试卷 考试形式：开卷试卷类型：（A ） ☆ 注意事项： 1、本考卷满分共：100分；考试时间：90分钟。 2、所有客观题必须答到题目下方表格处。 1、某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管工作在（）。 A ．饱和状态B ．截止状态 C ．放大状态D ．击穿状态 2、引起共射极放大电路输出波形出现截止失真的主要原因是（）。 A ．输入电阻太小B ．静态工作点偏低 C ．静态工作点偏高D ．输出电阻太小 3、三级放大电路中A v1=A v2=A v3=20dB ，则电路总的电压增益为（）dB 。 A ．20B ．40 C ．60D ．1000 4、结型场效应管利用栅-源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。 A ．反偏电压B ．正偏电压 C ．反向电流 D ．正向电流 5、集成运放中，由于温度变化引起的零输入对应非零输出的现象称为（）。 A ．交越失真B ．零点漂移 C ．失调 D ．饱和失真 6、通用型集成运放的输入级大多采用（）。 A ．共射极放大电路B ．差分放大电路 C ．射极输出器D ．互补推挽电路 7、与甲类功率放大器相比较，乙类互补推挽功放的主要优点是（）。 A ．无输出变压器B ．无输出端大电容 C ．无交越失真D ．能量转换效率高 8、为实现稳定输出电压，应在放大电路中引入（）。 A ．串联负反馈B ．并联负反馈 C ．电压负反馈D ．电流负反馈 9、整流的目的是（）。 A ．将交流变为直流 B ．将高频变为低频 C ．将正弦波变为方波 D ．将方波变为正弦波 10、某简单稳压电路要求稳定电压为8V ，而仅有一只7.3V 硅稳压管VD Z ，一只二极管（硅管）VD ，可采用VD Z 与VD 串联接入电路，则采用（）电路。 A ．VD 正偏，VD Z 反偏B ．VD 反偏，VD Z 反偏 C ．VD 正偏，VD Z 正偏D ．VD 反偏，VD Z 正偏 二、填空题（本大题共10个空，每空2分，共20分） 1、BJT 处于放大状态的条件是发射结，集电结。 2、当温度升高时，三极管的下列参数变化趋势为：电流放大系数β，反向饱和电流I CBO ， I B 不变时，发射结正向电压V BE 。 3、集成运算放大器工作在比例运算放大时处于区；作为比较器工作时处于 区。 4、放大电路中为了减小输出电阻应引入负反馈，为了提高输入电阻应引入 负反馈。 NO.069A 《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.PNP 硅管 C.NPN 锗管 D.PNP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化 C.保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形，二者相位 A 。A.相同 B.相反 C.相差90° D.相差270° 16、NPN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除，这种失真一定是 B 失真。A.饱和 B.截止 C.双向 D.相位 17、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B =20μA ，I C =1mA 。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则I B 和I C 分别是 A 。 A. 10μA ，1mA B. 20μA ，2mA C. 30μA ，3mA D. 40μA ， 4mA ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic = 90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k Ω，R B1 120k Ω， R B2 39k Ω，R C 3.9k Ω，R E 2.1k Ω，R L 3.9k Ω，r bb’ Ω，电流放大系数β 50，电路 中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。 A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。 模电典型例题分析 第一章 题1.1 1、对某放大电路进行测试，u s=15mv,Rs=1kΩ，R L=12 kΩ。若测得ui=12 mv,则可知该放大电路的输入电阻Ri= kΩ。若当开关S断开时，测得uo=1.5v, 当开关S闭合时，测得uo=1.2v，则可知该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。 2、对某放大电路进行测试，当接入一个内阻等于零的电压信号源时，测得输出电压为5V，在信号源内阻增大到1，其它条件不变时，测得输出电压为4V， 说明该放大电路的输入电阻Ri= ______kΩ。若在接有2负载电阻时，测得输 出电压为3V，在输入电压不变的情况下断开负载电阻，输出电压上升到7.5V，说明该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。 3、用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，U OA=U OB；都接入负载电阻R L时，测得U OA =8.26和=2.5 第二章 题2.1 1.如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V ,6（7）V 2.如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,R2=200k 。请问： 当R2滑动端在最左端、最右端、中点时输出Uo ＝？V ； 最左端时Uo ＝ -14 V ；最右端时Uo ＝ 0 V ；中点时Uo ＝ -10 V 。 题 2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521， Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式； ② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u s i s i i v v R R R += L o L i O o R R R A V +=v v s v v o = VS A L o L o R R R A +=v 2.10 在图P2.9所示电路中，设静态时I C Q ＝2mA ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.6V 。试问：当负载电阻R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？ 解：由于I C Q ＝2mA ，所以U C E Q ＝V C C －I C Q R c ＝6V 。 空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故 V 82.32 CES CEQ om ≈-= U U U Ω=k 3L R 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故 V 12.22 ' L CQ om ≈= R I U 2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的β＝100，'bb r =100Ω。 （1）求电路的Q 点、u A &、R i 和R o ； （2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变 化？ 解：（1）静态分析： V 7.5)( A μ 101mA 1 V 2e f c EQ CEQ EQ BQ e f BEQ BQ EQ CC b2b1b1 BQ =++-≈≈+=≈+-= =?+≈ R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β 动态分析： Ω ==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7 .7)1()(k 73.2mV 26) 1(c o f be b2b1i f be L c EQ bb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥& （2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A &减小，e f ' L R R R A u +-≈& 2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的β＝80，r b e =1k Ω。 （1）求出Q 点； （2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的u A &和R i ； (10 一、判断下列说法是否正确，用“X”或 分) 1 《模拟电子技术》 “2”表示判断结果。 只要满足相位平衡 电路就 会产生正 波振荡。 ) 2 引’ 入 直 流负反馈 可 以 稳 定静态工 ( 作点 V 。 ) 3 负 反 馈 越深， 电 路 的 性能越 稳定 。 ( X ) 4 >-l-A 零 点 漂 移就是 静 态 工 作点的 漂移 。 ( V ) 5 放大 电路采用复合管是为了 增大放大倍数和输入电阻 。 ( V ) 6 镜像 电 流： 源电路中两 只晶 体 管 的特性应完 全相同 。 ( V ) 7 半 导 体 中 的 空 穴 带 正 电 。 ( V ) 8 P 型 半 导体带正 电， N 型半导体带负电 。 ( X ) 9 实 现 运 算电路： 不一 定 非引入负 反馈 。 ( X ) 10 凡是引 入 正反馈的集 成运 放， 」定工作在非 线性区 。 ( X ) ( X (10 分) 二、选择填空 (1) 为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 为了展宽频带，应在放大电路中引入 ________ (A )电流负反馈(B )电压负反馈(C )直流负反馈 (D )交流负反馈 (2) 在桥式(文氏桥)RC 正弦波振荡电路中， C _______________ 。 (A ) ?A =-180 0，杆=+180 0 (B )杯=+180 0，?F =+180 0 (C )杯=00, ?F =0 0 (3) 集成运放的互补输出级采用 (A )共基接法 (B )共集接法(C )共射接法(D )差分接法 (4) 两 个B 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 第一章 自测题 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -==， /28.6BS CS I I A βμ== ∴ 45.5BB BE b BS V U R k I -==Ω 习题 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。 1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。 图P1.9 解:如解图1.9。 解图1.9 1.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时0.7BE U V =，β=50。试分析BB V 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压O u 的值。 解： (1)当0BB V =时，T 截止，12O u V =。 (2)当1BB V V =时，因为 60BB BEQ BQ b V U I A R μ-= = 3CQ BQ I I mA β== 9O CC CQ c u V I R V =-= 图P1.10 所以T 处于放大状态。 (3)当3BB V V =时，因为460BB BEQ BQ b V U I A R μ-= =， 2311.3CC CES CQ BQ CS c V U I I mA I mA R β-=== =， 所以T 处于饱和状态 2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。 解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为： 22CC BEQ BEQ BQ b s V U U I A R R μ-=- ≈ 1.76CQ BQ I I mA β=≈ ' 26(1) 1.3be bb EQ mV r r k I β=++≈Ω 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为： 一、判断题： （1）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ 错 ） （2）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ 对 ） （3）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ 错 ） （4）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ 错 ） （5）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ 对 ） （7）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ 错 ） （8）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ 对 ） （9）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（错 ） （11）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。( 错 ) （12）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( 对 )它只能放大交流信号。( 对 ) （13）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( 对 )它只能放大直流信号。( 错 ) （14）只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。( 错 ) （16）运放的共模抑制比c d CMR A A K ( 对 ) （17）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。( 错 ) （18）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（ 错 ） （20）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。 （ 错 ） （21）只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。（ 错 ） （22）放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。（ 错 ） （23）反馈量仅仅决定于输出量。（ 对 ） （24）既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。（ 错 ） （25）运算电路中一般均引入负反馈。（ 对 ） （26）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（ 错 ） （27）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（对） （28）只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。（错 ） （29）凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。（ 错 ） （30）非正弦波振荡电路与正弦波振荡电路的振荡条件完全相同。（ 错 ） （31）因为RC 串并联选频网络作为反馈网络时的φF ＝0°，单管共集放大电路的φA ＝0°，满足正弦波振荡的相位条件φA ＋φF ＝2n π（n 为整数），故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。（ 错 ） （32）在RC 桥式正弦波振荡电路中，若RC 串并联选频网络中的电阻均为R ，电容均为C ，则其振荡频率f 0＝1/RC 。（ 错 ） （33）电路只要满足1＝F A ，就一定会产生正弦波振荡。（ 错 ） （34）负反馈放大电路不可能产生自激振荡。（ 错 ） 《模拟电子线路》题库 一、判断题（每题2分，共20分） 1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） 2、因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（） 3、稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。（） 4、N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（） 5、二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（） 6、未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（） 7、运算放大电路中一般引入正反馈。（） 8、凡是运算放大电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（） 9、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（） 10、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。（） 11、晶体管的参数不随温度变化。（） 12、放大电路没有直流偏置不能正常工作。（） 13、多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。（） 14、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（） 15、放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。 （） 16、射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。（） 17、多级放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。（） 18、理想运放的共模抑制比为无穷大。（） 19、通用型集成运放的输入级采用差分放大电路，这是因为它的电压放大倍数大。 （） 20、在集成电路中各级电路间采用直接耦合方式。（） 21、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（） 22、负反馈放大电路可能产生自激振荡。（） 23、电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。（） 24、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（） 25、要稳定放大电路静态工作点，可以引入交流负反馈。（） 26、在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的管耗功率就越大。（） 27、通常采用图解法分析功率放大电路。（） 28、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。（） 29、整流电路可将正弦电压变为单方向的脉动电压。（） 30、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。（） 二、填空题（每空1分，请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均不得分。共20分。） 1、稳压管稳压时是让其工作在状态，其两端电压基本维持。 2、为使运放电路稳定地工作在，应在电路中引入深度反馈。 3、工作在线性区的理想运算放大器，两个输入端的输入电流均约等于，称为虚。 4、某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为-10V，-6V，-6.2V，则这 模电试题库 一、填空题。 1、由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、温度升高时，三极管的β将 （增加、减小、不变）。 3、要让三极管工作在放大区，发射结要求 ，集电结要 （正偏或反偏）。 4、当差分放大器两边的输入电压为1i u =7mV ，2i u =-3mV ，输入信号的差模分量为 ，共模分量 为 。 5、在放大电路中，如果要想提高输出电阻，减小输入电阻的要求，应引入 反馈。 6、直流稳压电源一般是由_________、、________、_________四部分组成。 7、乙类推挽放大器，由于三极管的死区电压造成的失真现象，这种失真称为 。 8、 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于 才能起振。 [ 9、放大器级间耦合方式有三种： 耦合； 耦合； 耦合；在集成电路中通常采用 耦合。 10、负反馈能够改善放大电路的性能，例如它可以提高增益的稳定性， ， ， 等。 11、场效应管属于_______________控制器件，而三极管属于_____________控制器件。（电压或电流） 12、差放电路中，公共发射极电阻Re 对于共模信号而言，相当于每个差放管的发射极接入________ _____的电阻，对于差模信号而言，Re 相当于为__________ ______。 13、负反馈能使放大器许多性能获得改善，如_______________、__________________、 __________________、__________________。但是性能的改善是以牺牲______________________为代价的 14、振荡电路的振幅平衡条件是：__________________________,相位平衡条件是： ___________________________. 15、为使双极型半导体三极管工作在放大状态，必须满足的外部条件是_________________ _________ ___________, （ 16．为简化分析过程，在应用集成运放时总假定它是理想的，理想运放具有以下特点：开环差模增益A d =___________，开环输入电阻R i =_____________, 开环输出电阻R o =_______________。 17、某双极型半导体三极管其三个电极流过的电流如图所示：分别为：①、②、③10mA ，则该三极管为________ 型，三个电极分别为：①___e _____ ②____b ___ ___③__c ______ 。 18．三极管各电极的电流分配关系为_e=b+c _。 19．晶体管的输出特性是指当三极管基极电流I B 一定时，___________与_____________之间的关系。 20．晶体管输出特性有三个区域： 、 和 。晶体管工作在 时，相当于闭合的开关；工作在 时，相当于断开的开关。 21．三极管图形符号中的发射极的箭头表示三极管的________________方向。 22．在放大电路中，为了稳定静态工作点，宜引入__________反馈；要展宽频、稳定增益，宜引入____________反馈；为了提高输入阻抗，宜引入___________反馈。模拟电子线路期末试题及其答案(两套)
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