恒定磁场的旋安培环路定律
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10-4 安培环路定理静电场的一个重要特征是电场强度E 沿任意闭合路径的积分等于零,即0d =⋅⎰l E l,那么,磁场中的磁感强度B 沿任意闭合路径的积分⎰⋅ld lB 等于多少呢?可以证明:在真空的稳恒磁场中,磁感强度B 沿任一闭合路径的积分(即B 的环流)的值,等于0μ乘以该闭合路径所包围的各电流的代数和,即∑⎰==⋅ni lI10 d il B μ (10-8)安培环路定理与静电场环路定理的比较 讨论:安培环路定理的证明如图(a)所示,有一通有电流I 的长直载流导线垂直于屏幕平面,且电流流向垂直屏幕平面向内. 在屏幕平面上取两个闭合路径1C 和2C ,其中闭合路径1C 内包围的电流为I ,而在闭合路径2C 内没有电流. 从图(b )可以看出,由于磁感强度B 的方向总是沿着环绕直导线的圆形回路的切线方向,所以对闭合路径1C 或2C 上任意一线元l d ,磁感强度B 与l d 的点积为ϕαd cos d d Br l B ==⋅l B式中r 为载流导线至线元l d 的距离. 由第10-2节二中例1的式(2),上式可写成ϕμϕμd π2d π2d 00Ir rI==⋅l B (1)对于图(a )的闭合回路1C ,ϕ将由0增至π2. 于是,磁感强度B 沿闭合路径1C 的环流为这就是真空中磁场的环路定理,也称安培环路定理。
它是电流与磁场之间的基本规律之一。
在式(10-8)中,若电流流向与积分回路呈右螺旋关系,电流取正值;反之则取负值。
⎰⎰===⋅1000π2π2d π2d CIIIμμϕμl B (2)可见,真空中磁感强度B 沿闭合路径的环流等于闭合路径所包围的电流乘以0μ,而与闭合路径的形状无关.然而,对于图(a )中的闭合路径2C ,将得到不同的结果,当我们从闭合路径2C 上某一点出发,绕行一周后,角ϕ的净增量为零,即⎰=0d ϕ于是,由式(1)可得⎰=⋅20d c l B (3)比较式(2)和式(3)可以看出,它们是有差别的. 这是由于闭合路径1C 包围了电流,而闭合路径2C 却未包围电流. 于是我们可以得到普遍的安培环路定理:沿任意闭合路径的磁感强度B 的环流为⎰∑=⋅20d c I μl B式中∑I 是该闭合路径所包围电流的代数和 人物简介:安培简介安培(Andre Marie Ampere,1775-1855),法国物理学家,对数学和化学也有贡献,他在电磁理论的建立和发展方面建树颇丰。
安培环路定理在恒定电流的磁场中,磁感强度沿任何闭合路径的线积分等于此路径所环绕的电流的代数和的μ0倍。
安培 载流导线在磁场中所受的作用力。
毕奥-萨伐尔定律实验指出,一个电流元Idl 产生的磁场为场强叠加原理 电场中某点的电场强度等于各个电荷单独在该点产生的电场强度的叠加(矢量和)。
磁场叠加原理 空间某一点的磁场(以磁感强度示)是各个磁场源(电流或运动电荷)各自在该点产生的磁场的叠加(矢量和)。
磁场能量密度单位磁场体积的能量。
磁场强度是讨论有磁介质时的磁场问题引入的辅助物理量,其定义是磁场强度的环路定理 沿磁场中任一闭合路径的磁场强度的环量(线积分)等于此闭合路径所环绕的传导电流的代数和。
磁畴 铁磁质中存在的自发磁化的小区域。
一个磁畴中的所有原子的磁矩(铁磁质中起主要作用的是电子的自旋磁矩)可以不靠外磁场而通过一种量子力学效应(交换耦合作用)取得一致方向。
磁化 在外磁场作用下磁介质出现磁性或磁性发生变化的现象。
返回页首磁化电流(束缚电流) 磁介质磁化后,在磁介质体内和表面上出现的电流,它们分别称作体磁化电流和面磁化电流。
磁化强度 单位体积内分子磁矩的矢量和。
磁链 穿过一个线圈的各匝线圈的磁通量之和称作穿过整个线圈的磁链,又称"全磁通"。
磁屏蔽 闭合的铁磁质壳体可有效地减弱外界磁场对壳内空间的影响的作用称作磁屏蔽。
磁通连续原理(磁场的高斯定理)在任何磁场中,通过任意封闭曲面的磁通量总为零。
磁通量 通过某一面积的磁通量的概念由下式定义磁滞伸缩 铁磁质中磁化方向的改变会引起介质晶格间距的改变,从而使得铁磁质的长度和体积发生改变的现象。
磁滞损耗 铁磁质在交变磁场作用下反复磁化时的发热损耗。
它是磁畴反复变向时,由磁畴壁的摩擦引起的。
磁滞现象铁磁质工作在反复磁化时,B 的变化落后于H 的变化的现象。
D 的高斯定理通过任意闭合曲面的电位移通量等于该闭合面所包围的自由电荷的代数和。
其表示式是带电体在外电场中的电势能即该带电体和产生外电场的电荷间的相互作用能。