开关电源常用电子器件认识

•电容分类:•独石电容:性能稳定,价格高•瓷片电容:一般材质分为环氧和酚醛•安规电容:X电容,Y电容,EMI滤波用•唛拉电容:特性稳定,价格适中,多用于振荡回路•电解电容:容量大,价格低(影响开关电源寿命)••电阻分类•碳膜电阻•氧化膜电阻•金属膜电阻•二极管分类:•开关二极管:IN4148,开关速度快,主要用于信号传输•整流二极管:常用的有FR154,IN5406,RL257,还有大电流整流用的SBL2040,3040,16C20,•开关晶体管•电压控制的半导体元件，在放大器，推动电路中使用•其作用与三极管相同•场效管的开关速度更快，且适用于高频状态，正激线路使用较多•主要型号：2N60（+5VSB）、20N60S5、2611、20N60C3•封装：TO-220、TO-3P••开关变压器•主变压器类型：ER35（250W左右）、ER28（200W以下）、ER39（350W左右•辅助变压器：EE-19、EEL-19•推动变压器：EE-16、EEL-16•变压器的体积越大、越高所代表的功率越大，此点也是鉴别电源功率大小的方法•开关变压器的作用•作用：电压变换、信号传输、阻抗匹配、振荡线路•是开关电源的重要部件，变压器的好坏影响整个电源的成本和品质，电源的效率是它的集中体现•开关电源的变压器分类：主变压器、辅助、推动变压器•电感器•作用：滤除电压和电流里的杂汛、储能、信号传输•开关电源的电感器分类：•输出滤波电感型号90-26、130-26、106-26•棒式电感•磁放大电感•EMI电感（共模和差模）•电源集成芯片组（IC）•电源的心脏，控制整个电源有序工作、稳定工作•分类：PWM控制芯片、保护控制芯片、稳压调节芯片、节能芯片•PWM控制：半桥结构用LM494、SG6105，正激结构用UC3845、UC4800&6800（PWM+PFC）•保护控制：LM339、KA7500、PS222、WT7515•稳压调节：TL431•节能芯片：DM311•保险丝•它为各分立元件和整个电路提供保护作用•按功能分为快断和慢断、高防爆和低防爆•按材质为为玻璃和陶瓷•光电耦合器•提供电源供应器的输入/输出的隔离、高压/低压的隔离、一次侧和二次侧的隔离•提供稳压信号的路径•将输出端的信号反馈到控制线路PWM•PFC电感器•PFC电路即功率因数校正电路,其主要作用是减少电网的污染,增加电能的利用率•PFC电感器分类：主动式PFC和被动式PFC•被动式分：UU型（我司大部采用）重量轻，噪音低，功率因数高•EI型（长城电源采用）重量重，噪音高，功率因数低•外壳•电源的外壳的材质一般都是镀锌钢板，也有少数用的是电解板。

开关电源中常用肖特基二极管一、引言开关电源是现代电子设备中广泛应用的电源类型之一，其主要特点是高效率、小体积、轻重量等。

在开关电源中，肖特基二极管作为一种重要的元器件，被广泛应用于整流、反向保护等方面。

本文将从肖特基二极管的原理入手，介绍其在开关电源中的应用。

二、肖特基二极管原理肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有快速开关速度和低压降的半导体器件。

与普通PN结二极管相比，它的正向压降更低，反向漏电流更小。

肖特基二极管由金属与半导体P型区域形成，因此也被称为金属半导体接触器件（Metal-Semiconductor Contact Device）。

图1 肖特基二极管示意图当肖特基二极管正向偏置时，金属与P型区域形成一个势垒，在势垒处产生了一个空穴井和一个电子井。

空穴井和电子井之间形成了一个势垒高度ΦB，这个高度比PN结势垒高度低得多。

因此，肖特基二极管的正向压降比PN结二极管低得多。

当肖特基二极管反向偏置时，金属与P型区域之间的势垒加深，形成一个反向势垒。

由于金属与P型区域之间没有N型区域，因此不存在PN结中的扩散电流。

同时，由于金属与P型区域之间的势垒高度较低，使得反向漏电流比PN结二极管小得多。

三、肖特基二极管在开关电源中的应用1.整流开关电源中需要将交流输入转换为直流输出。

传统的整流电路使用PN 结二极管进行整流，但由于其正向压降较高，在高频应用中会产生较大的功耗和热量。

而肖特基二极管具有快速开关速度和低压降等优点，在高频应用中更为适合。

图2 肖特基二极管整流电路如图2所示，将肖特基二极管作为整流器使用时，其正向压降比PN结二极管低得多，可以减少功耗和热量，并且具有快速响应速度和较小的反向漏电流。

2.反向保护在开关电源中，由于电感元件的存在，当开关管关闭时，电感元件会产生反向高压脉冲。

如果这个脉冲超过了开关管和其他器件的耐受范围，就会对系统造成损害。

因此，在开关电源中需要使用反向保护电路来限制这种脉冲。

常用电子元器件大全电子元器件指的是电子设备中所使用的各种电子部件，也是电子产品的核心组成部分。

随着科技的不断发展，电子元器件的种类也日益增多，覆盖了各个领域。

本文将介绍一些常见的电子元器件，以帮助读者更好地了解和应用电子技术。

一、半导体器件1. 二极管（Diode）：具有单向导电性质的半导体器件，广泛应用于整流、开关、稳压等电路中。

2. 晶体三极管（Transistor）：是一种具有放大、开关等功能的半导体器件，被广泛用于集成电路、放大电路等领域。

3. 场效应晶体管（FET）：也是一种常见的半导体器件，适用于高频放大、开关等电路。

4. 可变电容二极管（Varactor Diode）：具有可变电容的二极管，常用于无线电频率调谐电路。

二、电容器1. 固定电容器：用于存储电荷和稳定电压的电子元件，常见的有电解电容器、陶瓷电容器等。

2. 可变电容器：具有可调节电容值的电子元件，可用于调谐电路、滤波电路等。

3. 互感器：由两个或多个线圈绕制而成，能够在不同线圈之间传递电能和信号。

三、电阻器1. 固定电阻器：具有恒定电阻值的电子元件，被广泛应用于电路中的限流、限压、分压等功能。

2. 可变电阻器：通常由可调节的滑动活塞或转轴来改变电阻值，用于调节电路中的信号或电流。

四、集成电路集成电路（Integrated Circuit，IC）是在一块半导体材料上集成了数百至数百万个电子元件的微小电路。

常见的集成电路有以下几种类型：1. 数字集成电路（Digital IC）：用于数字信号处理和逻辑运算等。

2. 模拟集成电路（Analog IC）：用于处理模拟信号，如放大、滤波、调制等。

3. 混合集成电路（Mixed Signal IC）：结合数字和模拟电路的功能，常用于通信、控制等应用。

五、传感器传感器是将感知信号（如光、温度、压力等）转换为可用电信号的装置。

常见传感器有以下几种：1. 温度传感器：用于测量温度变化的元件，广泛应用于工业自动化、环境监测等领域。

电源原理图--每个元器件的功能详解！FS1:由变压器计算得到Iin值，以此Iin值(0.42A)可知使用公司共享料2A/250V，设计时亦须考虑Pin(max)时的Iin是否会超过保险丝的额定值。

TR1(热敏电阻):电源启动的瞬间，由于C1(一次侧滤波电容)短路，导致Iin电流很大，虽然时间很短暂，但亦可能对Power产生伤害，所以必须在滤波电容之前加装一个热敏电阻，以限制开机瞬间Iin在Spec之内(115V/30A，230V/60A)，但因热敏电阻亦会消耗功率，所以不可放太大的阻值(否则会影响效率)，一般使用5Ω-10Ω热敏，若C1电容使用较大的值，则必须考虑将热敏电阻的阻值变大(一般使用在大瓦数的Power上)。

VDR1(突波吸收器):当雷极发生时，可能会损坏零件，进而影响Power的正常动作，所以必须在靠AC输入端(Fuse之后)，加上突波吸收器来保护Power(一般常用07D471K)，但若有价格上的考虑，可先忽略不装。

CY1，CY2(Y-Cap):Y-Cap一般可分为Y1及Y2电容，若AC Input有FG(3 Pin)一般使用Y2- Cap ，AC Input若为2Pin(只有L，N)一般使用Y1-Cap，Y1与Y2的差异，除了价格外(Y1较昂贵)，绝缘等级及耐压亦不同(Y1称为双重绝缘，绝缘耐压约为Y2的两倍，且在电容的本体上会有“回”符号或注明Y1)，此电路蛭蠪G 所以使用Y2-Cap，Y-Cap会影响EMI特性，一般而言越大越好，但须考虑漏电及价格问题，漏电(Leakage Current )必须符合安规须求(3Pin公司标准为750uA max)。

CX1(X-Cap)、RX1:X-Cap为防制EMI零件，EMI可分为Conduction及Radiation两部分，Conduction规范一般可分为: FCC Part 15J Class B 、CISPR 22(EN55022) Class B 两种，FCC测试频率在450K~30MHz，CISPR 22测试频率在150K~30MHz，Conduction可在厂内以频谱分析仪验证，Radiation 则必须到实验室验证，X-Cap 一般对低频段(150K ~ 数M之间)的EMI防制有效，一般而言X-Cap愈大，EMI防制效果愈好(但价格愈高)，若X-Cap在0.22uf以上(包含0.22uf)，安规规定必须要有泄放电阻(RX1，一般为1.2MΩ1/4W)。