2018年宁波大学考博试题3810数字集成电路设计基础(A卷)

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宁波大学高级数字系统设计2015--2016,2018,2020年考博初试真题

(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 : 2606 科目名称：
高级数字系统设计
四、（20 分）利用 ROM 和累加器设计一个频率分辨率小于 0.5Hz 的 DDS 正弦信号发生器，ROM 采用 256×8bit，频率控制字 M 为 8 位。
试给出：1. 相位累加器的最少位数，时钟频率，最高输出频率。（12 分） 2. 画出电路结构框图。（8 分）
③ 完成上述操作后，返回初始状态。
画出该数字系统的算法状态机图。（15 分）
6．简述数字电路设计中流水线技术提升电路运行速度的原理。（20 分）
第2页共2页
宁波大学 2018 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 : 2606 科目名称：
高级数字系统设计
4. 电路及输入信号波形如下所示，（1）试画出输出信号波形，说明此电路功能；（2）用 HDL 描述该电路。（20 分）
Signal DQ
DQ
Out 异或门
Clk
第1页共2页
宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 2606 总分值： 100 科目名称：
五、（20 分）设计 4 位乘 3 位二进制数乘法器的算法流程图，电路结构如图 1 所示。
Start
A4 B3
乘法电路
7P
图1
第3页共3页
宁波大学 2015 年攻读博士学位研究生入学考试试题(B 卷) (答案必须写在答题纸上)
考试科目: 适用专业:
高级数字系统设计微纳信息系统
科目代码： 2606
表1
第1页共3页

宁波大学理论力学2017--2020年考博初试真题

设重力加速度g10ms220knm50kn5m5m5mabc34o30ocbawabaattb2m2m1mmm1mttaabop宁波大学92019年博士研究生招生考试初试试题aa卷答案必须写在考点提供的答题纸上第1页共2页科目代码
宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
（A） 0 （C） (vA - vB)/2
（B） (vA + vB)/2 （D） (vB - vA)/2
4. 点的加速度合成定理 aa=ae+ar 的适应条件是（）。
（A）牵连运动只能是平移（B）各种牵连运动都适用（C）牵连运动只能是转动（D）牵连运动为零
5. 均质圆盘 O 的质量为 2m,半径为 r，物体 A、B 的质量为 m。如果绳与
（B） J z2 J z1 m a2 b2 （C） J z2 J z1 m b2 a2
z1
z
z2
a
b
C
（D） J z2 J z1 m a2 b2
5. 平面运动刚体的动能，等于它以（）速度作平动时的动能加上绕（
的动能。
（A）初始，质心
（B）质心，重心
（C）质心，质心
B
A
θ
D
第2页共2页
宁波大学 2017 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 : 2613 科目名称：
理论力学
一、单项选择题：本大题共 5 小题，每小题 4 分，共 20 分。
1. 力学上把约束加在物体上的作用力称为约束反力，约束反力是（的。如果没有任何( )存在，约束反力也就不存在了。
2. 质量为 100kg、半径为 1m 的均质圆轮，以转速 n=120r/min 绕 O 轴转动，如左图所示。有一常力 F 作用于闸杆，轮经 10s 后停止转动。已知摩擦因数 f=0.1，求力 F 的大小。（14 分）

宁波大学3802机械振动2009,2011,2014,2016--2018年考博初试专业课真题

3、小车重 490N，可以简化为用弹簧支在轮上的一个重量，弹簧系数 k=50N/cm，轮子的重量与变形都忽略。设路面成正弦
波形，可表示为 y Y sin 2 x ，其中 Y=4cm，L=10m，如右 L
图所示，求小车在以水平速度 v=36km/h 行驶时，车身上下振动的振幅。（18 分）
4、在右图所示系统中，质量受到一常值力 F0 的作用，试用杜哈梅积分求出零初值条件下的运动规律。（12 分）
F
l
l
c
k
k
F0 (cost sin 2t)
m c
θ1 θ2
θ3
2k
k 2k 4k
J
J 2J
3k
3m
2k
k
2m
m
第1页共1页
考试科目: 适用专业:
宁波大学 2014 年攻读博士学位研究生
入学考试试题(A 卷) (答案必须写在答题纸上)
机械振动工程力学
科目代码： 3802
1、如右图所示 4 个系统，已知弹簧的刚度、轴的抗扭刚度、悬臂梁端的等效弹簧刚度、圆盘的转动惯量、物块质量等，分别写出其动力学方程，并求其固有频率。（每个 5 分，共 20 分）
分）
θ1
θ2
k
k
J
4J 7k
6、用矩阵迭代法计算右图所示系统的基频和第一阶振型。（18 分）
k
2k
3k
k
m
2m
3m
第1页共1页
宁波大学 2017 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 : 3802 科目名称：
机械振动
1、右图所示单摆，摆杆质量忽略不计。求系统微幅振动的动力学方程和通解；设摆杆初始偏角为θ0，初速度为零，求系统的振动。（16 分）

宁波大学分析化学2018,2020年考博初试真题

的影响）（）
A. 稀 H2SO4
B. HCl
C. 邻二氮菲
D.NH4F
5. 仅设想常量分析用的滴定管读数误差±0.01 mL，若要求测定的相对误差小于 0.1%，消耗滴定
液应大于（）
A. 10 mL B. 20 mL C. 30 mL D. 40 mL 6. 在 pH=5.0 时，用 EDTA 溶液滴定含有 Al3+，Zn2+，Mg2+和大量 F-等离子的溶液，已知
一、选择题（每题 2 分，10 题，共 20 分）：
分析化学
1. 用 0.100 mol∙L-1 NaOH 滴定同浓度 HAc (pKa = 4.74)的 pH 突跃范围为 7.7～9.7，若用 0.100 mol∙L-1
NaOH 滴定同浓度某弱酸 HB (pKa = 2.74)，pH 突跃范围是（）
c1 为参比，则试液的透光度为（
）。
A. 40%
B. 50%
C. 60%
D. 70%
6. 在原子发射光谱定量分析中，内标元素与分析元素的关系是（）。
A. 激发电位相近
B. 电离电位相近
C. 蒸发行为相近 D. 熔点相近
7. 原子光谱（发射、吸收与荧光）三种分析方法中均很严重的干扰因素是（）。
A. 光谱线干扰
24. 在气-液色谱分析中，当两组分的保留值很接近，且峰很窄，但只能部分分离，其原因是（）
A. 柱效能太低 B. 容量因子太大 C. 柱子太长 D. 固定相选择性不好
25. 在液相色谱法中，按分离原理分类，液固色谱法属于（）
A. 分配色谱法 B. 排阻色谱法 C. 离子交换色谱法 D. 吸附色谱法
28. 荧光分析法是通过测定（）而达到对物质的定性或定量分析

宁波大学2020年《3810数字集成电路设计基础》考博专业课真题试卷

宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3810 总分值： 100 科目名称：
Hale Waihona Puke 数字集成电路设计基础一、设计满足下列要求的电路图，要求使用的 MOS 管最少。（15 分）
1．用静态互补 CMOS 电路实现逻辑关系 Y ABD CD ；（8 分）
D cp3 cp1
cp1
cp1
cp2
Q
Q
V(cp1)
V(D)
三、求如图所示的 CMOS 反相器在理想阶跃输入情况下的上升和下降时间。设VTP ,VTN 分别为 PMOS 和 NMOS 的阈值电压， KP , KN 分别表示 PMOS 和 NMOS 的器件跨导。(15 分)
VDD
Vin CL
四、如图所示是一个 CMOS 版图，采用 0.25um 双阱 CMOS 工艺，NMOS 宽长比 6λ/2λ，PMOS 宽长比 6λ/2λ。（15 分）
数字集成电路设计基础
(N-diffusion)、P+扩散层(P-diffusion)、各类通孔(Vias)；
3) 标明版图尺寸（MOS 管使用指定尺寸，其它版图使用最小尺寸）。
五、设 N 型扩散层（n-diffusion）的方块电阻 Rndiff=2Ω/□，N 型扩散层底部电容（bottomwall capacitance）Cndiff, 为 bot 0.6fF/um2,N 型扩散层侧壁电容（sidewall capacitance）Cndiff, side 为 0.3fF/um，λ=0.25um。计算图示所示的漏极寄生电阻与寄生电容。（20 分）
多晶硅
源极
漏极 16λ
4λ

2018数字电子技术基础练习题(答案)

一、填空题1.（10001001.01）2=（ 137.25）10=（000100110111.00100101 ）8421BCD 。

2.(C5)16 ，（188）10, (10111100)2中最大数为_(C5)16_,最小数为（188）10, (10111100)2。

3.（10001011.011）2=（213.3）8=（8B.6）16。

4. 二进制数+1100110的原码为01100110,反码为01100110,补码为01100110。

5. 逻辑函数L =A B̅C +A +B +C = 1 。

6.写出下面逻辑电路图的逻辑表达式 Z =A⨁B +C 。

7.逻辑函数D C B A F ++=的反函数F ＝ AB̅(C +D ̅) 。

8. 主从型RS 触发器也称为脉冲 RS 触发器，其特性方程 Q n+1= S+R ̅Q n 。

9.某计数器状态转换图如图1,该电路为__5_进制计数器，容量为 5 。

10.若要对70个编码对象进行编码，则至少需要 7 位二进制代码编码。

11．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为 10111111 。

12.一个8选1的多路选择器（数据选择器），应具有 3 个地址输入端。

13. 一个16选一的数据选择器，其地址输入（选择控制输入）端的个数是 4 。

14.有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是 1011-0110-1100-1000-0000 。

15．有一个4位的D/A 转换器，设它的满刻度输出电压为10V ，当输入数字量为1101时，输出电压为 8.125V 。

二、计算题1.用二进制补码计算下列各式：（1）11101-11011 （2）-0011-10012.用卡诺图化简下列逻辑函数为最简与—或表达式：（1）{Z =AB A B C A B C +••+••BC =0（2）Y (A,B,C,D )=∑m(1,3,8,9,10,11,14,15)（1）解：真值表卡诺图化简A B C Z0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 × 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 ×表达式: Z=C B A B A ++ （2）解：3.下图电路中，G 1和G 2为OC 与非门，输出为线与结构。

2018年宁波大学考博试题3801弹性力学(A卷)

1 1
三、计算题（每题 20 分，共 60 分）
1. 已知下列的应变分量是物体变形时产生的，试求系数之间应满足的关系式。 �� = ��0 + ��1 (�� 2 + �� 2 ) + �� 4 + �� 4 �� = ��0 + ��1 (�� 2 + �� 2 ) + �� 4 + �� 4 �� = ��0 + ��1 ��(�� 2 + �� 2 + ��2 ) �� = �� = �� =0 2. 如图所示三角形悬壁梁只受重力作用，材料的密度为��，试用纯三次式的应力函数求应力分量。
宁波大学 2018 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码:
3801
科共 2 页
3. 试用虚位移原理求如图所示梁的挠度曲线，并求出当 �� = ��/2 处的挠度值，设 �� = ∑
∞ ��=1
�� sin
��
。
第 1 页共 2 页
宁波大学 2018 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码:

宁波大学弹性力学2012,2014,2015,2018,2019年考博真题

sin
��。
��
第1页共2页
宁波大学 2018 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码: 3801 科目名称：
弹性力学
第2页共2页
宁波大学 2019 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
（1）经过此点且方程为
斜面上的全应力、正应力和剪应力的大小。
（2）该点的三个主应力大小及第一个主应力相应的方向余弦。 5.（25 分）悬臂梁一端受集中力作用，梁高为 h，跨度为 L，如下图所示，若不考虑体积力，使用
应力函数 dxy3 bxy ，求该问题的应力和位移。
题5图
第1页共2页
宁波大学 2019 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
科目代码： 3801 总分值： 100 科目名称：
弹性力学
1.（10 分）什么是平面应变问题？写出应变和位移基本特点。 2.（15 分）导出体应变公式和体应变的虎克定律。
3.（15 分）试推导应力状态特征方程，并写出应力张量不变量的表达式。
4.（15 分）已知物体内某点的 6 个应力分量为
，
，
，
，试求：
4．(35 分) 写出弹性体的虚（可能）功原理并从它导出弹性力学的基本方程。
第 1 页共 1 页
考试科目: 适用专业:
宁波大学 2014 年攻读博士学位研究生
入学考试试题(B 卷) (答案必须写在答题纸上)
弹性力学工程力学
科目代码： 3801
1. (35 分)已知下图所示问题的非零应力解为
且假设为小变形，试求：1）过点 0，2， − 1 的应变张量�� 和转动张量�� ；2）该点的主应变。

宁波大学2020年《3813抽象代数》考博专业课真题试卷

宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3813 总分值： 100 科目名称：
抽象代数
本试卷共四道大题，每道大题 25 分，总分 100 分。
一、设 A Rnn ， b Rn 。定义 Rn 上的线性变换 T( A,b) 为 T(A,b) ( ) A b， Rn。
证明：
(1)当 A 的行列式不为 0 时， T( A,b) 既是单射又是满射。
(2) G T(A,b) |A| 0 关于映射的乘法构成群。 (3) K T(A,0) A 0 是 G 的子群，且与 Rn 上所有可逆矩阵组成的线性群 GL(n, R) 同构。
二、设
R
ab 23a Nhomakorabea b Z, a b 为偶数，证明 R 在数的加法和乘法下构成一个整环（无零因子的交
换幺环）。并求出 R 的单位群U ，即所有可逆元素的集合。
三、证明： x 是多项式整环 Zx的素理想，但不是极大理想。
四、设 : Qx Q 3 2 为 f x f 3 2 。证明：
(1) 是环同态。
(2) ker x3 2 。
(3) Q x
是域，且与域Q 3 2 同构。
x3 2
第1页共1页

宁波大学2604半导体器件2015--2016,2018--2020年考博真题

(答案必须写在考点提供的答题纸上) A. 3 B. 2(答案必须写在考点提供的答题纸上)(答案必须写在考点提供的答题纸上)考试科目:半导体器件科目代码：2604适用专业:微纳信息系统一、单项选择题：本大题共5小题，每小题5分，共25分。

在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填在题前的括号内。

错选、多选或未选均不得分。

()1.在半导体太阳能电池中，关于暗电流说法正确的是A.没有光照时电流B.由外加偏压产生C.其方向与光电流方向相同D.由光生电压降落在势垒区而产生()D正常工作时，其MOS单元半导体表面所处状态是A.强反型B.多子积累C.深耗尽D.多子耗尽()3.在以下复合跃迁中，非辐射复合跃迁是A.带间复合B.激子复合C.俄歇复合D.不存在()4.与LED量子效率有关的因素有A.结两侧参杂浓度B.结深C.表面反射D.以上都有关()5.太阳能电池工作时，对应P-N结内部处于：A.正偏电压B.反偏电压C.没有电压D.耗尽第1页共2页考试科目:半导体器件科目代码：2604适用专业:微纳信息系统二问答题(共35分)1.采用载流子扩散与漂移的观点分析PN结的单向导电性。

(10分)2.试述NPN双极型晶体管的四种工作模式。

(15分)3.试述金属-半导体接触：肖特基接触与欧姆接触的各自特点。

(10分)三．计算与推导(共40分)1.计算一硅p-n结在300K时的内建电势，其N A＝1018cm-3和N D＝1015cm-3．(10分)2.一理想晶体管其发射效率为0.999，集基极漏电流为10μA，假设I B=0，请算出由空穴所形成的放大模式发射极电流。

(15分)3.简述评估太阳能电池器件性能的四个基本参数，那些因素会影响太阳能电池器件性能（15分）第2页共2页考试科目:半导体器件科目代码：2604适用专业:微纳信息系统第1页共2页一、判断题（共20分，每题１分）1.（）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。

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科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础
VDD
GND IN1
IN2
IN3
IN4
OUT
科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础
科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础
5.说明如图5所示的静态CMOS反相器的总功耗由哪几部分组成，并列出每一项功耗的具体表达式。

(10分)
pmos
nmos
VDD
C L
图5. 静态CMOS反相器
6.分析图6所示的电路，在不同时钟CLK输入下Q0、Q1、Q2与Q3的输出状态，并将状态量
填入表1。

假设各个D触发器的初始输出状态皆为Q=0。

(10分)
图6.D触发器构成的时序逻辑电路
表1.电路输出状态表
CLK的顺
序
输入D1 Q0Q1Q2Q3
0 0 0 0 0 0
1 1
2 0
3 1
4 1
5 0
科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础
7.试用差分串联电压开关逻辑（DCVSL）与互补传输管逻辑（CPL）实现二输入的XOR/NXOR逻
辑门，要求画出其晶体管级电路图。

(10分)
8.在图7所示电路中，已知CMOS集成施密特触发器的电源电压V DD=15V, V T+=10V，V T-=5V,
R=100KΩ, C=10μF。

试画出u c和u0的波形，并求出u0的频率以及占空比。

(10分)
图7. 施密特触发器电路
9.叙述图8所示的单管动态CMOS存储单元读与写的工作原理与工作过程。

(8分)
T C1
C2
图8. 单管动态CMOS存储单元
10.试回答下列问题：（1）在标准CMOS工艺中，NMOS衬底（阱）通常与电路中最低电位相接，
若NMOS衬底（阱）与最高电位相接，会产生什么害处? （4分）（2）MOS管有三种主要漏电流（4分）（3）试分别说明: 在65nm以下工艺，哪两种漏电流起主要作用?（4分）。