R1 R2 ∆R1 ∆R2 ∆R3 ∆R4 U I U0 = − + − 2 (R1 + R2 ) R1 R2 R3 R4
通常采用全等臂形式工作,即Rl=R2=R3=R4(初始值)。 且当四个桥臂均为应变片时,其相应的电阻变化为
∆R1 , ∆R2 , ∆R3和∆R4
UI 这样式(3-3)可变为: U 0 = 4
例:半桥测量时进行温度补偿。测量下图中的试件时,采用两片型号、 初始电阻值和灵敏度都相同的应变片Rl和R2。Rl贴在试件的测试点上,R2 贴在试件的应变为零处,或贴在与试件材质相同的不受力的补偿块上。 Rl和R2处于相同的温度场中,并接成双臂电桥(相邻臂)形式。当试件受 力并有温度变化时,应变片Rl的电阻变化率为: ∆R1/R1=∆R1e/R1e+∆R1t/R1 式中:∆R1e/R1e——R1由应变引起的电阻变化率; ∆R1t/R1——Rl由温度引起的电阻变化率。 应变片R2(温度补偿片)的电阻变化率为:∆R2/R2=∆R2e/R2e
如半导体硅,πL=(40~80)×10-11m2/N, E=1.67×1011N/m2,则k0=πLE=50~100。显然半导 体电阻材料的灵敏系数比金属丝的要高50~70倍。
二、结构特点
1、体形半导体应变片 条状半导体单晶硅或锗。 2、扩散性半导体应变片 最常用的半导体电阻材料有硅和锗,掺入杂质可 形成P型或N型半导体。 注意事项: 注意事项:由于半导体(如单晶硅)是各向异性材料, 因此它的压阻效应不仅与掺杂浓度、温度和材料类型 有关,还与晶向有关(即对晶体的不同方向上施加力 时,其电阻的变化方式不同)。
3-2金属电阻应变式传感器
一、电阻应变效应:假设金属应变片金属丝的长度为L,截面积为A、半 径为r、电阻率为ρ,则金属丝的初始电阻R可表示为: