三度带与六度带的概念源于高斯平面直角坐标，高斯平面直角坐标适用于：测区范围较大，不能将测区曲面当作平面看待。
当测区范围较大，若将曲面当作平面来看待，则把地球椭球面上的图形展绘到平面上来，必然产生变形，为减小变形，必须采用适当的方法来解决。测量上常采用的方法是高斯投影方法。
高斯投影方法是将地球划分成若干带，然后将每带投影到平面上。
1．我国采用6度带和3度带：
1∶2.5万及1∶5万的地形图采用6度分带投影，即经差为6度，从零度子午线开始，自西向东每个经差6度为一投影带，全球共分60个带，用1，2，3，4，5，……表示．即东经0～6度为第一带，其中央经线的经度为东经3度，东经6～12度为第二带，其中央经线的经度为9度。
1∶1万的地形图采用3度分带，从东经1.5度的经线开始，每隔3度为一带，用1，2，3，……表示，全球共划分120个投影带，即东经1.5～ 4.5度为第1带，其中央经线的经度为东经3度，东经4.5～7.5度为第2带，其中央经线的经度为东经6度．我省位于东经113度－东经120度之间，跨第38、39、40共计3个带，其中东经115.5度以西为第38带，其中央经线为东经114度；东经115.5～118.5度为39带，其中央经线为东经117度；东经118.5度以东到山海关为40带，其中央经线为东经120度。
地形图上公里网横坐标前2位就是带号，例如：1∶5万地形图上的横坐标为20345486，其中20即为带号，345486为横坐标值。
2．当地中央经线经度的计算
六度带中央经线经度的计算：当地中央经线经度＝6°×当地带号－3°，例如：地形图上的横坐标为20345，其所处的六度带的中央经线经度为：6°×20－3°＝117°（适用于1∶2.5万和1∶5万地形图）。
三度带中央经线经度的计算：中央经线经度＝3°×当地带号（适用于1∶1万地形图）。
例如在河北境内大部分地区：
三度带中央经线经度的计算：114°=3°×38 （横坐标为38******）
六度带中央经线经度的计算：117°=6°×20-3°（横坐标为20******）
而在张家口附近属于6度带和3度带中央子午线重合地带，既当地的3、6度带
的X坐标及Y坐标的后6位数值都一样，即在转换时只须把各度带的Y坐标的
前2位改过来即可，那里的6度带和3度带划分为：
三度带中央经线经度的计算：117°=3°×39 （横坐标为39******）六度带中央经线经度的计算：117°=6°×20-3°（横坐标为20******）
地图换带问题（三度带与六度带）--很实用
摘要：本文主要介绍了换带中的一些基本问题，便于理解三度带和六度带的，从深层次认识Mapgis坐标投影换带问题。
三度带与六度带的概念源于高斯平面直角坐标，高斯平面直角坐标适用于：测区范围较大，不能将测区曲面当作平面看待。
当测区范围较大，若将曲面当作平面来看待，则把地球椭球面上的图形展绘到平面上来，必然产生变形，为减小变形，必须采用适当的方法来解决。测量上常采用的方法是高斯投影方法。
高斯投影方法是将地球划分成若干带，然后将每带投影到平面上。我国采用6度带和3度带：1：2.5万及1：5万的地形图采用6度分带投影，即经差为6度，从零度子午线开始，自西向东每个经差6度为一投影带，全球共分60个带，用1，2，3，4，5，……表示．即东经0～6度为第一带，其中央经线的经度为东经3度，东经6～12度为第二带，其中央经线的经度为9度。
图1度带和六度带切割示意图1：1万的地形图采用3度分带，从东经1.5度的经线开始，每隔3度为一带，用1，2，3，……表示，全球共划分120个投影带，即东经1.5～4.5度为第1带，其中央经线
的经度为东经3度，东经4.5～7.5度为第2带，其中央经线的经度为东经6度．我省位于东经113度－东经120度之间，跨第38、39、40共计3个带，其中东经115.5度以西为第38带，其中央经线为东经114度；东经115.5～118.5度为39带，其中央经线为东经117度；东经118.5度以东到山海关为40带，其中央经线为东经120度。
地形图上公里网横坐标前2位就是带号，例如：1∶5万地形图上的横坐标为20345486，其中20即为带号，345486为横坐标值。当地中央经线经度的计算
六度带中央经线经度的计算：当地中央经线经度＝6°×当地带号－3°，例如：地形图上的横坐标为20345（假设的坐标，且正确），其所处的六度带的中央经线经度为：6°×20－3°＝117°（适用于1∶2．5万和1∶5万地形图）。
三度带中央经线经度的计算：中央经线经度＝3°×当地带号（适用于1∶1万地形图）。例如在河北境内大部分地区：三度带中央经线经度的计算：114°=3°×38 （横坐标为38******）六度带中央经线经度的计算：117°=6°×20-3°（横坐标为20******）而在张家口附近属于6度带和3度带中央子午线重合地带，既当地的3、6度带的X坐标及Y坐标的后6位数值都一样，即在转换时只须把各度带的Y坐标的前2位改过来即可，那里的6度带和3度带划分为：三度带中央经线经度的计算：117°=3°×39 （横坐标为39******）六度带中央经线经度的计算：117°=6°×20-3°（横坐标为20******）我国的经度范围西起73°东至135°，可分成六度带十一个（13号带-23号带），各
带中央经线依次为（75°、81°、……123°、129°、135°）；三度带二十二个（24号带-45号带），各带中央经线依次为（72°、75°、……132°、135°）；六度带可用于中小比例尺（如1：250000）测图，三度带可用于大比例尺（如1：10000）测图，城建坐标多采用三度带的高斯投影。如何判断投影坐标是3度带坐标还是6度带坐标如(4231898，21655933)其中21即为带号，同样所定义的东伪偏移值也需要加上带号，如21带的东伪偏移值为21500000米。假如你的工作区经度在120度至126度范围，则该坐标系为6度带坐标系，该带的中央经度为123度。
如(2949320，36353822)其中36即为带号，已知该地点位于贵阳市附近，而从地图上我们看到贵阳大概的经度是东经108度左右，因此可以36*3=108，所以该坐标系为3度带坐标系，该带的中央经度为108度。而不可能为6度带：36*6=216。
注：东伪偏移falseEastingfalEastng：投影平面中为避免横轴（经度方向）坐标出现负值，而所加的偏移量。我国规定将高斯-克吕格投影各带纵坐标轴西移500公里，因此高斯-克吕格投影东伪偏移值为500公里。如；500000，表示投影的东伪偏移值为500公里。
北伪偏移falseNorthingfalNorthng：投影平面中为避免纵轴(纬度方向)坐标出现负值，而所加的偏移量，高斯-克吕格投影需在此注明北伪偏移值，我国高斯-克吕格投影北伪偏移值为0。如：0，表示投影的北伪偏移值为0。
1．我国采用6度分带和3度分带： 1∶2.5万及1∶5万的地形图采用6度分带投影，即经差为6度，从零度子午线开始，自西向东每个经差6度为一投影带，全球共分60个带，用1，2，3，4，5，……表示．即东经0～6度为第一带，其中央经线的经度为东经3度，东经6～12度为第二带，其中央经线的经度为9度。 1∶1万的地形图采用3度分带，从东经1.5度的经线开始，每隔3度为一带，用1，2，3，……表示，全球共划分120个投影带，即东经1.5～ 4.5度为第1带，其中央经线的经度为东经3度，东经4.5～7.5度为第2带，其中央经线的经度为东经6度．我省位于东经113度－东经120度之间，跨第38、39、40共计3个带，其中东经115.5度以西为第38带，其中央经线为东经114度；东经115.5～118.5度为39带，其中央经线为东经117度；东经118.5度以东到山海关为40带，其中央经线为东经120度。 地形图上公里网横坐标前2位就是带号，例如：1∶5万地形图上的横坐标为2 0345486，其中20即为带号，345486为横坐标值。 2．当地中央经线经度的计算
六度带中央经线经度的计算：当地中央经线经度＝6°×当地带号－3°，例如：地形图上的横坐标为20345，其所处的六度带的中央经线经度为：6°×20－3°＝117°（适用于1∶2．5万和1∶5万地形图）。 三度带中央经线经度的计算：中央经线经度＝3°×当地带号（适用于1∶1万地形图）。 3、如何计算当地的中央子午线？ 当地中央子午线决定于当地的直角坐标系统，首先确定您的直角坐标系统是3 度带还是6度带投影公式推算: 6度带中央子午线计算公式：当地经度/6=N；中央子午线L=6 * N （带号） 当没有除尽，N有余数时，中央子午线L=6*N - 3 3度带中央子午线计算公式：当地经度/3=N；中央子午线L=3 X N 我国的经度范围西起73°东至135°，可分成 六度带十一个（13号带—23号带），各带中央经线依次为（75°、81°、 (1) 23°、129°、135°）； 三度带二十二个（24号带—45号带）。各带中央经线依次为（72°、75°、……132°、135°）； 六度带可用于中小比例尺（如1：250000）测图，三度带可用于大比例尺（如1：10000）测图，城建坐标多采用三度带的高斯投影 4、如何判断投影坐标是3度带坐标还是6度带坐标 如(4231898,21655933)其中21即为带号，同样所定义的东伪偏移值也需要加上带号，如21带的东伪偏移值为21500000米。假如你的工作区经度在1 20度至126度范围，则该坐标系为6度带坐标系，该带的中央经度为123度。如(2949320,36353822)其中36即为带号，已知该地点位于贵阳市附近，而从地图上我们看到贵阳大概的经度是东经108度左右，因此可以36*3=108，所以该坐标系为3度带坐标系，该带的中央经度为108度。而不可能为6度带：36*6=216。
半导体材料能带测试及计算 对于半导体，是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其具有一定的带隙(E g)。通常对半导体材料而言，采用合适的光激发能够激发价带(VB)的电子激发到导带(CB)，产生电子与空穴对。 图1. 半导体的带隙结构示意图。 在研究中，结构决定性能，对半导体的能带结构测试十分关键。通过对半导体的结构进行表征，可以通过其电子能带结构对其光电性能进行解析。对于半导体的能带结构进行测试及分析，通常应用的方法有以下几种(如图2)： 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙E g； 2.VB XPS测得价带位置(E v)； 3.SRPES测得E f、E v以及缺陷态位置； 4.通过测试Mott-Schottky曲线得到平带电势； 5.通过电负性计算得到能带位置. 图2. 半导体的带隙结构常见测试方式。 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙 紫外可见漫反射测试 2.制样：
背景测试制样：往图3左图所示的样品槽中加入适量的BaSO4粉末（由于BaSO4粉末几乎对光没有吸收，可做背景测试），然后用盖玻片将BaSO4粉末压实，使得BaSO4粉末填充整个样品槽，并压成一个平面，不能有凸出和凹陷，否者会影响测试结果。 样品测试制样：若样品较多足以填充样品槽，可以直接将样品填充样品槽并用盖玻片压平；若样品测试不够填充样品槽，可与BaSO4粉末混合，制成一系列等质量分数的样品，填充样品槽并用盖玻片压平。 图3. 紫外可见漫反射测试中的制样过程图。 1.测试： 用积分球进行测试紫外可见漫反射（UV-Vis DRS），采用背景测试样（BaSO4粉末）测试背景基线（选择R%模式），以其为background测试基线，然后将样品放入到样品卡槽中进行测试，得到紫外可见漫反射光谱。测试完一个样品后，重新制样，继续进行测试。 ?测试数据处理 数据的处理主要有两种方法：截线法和Tauc plot法。截线法的基本原理是认为半导体的带边波长（λg）决定于禁带宽度E g。两者之间存在E g(eV)=hc/λg=1240/λg(nm)的数量关系，可以通过求取λg来得到E g。由于目前很少用到这种方法，故不做详细介绍，以下主要来介绍Tauc plot法。 具体操作： 1、一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收，如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图。
３度６度带高斯投影 选择投影的目的在于使所选投影的性质、特点适合于地图的用途，同时考虑地图在图廓范围内变形较小而且变形分布均匀。海域使用的地图多采用保角投影，因其能保持方位角度的正确。 我国的基本比例尺地形图(1:5千，1:1万，1:2.5万，1:5万，1:10万，1:25万，1:50万，1:100万)中，大于等于50万的均采用高斯-克吕格投影(Gauss-Kruger)，这是一个等角横切椭圆柱投影，又叫横轴墨卡托投影(Transverse Mercator)；小于50万的地形图采用等角正轴割园锥投影，又叫兰勃特投影(Lambert Conformal Conic)；海上小于50万的地形图多用等角正轴圆柱投影，又叫墨卡托投影(Mercator)。一般应该采用与我国基本比例尺地形图系列一致的地图投影系统。 地图坐标系由大地基准面和地图投影确定，大地基准面是利用特定椭球体对特定地区地球表面的逼近，因此每个国家或地区均有各自的大地基准面，我们通常称谓的北京54坐标系、西安80坐标系实际上指的是我国的两个大地基准面。我国参照前苏联从1953年起采用克拉索夫斯基(Krassovsky)椭球体建立了我国的北京54坐标系，1978年采用国际大地测量协会推荐的IAG 75地球椭球体建立了我国新的大地坐标系--西安80坐标系，目前GPS定位所得出的结果都属于WGS84坐标系统，WGS84基准面采用WGS84椭球体，它是一地心坐标系，即以地心作为椭球体中心的坐标系。因此相对同一地理位置，不同的大地基准面，它们的经纬度坐标是有差异的。 采用的3个椭球体参数如下（源自“全球定位系统测量规范 GB/T 8314-2001”）： 椭球体与大地基准面之间的关系是一对多的关系，也就是基准面是在椭球体基础上建立的，但椭球体不能代表基准面，同样的椭球体能定义不同的基准面，如前苏联的Pulkovo 1942、非洲索马里的Afgooye基准面都采用了Krassovsky
已知透射光谱及相关数据，求吸收光谱和禁带宽度Eg 首先，根据相应样品的透射光谱，求出吸收系数α。其次，我们用2)(ναh 对光子能量(νh )做图，然后经过线形拟合，将线性区外推到横轴上的截距就得到禁带宽度 Eg 。 具体操作过程如下： （1）根据透射光谱(T ）和相应薄膜厚度（d ） 计算得到吸收系数 计算公式如下： ()d T //1ln =α；其中，如果透射光谱中纵坐标以100为完全透过率，则上式中数值1改为100；d 为相应薄膜厚度，单位为nm 。 （2）求出光子能量ν h 。公式如下：)()(1240eV nm c h h λλν== （3）求出2)(ναh （4）以2)(ναh 为纵坐标，以νh 为横坐标作图，得到的相应 图一： （5）选择预线性拟合的范围，点击（注意，只适用Origin75）Tools ，Liear fit ，settings ，在Points 中填入数字2；在Range 中填入数字范围(0~200)；点击Operation ，点击Fit 按键；在Find Y 中输入数字0，点击Find X 按键，得到横坐标交点数值E g 。
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 0.000 0.005 0.0100.0150.0200.025 (a h υ)2 (e V 2n m -2)Photon energy (eV) C 图 一 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 0.000 0.005 0.0100.0150.0200.025 (a h υ)2 (e V 2n m -2)Photon energy (eV) 图 二
80坐标6度带转3度带 相关软件：excel，coord 前期准备：制作如下excel表格，方便数据记录： 此次拿6度带坐标X=4161600，Y=18645600做实例。 大体流程：确定6度带坐标中央子午线-用coord软件确定大地坐标L参数-用L参数确定3度坐标的带号和中央子午线-通过coord软件的换带计算得出转换结果-在转换结果Y坐标前加上两位带号。 1、确定6度坐标带号和中央子午线。Y坐标的前两位是带号，即18，中央子午线计算公式为“带号*6-3”，即105度。 2、计算大地坐标L。点击坐标转换-投影设置，因为是6度转3度，所以“投影方式”选“高斯投影6度带”，并在右侧“中央子午线”输入刚才计算的6度子午线参数为105度。确定后返回主界面。 左侧“选择源坐标类型”选“平面坐标”，右侧“选择目标坐标类型”选“大地坐标”，单位为“度”， “椭球基准”选择“国家80”。在“输入源坐标”处输入X=4161600，Y=18645600。点击转换，得出大地坐 标参数“L”。 L/3并四舍五入得出3度带号为36，“带号*3”计算出3度带的中央子午线108。 3、6度带坐标转换为3度带坐标 回到主界面，按第一张图设置，将两侧全部选择“平面坐标”，其他参数不变（椭球标准两侧都是国家80、左侧输入6度带坐标X=4161600，Y=18645600）。 点击菜单“坐标转换”-“换代计算”。 “转换前投影设置”为6度带的设置，选择6度带，并输入中央子午线105度，点击确定后会自动弹出“转换后投影设置”，这里因为是要转换3度坐标，因此左侧选择3度带，右侧输入中央子午线108度。 点击确定后回到主界面，点击“转换坐标”，右侧的“输出目标坐标”即为转换后的3度带坐标。X=4161181.939693，Y=380580.858173。注意，此处并不是最终结果。还需在3度带坐标的Y坐标前加上两位带号，即最终的转化结果为：X=4161181.939693，Y=36380580.858173
根据紫外-可见光谱计算半导体能带Eg 光学吸收系数满足方程：α=(A/hν)(hν-Eg)1/2，其中 A 是比例常数，hν是光子能量，Eg 是ZnO的能隙。Eg可以通过画(αhν)2与hν的曲线，然后把线性部分延长到α=0得出。这些数据先用excel计算出来，再导入origin画出曲线图，然后做切线，切线与和横坐标的交点数值就是禁带宽度 在origin中做曲线的切线的话~那个切点是怎么确定的 下一个画切线的插件targent，它会自动画，切点选一个最陡峭的点 1.薄膜：需要的数据：薄膜厚度d，透过谱T%，并且还要知道半导体是直接还是间接型。首先需要求吸收系数（absorption coefficiency, a） a=-ln(T%)/d A α= d hv的计算在origin里进行，大概可以使用hv=1240/(wavelength(nm))得到 间接半导体：纵坐标为(ahv)^2，横坐标为hv 直接半导体：纵坐标为(ahv)^(1/2)，横坐标为hv 最后，做出曲线的切线（这方面我是自己拉一条直线），与横轴的交点就是Eg。 2.粉体：需要的数据：粉体的漫反射谱Rx。同样也需要换算成吸收系数，使用a=(1-Rx)2/2Rx (这个就是Kubelka-Munk Function)。其他的就是按照薄膜同样的方法进行了。 当然，这些方法都是近似的，其中还会存在粉体颗粒对光的散射，薄膜岛状结构对光的散射而对最后结果产生的误差，所以，在研究化学和材料方面可以作为一定知道的数据。 方法1：利用紫外可见漫反射测量中的吸光度与波长数据作图，利用截线法做出吸收波长阈值λg(nm)， 利用公式Eg=1240/λg (eV) 计算禁带宽度。 方法2：利用(Ahν)2 对hν做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(Ahν)0.5 对hν做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直 接半导体禁带宽度值。A (Absorbance) 即为紫外可见漫反射中的吸光度。 方法3：利用(αhν)2 对hν做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(αhν)0.5 对hν做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为 直接半导体禁带宽度值。α(Absorption Coefficient ) 即为紫外可见漫反射中的吸收系数。α与A成正比。 方法4：利用[F(R∞)hν]2 对hν做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用 [F(R∞)hν]0.5 对hν做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度
关于单点坐标的换算 我国1:2.5——1:50万地形图均采用6度分带；1:1万及更大比例尺地形图采用3度分带，以保证必要的精度。我国的经度范围西起73°东至135°，横跨11个六度带，73~135，对应6度带号是13~23。三度带比6度带大一倍，基本上就是24到45。 当地中央经线和带号计算公式 首先我们要确定我们的坐标是3度带的还是6度带的投影，然后根据经度来计算带号、中央子午线，计算公式如下： 6度带：中央子午线计算公式：中央子午线L=6 ×（N＋1）－3 。N=[当地经度/6]，N值不进行四舍五入，只取整数部分，（N＋1）即为6度带的带号。 3度带：中央子午线计算公式：中央子午线L=3 ×N 。 N=当地经度/3，N值进行四舍五入后即为3度带的带号。
一般先计算6度带和3度带的中央经线，如果中央经线一致，则直接改带号，如果不一致需要做换带计算。 当地中央经线经度的计算 六度带中央经线经度的计算：当地中央经线经度＝6°×当地带号－3°，例如：地形图上的横坐标为20345，其所处的六度带的中央经线经度为：6°×20－3°＝117°（适用于1∶2．5万和1∶5万地形图）。 三度带中央经线经度的计算：中央经线经度＝3°×当地带号（适用于1∶1万地形图）。 一个好记的方法:在中华人民共和国陆地范围内，坐标(Y坐标,8位数,前两位是带号)带号小于等于23的肯定是6度带，大于等于24的肯定是3度带. 3.只知道经纬度时中央经线的计算 将当地经线的整数部分除以6，再取商的整数部分加上1.再将所得结果乘以6后减去3，就可以得到当地的中央经线值。 公式推算: 6度带中央子午线计算公式：当地经度/6=N；中央子午线L=6 * N （带号）当没有除尽，N有余数时，中央子午线L=6*N - 3 3度带中央子午线计算公式：当地经度/3=N；中央子午线L=3 X N（带号）我国的经度范围西起73°东至135°，可分成 6度带11个（13号带——23号带），各带中央经线依次为（75°、81°、……123°、129°、135°）； 3度带22个（24号带——45号带）。各带中央经线依次为（72°、75°、……132°、135°）；
三度带与六度带的概念源于高斯平面直角坐标，高斯平面直角坐标适用于：测区范围较大，不能将测区曲面当作平面看待。 当测区范围较大，若将曲面当作平面来看待，则把地球椭球面上的图形展绘到平面上来，必然产生变形，为减小变形，必须采用适当的方法来解决。测量上常采用的方法是高斯投影方法。 高斯投影方法是将地球划分成若干带，然后将每带投影到平面上。 1．我国采用6度带和3度带： 1∶2.5万及1∶5万的地形图采用6度分带投影，即经差为6度，从零度子午线开始，自西向东每个经差6度为一投影带，全球共分60个带，用1，2，3，4，5，……表示．即东经0～6度为第一带，其中央经线的经度为东经3度，东经6～12度为第二带，其中央经线的经度为9度。 1∶1万的地形图采用3度分带，从东经1.5度的经线开始，每隔3度为一带，用1，2，3，……表示，全球共划分120个投影带，即东经1.5～ 4.5度为第1带，其中央经线的经度为东经3度，东经4.5～7.5度为第2带，其中央经线的经度为东经6度．我省位于东经113度－东经120度之间，跨第38、39、40共计3个带，其中东经115.5度以西为第38带，其中央经线为东经114度；东经115.5～118.5度为39带，其中央经线为东经117度；东经118.5度以东到山海关为40带，其中央经线为东经120度。 地形图上公里网横坐标前2位就是带号，例如：1∶5万地形图上的横坐标为20345486，其中20即为带号，345486为横坐标值。 2．当地中央经线经度的计算 六度带中央经线经度的计算：当地中央经线经度＝6°×当地带号－3°，例如：地形图上的横坐标为20345，其所处的六度带的中央经线经度为：6°×20－3°＝117°（适用于1∶2.5万和1∶5万地形图）。 三度带中央经线经度的计算：中央经线经度＝3°×当地带号（适用于1∶1万地形图）。 例如在河北境内大部分地区： 三度带中央经线经度的计算：114°=3°×38 （横坐标为38******） 六度带中央经线经度的计算：117°=6°×20-3°（横坐标为20******）
半导体材料能带测试及计算对于半导体，是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其具有一定的带隙(E g)。通常对半导体材料而言，采用合适的光激发能够激发价带(VB)的电子激发到导带(CB)，产生电子与空穴对。 图1. 半导体的带隙结构示意图。 在研究中，结构决定性能，对半导体的能带结构测试十分关键。通过对半导体的结构进行表征，可以通过其电子能带结构对其光电性能进行解析。对于半导体的能带结构进行测试及分析，通常应用的方法有以下几种(如图2)： 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙E g； 2.VB XPS测得价带位置(E v)； 3.SRPES测得E f、E v以及缺陷态位置； 4.通过测试Mott-Schottky曲线得到平带电势； 5.通过电负性计算得到能带位置.
图2. 半导体的带隙结构常见测试方式。 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙 紫外可见漫反射测试 2.制样： 背景测试制样：往图3左图所示的样品槽中加入适量的BaSO4粉末（由于BaSO4粉末几乎对光没有吸收，可做背景测试），然后用盖玻片将BaSO4粉末压实，使得BaSO4粉末填充整个样品槽，并压成一个平面，不能有凸出和凹陷，否者会影响测试结果。 样品测试制样：若样品较多足以填充样品槽，可以直接将样品填充样品槽并用盖玻片压平；若样品测试不够填充样品槽，可与BaSO4粉末混合，制成一系列等质量分数的样品，填充样品槽并用盖玻片压平。 图3. 紫外可见漫反射测试中的制样过程图。 1.测试：
用积分球进行测试紫外可见漫反射（UV-Vis DRS），采用背景测试样（BaSO4粉末）测试背景基线（选择R%模式），以其为background测试基线，然后将样品放入到样品卡槽中进行测试，得到紫外可见漫反射光谱。测试完一个样品后，重新制样，继续进行测试。 ?测试数据处理 数据的处理主要有两种方法：截线法和Tauc plot法。截线法的基本原理是认为半导体的带边波长（λg）决定于禁带宽度E g。两者之间存在E g(eV)=hc/λg=1240/λg(nm)的数量关系，可以通过求取λg来得到E g。由于目前很少用到这种方法，故不做详细介绍，以下主要来介绍Tauc plot法。 具体操作： 1、一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收，如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图。 2. 根据(αhv)1/n = A(hv – Eg)，其中α为吸光指数，h为普朗克常数，v为频率，Eg为半导体禁带宽度，A为常数。其中，n与半导体类型相关，直接带隙半导体的n取1/2，间接带隙半导体的n为2。
有一组坐标，怎么迅速知道它们是3度带的还是6度带的？ 1．我国采用6度分带和3度分带： 1∶万及1∶5万的地形图采用6度分带投影，即经差为6度，从零度子午线开始，自西向东每个经差6度为一投影带，全球共分60个带，用1，2，3，4，5，……表示．即东经0～6度为第一带，其中央经线的经度为东经3度；东经6～12度为第二带，其中央经线的经度为9度。 1∶1万的地形图采用3度分带，从东经度的经线开始，每隔3度为一带，用1，2，3，……表示，全球共划分120个投影带，即东经～度为第1带，其中央经线的经度为东经3度，东经～度为第2带，其中央经线的经度为东经6度。 地形图上公里网横坐标前2位就是带号，例如：1∶5万地形图上的横坐标为，其中18即为带号，293300为纵坐标值。 2．当地中央经线经度的计算 六度带中央经线经度的计算：当地中央经线经度＝6°×当地带号－3°，例如：地形图上的横坐标为，其所处的六度带的中央经线经度为：6°×18－3°＝105°。 三度带中央经线经度的计算：中央经线经度＝3°×当地带号。 一个好记的方法:在中华人民共和国陆地范围内,坐标(Y坐标,8位数,前两位是带号)带号小于等于23的肯定是6度带，大于等于24的肯定是3度带。 3．只知道经纬度时中央经线的计算 将当地经线的整数部分除以6，再取商的整数部分加上1°。再将所得结果乘以6后减去3°，就可以得到当地的中央经线值。 如106°15′00″，用106°/6取整得17°，（17°+1°）*6-3°=105°，即当地的中央经线值为105°。
一般，这个容易经度坐标都是以39开头，纬度坐标度带以78开头，3度带以40开头，6度带以20开头。。。
在采用分带的投影坐标系统中，我们最常用的是高斯-克吕格投影，它是由德国数学家、物理学家、天文学家高斯（Carl Friedrich Ｇauss，1777—1855）于十九世纪二十年代拟定，后经德国大地测量学家克吕格（Johannes Kruger，1857～1928）于1912年对投影公式加以补充，所以因此而得名。它是横轴墨卡托投影的一个变种，高斯-克吕格只是它通俗的名称，比较专业的名称叫做横轴等角切椭圆柱投影。 设想用一个圆柱横切于球面上投影带的中央经线，按照投影带中央经线投影为直线且长度不变和赤道投影为直线的条件，将中央经线两侧一定经差范围内的球面正形投影于圆柱面。然后将圆柱面沿过南北极的母线剪开展平，即获高斯—克吕格投影平面。高斯—克吕格投影后，除中央经线和赤道为直线外，其他经线均为对称于中央经线的曲线。高斯-克吕格投影没有角度变形，在长度和面积上变形也很小，中央经线无变形，自中央经线向投影带边缘，变形逐渐增加，变形最大处在投影带内赤道的两端。下图是高斯—克吕格投影方式示意图。 图一高斯克吕格投影的投影方式 高斯—克吕格投影按一定经差将地球椭球面划分成若干投影带，这是高斯投影中限制长度变形的最有效方法。分带时既要控制长度变形使其不大于测图误差，又要使带数不致过多以减少换带计算工作，据此原则将地球椭球面沿子午线划分成经差相等的瓜瓣形地带，以便分带投影。通常按经差6度或3度分为六度带或三度带。六度带自0度子午线起每隔经差6度自西向东分带，带号依次编为第1、2…60带。三度带是在六度带的基础上分成的，它的中央子午线与六度带的中央子午线和分带子午线重合，即自1.5度子午线起每隔经差3度自西
半导体材料光学带隙的计算 禁带宽度就是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构与原子的结合性质等有关。禁带宽度的大小实际上就是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量,也就就是产生本征激发所需要的最小能量。 禁带宽度可以通过电导率法与光谱测试法测得,为了区别用电导率法测得禁带宽度值,用光谱测试法测得的禁带宽度值又叫作光学带隙。 下面以光谱测试法为例介绍半导体材料光学带隙的计算方法: 对于半导体材料,其光学带隙与吸收系数之间的关系式为[1]: αhν=B(hν-Eg)m ( 1) 其中α为摩尔吸收系数,h为普朗克常数,ν为入射光子频率, B 为比例常数, Eg为半导体材料的光学带隙,m的值与半导体材料以及跃迁类型相关: (1)当m=1/2 时,对应直接带隙半导体允许的偶极跃迁; ( 2)当m=3/2 时,对应直接带隙半导体禁戒的偶极跃迁; ( 3)当m=2 时,对应间接带隙半导体允许的跃迁; ( 4)当m=3 时,对应间接带隙半导体禁戒的跃迁。 下面介绍两种禁带宽度计算公式的推导方法: 推导1:根据朗伯比尔定律可知: A=αb c (2) 其中 A 为样品吸光度,b 为样品厚度,c 为浓度,其中bc 为一常数,若B1=(B/bc)1/m,则公式(1)可为: (Ahν)1/m=B1(hν-Eg) (3) 根据公式(3),若以hν 值为x 轴,以(Ahν)1/m 值为y 轴作图,当y=0 时,反向延伸曲线切线与x 轴相交,即可得半导体材料的光学带隙值Eg。 推导2:根据K-M 公式可知: F(R∞)=(1- R∞)2/2 R∞=K/S (4)
3度带和6度带的区分 记得曾经有人问过我,怎么知道一个地方所在的中央经线,以及该中央经线 所在的分度带带号是多少。今天就仔细的说一下。 在采用分带的投影坐标系统中,我们最常用的是高斯-克吕格投影,它是由德 国数学家、物理学家、天文学家高斯(Carl Friedrich G auss,1777—1855)于十 九世纪二十年代拟定,后经德国大地测量学家克吕格(Johannes Kruger, 1857~1928)于 1912 年对投影公式加以补充,所以因此而得名。它是横轴墨卡托 投影的一个变种,高斯-克吕格只是它通俗的名称,比较专业的名称叫做横轴等角 切椭圆柱投影。b5E2RGbCAP 设想用一个圆柱横切于球面上投影带的中央经线,按照投影带中央经线投影 为直线且长度不变和赤道投影为直线的条件,将中央经线两侧一定经差范围内的 球面正形投影于圆柱面。然后将圆柱面沿过南北极的母线剪开展平,即获高斯— 克吕格投影平面。高斯—克吕格投影后,除中央经线和赤道为直线外,其他经线 均为对称于中央经线的曲线。高斯-克吕格投影没有角度变形,在长度和面积上 变形也很小,中央经线无变形,自中央经线向投影带边缘,变形逐渐增加,变形最 大处在投影带内赤道的两端。下图是高斯—克吕格投影方式示意图。p1EanqFDPw 图一高斯克吕格投影的投影方式 高斯—克吕格投影按一定经差将地球椭球面划分成若干投影带,这是高斯投 影中限制长度变形的最有效方法。分带时既要控制长度变形使其不大于测图误 差,又要使带数不致过多以减少换带计算工作,据此原则将地球椭球面沿子午线 划分成经差相等的瓜瓣形地带,以便分带投影。通常按经差 6 度或 3 度分为六度 带或三度带。六度带自 0 度子午线起每隔经差 6 度自西向东分带,带号依次编为 第 1、2…60 带。三度带是在六度带的基础上分成的,它的中央子午线与六度带 的中央子午线和分带子午线重合,即自 1.5 度子午线起每隔经差 3 度自西向东分 带,带号依次编为三度带第 1、2…120 带。我国的经度范围西起 73°东至 135°, 可分成六度带十一个,各带中央经线依次为 75°、81°、87°、……、117°、 123°、129°、135°,或三度带二十二个。我国大于等于 50 万的大中比例尺地 形图多采用六度带高斯-克吕格投影,三度带高斯-克吕格投影多用于大比例尺测 图,如城建坐标多采用三度带的高斯-克吕格投影。DXDiTa9E3d 图二 3 度分带与 6 度分带示意图 如果已知高斯—克吕格投影的中央经线,要计算按 3 度分带和按 6 度分带时 的分度代号可以采用以下的计算公式: 3 度分带:分带带号 = 当地中央经线÷3 6 度分带:分带带号 = (当地中央经线+3)÷6
半导体材料光学带隙的计算 禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的结合性质等有关。禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量。 禁带宽度可以通过电导率法和光谱测试法测得,为了区别用电导率法测得禁带宽度值，用光谱测试法测得的禁带宽度值又叫作光学带隙。 下面以光谱测试法为例介绍半导体材料光学带隙的计算方法： 对于半导体材料，其光学带隙和吸收系数之间的关系式为[1]： αhν=B(hν-Eg)m （1） 其中α为摩尔吸收系数,h为普朗克常数，ν为入射光子频率， B 为比例常数，Eg为半导体材料的光学带隙，m的值与半导体材料以及跃迁类型相关： （1）当m=1/2 时，对应直接带隙半导体允许的偶极跃迁； （2）当m=3/2 时，对应直接带隙半导体禁戒的偶极跃迁； （3）当m=2 时，对应间接带隙半导体允许的跃迁； （4）当m=3 时，对应间接带隙半导体禁戒的跃迁。 下面介绍两种禁带宽度计算公式的推导方法： 推导1：根据朗伯比尔定律可知： A=αb c (2) 其中 A 为样品吸光度，b 为样品厚度，c 为浓度，其中bc 为一常数，若B1=(B/bc)1/m，则公式(1)可为： (Ahν)1/m=B1(hν-Eg) (3) 根据公式(3),若以hν 值为x 轴，以(Ahν)1/m 值为y 轴作图，当y=0 时，反向延伸曲线切线与x 轴相交，即可得半导体材料的光学带隙值Eg。 推导2：根据K-M 公式可知： F(R∞)=(1- R∞)2/2 R∞=K/S (4)
其中R∞为绝对反射率(在日常测试中可以用以硫酸钡做参比测得的样品相对反射率代替[2])，K 为吸收系数，S 为散射系数。若假设半导体材料分散完全或者将样品置于600入射光持续光照下可认为K=2α[3]。因在一定温度下样品散射系数为一常数，假设比例常数为B2，,我们可通过公式(4)和公式(1)可得：(F(R∞) hν)1/m=B2(hν-Eg) (5) 根据公式(5)，若以hν 值为x 轴，以(F(R∞) hν)1/m值为y 轴作图，当y=0 时，反向延伸曲线切线与x 轴相交，即可得半导体材料的光学带隙值Eg。 推导方法1和推导方法2分别为通过测量样品吸收光谱和反射光谱值来计算半导体材料的光学带隙。下面介绍以直接光学带隙半导体材料（m=1/2）S1 和S2 为例，通过推导方法 1 计算半导体材料的光学带隙值。首先测得S1 和S2 的紫外吸收光谱，如图1 所示。然后通过吸收光谱做(Ahν)2-hν 线性关系图，如图2 所示。沿曲线做反向切线至y=0 相交，所得值为光学带隙值，由图 2 即可得Eg s1=3.0ev;Eg s2=3.1ev。
日志 分享给好友复制网址隐藏签名档小字体 上一篇下一篇返回日志列表 [转] 经纬度与3度带,6度带的概念及其转换方法 编辑 | 删除 | 权限设置 | 更多▼ 更多▲ ?设置置顶 ?推荐日志 ?转为私密日志 转载自地质队员转载于2010年01月29日 22:52 阅读(3) 评论(0) 分类：个人日记权限: 公开 选择投影的目的在于使所选投影的性质、特点适合于地图的用途，同时考虑地图在图廓范围内变形较小而且变形分布均匀。海域使用的地图多采用保角投影，因其能保持方位角度的正确。 我国的基本比例尺地形图(1:5千，1:1万，1:2.5万，1:5万，1:10万，1:25万，1:50万，1:100万)中，大于等于50万的均采用高斯-克吕格投影(Gauss-Kruger)，这是一个等角横切椭圆柱投影，又叫横轴墨卡托投影(Transverse Mercator)；小于50万的地形图采用等角正轴割园锥投影，又叫兰勃特投影(Lambert Conformal Conic)；海上小于50万的地形图多用等角正轴圆柱投影，又叫墨卡托投影(Mercator)。一般应该采用与我国基本比例尺地形图系列一致的地图投影系统。 地图坐标系由大地基准面和地图投影确定，大地基准面是利用特定椭球体对特定地区地球表面的逼近，因此每个国家或地区均有各自的大地基准面，我们通常称谓的北京54坐标系、西安80坐标系实际上指的是我国的两个大地基准面。我国参照前苏联从1953年起采用克拉索夫斯基(Krassovsky)椭球体建立了我 国的北京54坐标系，1978年采用国际大地测量协会推荐的IAG 75地球椭球体建立了我国新的大地坐标系--西安80坐标系，目前GPS定位所得出的结果都属于WGS84坐标系统，WGS84基准面采用WGS84椭球体，它是一地心坐标系，
光催化剂光催化剂禁带宽度值禁带宽度值Eg 计算计算方法方法方法 方法1：利用紫外可见漫反射测量中的吸光度与波长数据作图，利用截线法做出吸收波长阈值λg(nm)，利用公式 Eg=1240/λg (eV) 计算禁带宽度。 方法2： 利用 (Ah ν)2 对 h ν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用 (Ah ν)0.5 对h ν做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值。A (Absorbance) 即为紫外可见漫反射中的吸光度吸光度 吸光度。 方法3：利用 (αh ν)2 对h ν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用 (αh ν)0.5 对 h ν做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值。α (Absorption Coefficient ) 即为紫外可见漫反射中的吸收系数吸收系数 吸收系数。α与A 成正比。 方法4：利用 [F(R ∞)h ν]2 对 h ν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用 [F(R ∞)h ν]0.5 对h ν做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值。 F(R ∞) 即为Kubelka-Munk 函数函数，，简写为K-M 函数函数，∞∞∞?=R R R F 2/)1() (2 R ∞ 即为相对漫反射率即为相对漫反射率，，简称漫反射率简称漫反射率，)(/)(''参比样品∞∞∞=R R R R ‘∞ 即为绝对漫反射率绝对漫反射率，，常用参比样品为BaSO 4，其绝对漫反射率R ‘∞约等于1。 漫反射吸光度A 与漫反射率R ∞ 之间关系为之间关系为：：A=log(1/ R ∞)
如何判断投影坐标是3度带坐标还是6度带坐标标题1．我国采用6度分带和3度分带： 1∶2.5万及1∶5万的地形图采用6度分带投影，即经差为6度，从零度子午线开始，自西向东每个经差6度为一投影带，全球共分60个带，用1，2，3，4，5，……表示．即东经0～6度为第一带，其中央经线的经度为东经3度，东经6～12度为第二带，其中央经线的经度为9度。 1∶1万的地形图采用3度分带，从东经1.5度的经线开始，每隔3度为一带，用1，2，3，……表示，全球共划分120个投影带，即东经1.5～4.5度为第1带，其中央经线的经度为东经3度，东经4.5～7.5度为第2带，其中央经线的经度为东经6度．我省位于东经113度－东经120度之间，跨第38、39、40共计3个带，其中东经115.5度以西为第38带，其中央经线为东经114度；东经115.5～118.5度为39带，其中央经线为东经117度；东经118.5度以东到山海关为40带，其中央经线为东经120度。 地形图上公里网横坐标前2位就是带号，例如：1∶5万地形图上的横坐标为20345486，其中20即为带号，345486为横坐标值。 2．当地中央经线经度的计算 六度带中央经线经度的计算：当地中央经线经度＝6°×当地带号－3°，例如：地形图上的横坐标为20345，其所处的六度带的中央经线经度为：6°×20－3°＝117°（适用于1∶2．5万和1∶5万地形图）。 三度带中央经线经度的计算：中央经线经度＝3°×当地带号（适用于1∶1万地形图）。
3、如何计算当地的中央子午线？ 当地中央子午线决定于当地的直角坐标系统，首先确定您的直角坐标系统是3度带还是6度带投影公式推算: 6度带中央子午线计算公式：当地经度/6=N；中央子午线L=6 * N （带号） 当没有除尽，N有余数时，quzheng中央子午线L=6*N - 3 3度带中央子午线计算公式：当地经度/3=N；中央子午线L=3 X N 我国的经度范围西起73°东至135°，可分成 六度带十一个（13号带—23号带），各带中央经线依次为（75°、81°、……123°、129°、135°）； 三度带二十二个（24号带—45号带）。各带中央经线依次为（72°、75°、……132°、135°）； 六度带可用于中小比例尺（如1：250000）测图，三度带可用于大比例尺（如1：10000）测图，城建坐标多采用三度带的高斯投影 4、如何判断投影坐标是3度带坐标还是6度带坐标 如(4231898,21655933)其中21即为带号，同样所定义的东伪偏移值也需要加上带号，如21带的东伪偏移值为21500000米。假如你的工作区经度在120度至126度范围，则该坐标系为6度带坐标系，该带的中央经度为123度。 如(2949320,36353822)其中36即为带号，已知该地点位于贵阳市附近，而从地图上我们看到贵阳大概的经度是东经108度左右，因此可以36*3=108，所以该坐标系为3度带坐标系，该带的中央经度为108度。而不可能为6度带：36*6=216。
N掺杂TiO2光催化剂的微结构与吸光特性研究 唐玉朝1,2*，黄显怀1，李卫华1 (1. 安徽建筑工业学院环境科学与工程系, 合肥230022 ; 2. 中国科学技术大学化学 与材料科学学院,合肥230026) 摘要：以紫外可见漫反射光谱(UV-VIS-DRS)和X射线光电子能谱(XPS)分析和研究了四种方法制备的N掺杂TiO2光催化剂的结构，即水解法(N/TiO2-H)、氨热还原法(N/TiO2-A)、机械化学法(N/TiO2-M)和尿素热处理法(N/TiO2-T)等。结果表明，N/TiO2-H和N/TiO2-T两种催化剂在490nm处有吸收带边，可见光激发途径是掺杂的N 以填隙方式形成的杂质能级吸收电子发生的跃迁引起的；而N/TiO2-A和N/TiO2-M两种催化剂在整个可见光区域内具有可见光吸收，其对可见光的激发途径是掺杂N和氧空缺共同作用的结果。理论计算的N杂质能级位于价带上0.75eV，与实验观察到的吸收带边结果十分吻合。XPS结果表明，几种催化剂的N1s结合能位置都在399eV 附近，显示为填隙掺杂的N原子。填隙掺杂的N/TiO2，其Ti原子的2p结合能与未掺杂的TiO2相比增加了＋0.3-＋0.6eV, 而O1s电子的结合能增加了＋0.2-＋0.5eV, 这是因为填隙的N原子夺取Ti和O的电子，Ti和O原子周围的电子密度降低了。电子能谱和吸光特性的研究都表明，掺杂的机理是在TiO2晶格内形成N原子的填隙。 关键词：TiO2；光催化；N掺杂；填隙；UV-VIS-DRS；XPS；杂质能级 Studies on the structures and light absorbance of nitrogen-doped titanium dioxides photocatalyst Yu-chao Tang1,2*, Xian-huai Huang1, Wei-hua Li1 (1.Department of Environmental Science and Engineering, Anhui University of Architecture, Hefei 230022, P R China；2. School of Chemistry and Materials Science, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, P R China) Abstract：Nitrogen doped dioxide titanium photocatalysts (N/TiO2) had been prepared by various methods: hydrolysis of tetrabutyl titanate (N/TiO2-H), ammonia thermal treatment of titanium dioxide (N/TiO2-A), mechanochemica1 treatment of titanium 资助项目：国家自然科学基金(50908001)，安徽省优秀青年科技基金(10040606Y29)。 作者简介：唐玉朝，男，博士，副教授，1975年生。*通讯联系人，tangyc@https://www.doczj.com/doc/3f1812577.html,
上讲回顾 ?金属、绝缘体和半导体 *电子如何填充能带→可用原胞内电子填充判断？ *满带、空带、禁带。满带不导电！ ?结构因子与布里渊边界能级简并的分裂*物理原因同X射线衍射的消光现象→原胞内等价原 子波函数在布里渊区边界反射相干 ?三维空晶格模型的能带结构 *为何发生能带重叠？能带简约图如何得到？由于3D 布里渊区的复杂结构，与1D不同，高布里渊区能带 E(k+K)并不一定比低布里渊区能带高，例子 *如何给出能带结构？沿B区边界高对称轴，因为能 带在布里渊区边界上简并被打开，发生畸变。可反 映能带特征。特别对金属，除此外与自由电子类似http://10.107.0.68/~jgche/能带计算方法简介1
本讲要解决的问题及所涉及的相关概念?如何从3D空晶格模型过渡到典型的金属能带? *布里渊区边界简并是否打开？ ?典型的半导体能带结构? *半导体能带特征 *直接带隙、间接带隙、直接跃迁、带间跃迁 ?能带结构如何得到？→计算→如何计算能带? #对相互作用的合理地截断与近似 #对基函数的合理地取舍与近似 ?两种主要的能带结构计算方法物理思想*赝势方法 *紧束缚方法 http://10.107.0.68/~jgche/能带计算方法简介2
第18讲、能带计算方法简介 1.空晶格能带过渡到典型的金属能带 2.半导体能带结构 3.能带计算方法的物理思想 4.近自由电子近似——平面波方法 5.举例——只取两个平面波 6.平面波方法评论 7.赝势 http://10.107.0.68/~jgche/能带计算方法简介3
1、空晶格能带过渡到金属能带http://10.107.0.68/~jgche/能带计算方法简介4