晶体H

第七章晶体结构第一节晶体的点阵结构一、晶体及其特性晶体是原子（离子、分子）或基团（分子片段）在空间按一定规律周期性重复地排列构成的固体物质。

晶体中原子或基团的排列具有三维空间的周期性，这是晶体结构的最基本的特征，它使晶体具有下列共同的性质：(1)自发的形成多面体外形晶体在生长过程中自发的形成晶面，晶面相交成为晶棱，晶棱会聚成顶点，从而出现具有几何多面体外形的特点。

晶体在理想环境中应长成凸多面体。

其晶面数（F）、晶棱数（E）、顶点数（V）相互之间的关系符合公式：F+V=E+2 八面体有8个面，12条棱，6个顶点，并且在晶体形成过程中，各晶面生长的速度是不同的，这对晶体的多面体外形有很大影响：生长速度快的晶面在晶体生长的时候，相对变小，甚至消失，生长速度小的晶面在晶体生长过程中相对增大。

这就是布拉维法则。

(2)均匀性：晶体中原子周期性的排布，由于周期极小，故一块晶体各部分的宏观性质完全相同。

如密度、化学组成等。

(3)各向异性：由于晶体内部三维的结构基元在不同方向上原子、分子的排列与取向不同，故晶体在不同方向的性质各不相同。

如石墨晶体在与它的层状结构中各层相平行方向上的电导率约为与各层相垂直方向上电导率的410倍。

(4)晶体有明显确定的熔点二、晶体的同素异构由于形成环境不同，同一种原子或基团形成的晶体，可能存在不同的晶体结构，这种现象称为晶体的同素异构。

如：金刚石、石墨和C60是碳的同素异形体。

三、晶体的点阵结构理论1、基本概念（1）点阵：伸展的聚乙烯分子具有一维周期性，重复单位为2个C原子，4个H 原子。

如果我们不管其重复单位的内容，将它抽象成几何学上的点，那么这些点在空间的排布就能表示晶体结构中原子的排布规律。

这些没有大小、没有质量、不可分辨的点在空间排布形成的图形称为点阵。

构成点阵的点称为点阵点。

点阵点所代表的重复单位的具体内容称为结构基元。

用点阵来研究晶体的几何结构的理论称为点阵理论。

（2）直线点阵：根据晶体结构的周期性，将沿着晶棱方向周期的重复排列的结构单元，抽象出一组分布在同一直线上等距离的点列，称直线点阵。

四、 二端口网络的H 方程和H 参数除去上述的3套方程和参数，还有一套常用的参数方程称为混合参数或H 参数。

即：...1111122...2211222U H I H U I H I H U =+=+在晶体管电路中，H 参数得到了广泛的应用。

其具体定义为：21111==U I UH H 11是输出端短路时，输入端的入端阻抗，在晶体管电路中称为晶体管的输入电阻；012112==I U UH H 12是输入端开路时，输入端电压与输出端电压之比，在晶体管电路中称为晶体管的内部反馈系数或电压传输比；21221==U I IH H 21是输出端短路时，输出端电流与输入端电流之比，在晶体管电路中称为晶体管的电流放大倍数或电流增益；12222==I U IH H 22是输入端开路时，输出端的入端导纳，在晶体管电流中称为晶体管的输出电导。

用矩阵形式表示为；⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎥⎦⎤⎢⎣⎡=⎥⎦⎤⎢⎣⎡212221121121U I H H H H I U其中，H 称为H 参数矩阵⎥⎦⎤⎢⎣⎡=22211211H H H H H H 参数的求解方法也可分为3种，用定义直接求，用KCL 定理转换方程求解，在已知其他3种参数的前提下，用转换公式直接求（见表6-1）。

例如：在已知Y 参数下11211222112211212111121211111Y Y Y Y Y H Y Y H Y Y H Y H -==-==可见对于无源线性二端网络，H 参数中只有3个是独立的。

H 21＝－H 12。

对于对称的二端口，由于Y 11＝Y 22或Z 11＝Z 22，则有121122211=-H H H H【例】 如例4所示电路图，求H 参数 【解】： 方法一：172644021111jU I U H -=== 1727012112jI U U H +=== 1741021221jU I I H +-=== 174012222jI U I H -=== 方法二：列写端口KVL 方程方法三：利用转换公式在已知Z 参数情况下求H 参数⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎣⎡-∆=2222212212221Z Z Z Z Z ZZ H 已知⎥⎦⎤⎢⎣⎡++-=j j j j Z 422 得 ⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡---+-=⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎣⎡++-+++-=17417411727172644414424410j j j j j jj j j jj H 【例】： 求如图6-1-7所示二端口的H 和T 参数。

晶体的基本性质自限性：晶体具有自发形成几何多面体形态的性质，这种性质成为自限性。

2、均一性和异向性：因为晶体是具有格子构造的固体，同一晶体的各个部分质点分布是相同的，所以同一晶体的各个部分的性质是相同的，此即晶体的均一性；同一晶体格子中，在不同的方向上质点的排列一般是不相同的，晶体的性质也随方向的不同而有所差异，此即晶体的异向性。

3、最小内能与稳定性：晶体与同种物质的非晶体、液体、气体比较，具有最小内能。

晶体是具有格子构造的固体，其内部质点作规律排列。

这种规律排列的质点是质点间的引力与斥力达到平衡，使晶体的各个部分处于位能最低的结果。

溶剂的选择方法溶剂的选择运用溶剂提取法的关键，是选择适当的溶剂。

溶剂选择适当，就可以比较顺利地将需要的成分提取出来。

医学教育网搜集整理了溶剂的选择方法内容供大家参考，助大家顺利通过初级中药师考试。

选择溶剂要注意以下三点：①溶剂对有效成分溶解度大，对杂质溶解度小；②溶剂不能与中药的成分起化学变化；③溶剂要经济、易得、使用安全等。

1）水：水是一种强的极性溶剂。

中草药中亲水性的成分，如无机盐、糖类、分子不太大的多糖类、鞣质、氨基酸、蛋白质、有机酸盐、生物碱盐及甙类等都能被水溶出。

为了增加某些成分的溶解度，也常采用酸水及碱水作为提取溶剂。

酸水提取，可使生物碱与酸生成盐类而溶出，碱水提取可使有机酸、黄酮、蒽醌、内酯、香豆素以及酚类成分溶出。

但用水提取易酶解甙类成分，且易霉坏变质。

某些含果胶、粘液质类成分的中草药，其水提取液常常很难过滤。

沸水提取时，中草药中的淀粉可被糊化，而增加过滤的困难。

故含淀粉量多的中草药，不宜磨成细粉后加水煎煮。

中药传统用的汤剂，多用中药饮片直火煎煮，加温可以增大中药成分的溶解度外，还可能有与其他成分产生"助溶"现象，增加了一些水中溶解度小的、亲脂性强的成分的溶解度。

但多数亲脂性成分在沸水中的溶解度是不大的，既使有助溶现象存在，也不容易提取完全。

1、晶体类型判别：分子晶体：大部分有机物、几乎所有酸、大多数非金属单质、所有非金属氢化物、部分非金属氧化物。

原子晶体：仅有几种，晶体硼、晶体硅、晶体锗、金刚石、金刚砂（SiC）、氮化硅（Si3N4）、氮化硼（BN）、二氧化硅（SiO2）、氧化铝（Al2O3）、石英等；金属晶体：金属单质、合金；离子晶体：含离子键的物质，多数碱、大部分盐、多数金属氧化物；2、不同晶体的熔沸点由不同因素决定：离子晶体的熔沸点主要由离子半径和离子所带电荷数（离子键强弱）决定，分子晶体的熔沸点主要由相对分子质量的大小决定，原子晶体的熔沸点主要由晶体中共价键的强弱决定，且共价键越强，熔点越高。

3晶体熔沸点高低的判断？（1）不同类型晶体的熔沸点：原子晶体＞离子晶体＞分子晶体；金属晶体（除少数外）＞分子晶体；金属晶体熔沸点有的很高，如钨，有的很低，如汞（常温下是液体）。

（2）同类型晶体的熔沸点：①原子晶体：结构相似，半径越小，键长越短，键能越大，熔沸点越高。

如金刚石＞氮化硅＞晶体硅。

②分子晶体：组成和结构相似的分子，相对分子质量越大，分子间作用力越强，晶体熔沸点越高。

如CI4＞CBr4＞CCl4＞CF4。

若相对分子质量相同，如互为同分异构体，一般支链数越多，熔沸点越低，特殊情况下分子越对称，则熔沸点越高。

若分子间有氢键，则分子间作用力比结构相似的同类晶体强，故熔沸点特别高。

③ 金属晶体：所带电荷数越大，原子半径越小，则金属键越强，熔沸点越高。

如Al ＞Mg ＞Na ＞K 。

④ 离子晶体：离子所带电荷越多，半径越小，离子键越强，熔沸点越高。

如KF ＞KCl ＞KBr ＞KI 。

1．60C 与现代足球(如图6-1)有很相似的结构，它与石墨互为 ( ) A ．同位素 B ．同素异形体 C ．同分异构体 D ．同系物2．下列物质为固态时，必定是分子晶体的是 ( )A ．酸性氧化物B ．非金属单质C ．碱性氧化物D ．含氧酸 3．金属的下列性质中，不能用金属晶体结构加以解释的是 ( ) A ．易导电 B ．易导热 C ．有延展性 D ．易锈蚀4．氮化硅(43N Si )是一种新型的耐高温耐磨材料，在工业上有广泛的用途，它属于 ( ) A ．原子晶体 B ．分子晶体 C ．金属晶体 D ．离子晶体5．水的状态除了气、液和固态外，还有玻璃态。

第14卷 第1期1999年2月晶体中的C H O 氢键时 茜 唐宗薰(西北大学化学系 西安710069)摘要 介绍了晶体中的C H O 氢键,包括其键长、键角以及C H 基团的酸性与O 原子的碱性对C H O 键长的影响及C H O 氢键在晶体工程学中的作用。

氢键在生物学和气相与凝聚相关系中扮演着重要的角色,故近年来愈加受到人们的重视。

典型的氢键可表示为:RX H YR 。

氢键的形成可定性地理解为X 、H 和Y 之间,三中心的以静电力为主的一种相互作用力。

经典的氢键中的X 、Y 通常是电负性大、半径小的F 、O 、N 等原子。

随着对氢键本质认识的不断深入,氢键概念已不再局限于具有较大电负性的F 、O 或N 原子与H 原子间的相互作用。

其实,人们早就注意到某些化合物的晶体结构中不仅存在着H N O 和O H O 等强氢键作用,而且还受到弱的C H O 氢键的影响。

Glasstone 最早指出C HX 3和酮的混合物中存在X 3C H O C [1],Jeffrey 也认为H 3COOC COOC H 3具有较高熔点(54 )是因为晶体中存在H 3C H OC[2]。

随后,Pauling 观察到CH 3COCl 的沸点(51 )高于CF 3C OCl 的沸点(<0 ),他将此反常现象归因于前者存在氢键[3]。

Sutor 在本世纪60年代也报道了这类氢键的存在[4]。

1982年,Taylor 和Kenna 提供了C H O 氢键在晶体中的存在[5]的证据。

1986年,Sarma 和Desiraju 又通过几种平面型氧化物的晶体结构证实了这种氢键在晶体工程学中的作用[6]。

1 C H O 氢键的键长氢键键长,即X Y 之间的距离(D 值)是氢键的一个特征值。

对于强氢键,O O 和N N的距离D 分别为0 275nm 和0 285nm,远远小于两原子的范德华半径之和。

而对于弱的C H O 键(如 所示),因受晶体中其它作用力的影响,一般而言,其D 值介于0 3nm 到0 4nm 之间。

晶体知识点归纳一、晶体的概念。

1. 定义。

- 晶体是具有规则几何外形的固体。

晶体内部的微粒（原子、离子或分子）在空间按一定规律做周期性重复排列。

例如，食盐（NaCl）晶体是立方体形状，冰晶体呈六角形的片状等。

2. 与非晶体的区别。

- 外形。

- 晶体有规则的几何外形，如石英晶体呈六棱柱形，而非晶体没有规则的几何外形，如玻璃。

- 微观结构。

- 晶体内部微粒在三维空间里呈周期性有序排列，非晶体内部微粒排列相对无序。

例如，通过X - 射线衍射实验可以发现晶体能产生明锐的衍射斑点，这表明晶体内部结构的周期性，而非晶体则没有这种明锐的衍射斑点。

- 物理性质。

- 晶体具有固定的熔点，在熔化过程中温度保持不变，如冰在0℃时熔化，在熔化过程中温度始终为0℃。

非晶体没有固定的熔点，加热时会先变软，然后逐渐熔化，如玻璃加热时会慢慢变软，没有固定的熔化温度。

二、晶体的分类。

1. 离子晶体。

- 构成微粒：阴、阳离子。

例如，NaCl晶体由Na⁺和Cl⁻构成。

- 微粒间作用力：离子键。

离子键是阴、阳离子之间的静电作用，包括静电引力和静电斥力。

- 物理性质。

- 硬度较大，如NaCl晶体硬度较大，可以划伤一些较软的物质。

- 熔点较高，因为离子键较强，破坏离子键需要较多的能量。

例如，CaO的熔点高达2614℃。

- 多数离子晶体易溶于水，在水溶液或熔融状态下能导电，因为离子晶体在这些状态下有自由移动的离子。

如NaCl在水溶液和熔融状态下都能导电。

2. 分子晶体。

- 构成微粒：分子。

例如，干冰（CO₂）晶体由CO₂分子构成。

- 微粒间作用力：分子间作用力（范德华力），部分分子晶体中还存在氢键（如冰中的氢键）。

分子间作用力比化学键弱得多。

- 物理性质。

- 硬度较小，如干冰晶体很容易被压碎。

- 熔点较低，因为分子间作用力较弱，容易被破坏。

例如，冰的熔点为0℃，干冰的熔点为 - 56.6℃。

- 分子晶体一般不导电，因为在固态和液态时没有自由移动的离子或电子。

八面体是一种拥有八个等边的面的几何体，它是晶体学中最简单的对称结构之一。

八面体的晶体符号用来描述晶体中八面体对称性的方式，通常使用H来表示。

在晶体学中，八面体的晶体符号有两种常见的表示方式：
1. Oh型八面体：
- 三维晶胞的点群对称性为Oh型八面体。

- 它具有所有的旋转轴，包括四个三重轴（C3），三个二重轴（C2），一个四重轴（C4）和一个六重轴（C6）。

- 此外，它还具有所有的镜像面（m）和四个反演中心（i）。

- 其晶体符号为O_h。

2. Td型八面体：
- 三维晶胞的点群对称性为Td型八面体。

- 它具有四个三重轴（C3）和三个反演中心（i）。

- 其晶体符号为T_d。

这些晶体符号描述了八面体晶体中的对称操作和对称元素，有助于确定晶体的结构和性质。

晶体管h参数模型
晶体管是现代电子技术中最常用的器件之一，是将微弱的信号放大或开关的重要元器件。

为了更好地研究和设计晶体管电路，需要建立精确的数学模型。

其中，h参数模型是一种最为常用的晶体管模型之一。

h参数模型是通过对晶体管输入输出端口的电流和电压之间的关系进行建模得到的。

其中，h11参数表示输入电阻；h12参数表示反向传输电导；h21参数表示正向放大系数；h22参数表示输出导纳。

通过这些参数，可以计算得到晶体管的各种电路参数。

在具体的应用中，h参数模型可以用于计算晶体管的输入输出阻抗、放大系数、稳定性等性能指标。

并且，h参数模型还具有较好的可靠性和实用性，因此在工程实践中得到广泛应用。

总之，晶体管h参数模型是一种重要的数学模型，可以用于分析和设计各种晶体管电路。

对于电子工程师来说，了解和掌握h参数模型，是提高设计水平和解决实际问题的重要基础。

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晶体管h参数等效模型哎，今天咱们聊聊晶体管的h参数等效模型，这可不是个简单的东西，但咱们得用轻松点的方式来讲，毕竟谁想听那些干巴巴的技术术语呢，对吧？晶体管在电子世界里可谓是个“明星”，没它可不行，家里的电视、电脑，甚至手机，都是靠它来运转的。

想象一下，晶体管就像个小小的开关，能够在瞬间让电流通过，或者让它停下来。

真是个聪明的小家伙！那它的h参数又是什么呢？别着急，咱慢慢说。

h参数其实就是一组用来描述晶体管工作状态的参数。

你可以把它想象成一个人的性格，比如说，有的人性格温和，有的人则比较火爆。

h参数里有四个主要的参数：hfe、hie、hoe和hre。

这些听起来复杂的名字，其实就像是人的不同特点，有的让人觉得亲切，有的让人稍微有点畏惧。

hfe，简单说就是晶体管的放大倍数。

就像一个人讲笑话，讲得好就能让周围的人哈哈大笑，这就是影响力。

hfe越大，晶体管放大信号的能力就越强，简直就是电子界的“段子手”。

再看看hie，这玩意儿代表的是输入阻抗，哎，就是你在听故事的时候，能不能很轻松地接收信息。

输入阻抗高，说明你对外界的干扰抵抗力强，不容易被影响。

然后，咱们说说hoe，这个有点特别，代表的是输出导纳。

听起来像个数学术语，其实就像是一个人的亲和力。

输出导纳越高，说明这个晶体管对外界的响应越快，反应灵敏，简直像是在打羽毛球的高手，来球就接，丝毫不拖泥带水。

而hre呢，它是个小插曲，代表的是输入与输出之间的关系，简单点说，就是这家伙在“说话”时，不会让你觉得尴尬。

这个参数小，但它的影响可不小。

好啦，了解了这些h参数，咱们再看看h参数等效模型，这个模型就像是一幅画，把晶体管的各种特性用简单的方式展现出来。

想象一下，画上的线条、颜色，都是晶体管的性格，各种参数就像是它的肢体语言，让你一眼就能看出它的“脾气”。

在实际应用中，这个等效模型可真是让人省心。

拿到一个晶体管的h参数，咱们就能很快设计出各种电路。

比如，要用在放大器上，找个hfe大的，能让声音嘹亮得像在开演唱会；要用在开关电路上，找个hie高的，确保信号能稳稳当当地传递。

h参数晶体管ft一、晶体管的基本概念晶体管是一种半导体器件，常用于电子电路中的开关或放大器。

h参数是衡量晶体管性能的重要参数之一，而晶体管的ft值则是h参数中的一个关键指标。

二、h参数的定义h参数是指晶体管的混合参数（hybrid parameter），也称为小信号参数。

它是用来描述晶体管的输入与输出之间的关系的一组参数。

h参数包括输入电流放大系数hfe、输出电导hoe、输入电导hie和输出电流放大系数hre等。

2.1 输入电流放大系数 hfe输入电流放大系数hfe衡量了晶体管的放大能力。

它定义为晶体管的输出电流与输入电流之间的比值，即hfe = ΔIc / ΔIb，其中ΔIc为输出电流的变化量，ΔIb为输入电流的变化量。

2.2 输出电导 hoe输出电导hoe是指晶体管的输出电流与输出电压之间的比值。

它表示单位输出电流变化时，输出电压的变化情况。

hoe的倒数也被称为输出电阻。

2.3 输入电导 hie输入电导hie是指输入电流与输入电压之间的比值。

它表示单位输入电流变化时，输入电压的变化情况。

hie的倒数也被称为输入电阻。

2.4 输出电流放大系数 hre输出电流放大系数hre表示输出电流的变化与输入电流的变化之间的关系。

它定义为hre = ΔIb / ΔIc，其中ΔIb为输入电流的变化量，ΔIc为输出电流的变化量。

三、晶体管ft值的意义晶体管的ft值是指其最大截止频率，也称为过渡频率。

它是衡量晶体管高频特性的重要参数，表示晶体管能够工作的最高频率。

ft值越高，晶体管的高频特性越好。

3.1 ft值与晶体管性能的关系晶体管的ft值与其它h参数有一定的关联。

一般来说，当ft值增大时，输入电流放大系数hfe会减小，输出电导hoe会增大，输入电导hie会减小，输出电流放大系数hre会减小。

3.2 ft值的应用晶体管的ft值对于高频电路的设计和性能优化非常重要。

在频率较高的电路中，晶体管的ft值决定了其工作的上限频率。

h参数的晶体管晶体管是一种用于放大和控制电流的电子器件。

在晶体管中，h参数（也称为混合参数）是一个重要的电氏参数，用于描述晶体管的电流放大特性和输入输出关系。

本文将介绍h参数的基本概念、意义以及应用。

h参数分为三个主要的子参数：hfe、hie和hre。

hfe是晶体管的直流电流放大倍数，表示输出电流与输入电流之间的比值。

hie是输入电阻，表示输入电压与输入电流之间的关系。

hre是反馈系数，表示由输出电流引起的输入电流变化。

h参数的特性使得晶体管成为一种理想的放大器。

通过控制输入电流，可以调节输出电流的大小。

这种电流放大特性使得晶体管在各种电子设备中得到广泛应用，如放大器、开关和逻辑门等。

在放大器中，h参数可以用来描述输入输出特性和增益。

输入特性指的是输入电流与输入电压之间的关系，输出特性指的是输出电流与输出电压之间的关系。

增益则表示输出电流与输入电流之间的增加倍数。

通过调节h参数的值，可以控制放大器的增益和特性，满足不同应用的需求。

在开关电路中，h参数可以用来描述开关速度和输出电流。

开关速度表示晶体管从关断状态到导通状态的时间，输出电流则表示晶体管导通后的输出电流大小。

通过调节h参数的值，可以控制开关速度和输出电流，从而实现快速开关和精确控制。

在逻辑门电路中，h参数可以用来描述输入输出关系和电路延迟。

输入输出关系表示输入电压与输出电压之间的逻辑关系，电路延迟则表示信号传输的时间延迟。

通过调节h参数的值，可以控制输入输出关系和电路延迟，实现高速逻辑运算和数据处理。

h参数是晶体管的重要电氏参数，用于描述晶体管的电流放大特性和输入输出关系。

通过调节h参数的值，可以控制晶体管的性能和特性，满足不同应用的需求。

在电子器件的设计和应用中，深入理解和熟练运用h参数是非常重要的。

晶体与晶体的构成元素一、晶体的定义与特征1.晶体的定义：晶体是由周期性排列的原子、离子或分子构成的固体物质。

2.晶体的特征：a)具有规则的几何形状b)具有固定的熔点c)具有各向异性的物理性质d)具有周期性排列的微观结构二、晶体的构成元素1.原子晶体：由原子通过共价键相互连接形成的晶体，如金刚石、硅晶体等。

2.离子晶体：由正负离子通过离子键相互连接形成的晶体，如氯化钠、硫酸铜等。

3.分子晶体：由分子通过分子间作用力相互连接形成的晶体，如冰、石英等。

三、晶体的分类1.单晶体：由一个晶核生长形成的晶体，具有完整的晶体结构，如金属晶体、石英晶体等。

2.多晶体：由许多小晶核随机分布形成的晶体，如玻璃、橡胶等。

四、晶体的性质与应用a)熔点：晶体具有固定的熔点，不同晶体熔点不同。

b)硬度：晶体硬度一般较大，如金刚石为自然界硬度最大的物质。

c)导电性：金属晶体具有良好的导电性，非金属晶体导电性较差。

d)光学性质：晶体具有各向异性的光学性质，如石英晶体具有双折射现象。

e)工业：晶体材料在电子、光学、陶瓷等领域具有广泛应用。

f)科学研究：晶体结构的研究有助于了解物质微观世界，如蛋白质晶体学。

g)医疗：某些晶体材料可用于生物体内的替代品，如人工关节。

五、晶体生长的方法1.溶液法：通过控制溶液中溶质的过饱和度，使晶体从溶液中析出。

2.熔融法：将物质熔化成液态，然后逐渐冷却使其凝固形成晶体。

3.气相法：通过控制气相中的反应过程，使晶体在气相中生长。

六、晶体的研究方法1.X射线衍射：通过分析晶体对X射线的衍射 pattern，确定晶体的结构。

2.电子显微镜：利用电子束对晶体进行成像，观察晶体的微观结构。

3.光谱分析：通过分析晶体对光的吸收、发射等光谱特性，了解晶体的组成和结构。

综上所述，晶体与晶体的构成元素是物质世界中普遍存在的一种基本现象，了解晶体的性质、分类和应用，对我们的生活和学习具有重要意义。

习题及方法：1.习题：金刚石和石墨都是碳的同素异形体，它们的原子排列方式有何不同？解题思路：通过对金刚石和石墨的结构进行分析，了解它们的原子排列方式的差异。