制绒段常见不良及常规解决方法
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PE色差(制绒整改)实验报告PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜的过程,所以PECVD可以看做是一个微小固体颗粒在基板上淀积的过程。
色差:以下3点是引起色差的最主要原因:1.原硅片:原硅片的切割导致制绒面不平整,原生产的硅锭本体构成不均匀,导致切割后硅片有色差存在。
2.制绒段:槽式制绒设备有自身的缺陷性。
在槽中,存在上下层温度差异,反应的浓度差异(进槽时加液存在差异,反应中槽中循环不良造成的上下层浓度的差异),这涉及到设备改造的问题。
现有工艺中反应时间很短(120S),本身制绒工艺是一个反应非常剧烈的反应,因此,之前设备的所引起的差异被加剧,造成绒面不均匀,引起色差。
3.PE段:由于气流量、舟、管的一些限制,工艺上的调整问题,引起一系列的色差。
对于以上1,3点的建议:(1)在购买原硅片要确定原硅片质量,对过期,黑心,以及其他一切不良的硅片需要有一个合理的检验标准,把好原材料关。
(2)PE段,由PE段工艺员配合负责。
以下详细对第2点进行阐述:调节绒面的均匀性由下面几项进行说明:(1)减少整体溶液的浓度,使反应的速率降低,适当的加大缓冲剂水的量,降低反应时的速度。
(2)延长反应的时间,让反应的绒面尽量处于饱和状态。
(3)原工艺和现在有工艺对比:原工艺:HNO3:HF:H20=360:70:170 制绒时间:120s-140s实验工艺:HNO3:HF:H20=260:40:150 制绒时间180s-220s原精补:HF:H2O:HNO3=0.8:0:1.0现在精补:HF:H2O:HNO3=0.6:0.05:0.9原制绒温度:8°-10°实验制绒温度:6.5°-7°(4)两个工艺制绒后各项数据对比:原工艺减重:0.35g-0.45g实验工艺减重:0.3g-0.5g 较大一点原工艺外观:有不均匀的部分,主要表现在边缘部分,无网纹实验工艺外观:基本没有不均匀部分,无网纹原工艺显微镜下绒面:大小并不均匀实验工艺显微镜下绒面;大小均匀,但是较正常绒面大一些(5)实验工艺对各段工艺的影响:A.制绒段:绒面均匀,外观块会比以前好很多,但是绒面偏大,减重比之前大一些,工艺的调试窗口比之前大很多,影响很大。
RENA制绒设备操作规程v09.10.01序言为更好地加强制绒设备生产与维修,保障设备开机效率以及设备完好状态,结合制绒使用说明书及车间使用经验,特制订编制本手册,以达到操作标准化为目的,同时为设备队伍的培训提供教材参考。
凡操作人员必须经过培训,且熟练掌握设备操作规程,方可对设备进行操作!目录一、目的二、适用范围三、主要技术性能四、结构特征五、使用前的准备六、设备的操作七、更换化学药品时的安全操作规范八、安全操作规范九、设备常见故障及简单解决方法十、操作和维护注意事项及维护表十一、常用化学药品特性及处理预案十二、安全标识一、目的:硅片在切割过程中会在表面形成大约10μm厚的损伤层,这一层因为与硅片基体的状态已经不同,基本上已经剥离于集体,会严重影响半导体器件(太阳电池)的性能。
清洗工序制绒工艺就是利用硅片的这一层损伤层,通过硝酸对其氧化制绒,形成高低不平的表面,大大增加电池片表面的受光面积,减少反射,从而提高太阳电池的转换效率。
二、适用范围:RENA Inline Texture Etching060309------CSC05(100MW车间制绒北侧设备) RENA Inline Texture Etching060308------CSC06(100MW车间制绒中部设备) RENA Inline Texture Etching060310------CSC07(100MW车间制绒南侧设备) 三、主要技术性能:1、使用环境条件a) 环境温度:0 ℃~40 ℃ b) 相对湿度:<85%、无凝露 c )周围环境:无腐蚀性气体 2、附属设施消耗电池车间 100MWp 制绒工序基础设施消耗设备名称 数量 连接功率kW 额定功率kW 纯水L/M冷却水L/M 压缩空气L/M废水排放L/M 废气排放m3/h 电压V 单台 合计 单台 合计 单台 合计 单台 合计 单台 合计 单台 合计单台 合计5道硅片清洗机 2 380五线 19.539 19.5 39 20 40 43 86 3683 7366 DN50DN40 DN20 4670 93408道硅片清洗机1 380五线32 32 32 32 30 30 43 86 5883 5883 DN50DN40 DN207140 7140四、结构特征:上图为RENA Inline Texture Etching060309设备外形Station1: 腐蚀槽 Station5:HF/HCL 润洗Station2:冲洗1槽 Station6: 冲洗3槽Station3:KOH润洗 Station7: 气刀风干Station4:冲洗2槽RENA Inline Texture Etching包括上料→HNO3及HF腐蚀→冲洗1→KOH 润洗→冲洗2→HF/HCl润洗→冲洗3→气刀风干→下料。