2018年宁波大学考博试题3810数字集成电路设计基础(A卷)

一、填空题1.（10001001.01）2=（ 137.25）10=（000100110111.00100101 ）8421BCD 。

2.(C5)16 ，（188）10, (10111100)2中最大数为_(C5)16_,最小数为（188）10, (10111100)2。

3.（10001011.011）2=（213.3）8=（8B.6）16。

4. 二进制数+1100110的原码为01100110,反码为01100110,补码为01100110。

5. 逻辑函数L =A B̅C +A +B +C = 1 。

6.写出下面逻辑电路图的逻辑表达式 Z =A⨁B +C 。

7.逻辑函数D C B A F ++=的反函数F ＝ AB̅(C +D ̅) 。

8. 主从型RS 触发器也称为 脉冲 RS 触发器，其特性方程 Q n+1= S+R ̅Q n 。

9.某计数器状态转换图如图1,该电路为__5_进制计数器，容量为 5 。

10.若要对70个编码对象进行编码，则至少需要 7 位二进制代码编码。

11．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为 10111111 。

12.一个8选1的多路选择器（数据选择器），应具有 3 个地址输入端。

13. 一个16选一的数据选择器，其地址输入（选择控制输入）端的个数是 4 。

14.有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是 1011-0110-1100-1000-0000 。

15． 有一个4位的D/A 转换器，设它的满刻度输出电压为10V ，当输入数字量为1101时，输出电压为 8.125V 。

二、计算题1.用二进制补码计算下列各式： （1）11101-11011 （2）-0011-10012.用卡诺图化简下列逻辑函数为最简与—或表达式： （1）{Z =AB A B C A B C +••+••BC =0（2）Y (A,B,C,D )=∑m(1,3,8,9,10,11,14,15)（1）解：真值表 卡诺图化简A B C Z0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 × 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 ×表达式: Z=C B A B A ++ （2）解：3.下图电路中，G 1和G 2为OC 与非门，输出为线与结构。

(答案必须写在考点提供的答题纸上) A. 3 B. 2(答案必须写在考点提供的答题纸上)(答案必须写在考点提供的答题纸上)考试科目:半导体器件科目代码：2604适用专业:微纳信息系统一、单项选择题：本大题共5小题，每小题5分，共25分。

在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填在题前的括号内。

错选、多选或未选均不得分。

()1.在半导体太阳能电池中，关于暗电流说法正确的是A.没有光照时电流B.由外加偏压产生C.其方向与光电流方向相同D.由光生电压降落在势垒区而产生()D正常工作时，其MOS单元半导体表面所处状态是A.强反型B.多子积累C.深耗尽D.多子耗尽()3.在以下复合跃迁中，非辐射复合跃迁是A.带间复合B.激子复合C.俄歇复合D.不存在()4.与LED量子效率有关的因素有A.结两侧参杂浓度B.结深C.表面反射D.以上都有关()5.太阳能电池工作时，对应P-N结内部处于：A.正偏电压B.反偏电压C.没有电压D.耗尽第1页共2页考试科目:半导体器件科目代码：2604适用专业:微纳信息系统二问答题(共35分)1.采用载流子扩散与漂移的观点分析PN结的单向导电性。

(10分)2.试述NPN双极型晶体管的四种工作模式。

(15分)3.试述金属-半导体接触：肖特基接触与欧姆接触的各自特点。

(10分)三．计算与推导(共40分)1.计算一硅p-n结在300K时的内建电势，其N A＝1018cm-3和N D＝1015cm-3．(10分)2.一理想晶体管其发射效率为0.999，集基极漏电流为10μA，假设I B=0，请算出由空穴所形成的放大模式发射极电流。

(15分)3.简述评估太阳能电池器件性能的四个基本参数，那些因素会影响太阳能电池器件性能（15分）第2页共2页考试科目:半导体器件科目代码：2604适用专业:微纳信息系统第1页共2页一、判断题（共20分，每题１分）1.（）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。

浙江工业大学 / 学年第一学期 《数字电路和数字逻辑》期终考试试卷 A姓名 学号 班级 任课教师一、填空题（本大题共10小题，每空格1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。

错填、不填均无分。

1．十进制数（68）10对应的二进制数等于 ；2．描述组合逻辑电路逻辑功能的方法有真值表、逻辑函数、卡诺图、逻辑电路图、波形图和硬件描述语言（HDL ）法等，其中 描述法是基础且最直接。

3．1A⊕可以简化为 。

4．图1所示逻辑电路对应的逻辑函数L 等于 。

A B L≥1&CYC图1 图25．如图2所示，当输入C 是（高电平，低电平） 时，AB Y =。

6．两输入端TTL 与非门的输出逻辑函数AB Z =，当A =B =1时，输出低电平且V Z =0.3V ，当该与非门加上负载后，输出电压将(增大，减小) 。

7．Moore 型时序电路和Mealy 型时序电路相比， 型电路的抗干扰能力更强。

8．与同步时序电路相比，异步时序电路的最大缺陷是会产生 状态。

9．JK 触发器的功能有置0、置1、保持和 。

10．现有容量为210×4位的SRAM2114，若要将其容量扩展成211×8位，则需要 片这样的RAM 。

二、选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

11．十进制数（172）10对应的8421BCD 编码是 。

【 】A ．（1111010）8421BCDB ．（10111010）8421BCDC ．（000101110010）8421BCD D ．（101110010）8421BCD12．逻辑函数AC B A C B A Z +=),,(包含 个最小项。

【 】A ．2B ．3C ．4D ．513．设标准TTL 与非门AB Z =的电源电压是+5V ，不带负载时输出高电平电压值等于+3.6V ，输出低电平电压值等于0.3V 。

科目代码: 3809 科目名称：智能系统
1. 机器学习通常可分为指导性学习和非指导性学习，学习模型则可分为生成模型和
判别模型二类。

假定现在要完成以下的任务：
（a）函数拟合与插值；（b）聚类分析；（c）模式识别，
请简要解释以下学习模型各自属于生成模型还是判别模型，可以胜任哪种任务：（1）深度学习网络，(2)RBF网络，(3)Boltzmann机，（4）SOM网络。

(10%) 2. 如果将异或（XOR）问题推广为3输入的parity问题，要求输入和输出实现如下
真值表：
输入1 输入2 输入3 输出
0 0 0 0
0 0 1 1
0 1 0 1
0 1 1 0
1 0 0 1
1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 1
请设计一个多层网络实现3-parity，并给出相应的学习算法。

(12%)
3. Hopfield网络是全相连的反馈型网络，可以用于实现“吸引子”联想记忆，如果
要使一个Hopfield网络同时记住“A”、“I”、“Y”三个字母（3x4点阵），试为其设计一个合理的结构，并给出学习算法和具体的网络权值。

(12%)
科目代码: 3809 科目名称：智能系统
科目代码: 3809 科目名称：智能系统
；
同时生成模型则以产生出能够“愚弄”判别模型使其以为真的数据为目标，即极。

宁波大学2018年博士研究生招生考试初试试题(A卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码: 3819 科目名称：微生物学
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宁波大学2019年博士研究生招生考试初试试题(B卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码：3819总分值：100科目名称：微生物学
一、名词解释：（每题3分，共8题，共24分）
1、MM，（—）
2、种
3、益生菌
4、子囊孢子
5、溶源细胞
6、菌相
7、鉴别培养基
8、质粒
二、简答题（每题6分，共6题，共36分）
1、写出革兰氏染色的实验过程及简单的染色机制。

2、什么叫环境样品的微生物群落结构？结合传统与现代技术研究微生物群落结构的方法有哪些？
3、什么叫溶氧浓度？在稳定供氧量情况下，在培养好氧微生物过程中其溶氧浓度的变化规律及原因。

4、简述无氧呼吸与发酵的区别。

5、如何防止菌株的衰退？
6、简述微生物遗传物质存在形式。

三、分析论述题（共3题，共40分）
1、现有一株具有一定的降胆固醇能力的乳酸菌，如何进一步通过诱变育种方法筛选一株强降解能力的突变菌株？写出实验方法及操作说明。

（12分）
2、从微生物学原理简述腌制蔬菜或发酵肉制品其亚硝酸盐的产生途径。

分别设计相关措施使产品的亚硝酸盐含量达到正常的值。

（12分）
3、论述微生物在发酵乳制品中风味物质形成中的作用。

（16分）
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宁波大学2018年博士研究生招生考试初试试题(A卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码: 3820 科目名称：食品化学
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宁波大学2019年博士研究生招生考试初试试题(A卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码：3820总分值：100科目名称：食品化学
一、名词解释（每题3分，共18分）
1．淀粉糊化
2．邻近水
3．焦糖化作用
4．亲水亲油平衡值（HLB值）
5．Esterized Starch
6．Gelation of Protein
二、简答题（每题6分，共24分）
1．为什么水果从未成熟到成熟是一个由硬变软的过程？
2．新鲜虾肉含水量高达80%左右，所含的水有哪两种存在状态？为什么虾肉被捣碎后，没有大量的水流出来？
3．为什么搅打蛋清液比搅打全蛋液，能产生更加丰富的泡沫？
4．鱼肉速冻和缓冻，哪种冻结方式对鱼肉品质的影响小？为什么？
三、论述题（共58分）
1．（10分）举2例说明酶制剂在食品加工中的应用，并说明该酶制剂在其中的功能？2．（14分）引起浓缩菠萝汁褐变的原因有哪些？如何控制浓缩菠萝汁在加工及贮藏过程中的褐变？
3．（14分）什么是吸湿等温线？吸湿等温线分为几个区？各区的水分能否被微生物利用？简述水分活度对非酶促褐变反应的影响。

4．（20分）利用所学食品化学的主要知识点，阐述食品化学理论和技术在“金华火腿”加工及贮藏过程中的作用及其对火腿肉品质影响。

（至少包含4个知识点）
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宁波大学2020年博士研究生招生考试初试试题(A卷)(答案必须写在考点提供的答题纸上)宁波大学2018年博士研究生招生考试初试试题(A卷)(答案必须写在考点提供的答题纸上)科目代码: 3820 科目名称：食品化学第 1 页共1 页考试科目:食品化学科目代码：3820适用专业:水产资源综合利用一、名字解释（40%，每题4分）1．O/W型乳浊液2．Aw3．生色基团4．过氧化值5．低甲氧基果胶（LM）6．风味阈值7．蛋白质变性作用8．淀粉老化9．食品抗氧化剂10．焦糖化作用二、问答题（60%，每题10分）1．从β-环状糊精的结构特征，说明其在食品中为何具有保色、保香、乳化的功能?2．分别说明转谷氨酰胺酶(TGase)在鱼糜制品、多聚磷酸盐在肉制品加工中的作用。

3．从蛋白质角度，说明适度热处理对食品品质的有益作用。

4．含油脂食品贮藏不当易产生哈喇味，为什么？如何防止？5．使用所学食品化学原理解释下列现象：1）热处理去除生大豆中的有害因子；2）搅打时，纯蛋清比含蛋黄的全蛋更容易起泡；3）苹果、香蕉去皮后容易褐变。

6．举二例说明食品化学理论在水产资源高值化利用中的应用。

第1页共1页考试科目: 食品化学科目代码：3820适用专业: 水产资源综合利用第1 页共1 页考试科目:食品化学科目代码：3820适用专业:水产资源综合利用一、简答题（36%，每题6分）1．与自由水相比，结合水有哪些特点？2．什么叫环状糊精？它的结构有什么特点？3．何谓淀粉老化？老化的本质是什么？4．试用所学的理论解释：1）热处理去除生大豆中的有害因子。

2）煮熟后的虾蟹壳颜色变红。

5．食品增香剂的增香机理是什么？说出二种常用的食品增香剂名称。

6．将下列英文翻译为中文：①Oxymyoglobin；②Peroxidation value；③Water activity二、问答题（64%，每题16分）1．论述游离氨基酸在肉类食品风味形成中的作用？2．说明土豆的褐变机理，并指出在土豆加工中可以通过哪些方法控制其褐变？（控制方法至少说出3点）3．火腿肉容易氧化酸败，应如何采取一些措施控制酸败的发生？（至少说出4点）4．在鱿鱼圈加工中会产生大量加工下脚料，需对其进行高值化利用，请说明研究开发思路。

科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础VDDGND IN1IN2IN3IN4OUT科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础5.说明如图5所示的静态CMOS反相器的总功耗由哪几部分组成，并列出每一项功耗的具体表达式。

(10分)pmosnmosVDDC L图5. 静态CMOS反相器6.分析图6所示的电路，在不同时钟CLK输入下Q0、Q1、Q2与Q3的输出状态，并将状态量填入表1。

假设各个D触发器的初始输出状态皆为Q=0。

(10分)图6.D触发器构成的时序逻辑电路表1.电路输出状态表CLK的顺序输入D1 Q0Q1Q2Q30 0 0 0 0 01 12 03 14 15 0科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础7.试用差分串联电压开关逻辑（DCVSL）与互补传输管逻辑（CPL）实现二输入的XOR/NXOR逻辑门，要求画出其晶体管级电路图。

(10分)8.在图7所示电路中，已知CMOS集成施密特触发器的电源电压V DD=15V, V T+=10V，V T-=5V,R=100KΩ, C=10μF。

试画出u c和u0的波形，并求出u0的频率以及占空比。

(10分)图7. 施密特触发器电路9.叙述图8所示的单管动态CMOS存储单元读与写的工作原理与工作过程。

(8分)T C1C2图8. 单管动态CMOS存储单元10.试回答下列问题：（1）在标准CMOS工艺中，NMOS衬底（阱）通常与电路中最低电位相接，若NMOS衬底（阱）与最高电位相接，会产生什么害处? （4分）（2）MOS管有三种主要漏电流（4分）（3）试分别说明: 在65nm以下工艺，哪两种漏电流起主要作用?（4分）。