硅片不良片判定

光为绿色新能源有限公司硅片检验标准编号：LW-BZ-009-A1版本：A/1版受控状态：编制部门：技术中心发放编号：编制：日期:审核：日期：批准：日期:实施日期:发布日期:文件更改申请单硅片检验标准1目的规范多晶硅片检测标准。

2适用范围本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。

3定义3.1检测工具：数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS20血阻率测试、少子寿命测试 WT-200Q3.2检测术语斑点定义：在光强430-650LUXCF,距离眼睛40cm,成30-45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。

翘曲度：硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即 a值）。

弯曲度：硅片中心凸起处于参考平面距离差值（即 z值）硅落：硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。

崩边：以硅片边缘为参考线向内部延伸深度0 0.5mm长度0 1.5mmt不能崩透的缺损属于崩边c 缺口：光强430-650LUX,目光与硅片成30-45 ° ,距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口, 看不到的不属于缺口。

水印：未充分烘干，水分蒸发后残留物。

表面玷污：硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。

游离碳黑线：清洗后距离硅片上边缘 5mrmA内的黑色区域。

微晶：每1cm2长度上晶粒个数＞ 10个。

4 职责权限4.1技术部负责制定硅片检验标准；4.2质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。

5正文5.1表面质量表面质量通过生产人员的分选判定，目测外观符合附表1相关要求。

对整包硅片重点查看B4 （崩边），B7 （线痕）、B8 （厚度差值）、缺口、碎片、油污等情况；整包里的 B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗；B7、B8片手感表现较重，不易区分或存在争议时，利用分选机重新分选。

5.2外型尺寸几何尺寸符合附表1相关要求，在研磨倒角处控制。

菱形片0.6-1.0㎜线痕片20-50um弯曲片0.5-0.8㎜（任意一条边以测量最大值计算）（凹进或凸出20-50um）（包括应力片）外形片0.6-1.0mm倒角偏差0.6-1.5mm超厚片220-250um (任意一角以测量最大值计算)（以任意两角最大值相加计算）超薄片150-160um硅晶脱落≤0.3mm 毛边≤0.3mm（双面缺损不在同一位置）尺寸不良124.50-126.00mm 尺寸不良148.00-149.50mm 尺寸不良150.50-151.50mm（两边相差不超过1.0mm ）B 等品电阻率6-10Ω.cm台阶片≤20um厚薄不均最薄不低于150um 最厚不超过280um TTV50-70um边道翘曲0-80um 边道翘曲边缘测量值280umC等品倒角偏差1.5-2.0mm外形片1.0-2.0mm菱形片1.0-1.5mm（以任意两角最大值相加计算）(任意一角以测量最大值计算)（任意一条边以测量最大值计算）线痕片50-80um超厚片250-280um硅晶脱落≤0.5mm（凹进或凸出）（双面缺损不在同一位置）C 等品毛边≤0.5mm尺寸不良124.00-124.50mm尺寸不良126.00-127.00mm尺寸不良151.50-153.00mm 尺寸不良146.50-148.00mm 电阻率退火后6-10Ω.cmC等品边道翘曲80-150um边道翘曲边缘测量值350um厚薄不均150-280um TTV70-100um不合格品倒角偏差＞2.0mm外形＞2.0mm硅晶脱落＞0.5mm毛边＞0.5mm超薄片＜150um弯曲＞0.8mm电阻率＞10Ω.cm电阻率＜0.5Ω.cm超厚片＞280um边道翘曲＞150um孪晶片台阶片＞20um线痕＞80um缺角孔洞外形〉2.0mm隐裂纹。

版本状态临时版文件名称硅片检验页码1/5编制/日期：审核/日期批准/日期：1．目的监测硅片质量，确保电池片质量稳定。

J2．适用范围适用于本公司品质部对所有来料硅片质量的监视和测量。

3．职责3.1 品质部负责制订硅片检验文件。

3.2 品质部负责来料硅片质量的控制。

4．检验4.1核对对照送检单，核对硅片的来源、规格和数量，供方所提供的参数、如电阻率、厚度、对角线长、边长。

检查供方出具的材质报告（碳含量、氧含量、晶向及位错密度），如有不符，须先与采购部沟通，无误后进行检验。

4.2 外观检验4.2.1用刀片划开封条，划时刀片不宜切入太深，刀尖深入不要超过5mm，防止划伤泡沫盒内的硅片。

塑封好的硅片，用刀尖轻轻划开热缩膜四个角，然后撕开热缩膜。

4.2.2 抽出两边的隔版，观察盒内有没有碎片，如有则要及时清理碎片。

4.2.3 检验时戴PVC手套。

从盒内拿出100片硅片（不得超过100片），先把硅片并齐并拢后观察硅片四边是否对齐平整,并用硅片模板进行对照，鉴别是否存在尺寸不对的现象，如不符合，则用游标卡尺测量，并及时记录于硅片外观检验原始记录表上。

4.2.4 再将100片硅片分出一部分使其旋转90度或180度，再并拢观察硅片间是否有缝隙，如有则说明有线痕或是TTV超标的现象。

将缝隙处的硅片拿出来，用MS-203测硅片上不固定的数点厚度(硅片边缘2-5cm以内取点),根据厚度结果确定是否超标。

将线痕、TTV超标片区别放置。

再观察四个倒角是否能对齐，如有偏差，对照硅片模板进行鉴别，把倒角不一致硅片分开放置。

并在硅片外观检验原始记录表上分别记录数量。

4.2.5 观察硅片是否有翘曲现象，翘曲表现为硅片放在平面上成弧形或是一叠硅片并拢后容易散开。

如有，则要把硅片放在大理石平面上，用塞尺测量其翘曲度，将翘曲度超标片区别放置，在硅片外观检验原始记录表上记录数量。

4.2.6 逐片检验硅片，将碎片、缺角、崩边、裂纹、针孔、污物、微晶（特指多晶硅片）等不合格品单独挑出，分别存放，并在硅片外观检验原始记录表上记录。

各种不良硅片的表现形式及改善方法各种不良硅片的表现形式及改善方法一、线痕分类：线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。

各种线痕产生的原因如下：1、杂质线痕：由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片上产生相关线痕。

表现形式：（1）线痕上有可见黑点，即杂质点。

（2）无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对，即一片中凹入，一片凸起，并处同一位置。

（3）以上两种特征都有。

（4）一般情况下，杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。

改善方法：（1）改善原材料或铸锭工艺，改善IPQC检测手段。

（2）改善切片工艺，采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。

其它相关：硅锭杂质除会产生杂质线痕外，还会导致切片过程中出现"切不动"现象。

如未及时发现处理，可导致断线而产生更大的损失。

2、划伤线痕：由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。

切割过程中，SIC 颗粒"卡"在钢线与硅片之间，无法溢出，造成线痕。

表现形式：包括整条线痕和半截线痕，内凹，线痕发亮，较其它线痕更加窄细。

改善方法：（1）针对大颗粒SIC（2.5~3D50），加强IQC检测；使用部门对同一批次SIC先进行试用，然后再进行正常使用。

（2）导致砂浆结块的原因有：砂浆搅拌时间不够；SIC水分含量超标，砂浆配制前没有进行烘烤；PEG水分含量超标（重量百分比<0.5%）；SIC成分中游离C（<0.03%）以及<2μm微粉超标。

其它相关：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韧性等，各项性能对于切片都有很大的影响。

3、密布线痕（密集型线痕）：由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密集线痕区域。

表现形式：（1）硅片整面密集线痕。

（2）硅片出线口端半片面积密集线痕。

（3）硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。

（4）部分不规则区域密集线痕。

（5）硅块头部区域密布线痕。

硅片不良品退库标准
一、目的
1：控制硅片质量，以确保电池片外观，性能等特性满足客户要求；
2：统一电池，切片车间关于硅片的退换标准；
二、适用范围
1：电池，切片车间
2：所有来料硅片
三、标准
1：以《单晶硅片检验标准》，《多晶硅片检验标准》标准为依据；2：本标准作为以上两份标准的补充；
四：备注
1.标准中的退库指：电池车间的不良品退给切片车间；
2.标准中的电池片成品指：印刷烧结完毕后的成品电池片；
3.标准中的等外品指：破片，隐裂片，碎片，组件上过焊条的电池片；
4.标准中的半成品的硅片指：非原始硅片，非电池片；
5.易造成硅片破损、隐裂或严重影响车间正常生产，需要双方确认；
6.由片源问题使组件产生电性能异常，目前标准中未提及的，需要试验确认；
7.对于其他难以判定的不良，各部门需协商解决；
8.由于电池车间员工原因造成电池片破碎的，不予退换；
9.原始，电池片硅片退换时，尽可能提供相关信息，合格证标签、包装日期、
检验员号（三角章内检验员号），以便于切片车间查找原因。

10.工艺后的硅片，电池片，或者是焊接后的电池片退换时由于标签纸缺失；退
库时只要符合退库标准的应予与退库，相关信息只能尽可能完善，但不作为不可退换之理由。

11.原始硅片，半成品电池片，成品电池片和焊接后的电池片退库是要分开存放
12.硅片退库，做好信息跟踪。

项目公司：
类别定义
单一线痕硅片表面只有一条的非杂质线痕
线痕
亮线硅片表面有发亮或发黒的线痕台阶线痕硅片表面因为线痕造成的Z形台阶
杂质线痕因锭体内部杂质引起线弓异常导致的线痕，一般为一条或多条"弓
"形
密集线痕在硅片表面1个厘米内存在5条或
以上的线痕数量
划痕硅片表面，由外物造成的痕迹
色差由于切割过程中的异常情况，硅片表面用肉眼可判断的明显视觉差异
线痕标准
标准照片备注
≤15um
目视有颜色差异
≤15um
≤15um
≤15um
硅片肉眼可见即判定为不良
硅片表面的两种不同
颜色。