贴片整流二极管型号

ss56贴片二极管的参数摘要：1.SS56 贴片二极管的概述2.SS56 贴片二极管的主要参数3.SS56 贴片二极管的封装形式4.SS56 贴片二极管的正负极区分5.SS56 贴片二极管的替代型号正文：SS56 贴片二极管是一款常见的贴片二极管，具有体积小、性能稳定等特点，广泛应用于各种电子设备中。

本文将从SS56 贴片二极管的参数、封装形式、正负极区分以及替代型号等方面进行详细介绍。

首先，我们来了解SS56 贴片二极管的主要参数。

SS56 贴片二极管的正向压降约为0.55V，最大直流阻断电压为40V，最大正向平均整流电流为1.0A。

此外，其反向恢复时间非常短，仅为10ns 以下，这使得SS56 贴片二极管在高频应用中性能优异。

其次，我们来看看SS56 贴片二极管的封装形式。

SS56 贴片二极管有多种封装形式，如SMA、SMB、SMC 等。

其中，SMA 封装形式的SS56 贴片二极管具有较小的体积，适用于高密度安装的场合。

接下来，我们来探讨一下SS56 贴片二极管的正负极区分。

一般来说，贴片二极管的正极（阳极）标记为“A”，负极（阴极）标记为“K”。

在实际应用中，要根据电路需求正确连接二极管的正负极，以确保电路正常工作。

最后，我们来介绍一下SS56 贴片二极管的替代型号。

如果您无法购买到SS56 贴片二极管，可以考虑使用与其参数相似的其他型号的贴片二极管替代。

在选择替代型号时，应注意确保替代型号的参数与原型号相近，以保证电路性能不受影响。

综上所述，SS56 贴片二极管是一款性能稳定、体积小巧的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。

s2m贴片二极管的参数
【原创实用版】
目录
1.S2M 贴片二极管的介绍
2.S2M 贴片二极管的参数
3.S2M 贴片二极管的应用领域
4.总结
正文
一、S2M 贴片二极管的介绍
S2M 贴片二极管是一种半导体元器件，具有单向导通特性。

它主要用于电压、电流的整流、限幅和保护等电路。

贴片二极管与传统的直插二极管相比，具有体积小、重量轻、安装方便等优点，因此广泛应用于各种电子产品和电子设备中。

二、S2M 贴片二极管的参数
S2M 贴片二极管的主要参数包括：
1.正向电压：二极管导通时的电压称为正向电压。

S2M 贴片二极管的正向电压一般在 0.1V-0.7V 之间。

2.反向电压：二极管截止时的电压称为反向电压。

S2M 贴片二极管的反向电压一般在 30V-100V 之间。

3.正向电流：二极管导通时的电流称为正向电流。

S2M 贴片二极管的正向电流一般在 1mA-100mA 之间。

4.反向电流：二极管截止时的漏电流称为反向电流。

S2M 贴片二极管的反向电流一般在 1nA-100nA 之间。

5.动态响应：二极管从正向导通到反向截止的时间称为动态响应。

S2M
贴片二极管的动态响应一般在纳秒级。

三、S2M 贴片二极管的应用领域
S2M 贴片二极管广泛应用于各种电子设备和电子产品中，如电源开关、稳压电源、充电器、电视机、收音机、通信设备等。

四、总结
S2M 贴片二极管具有体积小、重量轻、安装方便等优点，广泛应用于各种电子产品和电子设备中。

ss14贴片二极管的参数代换SS14贴片二极管是一种高速二极管，广泛应用于电源管理、逆变器、电动工具和家用电器等领域。

在进行参数代换时，我们需要了解SS14贴片二极管的主要参数，然后根据实际需求替换相应的参数。

下面将详细介绍SS14贴片二极管的主要参数代换。

1.最大正向电压（VFmax）：通常情况下，SS14贴片二极管的VFmax参数为1V。

如果需要替换该参数，我们可以选择其他具有相似VFmax值的二极管。

比如，比较常用的1A系列二极管，如1N4001、1N4002等也具有1V的VFmax，可以作为替代品。

2.平均整流电流（IFAV）：SS14贴片二极管的IFAV参数为1A。

如果需要更高的整流电流，我们可以选择其他具有更大IFAV值的二极管，比如1N5401(3A)、1N5402(4A)等，或通过并联多个SS14贴片二极管来实现更高的整流电流。

3.最大峰值电流（IFSM）：SS14贴片二极管的IFSM参数为30A。

如果需要更大的峰值电流，我们可以选择具有更大IFSM值的二极管，比如1N5817(1A)，它的IFSM为30A。

4.正向电流（IF）：SS14贴片二极管的正向电流为1A。

如果需要更低的正向电流，我们可以选择具有更小IF值的二极管。

例如，1N914或1N4148是常见的小信号二极管，它们的IF值通常在100mA以下，可以作为SS14的替代品。

5.正向功率损耗（Ptot）：SS14贴片二极管的Ptot参数为1W。

如果需要更高的功率承受能力，我们可以选择具有更大Ptot值的二极管。

例如，1N5401和1N5402的Ptot分别为3W和5W，可以用作更高功率的替代品。

6.反向击穿电压（VRWM）：SS14贴片二极管的VRWM参数为40V。

如果需要更大的反向击穿电压，我们可以选择具有更大VRWM值的二极管。

例如，1N4001和1N4002的VRWM分别为50V和100V，可以作为更高反向击穿电压的替代品。

ss56贴片二极管的参数
（原创实用版）
目录
1.SS56 贴片二极管概述
2.SS56 贴片二极管参数
3.SS56 贴片二极管的封装
4.SS56 贴片二极管的应用
5.SS56 贴片二极管的替代型号
正文
一、SS56 贴片二极管概述
SS56 贴片二极管是一种常见的贴片二极管，具有体积小、性能稳定等特点，广泛应用于各种电子设备中。

贴片二极管是根据其封装方式命名的，SS56 贴片二极管的封装方式为 SMA。

二、SS56 贴片二极管参数
SS56 贴片二极管的主要参数包括正向电压、反向电压、正向电流、反向电流等。

以下是 SS56 贴片二极管的典型参数：
正向电压：1.1V-1.3V
反向电压：最高可达 50V
正向电流：100mA-1000mA
反向电流：小于 100nA
三、SS56 贴片二极管的封装
SS56 贴片二极管的封装方式为 SMA，是一种表面贴装封装，具有体积小、焊接方便等特点。

SMA 封装是一种常用的贴片封装方式，广泛应用
于各种贴片元器件。

四、SS56 贴片二极管的应用
SS56 贴片二极管广泛应用于各种电子设备中，如电源、充电器、电视机、收音机等。

其主要作用是整流、限幅、保护电路等。

五、SS56 贴片二极管的替代型号
由于 SS56 贴片二极管的广泛应用，市场上有许多其他型号的贴片二极管可以替代 SS56。

常见的替代型号包括 SS14、SS52 等。

贴片开关二极管型号MMSD4148T1G MMBD7000LT1G BAS16WT1G BAV99WT1G 贴片低压差稳压器MC33269DT-3.3G TL431ACLPG深圳市金色长城科技有限公司是一家集渠道代理与分销的专业化半导体公司，产品信息网络资源丰富，战略合作遍布全球。

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产品介绍贴片二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。

在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。

一般来讲，贴片晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。

在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。

当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。

具体参数贴片二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。

主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为2.0--2.2V，黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V，绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA。

贴片二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的贴片二极管并联的时候要接相适应的电阻。

贴片二极管特性贴片二极管（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过。

贴片式二极管的识别与使用现代电子产品是以集成电路为主，但分立元器件在电路中仍然占有一席之地，即使最新的通信设备中仍使用着不少二极管、三极管。

本文主要介绍片状二极管基本知识及应用指南。

本文介绍的片状二极管有：整流二极管、快速恢复二极管、肖特基二极管、开关二极管、稳压二极管、瞬态抑制二极管及发光二极管等。

有关通信设备中常用的变容二极管、天线开关二极管等将另文叙述。

基本知识1.片状二极管的型号部分片状二极管的型号仍是沿用引线式二极管的型号，如大家熟知的整流二极管1N4001～1N4007，开关管1N4148等。

另外，新型片状二极管也有自己的型号。

目前进口元器件数量较多，大部分是美、日产品，也有部分欧州生产的元器件（如SGS公司、SIEMENS公司及PHILIPS公司等），使型号较为繁杂。

由于进口元器件太多，不少人都知道美国型号1N4001，而相应的中国型号2CZ85B反而鲜为人知了。

各国都有半导体分立器件型号命名标准，如美国1N打头的，日本1S打头的，我国2A～2D打头的都是二极管。

但仍有不少是由工厂自己来命名（厂标）。

例如，1N4001～1N4007系列，不同的生产厂却有不同的型号，如SM4001～SM4007、GS1A～GS1K、S1A～S1M 及M1～M7等等。

这种不标准的型号出现在电路中时，给分析电路及维修带来很多困难。

2.封装片状二极管有多种封装形式，主要可分成三种：二引线型、圆性型（玻封或塑封）和小型塑封型（SOT-23及SOT-89）。

典型的封装及小型塑封型内部结构如表1及表2所示。

表1、表2仅仅是部分应用较多的封装与内部结构，而不是全部。

近年来，又开发出SC-70封装的二极管（2.0mm×1.25mm）新产品。

二引线型的顶面及圆桂型的圆周上有一横条标志线，它表示二极管的阴极端。

各种封装有一个封装代号（见表3）。

如表3中EM3是一种3引脚小型塑封型，其尺寸为1.6mm×0.8mm（相当于0603的尺寸代码）。

整流二极管型号整流二极管型号大全05Z6.2Y 硅稳压二极管Vz=6~6.35V,Pzm=500mW,05Z7.5Y 硅稳压二极管Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW,05Z13X硅稳压二极管Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW,05Z15Y硅稳压二极管Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW,05Z18Y硅稳压二极管Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW,1N4001硅整流二极管50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)1N4002硅整流二极管100V, 1A,1N4003硅整流二极管200V, 1A,1N4004硅整流二极管400V, 1A,1N4005硅整流二极管600V, 1A,1N4006硅整流二极管800V, 1A,1N4007硅整流二极管1000V, 1A,1N4148二极管75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V,1N5391硅整流二极管50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A) 1N5392硅整流二极管100V,1.5A,1N5393硅整流二极管200V,1.5A,1N5394硅整流二极管300V,1.5A,1N5395硅整流二极管400V,1.5A,1N5396硅整流二极管500V,1.5A,1N5397硅整流二极管600V,1.5A,1N5398硅整流二极管800V,1.5A,1N5399硅整流二极管1000V,1.5A,1N5400硅整流二极管50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A) 1N5401硅整流二极管100V,3A, 1N5402硅整流二极管200V,3A,1N5403硅整流二极管300V,3A,1N5404硅整流二极管400V,3A,1N5405硅整流二极管500V,3A,1N5406硅整流二极管600V,3A,1N5407硅整流二极管800V,3A,1N5408硅整流二极管1000V,3A常用整流二极管型号大全极管型号:4148 安装方式:贴片功率特性:大功率二极管型号:SA5.0A/CA-SA170A/CA 安装方式:直插二极管型号:IN4007/IN4001 安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:低频二极管型号:70HF80 安装方式:螺丝型功率特性:大功率频率特性:高频二极管型号:MRA4003T3G 安装方式:贴片二极管型号:1SS355 安装方式:贴片功率特性:大功率二极管型号6A10安装方式:直插功率特性:大功率;型号:2DHG型安装方式:直插功率特性:大功率二极管型号B5G090L安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:超高频整流二极管型号大全型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型IN4001 50 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4002 100 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4003 200 110 30 5.0 1.0 DO--41IN4004 400 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4005 600 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4006 800 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4007 1000 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN5391 50 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5392 100 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5393 200 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5394 300 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5395 400 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5396 500 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5397 600 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5398 800 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5399 1000 1.5 50 5.0 1.5 DO--15RL151 50 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL152 100 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL153 200 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL154 400 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL155 600 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL156 800 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL157 1000 1.5 60 5.0 1.5 DO--15普通整流二极管参数(二)型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型RL201 50 2 70 5 1 DO--15RL202 100 2 70 5 1 DO--15RL203 200 2 70 5 1 DO--15RL204 400 2 70 5 1 DO--15RL205 600 2 70 5 1 DO--15RL206 800 2 70 5 1 DO--15RL207 1000 2 70 5 1 DO--152a01 50 2 70 5 1.1 DO--152a02 100 2 70 5 1.1 DO--152a03 200 2 70 5 1.1 DO--152a04 400 2 70 5 1.1 DO--152a05 600 2 70 5 1.1 DO--152a06 800 2 70 5 1.1 DO--152a07 1000 2 70 5 1.1 DO--15RY251 200 3 150 5 3 DO--27RY252 400 3 150 5 3 DO--27RY253 600 3 150 5 3 DO--27RY254 800 3 150 5 3 DO--27RY255 1300 3 150 5 3 DO--27普通整流二极管参数(三)IN5401 50 3 200 5 1 DO--27IN5402 100 3 200 5 1 DO--27IN5403 150 3 200 5 1 DO--27IN5404 200 3 200 5 1 DO--27IN5405 400 3 200 5 1 DO--27IN5406 600 3 200 5 1 DO--27IN5407 800 3 200 5 1 DO--27IN5408 1000 3 200 5 1 DO--276a05 50 6 400 10 0.95 R--66a1 100 6 400 10 0.95 R--66a2 200 6 400 10 0.95 R--66a4 400 6 400 10 0.95 R--66a6 600 6 400 10 0.95 R--66a8 800 6 400 10 0.95 R--66a10 1000 6 400 10 0.95 R--6P600a 50 6 400 10 0.95 R--6P600B 100 6 400 10 0.95 R--6P600D 200 6 400 10 0.95 R--6P600G 400 6 400 10 0.95 R--6P600J 600 6 400 10 0.95 R--6 P600K 800 6 400 10 0.95 R--6 P600M 1000 6 400 10 0.95 R--6。

整流二极管选型大全整流二极管是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件，整流二极管具有明显的单向导电性，是一种大面积的功率器件，结电容大，工作频率较低，一般在几十千赫兹，反向电压从25V到3000V.深圳辰达行电子有限公司是集生产与销售MDD品牌二极管的企业，在二、三极管，桥堆领域为您服务。

硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好，通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造，这种器件结面积大，能通过较大电流（通常可以达到数千安），但工作频率不高，一般在几十千赫兹以下，整流二极管主要用于各种低频整流电路。

深圳辰达行电子有限公司是集生产与销售MDD品牌二极管的企业，在二、三极管，桥堆领域为您服务。

整流二极管的常用参数深圳辰达行电子有限公司是集生产与销售MDD品牌二极管的企业，在二、三极管，桥堆领域为您服务。

（1）最大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。

该电流由PN结的结面积和散热条件决定。

使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。

例如1N4000系列二极管的IF为1A。

（2）最高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。

若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。

通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。

例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV（3）最大反向电流IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。

因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。

（4）击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。

反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。

（5）最高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的最高工作频率。

主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。

二极管器件：整流二极管型号大全整流二极管是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件，整流二极管具有明显的单向导电性，是一种大面积的功率器件，结电容大，工作频率较低，一般在几十千赫兹，反向电压从25V到3000V.硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好，通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造，这种器件结面积大，能通过较大电流（通常可以达到数千安），但工作频率不高，一般在几十千赫兹以下，整流二极管主要用于各种低频整流电路。

整流二极管的常用参数（1）最大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。

该电流由PN结的结面积和散热条件决定。

使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。

例如1N4000系列二极管的IF为1A。

（2）最高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。

若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。

通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。

例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV（3）最大反向电流IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。

因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。

（4）击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。

反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。

（5）最高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的最高工作频率。

主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。

例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。

（6）反向恢复时间tre：指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。

（7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。

值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。

常用贴片元件封装1 电阻：最为常见的有0201、0402、0805、0603、1206、1210、1812、2010、2512几类1）贴片电阻的封装与尺寸如下表：英制(mil) 公制(mm) 长(L)(mm) 宽(W)(mm) 高(t)(mm)0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.050.23±0.050402 1005 1.00±0.10 0.50±0.100.30±0.100603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.100805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.101206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.101210 3225 3.20±0.20 2.50±0.200.55±0.101812 4832 4.50±0.20 3.20±0.200.55±0.102010 5025 5.00±0.20 2.50±0.200.55±0.102512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.102）贴片电阻的封装、功率与电压关系如下表：英制(mil)公制(mm)额定功率@ 70°C 最大工作电压(V)0201 0603 1/20W 250402 1005 1/16W 500603 1608 1/10W 500805 2012 1/8W 1501206 3216 1/4W 2001210 3225 1/3W 2001812 4832 1/2W 2002010 5025 3/4W 2002512 6432 1W 2003）贴片电阻的精度与阻值贴片电阻阻值误差精度有±1％、±2％、±5％、±10％精度，J －表示精度为5％、F－表示精度为1％。