实例六:
EHOMO=-(Eoxonset→SCE+4.4eV)=-(Eox+4.4eV+0.34eV) ELUMO=-(Eredonset→SCE+4.4eV)=-(Ered+4.4eV+0.34eV)
J.Phys.Chem.B,Vol.114,No.1,2010.141-150 •19
实例七:
实例五:
Eox=0.91eV Ered=-1.39eV
Eox=0.59eV Ered=-1.43eV
The optical band gap is estimated from the onset of the absorption edge (MLCT) of the thin film.
J.Mater.Chem.,2006, 16,1281–1286 •18
用饱和甘汞电极(SCE)作参比电极,它相对于NHE电位为0.24eV ,则计算能级的公式为:
EHOMO=eEox+4.5+0.24=eEox+4.74eV
ELUMO=eEred+4.5+0.24=eEred+4.74eV
Eg=EHOMO-ELUMO 能还可以由吸收光谱得出隙:Eg= hc/λabs=1240/λabs
•12
测试方法
氧化: 所用溶剂为二氯甲烷(5ml),电解质(四丁基六氟磷酸铵)180mg,样品2mg;二氯甲烷经氢化 钙干燥,重蒸。 从图中看出在0.9V到1.1V之间有小的凸起,测试时延长通氮气时间,凸起没有消失,说明不是氧 气。有可能是二氯甲烷中的杂质。 仪器参数设置:High E=3V, Low E= 0V, Scan Rate(V/s)= 0.1, Segment=4, Smpl interval(V)= 0.001, Quiet Time(s)= 4, Sensitivity(A/V)=1e-4