哈工大电气工程考研真题电路和数电0304050896
- 格式:pdf
- 大小:8.68 MB
- 文档页数:42
a bo U2V一、填空或在括号中正确答案处划√(1-4题每题2分,5题4分,共12分) 1. RLC 串联电路的品质因数Q 为 。
品质因数Q 越大, 则其通带宽度越 。
2. 提高电路功率因数的意义为 。
在实际电路中串联电容提高功率因数(可行,不可行)。
3.图1所示电路正弦交流电路,电压表1V 的读数是9V ,电压表2V 的读数是V 4,电压表3V 的读数是6V ,则电压表V 的读数=V 。
4. 图2所示电路中,电压表V 的读数为 。
(电压表内阻视为无穷大)图1 图2 图35. 图3所示电路的输出电压o U = 。
二、简问答题(5分)如何计算非正弦周期电流电路的平均功率?该求解方法与直流电路中功率不能叠加的结论是否相悖?为什么?三、计算题(每题5分,共15分))1. 图4(a)所示电路中,非线性电阻的电压、电流关系如图4(b)所示,求电压U 。
+-A B CSU图42. 图5所示电路中0N 为只含线性电阻的网络,已知开关S 在位置1和位置2时,电流I 分别为4-A 和2A ,求开关在位置3时,电流I 为多少?图53. 图6所示三相电路接于对称三相电源,电源端的线电压为300V ,负载每相阻抗(9j 12)Z =+Ω。
(1)当开关S 闭合时,求有效值A I 。
(2)当开关S 断开,再求有效值A I 、B I 和C I 。
图6四、计算题(每题7分,共21分)1. 图7所示直流电路中,当R →∞时, 1.6A I =,当12R =Ω时,2.5A I =。
求当3R =Ω时,电流I =?图72. 图8所示正弦交流电路,已知220A I =∠︒ ,求电压U及整个电路吸收的有功功率和无功功率。
图8+-U+-1u2Cu Ωu3. 图9所示电路中,电流60)i t =+A ,4110F C -=,电压源S 5cos(50060)8cos(100075)V u t t =++++ 。
试求2,,R L C 。
图9五、计算下列各题(每小题9分,共27分)1. 图10所示直流电路中,求负载L R 为何值时它可以获得最大功率,获得的最大功率max P 为多少?图102. 图11所示正弦电路中,已知)10cos(230S t u =V ,H 12==M L ,H 21=L ,4I U 求电流2i 和电压1u 为多少?图113. 图12所示线性直流电路中,S120V U =,S24V U =,S 1A I =。
004电气工程及自动化学院
学科代码、名称招生
人数
考试科目
0804仪器科学与技术
(按一级学科报名,含080401精密仪器技术与工程(含光电信息技术与仪器工程)、080402测试计量技术及仪器两个二级学科)105①101政治②201英语一或202俄或203日③301数学(一)④826电子技术基础
可选下列学科考题:光学工程、机械工程
085203仪器仪表工程(全日制工程硕士)①101政治②201英语一或202俄或203日③301数学(一)④826电子技术基础
可选下列学科考题:光学工程、机械工程
0808电气工程
(按一级学科报名,含080801电机与电器、080802电力系统及其自动化、080803高电压与绝缘技术、080804电力电子与电力传动、080805电工理论与新技术五个二级学科)140①101政治②201英语一或202俄或203日③301数学(一)④827电路与数字电子技术
085207电气工程(全日制工程硕士)①101政治②201英语一或202俄或203日③301数学(一)④827电路与数字电子技术。
第1章电力电子器件填空题:1.电力电子器件一般工作在________状态。
2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为________,而当器件开关频率较高时,功率损3.电力电子器件组成的系统,一般由________、________、________三部分组成,由于电路中往往需添加________。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为________、_______5.电力二极管的工作特性可概括为________。
6.电力二极管的主要类型有________、________、________。
7.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 ____ 正向有触发则导通、反向截止 ____ 。
9.对同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L________I H。
10.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为,U DRM________Ubo。
11.逆导晶闸管是将________与晶闸管________(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的________结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为________。
14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对止区对应后者的________、前者的饱和区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的_____15.电力MOSFET的通态电阻具有________温度系数。
16.IGBT 的开启电压U GE(th)随温度升高而________,开关速度________电力MOSFET 。
17.功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是________。
18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为____19.为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是________。
一. 计算下列各题(每小题6分,共18分)1.图1所示电路中,当U S =10V 时,I =1A ;当U S =13V 时,I =1.2A ;求当U S =25V 时,I = A 。
U S3j Ω图1 图22.图2所示电路中,已知0210I A =∠,求电压U及整个电路吸收的有功功率和无功功率。
3.某电路的节点电压为U 1和U 2,节点电压方程组可表示为:1212111413421,,S S S I I G G G U G G G G G U I μ++-⎡⎤⎡⎤⎡⎤=⎢⎥⎢⎥⎢⎥--++-⎣⎦⎣⎦⎣⎦试画出该电路可能的结构。
二.计算下列各题(每小题7分,共21分)1. 图3所示电路中,负载R L 为多大时,它可获得最大功率?最大功率为多少?R L2U图3图42. 图4所示正弦交流电路中,线圈1的参数为R 1=1Ω,L 1=0.04H ,线圈2的参数为R2=5Ω,L 2=0.06H 。
两线圈有互感,互感系数M=0.01H 。
端口电压t 。
求线圈2两端电压U 2和电流I 的有效值。
3.图5所示电路中,S u t。
求电流i 1的瞬时值和有效值及电压源提供的平均功率。
图5三. 计算下列各题(每小题9分,共45分)1.图6所示电路中,已知:U S1=13V ,U S2=6V ,I S =2A ,r =1Ω。
试求3个独立电源各自发出的功率。
UI Sz z 2图6 图72.图7所示对称三相电路中,已知电源线电压为380V ,线路阻抗1(12)Z j =+Ω,负载每相阻抗2(96)Z j =+Ω,求三相负载的线电压、相电流及它吸收的平均功率。
3.图8所示正弦交流电路中,01000S U V =∠,410/rad s ω=,1210L L ωω==Ω。
6M ω=Ω,10R =Ω。
求:(1)C为何值时I为最小?I 的最小值为多少?(2)C 为何值时I 为最大?I 的最大值为多少?M图84.图9所示电路原处于稳态,当t =0时,开关闭合。