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三极管三个管脚识别1、由三极管外形判断三个管脚2、用万用表测量判断可以用万用表来初步确定三极管的好坏及类型 (NPN 型还是 PNP 型 ),并辨别出e （发射极）、b（基极）、c（集电极）三个电极。
测试方法如下 :①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型:将万用表欧姆挡置 \× 100\或\lk\处,先假设三极管的某极为\基极\并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至几千欧 ),则假设的基极是正确的,且被测三极管为 NPN 型管；同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧 ), 则假设的基极是正确的,且被测三极管为PNP 型管。
如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为\基极\，再重复上述测试。
②判断集电极c和发射极e:仍将指针式万用表欧姆挡置 \× 100\或\× 1k\处,以NPN管为例,把黑表笔接在假设的集电极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极 ( 不能使b、c直接接触 ), 通过人体 , 相当 b 、 C 之间接入偏置电阻 , 读出表头所示的阻值 , 然后将两表笔反接重测。
若第一次测得的阻值比第二次小 , 说明原假设成立 , 因为 c 、 e 问电阻值小说明通过万用表的电流大 , 偏置正常。
③用数字万用表测二极管的挡位也能检测三极管的PN结,可以很方便地确定三极管的好坏及类型,但要注意,与指针式万用表不同,数字式万用表红表笔为内部电池的正端。
例:当把红表笔接在假设的基极上, 而将黑表笔先后接到其余两个极上, 如果表显示通〈硅管正向压降在0.6V 左右 ), 则假设的基极是正确的 , 且被测三极管为 NPN 型管。
数字式万用表一般都有测三极管放大倍数的挡位(hFE), 使用时 , 先确认晶体管类型 , 然后将被测管子 e 、b 、c三脚分别插入数字式万用表面板对应的三极管插孔中,表显示出hFE 的近似值。
概述三极管的分类、符号、识别和检测方法等内容三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
它是由三个掺杂不同材料的半导体层组成的，具有放大电流、开关控制等功能。
根据不同的工作原理和结构，三极管可以分为晶体管、双极型三极管、场效应管等几种类型。
本文将对三极管的分类、符号、识别和检测方法等内容进行详细介绍。
一、三极管的分类1. 晶体管晶体管是最早被发明的一种三极管，通常由P型半导体和N型半导体组成。
晶体管分为NPN型和PNP型两种，其中NPN型的结构是先N材料后P材料，PNP型的结构则是先P材料后N材料。
晶体管主要用于放大电路中，可以通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流。
2. 双极型三极管双极型三极管是一种特殊的晶体管，其结构和工作原理与晶体管类似，但是其基极、发射极和集电极之间的结构略有不同。
双极型三极管主要包括晶体管、功率三极管、双极锁相环等几种类型，广泛应用于各种机电设备中。
3. 场效应管场效应管是一种应用最为广泛的三极管，其结构包括栅极、漏极和源极三个部分。
场效应管主要包括MOS场效应管、JFET场效应管等几种类型，其工作原理是通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流。
以上是三极管的主要分类，不同类型的三极管在电子设备中具有不同的应用场景和性能特点，了解各种类型的三极管对于电子工程师来说是十分重要的。
二、三极管的符号三极管的符号通常由一个三角形和三根线组成，分别代表基极、发射极和集电极。
对于NPN型的晶体管，三角形的底边为一个实线，表示N型材料，细线表示P型材料，而对于PNP型的晶体管，则相反。
在电路图中，三极管通常使用符号来表示其类型和连接方式，方便工程师们快速识别和设计电路。
三、三极管的识别方法1. 外观识别三极管的外观通常是一个黑色的小型元件，表面标有型号、生产厂商等信息，通过这些信息可以初步确定其类型和参数。
此外，三极管的引脚也是区分不同类型的关键因素之一，一般来说，晶体管的引脚排列为基、发、集的顺序，而场效应管则为栅、漏、源的顺序。
三极管的识别和检测方法三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
然而，在实际应用中，我们经常需要识别和检测三极管的好坏。
本文将介绍三极管的识别和检测方法。
一、三极管的识别1．标识识别：三极管的标识通常印在管子的外壳上。
标识包括型号、规格、生产厂家等信息。
通过查看标识，我们可以了解三极管的基本参数和使用范围。
2．管脚识别：三极管有三个管脚，分别是基极、发射极和集电极。
在识别管脚时，我们可以根据标识或者使用万用表进行测量。
通常，标识会标明管脚的排列顺序。
如果没有标识，我们可以通过万用表测量每个管脚之间的电阻值，从而确定管脚的排列顺序。
二、三极管的检测1．电阻法检测：使用万用表测量三极管的各个管脚之间的电阻值，可以判断三极管的好坏。
正常情况下，基极与集电极之间的电阻值应比发射极与集电极之间的电阻值大得多，同时基极与发射极之间的电阻值应比基极与集电极之间的电阻值小得多。
如果测量的电阻值不符合这些规律，则说明三极管可能存在故障。
2．放大倍数检测：使用示波器或信号发生器等设备，可以测量三极管的放大倍数。
将信号发生器产生的信号输入到基极，观察集电极的输出信号幅度，可以计算出三极管的放大倍数。
如果放大倍数正常，则说明三极管工作正常。
3．温度稳定性检测：将三极管放置在恒温箱中，观察在不同温度下的放大倍数变化情况。
如果放大倍数变化较大，则说明三极管的温度稳定性较差，可能存在故障。
4．稳定性检测：使用示波器观察三极管的输入和输出信号波形，可以判断三极管的稳定性。
如果输入和输出信号波形存在较大差异或不稳定，则说明三极管可能存在故障。
总之，识别和检测三极管是电子设备维修和调试的重要环节。
通过掌握正确的识别和检测方法，我们可以快速准确地判断三极管的好坏，为电子设备的正常运行提供保障。
三极管的识别检测教学设计一、教学目标1.了解三极管的基本结构和工作原理；2.学会识别三极管的引脚排列和标识；3.掌握三极管的常见参数和性能；4.能够通过测量和实验操作来检测三极管的性能。
二、教学内容1.三极管的基本结构和工作原理；2.三极管的引脚排列和标识；3.三极管的常见参数和性能；4.三极管的识别和检测方法。
三、教学步骤第一步：引入（10分钟）1.引导学生回顾电子元器件的基本知识，如电阻、电容等；2.提问：你们是否知道三极管是什么？有什么作用？第二步：讲解三极管的基本结构和工作原理（30分钟）1.通过图片和示意图，讲解三极管的基本结构和主要部件；2.说明三极管的工作原理，包括输入、输出端的关系和信号放大功能。
第三步：讲解三极管的引脚排列和标识（30分钟）1.介绍三极管的引脚排列和标识的基本规则；2.展示常见的三极管引脚图，并解释其含义；3.给学生分发课件或教材，供学生查阅引脚排列和标识。
第四步：讲解三极管的常见参数和性能（30分钟）1.介绍三极管的常见参数，如最大耗散功率、最大漏极电压、最大封装功率等；2.介绍三极管的工作特性，如放大倍数、频率响应等。
第五步：对三极管进行识别和检测（40分钟）1.示范如何通过外观和标识识别三极管的型号；2.展示几种常见的检测方法，如使用万用表或示波器来检测三极管的参数和性能；3.通过实验操作，让学生掌握使用这些方法来检测三极管的能力；4.引导学生分析实验结果，并对三极管的参数和性能进行评估。
第六步：总结和评价（20分钟）1.总结本节课的主要内容和要点；2.提问：你能够看到三极管的引脚排列和标识后识别它的类型吗？3.提问：通过什么方法可以检测三极管的参数和性能？4.对学生的学习情况进行评价，并提供个别指导。
四、教学资源准备1.三极管的实物样本；2.三极管的引脚排列和标识的图片或图示；3.万用表和示波器等仪器设备；4.课件或教材。
五、教学评估方法1.学生的课堂参与情况；2.学生的实验操作情况及结果；3.学生的课后作业完成情况，如填写实验报告或解答问题。
晶体三极管的识别和检测晶体三极管又称半导体三极管，简称晶体管或三极管。
在三极管内，有两种载流子：电子与空穴，它们同时参与导电，故晶体三极管又称为双极型晶体三极管，它的基本功能是具有电流放大作用。
一、结构NPN和PNP型两类三极管的结构如图。
它有两个PN结（分别称为发射结和集电结），三个区（分别称为发射区、基区和集电区），从三个区域引出三个电极（分别称为发射极e、基极b和集电极c）。
发射极的箭头方向代表发射结正向导通时的电流的实际流向。
为了保证三极管具有良好的电流放大作用，在制造三极管的工艺过程中，必须作到：①使发射区的掺杂浓度最高，以有效地发射载流子；②使基区掺杂浓度最小，且区最薄，以有效地传输载流子；③使集电区面积最大，且掺杂浓度小于发射区，以有效地收集载流子。
半导体三极管亦称双极型晶体管，其种类非常多。
按照结构工艺分类，有PNP和NPN型；按照制造材料分类，有锗管和硅管；按照工作频率分类，有低频管和高频管；一般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中，高频管的工作频率可以达到几百兆赫。
按照允许耗散的功率大小分类，有小功率管和大功率管；一般小功率管的额定功耗在1W以下，而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。
1、共射电流放大系数β：β值一般在20～200，它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数。
2、反向击穿电压值U(BR)CEO：指基极开路时加在c、e两端电压的最大允许值，一般为几十伏，高压大功率管可达千伏以上。
3、最大集电极电流I CM ：指由于三极管集电极电流I C过大使β值下降到规定允许值时的电流（一般指β值下降到2/3正常值时的I C值）。
实际管子在工作时超过I CM并不一定损坏，但管子的性能将变差。
4、最大管耗P CM ：指根据三极管允许的最高结温而定出的集电结最大允许耗散功率。
在实际工作中三极管的I C与U CE的乘积要小于P CM值，反之则可能烧坏管子。
5、穿透电流I CEO：指在三极管基极电流I B=0时，流过集电极的电流I C。
10+ 临沂市工业学校教案
附件：【任务书】或【学案】
2
《三极管的识别与检测》任务书
教学过程：
一、知识链接：
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件。
其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作无触点开关。
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。
它具有结构牢固、寿命长、体积小、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。
二、合作自学：
1、三极管的外形
特点：有三个电极，故称三极管。
2、三极管的结构
三极管是由两个PN结构成的，其基本特性是具有电流放大作用。
三极管按其结构不同分为NPN型和PNP型两种。
相应的结构示意图及电路符号如图2.1所示。
特点：
有三个区——发射区、基区、集电区；
两个 PN 结——发射结(BE 结)、集电结(BC 结)；
三个电极——发射极 e(E) 、基极 b(B) 和集电极 c(C)；
两种类型—— PNP 型管和 NPN 型管。
工艺要求：发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区体积大且掺杂少。
三极管内部结构分为发射区、基区和集电区，相应的引出电极分别为发射极e、基极b和集电极c。
发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为集电结。
电路符号中，发射极的箭头方向表示三极管在
正常工作时发射极电流的实际方向。
三极管在制作时，其内部结构特点是：
(1) 发射区掺杂浓度高；
(2) 基区很薄，且掺杂浓度低；
(3) 集电结面积大于发射结面积。
以上特点是三极管实现放大作用的内部条件。
3、晶体三极管的符号
箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。
文字符号：V
三、教师讲解：
1、晶体三极管的分类
按内部结构分：有 NPN 型和 PNP 型管；
按工作频率分：有低频和高频管；
按功率分：有小功率和大功率管；
按用途分：有普通管和开关管；
按半导体材料分：有锗管和硅管等等。
2、三极管的电流放大作用
三极管放大的条件
三极管实现电流放大的外部偏置条件：发射结正偏，集电结反偏，此时，各电极电位之间的关系是：
NPN型U C＞U B＞U E
PNP型U C＜U B＜U E
3、晶体三极管在电路中的基本连接方式
有三种基本连接方式：共发射极、共基极和共集电极接法。
最常用的是共发射极接法。
4、三极管内电流的分配和放大作用 电流分配关系 I E = I C + I B
因 I B 很小，则I C ≈ I E
由上述实验结果可知，当I B 有一微小变化时，能引起I C 较大的变化，这种现象称为三极管的电流放大作用。
电流放大作用的实质是通过改变基极电流I B 的大小，达到控制I C 的目的，而并不是真正把微小电流放大了，因此称三极管为电流控制型器件。
5、三极管的特性曲线 输入特性曲线
三极管的输入特性曲线如图2.5所示。
由图2.5所示的输入特性曲线可以看出：
曲线是非线性的，也存在一段死区，当外加U BE 电压小于死区电压时，三极管不能导通，处于截止状态。
三极管正常工作时，U BE 变化不大，对于硅管，U BE 约为0.7V 左右，锗管的约为0.3V 左右。
输出特性曲线
当I B 取值不同时，就有一条不同的输出特性曲线，如图2.6所示。
B
C
I I ∆∆=β
三极管的三个工作区
(1) 三极管输出特性曲线中，I B=0的输出特性曲线以下，横轴以上的区域称为截止区。
其特点是：发射结和集电结均为反偏，各电极电流很小，相当于一个断开的开关。
(2) 输出特性曲线中，截止区以上平坦段组成的区域称为放大区。
其特点是：发射结正偏，集电结反偏。
此时I C受控于I B；同时I C与U CE基本无关，可近似看成恒流。
此区内三极管具有电流放大作用。
(3) 输出特性曲线中，U CE≤U BE的区域，即曲线的上升段组成的区域称为饱和区。
饱和区的特点是：发射结和集电结均为正偏。
饱和时的U CE称为饱和压降，用U CES表示，U CES很小，一般约为0.3V。
工作在此区的三极管相当于一个闭合的开关，没有电流放大作用。
6、三极管主要参数
1）共发射极电流放大系数：直流放大系数、交流放大系数
电流放大系数一般在 10 ~ 100 之间。
太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。
一般取 30 ~ 80 为宜。
2）集电极——基极反向饱和电流I CBO。
集电极——发射极反向饱和电流I CEO。
反向饱和电流随温度增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。
因此，常把它作为判断管子性能的重要依据。
硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。
3)集电极最大允许电流I CM
三极管工作时，当集电极电流超过I CM 时，管子性能将显著下降，并有可能烧坏管子。
集电极最大允许耗散功率P CM
当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时，管子性能变坏或烧毁。
集电极——发射极间反向击穿电压V(BR)CEO
管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。
当电压越过此值时，管子将发生电击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子。
四、强化训练：
三极管的简单测试
1、硅管或锗管的判别
实训内容评分标准分值得分
8min内完成6只三极管的识别工作并记录1、元件识别错误每次扣2分。
2、引脚识别有误差每次扣2分
40分
5min内完成6只三极管的检测工作并记录1、万用表档位选错每次扣3分
2、测量过程中未校零扣3分
3、量程选择错误每次扣2分
4、测量结果错误每次扣2分
30分
5min内完成6只三极管检测并
记录
30分
安全文明操作1、损坏、丢失元器件，扣1~5分
2、物品随意乱放扣1~5分
10分总评成绩
自我评价
六、课堂小结：
1、熟悉电感器的分类并了解三极管的主要参数
2、掌握三极管的识别与检测技能
作业：结本节课要点。
