当前位置：文档之家 › 安森美半导体的电源和适配器方案

安森美半导体的电源和适配器方案

  • 格式：docx
  • 大小：9.88 KB
  • 文档页数：2

下载文档原格式

  / 2

合集下载

安森美半导体携领先的电路保护及LCD电视电源方案亮相IIC China2010成都站

安森美半导体携领先的电路保护及LCD电视电源方案亮相IIC China2010成都站
电源 、 ＬＰＳ逆 变 器 及 先 进 的 Ｌ ｆ ＥＤ照 明 解 决方 案 。
圃 垫！ 兰塑 兰 整 ！ 垦 堑塑 竺
这 两个 微控 制器 系列都 具备 多种特 性 ：生成 高分辨
率 脉 宽 调 制 信 号 ， 实 现 快 速 ＡＤＣ测 量 、 自 主 式 外 设 、 用 于 控 制 回 路 和 保 护 的 比 较 器 ， 使 设 计 者 能 够 通 过 采 用
８ 微 控 制 器 设 计 出 高 能 效 的 产 品 。 尤 其 是 ， ×Ｃ８ Ｘ 位 ２ ／
大 幅 改 进 照 明 装 置 、 空 调 和 电 磁 炉 的 能 效 ， 节 能 潜 力 达
和 任 何 电 源 转 换 器 的 电 机 控 制 器 时 ， 主 要 目 标 是 提 高 能
源 效 率 ，降 低 系 统 成 本 。 采 用 智 能 控 制 概 念 并 与 各 种 通
信 接 口 连 接 ，有 助 于 充 分 满 足 这 些 需 求 。 英 飞 凌 通 过
容 等 级 的 ＥｓＤ１ Ｎ系 列 ， 且 提 供 专 用 集 成 无 源 （ １ ＡＳｌ Ｐ） 方 案 ， 以 及 业 内 首 创 带 有 ＥＳＤ 保 护 的 共 模 滤 波 器
消 费 电 子 及 计 算 机 等 终 端 市 场 的 产 品 。例 如 ＨＤＭ１ 号 信
源 接 口 保 护 解 决 方 案 ｃＭ２ ２ ０ ０、 高 速 数 据 线 保 护 解 决 方 案 ＣＭ１ ３ ８， 以 及 可 提 供 ＥｓＤ保 护 的 低 电 容 ＴＶｓ阵 ２
电 容 的 单 通 道 ＥＳＤ保 护 解 决 方 案 ＣＭ１ ８ —０ 等 。 ２ １ ２ Ｄ１
此 外 ， 安 森 美 半 导 体 也 将 展 示 多 种 适 用 于 保 护 高 亮 度

安森美半导体高能效AC-DCLED通用照明专业技术方案拓宽您的设计选择

安森美半导体高能效AC-DCLED通用照明专业技术方案拓宽您的设计选择

安森美半导体高能效AC-DC LED通用照明方案拓宽您的设计选择-电气论文安森美半导体高能效AC-DC LED通用照明方案拓宽您的设计选择在节能、环保及全球LED照明迅猛增长的趋势下，LED球泡灯等已几乎家喻户晓，而随着相关技术的进步，LED成本及性能水准已大幅提升。

安森美半导体专注于运用在电源管理方案方面的专知和技术，克服固态照明的挑战，提供LED照明应用的完整方案，涵盖高低功率因数、隔离或者非隔离拓扑结构、调光以及非调光的应用等，并利用在工业应用的经验和专长，不断开拓新兴的智能照明市场，推出有线及无线通信系列产品(PLC、KNX )、环境光及无源红外(PIR)传感器、以太网供电(PoE)控制器等，满足不同的应用需求，推动LED照明市场的发展和进步。

本文将重点介绍安森美半导体近期于AC-DC 通用照明新增的产品系列及智能照明方案。

功率因数校正(PFC)初级端控制LED驱动器针对筒灯、线性管/LED灯泡替代、电子控制装置、LED照明引擎及智能照明等要求高功率因数、低谐波失真的最高60 W功率的单段式设计应用，安森美半导体推出LED驱动器系列NCL30085、NCL30086、NCL30088，利用PFC 初级端电流控制算法，当采用准谐振(QR)模式工作时提供高能效。

以NCL30088为例，它支持隔离反激、降压-升压、单端初级电感转换器(SEPIC) 拓扑结构，功率因数(PF)典型值高于0.98，无需光耦，能单独从初级端实现精密稳流(精度典型值土2提供线性前馈补偿，宽VCC范围支持宽正向电压应用，低启动电流典型值13 uA，可工作于-40 C至125 C的宽工作温度范围，基于负温度系数(NTC)的电流热反走可防止LED驱动器在恶劣环境下过热，并内置一系列强固的保护特性，包括：LED串开/短路保护、逐周期限流、输出二极管短路保护、VCC偏置电压和欠压保护、电流感测电阻短路保护及自动恢复或闩锁故障处理。

NCP1246_NCP4354_Presentation_(Chinese)

NCP1246_NCP4354_Presentation_(Chinese)

空载检测波形
19 V
当Vout > “No Load Info”时，导通/关闭 (ON/OFF)光耦关闭初级端控制器
2.5 V
初级端控制器重启前，Vout 允许降低至2.5 V
ON/OFF opto drive Vout
极低频率跳周期模式 频率低至0.01333 Hz
(75 s 跳周期时间)
No Load Info
Voltage Regulation
Vdd
Vref1
1.25V
R10
Vref
OTA
R9
其它特性
• • • • • •
FB ON / OFF
Power RESET
Vdd
SW3
R9 to Adjust Psave
R4
R5
IOpto
I1
OFF mode Detection
CCCV feedback Integrated LED driver Vsupply up to 36 V Adjustable minimum Vout in off mode 1.25 V reference with 1% accuracy Icc < 100uA
Eliminates the need for discharge resistors saving power & components • Significantly reduces power consumption in no load conditions • Maintain high efficiency across entire line / load range
订购及封装信息
市场及应用
• •

安森美半导体高能效智能电表电源方案

安森美半导体高能效智能电表电源方案

的高压 技术 ， 集成 了均直接连接至 大 电容
的功率 ＭＯＳ Ｅ Ｆ Ｔ及启 动 电流源 。为 了防
Ｎ １ ５ ． Ｐ１ ５ ，高压门控镊体单片ｌ美稳压器 ＣＰ ０ １ＮＣ ０ ２ 歼
３ ． 关稳 压器 Ａ开
Ｐ Ｐ ７ Ｓ Ｔ２ ３ ＤＩ一， Ｏ ２
Ｓ Ｃ８ ＯＩ－
ＮＣＰ１ ３ ＮＣＰ１ ５４ １ＣＰ１ ５５ ０５ ． ０ ， Ｎ ０
其 中， 电源及 电源管理模块（ 就 参见图 关 稳 压 器 ， 如 适 合 低 功 率 应 用 的 ） 安森 美半导体 提供丰 富的产 品选 Ｎ １ １／／／／ 自供 电单 片开 关 稳 压 律， 为高 峰用 电或低谷 用 电设定差 异化的 １而言 ， ＣＰ ０ ０１２３４
电价 ： 一方面 ， 户也可 以调 整 自己 的 择 ， 另 用 包括 高压 交流 一直流（Ｃ ＤＣ开 关稳 器、适合 中等功 率应用的 ＮＣ １ ２ Ａ — ） Ｐ ０ ７高压 用 电计划 ， 节省 电费支出。
压 器 、 流 一 直 流 （ Ｃ Ｄ ） 关 稳 压 器 ／ 单片开 关稳压 器 ， 直 Ｄ — Ｃ开 以及高压 门控开 关稳压
从智 能 电表 的组成来 看 ， 主要包括 通 控制器和低压降（Ｄ 线性稳压器等（ 见 器 Ｎ Ｐ Ｏ Ｏ１２３４５等 。 Ｌ Ｏ） 参 Ｃ １ ５／／／／／ 信、 电源 及电源 管理 、 量 及存 储等功 能 表 １， 计 ）方便 用户根据具体 应用选择适合 的 以 Ｎ Ｐ ０ ｘ为例 ，这系列器件集 成 Ｃ １１ 低 模块 。安森 美半 导体 身为应用于高能效 电 方案。这些 电源方案具有高 能效、 能耗 了固定频 率 电流模 式控制 器及 典型 导通 非常适合 智能 电 阻抗 为 １ 子产品 的首 要高性能硅 方案供 应商 ， 提供 及 丰富保护特 性等特点 ， １或 ２ 的 ７ ０ ２Ｑ ０ ＶＭＯＳ Ｅ ， Ｆ Ｔ 提

安森美半导体汽车信息娱乐系统电源方案

安森美半导体汽车信息娱乐系统电源方案
度优化 了尺寸 ／ 性能。这些产 品都符合下一代尺寸及能效要求 。 安森美半导体信息娱乐 系统电源用 Ｌ Ｏ中的 Ｄ
Ｎ Ｖ ２ｘ和 ＮＣ ８ｘ 标 准 静 态 电 流 Ｉ ｃ ４Ｘ Ｖ ５ｘ是 ｑ＞６ Ａ ０ 的器 件 ， 者 与英 飞 凌 Ｔ Ｅ ２ｘ管 脚 兼 容 ， 者 功 前 Ｌ ４ｘ 后 能 丰 富 ，与 主流 厂商 英 飞 凌 ／ 意法 半 导 体 ， 国国 美
Ｖ 电流低于 １ 、 Ａ供电， 其它设备 （ 天线 、 风扇 、 电机、
Ｖ Ｄ显示 屏驱 动等 ） Ｆ 还有 其它 电压 要求 。 因此 ， 了 除 多种输 出电压 ， 有更 多要 求 ， 于常 开 电源还 需要 还 对
电源转 换 带来 了更 多的设计 挑 战 。这 些 复杂 的系统 需要 在可 靠 和紧凑 的布局 中实现 多个 电压轨 ；不 同
企 业 与 产 品
巾 国 集 成 电 路
Ｃ ｈｉ ｎａ ｎｔ Ｉ ｅｇｒ ｅｄ Ｃ ｉｃｕｉ ａｔ ｒ ｔ
安纛奠半导体 汽车信息娱乐系统 电源方案
安森 美半导体供稿
时至今 日，汽 车 中使用 的 电子元 件数 量越 来越
多 ， 这一 趋势 还会继 续下 去 ， 而 这就 给 为系统供 电的
去往往只用于 “ 高档” 豪华型汽车 ， 但是现在却正出
现 在 更多 “ 主流 ” 车 中 ， 汽 这加 快 了为其 供 电 的电源 集成 电路 市场 增长 。信 息娱乐 系 统至 少包 括导 航系 统 、 Ｍ／Ｍ 收音 机 和 Ｃ Ａ Ｆ Ｄ播 放 器 ， 目前 越 来 越 多 的 系统 增加 了具 有多 个输 出 的 ＤＶ Ｄ播放 器 、 卫星 无线 电设 备 。 这些 系统 的复 杂性 越来 越高 ， 电源 的要求 对

安森美半导体的高能效升降压电源控制器NCP81239

安森美半导体的高能效升降压电源控制器NCP81239

安森美半导体的高能效升降压电源控制器NCP81239
USB Type-C和Quick Charge(QC)是当前市场两大新的供电标准，也是市场趋势。

这两大标准的共同特点是输出电压需要调节。

安森美半导体推出的单电感H桥升降压电源控制器NCP81239可以适配宽输入电压范围和宽输出电压范围，特别适合用于USB Type-C或QC 3.0等需要根据用电设备要求进行电压调节的应用。

芯片集成的I2C接口可和外部的微控制器(MCU)配合进行输出电压的步进调整，且可在同一个Type-C端口实现多种快充协议如USB PD Type-C、QC 2.0/3.0，能对接苹果Lighting 接口快充协议，和三星接口快充协议等。

 USB Type-C和Quick Charge概览
 1．USB Type-C
 电子产品如电脑、手机、数码相机等经常需要与其它电子设备进行互联来传输数据或提供电源，然而各种不同规格的适配器和线缆，给使用带来很大不便，同时也增加旅行包的重量。

为了减少线束数量和不必要的浪费，USB Type C接口标准应运而生。

USB Type C 接口的目标是将不同电子设备之间的互联采用统一的接口，同时可以提供电源和传输数据，也支持音视频和客户个性化的通信协议。

USB充电技术演进如图1所示。

安森美半导体推出用于高能效紧凑型适配器方案的固定频率电流模式控制器


脑 、 晶显 示器 （ Ｃ 、 印机及 家 用 消费 电子 的交 液 Ｌ Ｄ）打
流 ． 流 （ ． ） 配 器 应 用 ， 供 不 同频 率 及 单 直 ＡＣ ＤＣ 适 提 或 双过流 阈值 电平 的选择 。 准器 件 内置 ６ Ｈｚ振 标 ５ ｋ 荡器 ， 并可根据 要求 提供 １０ｋ 或 １ ３ Ｈｚ 本 。 ０ Ｈｚ ３ ｋ 版 这 些 Ｉ 采 用 了专 有 的 软 跳 周 期 （ ｏｔ ｋｐ ） Ｃ Ｓ ｆ Ｓ ｉＴ ？ Ｍ 模 式 ， 跳 周 期模 式 期 间渐 进 增 加 峰 值 电流 ， 在 降低 可 听 噪 声 的风 险 ， 而 节 省 更 多 的元 器 件 ， 从 并简 化
变 压器 的设 计 和制 造 。 些 新控 制 器结 合跳 周 期和 这 频 率反走 功 能 ，在 轻 载 条件 下 提 供高 能 效等 级 ， 同
时将 空 载条 件下 的输 入 能耗 降 至最 低 。
关 于 安 森 美 半 导 体
安 森 美 半 导 体 （ Ｎ Ｓ ｍｉ ｎ ｕ ｔｒ美 国 纳 斯 达 克 上 市 Ｏ ｅ ｃ ｄｃ ， ｏ ｏ 代 号 ： Ｎ￣ ） 应 用 于 绿 色 电子 产 品 的 首 要 高 性 能 、 能效 Ｏ ｔ 是 高
机 、 费 电 予 、 Ｅ 照 明 、 疗 、 业 、 事 ／ 空 及 电 源 应 消 ＬＤ 医 工 军 航
态 事 件 ， 简 化 了 辅 助 电 源 设 计 ， 减 小 供 电 电压
（ ｃ 电容 尺 寸 。 为尽 量 减 少 外 部元 件 数 量 ， 些 ｖｃ ） 这 控制 器 集 成 了输 入 欠 压 、 过 载 补 偿 及斜 坡 补 偿 功
－
电 子 工 业 董 用 设 备
・
行 业快 讯 ・

安森美半导体高能效智能电表电源方案


６ ． 牛
参 数参见 图２ 。
ｌ Ｉ 帅Ｑ 【１ ｌ ［ ｍＡ１ ｌ ｛卜 ｋ
提 供 不 同 电流 电平 的 Ｄ －Ｄ 开 关 稳 压 器 Ｃ Ｃ
工 程 师 同 样 可 以 根 据 具 体 应 用 选 择
安 森 美 半 导 体 的 不 同 ＤＣ—ＤＣ开 关 稳 压 器
在ＡＣ— 电源 转换 部分 ，可 以选 用安森 美 半 ＤＣ
源 所 需 的 全 部 特性 ，包 括 软 启 动 、频 率 抖 动 、短 路 保 护 、跳 周 期 、最 大 峰 值 电流 设 定 点 及 动 态 自 供 电（ 不需要 辅 助绕组 ） 。在正 常负 载工 作期 间 ， 等
ＮＣＰ １ 以 ６ 、 １ ０ １ ０ ｋ Ｚ １ ０ ｘ ５ 及 Ｈ 中的 某一频 率 开 ０ ３
压 保 护 及输 出 欠压 保 护 、限 流及 短 路保 护 ） 。这 器 件 的输 入 电 压 范 围 为４． 至 ２ Ｖ，输 出 电压 可调 ７ ４
Ｌ Ｍ２ ９ ／ ／ 、 ＮＣ ３ ２ ／ 脉 宽 调 制 （ Ｗ Ｍ） ５ ４ ５６ Ｐ ０ ０１ １ Ｐ 控 制 器及 Ｎ １ ３ Ｗ Ｍ控制 器。 ＣＰ ４ Ｐ ０ 以 ＮＣ ３ ５ Ｐ １ 为例 ，这 是安 森美 半导 体 新推 出 ５ 的一款 ＤＣ ＤＣ同步 降压 稳压 器 ，包含 ＮＣＰ １ ５ — ３ Ａ ５ 和 Ｎ ３１ ５Ｂ 个版 本 。 ＮＣＰ １ 包 含 全集 成 ＣＰ 两 ５ ３ ５ ５ 电源开关（８ ４ Ｑ高 端 Ｆ Ｔ １ ｍ 及 ｍ Ｑ低 端 Ｆ Ｔ ， Ｅ ８ ） Ｅ 提 供完 整 的故 障保 护 特 性 （ 入 欠压 锁 定 、输 出过 输
兰
！ 塞ｌ 堡
关 ；而当电 流设定点 降到低 于 某个给 定值 （ 如 输 出功 率需 求 消失 ） ，Ｎ １ １ 自 动进 入 时 ＣＰ ０ Ｘ

安森美半导体 MBR1635 D 开关电源整流器 45V 16A 说明书

MBR1635, MBR1645,MBRB1645, NRVBB1645 Switch-m odePower Rectifiers16 A, 35 and 45 VThese state−of−the−art devices use the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal.Features•Guard−ring for Stress Protection•Low Forward V oltage•175°C Operating Junction Temperature•NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable•These Devices are Pb−Free and are RoHS CompliantMechanical Characteristics:•Case: Epoxy, Molded•Weight:1.9 Grams for TO−2201.7 Grams for D2PAK•Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Leads are Readily Solderable•Lead Temperature for Soldering Purposes:260°C Max. for 10 SecondsMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitPeak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse VoltageDC Blocking Voltage MBR1635MBR1645MBRB1645V RRMV RWMV R354545VAverage Rectified Forward Current Delay (Rated V R, T C = 163°C) Total Device I F(AV)16APeak Repetitive Forward Current, Per Leg(Rated V R, Square Wave,20 kHz, T C = 157°C) Total Device I FRM32ANon−Repetitive Peak Surge Current(Surge Applied at Rated Load ConditionsHalfwave, Single Phase, 60 Hz)I FSM150APeak Repetitive Reverse Surge Current (2.0 m s, 1.0 kHz)I RRM1.0AStorage Temperature Range T stg−65 to +175°C Operating Junction Temperature (Note 1)T J−65 to +175°C Voltage Rate of Change (Rated V R)dv/dt10,000V/m s Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.1.The heat generated must be less than the thermal conductivity fromJunction−to−Ambient: dP/dT < 1/R.Device Package ShippingORDERING INFORMATIONMBR1635G TO−220(Pb−Free)50 Units / Rail1, 4MARKINGDIAGRAMSA= Assembly LocationY= YearWW= Work WeekB16x5= Device Codex= 3 or 4KA= Diode PolarityG= Pb−Free PackageMBR1645G TO−220(Pb−Free)50 Units / RailB1645GAYWWD2PAKCASE 418BSTYLE 34B1645= Device CodeA= Assembly LocationY= YearWW= Work WeekG= Pb−Free PackageMBRB1645T4G D2PAK(Pb−Free)800 Units / Rail34NRVBB1645T4G D2PAK(Pb−Free)800 Units / RailTHERMAL CHARACTERISTICSCharacteristic Symbol Value Unit Maximum Thermal Resistance, Junction−to−Case R q JC 1.5°C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICSCharacteristic Symbol Value UnitMaximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2) (i F = 16 Amps, T C = 125°C)(i F = 16 Amps, T C = 25°C)v F0.570.63VMaximum Instantaneous Reverse Current (Note 2) (Rated dc Voltage, T C = 125°C)(Rated dc Voltage, T C = 25°C)i R400.2mA2.Pulse Test: Pulse Width = 300 m s, Duty Cycle ≤2.0%.Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Typical Reverse Current0.6v F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)10070205010V R , REVERSE VOLTAGE (V)i F , I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R RE N T (A )7.05.03.00.20.40.82.01.0 1.030R Figure 3. Current Derating, Case, Per LegFigure 4. Current Derating, AmbientFigure 5. Forward Power DissipationI F(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (A)168.06.04.02.00P 141012, A V E R A G E P O W E R D I S S I P A T I O N (W )F (A V E )T C , CASE TEMPERATURE (°C)T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)02468155160165170175I F (A V ), A V E R A G E F O R W A R D C U R R E N T (A )24680255075100125150175I F (A V ), A V E R A G E F O R W A R DC U R R E N T (A )14510121410121416182022242628161820150TO −220, 2−LEAD CASE 221B −04ISSUE FDATE 12 APR 2013SCALE 1:1QUDIM MIN MAX MIN MAX MILLIMETERSINCHES A 0.5950.62015.1115.75B 0.3800.4059.6510.29C 0.1600.190 4.06 4.82D 0.0250.0390.64 1.00F 0.1420.161 3.61 4.09G 0.1900.210 4.83 5.33H 0.1100.130 2.79 3.30J 0.0140.0250.360.64K 0.5000.56212.7014.27L 0.0450.060 1.14 1.52Q 0.1000.120 2.54 3.04R 0.0800.110 2.04 2.79S 0.0450.055 1.14 1.39T 0.2350.255 5.97 6.48U0.0000.0500.000 1.27NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: INCH.STYLE 1:PIN 1.CATHODE 2.N/A 3.ANODE 4.CATHODESTYLE 2:PIN 1.ANODE 2.N/A3.CATHODE4.ANODED 2PAK 3CASE 418B −04ISSUE LDATE 17 FEB 2015SCALE 1:1STYLE 1:PIN 1.BASE2.COLLECTOR3.EMITTER4.COLLECTOR STYLE 2:PIN 1.GATE2.DRAIN3.SOURCE4.DRAIN STYLE 3:PIN 1.ANODE2.CATHODE3.ANODE4.CATHODEVDIM MIN MAX MIN MAX MILLIMETERS INCHES A 0.3400.3808.649.65B 0.3800.4059.6510.29C 0.1600.190 4.06 4.83D 0.0200.0350.510.89E 0.0450.055 1.14 1.40G 0.100 BSC 2.54 BSC H 0.0800.110 2.03 2.79J 0.0180.0250.460.64K 0.0900.110 2.29 2.79S 0.5750.62514.6015.88V0.0450.0551.14 1.40STYLE 4:PIN 1.GATE2.COLLECTOR3.EMITTER4.COLLECTOR WWNOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: INCH.3.418B −01 THRU 418B −03 OBSOLETE,NEW STANDARD 418B −04.F 0.3100.3507.878.89L 0.0520.072 1.32 1.83M 0.2800.3207.118.13N 0.197 REF 5.00 REF P 0.079 REF 2.00 REF R 0.039 REF0.99 REF VIEW W −WVIEW W −WVIEW W −W123STYLE 5:PIN 1.CATHODE 2.ANODE 3.CATHODE 4.ANODE MARKING INFORMATION AND FOOTPRINT ON PAGE 2STYLE 6:PIN 1.NO CONNECT2.CATHODE3.ANODE4.CATHODExxxxxxxxxxx AWLYWWGGENERICMARKING DIAGRAM*xx = Specific Device Code A = Assembly Location WL = Wafer Lot Y = YearWW = Work WeekG = Pb −Free Package AKA= Polarity IndicatorICStandard xxxxxxxxG AYWW*For additional information on our Pb −Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SOLDERING FOOTPRINT**This information is generic. Please refer to device data sheet for actual part marking.Pb −Free indicator, “G” or microdot “ G ”,may or may not be present.D 2PAK 3CASE 418B −04ISSUE L DATE 17 FEB 2015DIMENSIONS: MILLIMETERSRectifierAYWW xxxxxxxxG AKAPUBLICATION ORDERING INFORMATIONTECHNICAL SUPPORTLITERATURE FULFILLMENT:。

安森美半导体为三星高性能PC提供电源管理方案


安 森美 半 导 体 为三 星 高 性 能 Ｐ 提 供 电源 管理 方 案 ｃ
安 森 美 半 导 体 （ 国 纳 斯 达 克 上 市 代 号 ：Ｏ Ｎ 宣 布 ， 美 Ｎ Ｎ） 三 星 电 子 已选 用 其 先 进 的 降 压 控 制 器 为 三 星最 新 高 陛 能 个
器 件 中 ，同 时提 供 标 准 的 和 增 强 的 Ｋ Ｅ Ｏ 功 能 ，减 少 了 外 ＥＬ Ｑ ，
培 训 资 料 都 完 全 可 用 。另 外 ，多 种 选 择 卡 使 得 用 户 可 重 组 变 频 器 ， 队满 足 将 来 的 需 要 。 此 次 发 布 会 反 应 良好 ， 会 场 内听 众 表 现 踊 跃 。演 讲 过 后 ， 多 热 心 听 众 对 变频 器 应 用 软 件 硬 件 提 出 问 题 ， Ａ Ｏ 很 ＶＣ Ｎ 代 表 耐 心 解 答 交 流 气 氛 极 为 融 洽
芬 兰 ｖ ｃ Ｎ变频 器 产 品 介 绍 暨新 产 品发 布会 Ａｏ
四 月 四 日上 午 ， 芬 兰 瓦 萨 公 司 北 京 代 表 处 在 ２ ０ 中 ０２ 国 （ 州 ） 国 际 自动 化 展 览 会 会 馆 内 举 办 了 “ 兰 Ｖ Ｃ Ｎ 广 莽 Ａ Ｏ 变 频 器 产 品介 绍 暨 新 产 品 发 布 会 ” 。 １ ９ 年 起 ， Ｖ Ｃ Ｎ迅 速 地 成 为 在 多 种 应 用 场 台 ， 为 各 ９３ ＡＯ 行 各 业 包 括 民用 领 域 ，提 供 优 质 可 靠 的 变 频 器 产 品 的 十 界 眭 著 名 的 供 应商 。在 此 次 发 布 会 上 ， 瓦 萨 公 司 代 表 首 先 简 单 介 绍 了瓦 萨公司 的 ｃ ｘ系 变 频 器 ， 后 着 重 介 绍 了 本 次 发 然 布 会 新 推 出 的 Ｎ 系 列 变 频 器 。 是 一 种 建 立 在 新 型 硬 件 和 ｘ 这
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。

安森美半导体的电源和适配器方案
为了提高电源能效及节能，世界各国包括中国都制定了针对电源能效的规范。

半导体是实现高能效电子产品的重要环节，可以提供满足全球市场相关规范的解决方案。

安森美半导体是其中的代表企业，其所提供的电源和适配器可实现高工作电源能效、低待机能耗及功率因数校正。

丰富的电源及电源适配器参考设计
安森美半导体的电源解决方案涵盖了AC-DC 电源及适配器和DC-DC 电
源，并提供了各种参考设计。

最典型的是为内部和外部电源提供的GreenPoint
参考设计。

这些开放式参考设计为高效电源设计提供了开发路线图，借助原理图、物料单、Gerber 文件、设计说明、测试结果等文档，客户可快速进入市场。

该参考设计符合所有相关全球能效标准，提供了用一个设计进入全球市场的机遇。

以下一些参考设计和实例电路从多方面体现了安森美半导体电源方案的特色。

1) 用于310 W ATX 电源的单芯片CCM PFC+LLC 解决方案：采用
NCP1910 高性能CCM PFC+ LLC 组合(Combo)控制器，符合80 PLUS 金级能
效规范;集成了ON/OFF 和电源正常(Power OK)信号操作，符合ATX12V 规范;
易于配置启动和关闭时序，以满足保持时间和掉电警告要求。

图1：310 W ATX 电源用高性能单芯片CCM PFC+ LLC 组合控制器
2) 240 W 一体式PC 电源：用于高能效一体式PC 电源的12 V、20 A 开
关电源(SMPS)采用NCP1605 控制的频率钳位功率因数校正前端，NCP1397 提。