安森美推出便携式应用的MOSFET产品系列
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安森美案例:交错式PFC技术趋势及应用
近年来,在一些对外形因数有严格要求的应用中,如纤薄型液晶电视或笔记本适配器等,一种新兴的功率因数校正(PFC)技术-交错式PFC的使用越来越多。
所谓交错式PFC,是在原本单个较大功率PFC段的地方并行放置2个功率为其一半的较小功率PFC段来替代,参见图1。
这两个功率较小的PFC 段以180°的相移交替工作,总输入电流(IL(tot))和输出电流(ID(tot))纹波都将大幅降低。
虽然交错式PFC使用相对较多的元器件,但却拥有很多优势。
例如,150 W的PFC比300 W PFC更易于设计、便于采取模块化途径、散热更好及可以扩展临界导电模式(CrM)应用范围等。
另外,两个不连续导电模式(DCM) PFC看上去象一个连续导电模式(CCM) PFC,简化了电磁干扰(EMI)滤波设计,减小输出均方根(RMS)电流,从而减少损耗及发热,提高设计的可靠性。
尤为值得称道的是,交错式PFC支持使用尺寸更小的元器件,从而利于纤薄设计,增强产品卖点。
图1:采用两颗NCP1601 PFC控制器实现的交错式PFC架构功能框图
图1所示的交错式PFC是一种分立式的解决方案,采用了2颗NCP1601芯片。
NCP1601是一款紧凑的固定频率DCM或CrM PFC控制器,采用SOIC-8或PDIP-8封装,能够充分利用DCM及CrM这两种工作模式的优势,如DCM限制最大开关频率,CrM限制升压二极管、MOSFET及电感的最大电流,降低成本及提升电路可靠性。
这2颗NCP1601 PFC控制器驱动2个PFC分支,这2个分支同步但独立工作,从而保证了DCM工作模式(零电。
VPX-新一代总线标准VPX(即VITA46):在VME系统的基础上增加了交换互联结构,是军用加固系统的新一代总线产品。
该标准保留了现有6U和3U规格,支持PMC和XMC 子卡,并最大限度的保留了对VME系统的兼容性。
GEFanuc把VPX标准带入市场,能够给用户提供最广泛的VPX产品选择:包括Intel、PowerPC架构的处理器板、图形卡、磁盘卡、交换板,甚至基于VPX总线的系统。
典型产品和应用:SBC340-用于Magic1VPX图形系统的控制器。
SBC340配置一个2.0GHzIntelCoreDuo处理器,最大支持4GBDDR2SDRAM,具有空冷和导冷版本。
详细信息请登录:/products/211VME总线---Versamodel EurocardVME总线,Versamodel Eurocard由Motorola公司1981年推出的第一代32位工业开放标准总线,其主要特点是VME总线的信号线模仿Motorola公司生产的68000系列单片机信号线,由于其应用的广泛性被IEEE收为标准,即IEEE 1014-1987,其标准文件为VMEbus specification Rev C.1。
VME总线的插板一般有两种尺寸,一种是3U高度的带一个总线接口J1,高*长为100mm*160mm,另一种是6U高度的带2个总线接口J1、J2,高*长为233mm*160mm。
一般每块VME总线的插板上的接口J1、J2都有96针,每一个接口都是3排,按A、B、C排列,每排32针,J1一般用于直接与VME总线相连,J2的中间列用于扩展地址总线或数据总线,另外两列可由用户定义及I/O、磁盘驱动及其他外设等,(注意:我们应用的全固态电视发射机的I/O板和RC/RI板就扩展了J2口的针脚。
)因此VME总线已对未来的应用扩展预留了信号针,这也是VME总线将来可以灵活升级的原因.CPCI简介Compact PCI(Compact Peripheral Component Interconnect)简称CPCI,中文又称紧凑型PCI,是国际工业计算机制造者联合会(PCI Industrial Computer Manufacturer's Group,简称PICMG)于1994提出来的一种总线接口标准。
欧美:ST:意法半导体公司FAIRCHILD:仙童半导体公司(飞兆半导体公司)VISHAY:威世集团IR:国际整流器公司ONSEMI:安森美半导体公司TI:德州仪器IXYS:艾赛斯公司RECTRON:美国伟创电子公司Diodes:美台二极体股份有限公司NXP:恩智浦(Philips旗下)日韩:Rohm:罗姆半导体集团SANKEN:电子株式会社SHINDENGEN:新电元工业FUJI:富士半导体SANYO:三洋电机RENESAS:瑞萨电子Toshiba:东芝公司韩国KEC功率器件主要厂商介绍韩国AUK台湾:WTE:台湾Won-Top电子公司LITEON:敦南科技股份有限公司(光宝集团旗下)TSC:台湾半导体股份有限公司DELTA:台达电子工业股份有限公司国内:MCC:深圳美微半导体股份有限公司LRC:乐山无线电股份有限公司JCST:江苏长电科技有限公司FASTSTAR:深圳市快星半导体电子有限公司广东风华高新科技股份有限公司吉林华微电子杭州士兰微电子半导体厂商标识ST(SGS-THOMSON,意法半导体公司)FAIRCHILD(Fairchild Semiconductor ,仙童半导体或者飞兆半导体公司)VISHAY(威世集团)IR(International Rectifier,国际整流器公司)ONSEMI(ON Semiconductor ,安森美半导体公司)TI (Texas Instruments,德州仪器)IXYS (艾赛斯公司)RECTRON(美国伟创电子公司)Diodes (美台二极体股份有限公司)Rohm(罗姆半导体集团)NXP(恩智浦)SANKENToshiba Corporation (东芝公司)WTE (台湾WON-Top Electronics)LITEON (敦南科技股份有限公司)TSC (台湾半导体股份有限公司)DELTA (台达电子)SHINDENGEN (新电元工业)FUJI(富士半导体)SANYO 三洋半导体RENESAS瑞萨电子MCC(深圳美微半导体股份有限公司)LRC(中国乐山无线电股份有限公司)JCST (江苏长电科技有限公司)FASTSTAR (深圳市快星半导体电子有限公司)广东风华高新科技有限公司吉林华微电子杭州士兰微电子ST (SGS-THOMSON )意法半导体公司网址意法半导体公司主页ST 意法半导体/ST 中文名称为意法半导体公司,公司成立于1987年,是意大利SGS 半导体公司和法国汤姆逊半导体合并后的新企业,公司总部设在瑞士日内瓦。
电子质量2020年第02期(总第395期)近日,推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),推出由四个器件组成的新系列,促进汽车厂商和消费者现在所期望的汽车外部和内部照明的高水平性能和创新功能。
新系列专门针对低功率固态照明,包括两个LED 驱动器(NCV7683和NCV7685)和两个电流控制器(NCV7691和NCV7692)。
NCV7685和NCV7683分别集成了12个和8个线性可编程电流源,从而能够以每通道高达100mA 的电流驱动多串LED。
这些器件提供了一系列可配置选项,包括菊花链、照明亮度控制、电流调节、序列功能和通道组合。
NCV7685采用具有CRC8错误检测功能的8位I2C 接口,可通过脉宽调制(PWM)进行个别输出电流调节,并用于先进的诊断,包括LED 串开路检测或欠压检测,还提供专用的诊断引脚。
根据特定的设计要求,可以使用DC-DC 控制器和/或LDO 稳压器为NCV7685供电。
NCV7691提供稳定的宽电流范围,用于驱动一串或多串LED,仅需一个外部NPN 双极晶体管和一个反馈电阻。
该驱动器提供设计灵活性,可以在多通道系统中添加额外单通道,并通过其PWM 输入支持调光功能。
NCV7691包括串开路、短路和热关断功能,确保基本照明的安全可靠运行。
衍生的NCV7692提供更快的响应时间,并降低了开路负载检测的阈值。
Bourns 近日推出了其新的高间隙/爬电距离隔离电力变压器系列。
Bourns HCT 型系列高压隔离推挽变压器符合AEC-Q200标准。
Bourns 设计了最新的变压器系列,支持CAN、RS-485、RS-422、RS-232、SPI、I2C 和低功耗局域网的隔离接口电源。
Bourns 型号HCT 系列具有3.3至5V 的输入范围,提供3.3至15V 和高达350毫安的输出,配置成各种匝数比。
新系列采用铁氧体环形磁芯,耦合系数高,效率高。
此外,新的电力变压器安装在一个低剖面的6.5mm 外壳中,带有强化绝缘、至少8mm 的间隙/爬电距离和4.2kVac 的耐受电压,以提高与高压危险的隔离度。
安森美半导体高能效AC-DC LED通用照明方案拓宽您的设计选择-电气论文安森美半导体高能效AC-DC LED通用照明方案拓宽您的设计选择在节能、环保及全球LED照明迅猛增长的趋势下,LED球泡灯等已几乎家喻户晓,而随着相关技术的进步,LED成本及性能水准已大幅提升。
安森美半导体专注于运用在电源管理方案方面的专知和技术,克服固态照明的挑战,提供LED照明应用的完整方案,涵盖高低功率因数、隔离或者非隔离拓扑结构、调光以及非调光的应用等,并利用在工业应用的经验和专长,不断开拓新兴的智能照明市场,推出有线及无线通信系列产品(PLC、KNX )、环境光及无源红外(PIR)传感器、以太网供电(PoE)控制器等,满足不同的应用需求,推动LED照明市场的发展和进步。
本文将重点介绍安森美半导体近期于AC-DC 通用照明新增的产品系列及智能照明方案。
功率因数校正(PFC)初级端控制LED驱动器针对筒灯、线性管/LED灯泡替代、电子控制装置、LED照明引擎及智能照明等要求高功率因数、低谐波失真的最高60 W功率的单段式设计应用,安森美半导体推出LED驱动器系列NCL30085、NCL30086、NCL30088,利用PFC 初级端电流控制算法,当采用准谐振(QR)模式工作时提供高能效。
以NCL30088为例,它支持隔离反激、降压-升压、单端初级电感转换器(SEPIC) 拓扑结构,功率因数(PF)典型值高于0.98,无需光耦,能单独从初级端实现精密稳流(精度典型值土2提供线性前馈补偿,宽VCC范围支持宽正向电压应用,低启动电流典型值13 uA,可工作于-40 C至125 C的宽工作温度范围,基于负温度系数(NTC)的电流热反走可防止LED驱动器在恶劣环境下过热,并内置一系列强固的保护特性,包括:LED串开/短路保护、逐周期限流、输出二极管短路保护、VCC偏置电压和欠压保护、电流感测电阻短路保护及自动恢复或闩锁故障处理。
隔离式MOSFET栅极驱动器全球市场研究报告2023-2029隔离式MOSFET栅极驱动器全球市场总体规模隔离式MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)栅极驱动器是一种电子设备,用于控制和驱动MOSFET 晶体管。
MOSFET是一种常用的半导体器件,用于在电子电路中进行开关操作,例如开启或关闭电流通路。
隔离式MOSFET栅极驱动器的主要功能是将控制信号从输入端隔离并传递到MOSFET的栅极,同时提供电气隔离,以确保输入和输出之间的电气隔离和隔离层保护。
根据QYResearch最新调研报告显示,2023年全球隔离式MOSFET栅极驱动器市场规模大约为328.6百万美元,预计2029年将达到445.4百万美元,未来几年年复合增长率CAGR为5.2%。
图. 全球隔离式MOSFET栅极驱动器市场总体规模(百万美元)&(2018 vs 2023 vs 2029)如上图表/数据,摘自QYResearch最新报告“全球隔离式MOSFET栅极驱动器市场研究报告2023-2029.图. 全球隔离式MOSFET栅极驱动器主要厂商排名,其中2023年前五大厂商占有全球大约59.85%的市场份额如上图表/数据,摘自QYResearch最新报告“全球隔离式MOSFET栅极驱动器市场研究报告2023-2029.全球范围内,隔离式MOSFET栅极驱动器主要生产商包括英飞凌、意法半导体、安森美,Texas Instruments,Analog Devices等,其中前五大厂商占有大约59.85%的市场份额。
2023-2029全球及中国隔离式MOSFET栅极驱动器行业研究及十四五规划分析报告QYResearch调研显示,2022年全球隔离式MOSFET栅极驱动器市场规模大约为亿元(人民币),预计2029年将达到亿元,2023-2029期间年复合增长率(CAGR)为%。
未来几年,本行业具有很大不确定性,本文的2023-2029年的预测数据是基于过去几年的历史发展、行业专家观点、以及本文分析师观点,综合给出的预测。
安森美半导体的高能效升降压电源控制器NCP81239
USB Type-C和Quick Charge(QC)是当前市场两大新的供电标准,也是市场趋势。
这两大标准的共同特点是输出电压需要调节。
安森美半导体推出的单电感H桥升降压电源控制器NCP81239可以适配宽输入电压范围和宽输出电压范围,特别适合用于USB Type-C或QC 3.0等需要根据用电设备要求进行电压调节的应用。
芯片集成的I2C接口可和外部的微控制器(MCU)配合进行输出电压的步进调整,且可在同一个Type-C端口实现多种快充协议如USB PD Type-C、QC 2.0/3.0,能对接苹果Lighting 接口快充协议,和三星接口快充协议等。
USB Type-C和Quick Charge概览
1.USB Type-C
电子产品如电脑、手机、数码相机等经常需要与其它电子设备进行互联来传输数据或提供电源,然而各种不同规格的适配器和线缆,给使用带来很大不便,同时也增加旅行包的重量。
为了减少线束数量和不必要的浪费,USB Type C接口标准应运而生。
USB Type C 接口的目标是将不同电子设备之间的互联采用统一的接口,同时可以提供电源和传输数据,也支持音视频和客户个性化的通信协议。
USB充电技术演进如图1所示。
2 2 分立器件分立器件功率 MOSFET1)特性参数功率MOSFET是我们最熟悉的绿色社会开拓者。
它们能帮助我们创建低损耗系统。
我们的最新工艺和小型封装能帮助您提高系统效率,缩小系统尺寸,从而创建终极低功耗驱动。
(通用开关功率MOSFET、汽车功率MOSFET、IPD、电池功率MOSFET、通用放大器功率MOSFET)功率功率 MOSFET 参数介绍参数介绍第一部分最大额定参数最大额定参数,所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS 最大漏最大漏--源电压源电压 在栅源短接,漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。
根据温度的不同,实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。
关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性.VGS 最大栅源电压最大栅源电压 VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。
设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。
实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压,但是会随制造工艺的不同而改变,因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。
ID ID -- 连续漏连续漏电流电流电流 ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下,管表面温度在25℃或者更高温度下,可允许的最大连续直流电流。
该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数:ID中并不包含开关损耗,并且实际使用时保持管表面温度在25℃(Tcase)也很难。
因此,硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半,通常在1/3~1/4。
补充,如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID,这个值更有现实意义。
IDM IDM --脉冲漏极电流脉冲漏极电流该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低,脉冲电流要远高于连续的直流电流。
定义IDM的目的在于:线的欧姆区。
对于一定的栅-源电压,MOSFET导通后,存在最大的漏极电流。
如图所示,对于给定的一个栅-源电压,如果工作点位于线性区域内,漏极电流的增大会提高漏-源电压,由此增大导通损耗。
安森美半导体高能效驱动方案点亮前景在当今电能需求与生产日趋失衡的条件下,最有效的因应途径就是提升能效,即利用技术,以更少的电能来执行相同的任务或功能。
电能使用涉及众多的领域,以常见的建筑物为例,据有关资料统计,美国建筑物总能耗中约有30%的能耗源自照明领域,而中国的估计也达到约11%至12%。
由此看来,照明域的节能潜力巨大。
安森美半导体LED通用照明及电源营销和系统工程总监Laurent Jenck(郑乐康)指出,以一款典型的100 W白炽灯为例,其中约有95 W的电能转化为热量,剩余的仅5 W电能转化为光。
因此,世界上许多国家都开始逐步淘汰一般的白炽灯,鼓励使用节能灯。
与白炽灯相比,紧凑型荧光灯(CFL)和线性荧光灯(LFL)等节能灯的能耗大幅下降(仅相当于白炽灯的约1/5),但这些传统节能灯中包含剧毒化学物质汞,对环境有不良影响。
另一方面,高亮度发光二极管(HB-LED)近年来在光输出、能效(efficacy)及成本等方面全面改善,同时结合小巧、低压工作及环保等众多优势,正在照明领域掀起革命。
LED照明进侵各领域,应用将更普及 如今,在屏幕尺寸小于4英寸的手机、相机闪光等移动设备应用中,及路边及体育场中大型显示屏应用中,LED照明,或称固态照明(SSL),几乎占据了100%的份额。
除此之外,LED照明也向其它领域迈进。
如在汽车应用中,LED照明占据约15%的份额。
而在较大液晶显示屏(LCD)背光应用中,虽然冷阴极荧光灯(CCFL)如今仍然占据主导地位,但LED照明的总渗透率也达到约20%,参见图1。
特别是在备受瞩目的大尺寸液晶电视背光应用中,据Laurent Jenck指出,预计LED背光的液晶电视在未来3到4年间,将占据至50%的份额。
安森美半导体中高功率照明LED驱动器方案LED的诸多优点已经使其逐步取代白炽灯、荧光灯等传统光源,在小功率应用上越来越多地出现在我们日常工作生活中,而在我们传统定义的20至400瓦的中高功率照明范围内,荧光灯、高强度气体放电灯还是主流。
但随着大功率LED产品的不断推陈出新,模块化的LED灯条、大阵列LED等产品的出现,公路、体育馆、户外大型设施等需要大功率照明的应用场景中也越来越多出现LED产品的身影。
LED照明电路相对设计简单、能集成控制、可方便实现调光、能有效降低电力消耗,所以在强调智能、绿色照明的今天,中高功率LED产品逐步替代高强度气体放电灯(HID)等传统光源已经是大势所趋。
但我们也看到模块化的LED灯条和阵列对电源驱动的要求不尽相同,如何为中高功率LED照明产品提供可靠、高效、灵活的驱动电源方案是设计人员常面临的挑战。
安森美半导体积极推动高能效创新,充分利用在电源领域的丰富经验,提供应用于LED照明不同的领域。
而针对中大功率LED照明应用的不同需求,安森美半导体提供功率因数校正(PFC)控制器、准谐振及固定频率的反激控制器和开关稳压器、集成MOS的降压控制器、半桥驱动及LLC控制器、次级端控制器、集成PFC及PWM的组合控制器等多种控制器及其方案等,以满足不同电路拓扑设计的不同需求。
单段式功率因数校正(PFC)方案功率因数校正(PFC)可有效改善高谐波分量给电源线、断路开关、电力设施带来的压力。
PFC控制器一般可以分为单段式和多段式(常见两段式)两种结构。
单段式(如图1所示)可直接电流驱动,只需单个开关及磁性元件,缺点则是100/120Hz纹波,MOSFET应力更大,占空比更大,功率限制在100-150W。
图1.单段式PFC结构示意图典型的单段式PFC LED驱动方案有如安森美半导体的NCL30000。
这器件使用临界导电模式(CrM)反激架构,以单段式拓扑结构提供高功率因数设计。
安森美半导体基于NCL30000构建的25 W高功率因数单段式LED驱动器参考设计接受90-305Vac宽输入电压范围,能。