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Vishay Siliconix推出
Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。
器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET P沟道技术的最新器件，使用了自矫正的工艺技术，在每平方英寸的硅片上装进了1亿个晶体管。
这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的间距工艺，将目前业界最好的P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半。
SiA433EDJ具有超低的导通电阻，在4.5V、2.5V和1.8V下的导通电阻分别为18mΩ、26mΩ和65mΩ。
在4.5V和2.5V下，这些数值比最接近的竞争器件小40%和30%。
新的MOSFET也是唯一同时具有12V栅源电压和可在1.8V额定电压下导通的20V器件。
这样就可以将该器件用在由于浪涌、尖峰、噪声或过压导致的更高栅极驱动电压波动的应用，同时在采用更低输入电压的应用中提供更安全的设计。
SiA433EDJ可以用作手持设备，如手机、智能手机、PDA、MP3播放。
Vishay Siliconix推出尺寸极小的新款低压模拟开关
佚名
【期刊名称】《电子设计工程》
【年(卷),期】2011(019)014
【摘要】Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出3款新型单极双掷（SPDT）和双路的双极双掷（DPDT）CMOS低压模拟开关——DG2735A、DG2725和DG2599。
这些器件具有低工作电压和低导通电阻,采用小尺寸miniQFN封装,可在空间受限的便携式终端产品中用于音频、SIM卡和多功能信号切换。
【总页数】1页(P140-140)
【正文语种】中文
【中图分类】TN431
【相关文献】
1.Vishay推出采用业内最小芯片级MICRO FOOT封装的新款Vishay Siliconix功率MOSFET [J],
2.Vishay推出新款CMOS模拟开关和多路复用器 [J],
3.Vishay推出尺寸极小的新款低压模拟开关 [J],
4.Vishay Siliconix推出新款通过AEC-Q101认证的40VN沟道TrenchFET~功率MOSFET [J],
5.Vishay Siliconix推出新款模拟开关 [J],
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Vishay新型功率MOSFET采用反向导引TO-252 DPAK封装Vishay Intertechnology控股的Siliconix公司日前宣布推出采用反向导引TO-252 DPAK封装的新型TrenchFET功率MOSFET系列产品。
凭借反向成型的接脚，采取「SUR」封装的TrenchFET能使该产品反向黏着于PCB 上，即将散热器黏着于顶部以产生更好的散热效果。
由于功率应用产生的热量能散发到空气中而非PCB上，与采用传统接脚的DPAK功率MOSFET相较，此类功率MOSFET具有更小的有效接通电阻值以及更大的电流作业能力。
同时，更好的散热效果能消除电路板的热应力，因而提高该产品的整体可靠性。
此款SUR功率MOSFET适用于桌上型计算机的核心直流变直流转换应用，使VRM模块与PC主机板实现「超绿色」的设计。
应用该SUR功率MOSFET后，VRM模块与PC主机板可更有效地利用功率，而进一步减少所需的组件。
SUR功率MOSFET系列产品，包括20VSUR70N02-04P、30VSUR50N03-06P、SUR50N03-09P、SUR50N03-12P以及SUR50N03-16P 的接通电阻值范围为4mΩ至16mΩ，适用于直流变直流转换器的同步及控制FET。
Siliconix可提供SUR系列反向导引TrenchFET功率MOSFET样品及量产。
Intersil两款超小型抗热封装100V半桥驱动器IC开始供货Intersil公司宣布采用新型超小抗热封装的HIP2100和HIP2101高压半桥MOSFET驱动器IC现已开始供货。
新的8接脚裸露片盘(EP或E-pad)SOIC封装增强了散热效率，而4 X 4 mm双扁平无铅(DFN)封装则使其成为超小型的100V半桥MOSFET驱动器。
该产品适用于电讯和数据通讯电源、航空DC/DC转换器、双开关正向转换器和主动箝位正向转换器。
采用4 × 4mm DFN封装的产品现已开始向客户提供样品，将于近期内全面投产。
Vishay Siliconix推出新款CMOS模拟开关和多路复用器日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出4款可使用2.7V～16V单电源或±2.7V～±8V双电源工作的新器件，充实其DG92xx系列CMOS模拟开关和多路复用器。
新器件具有工作电压范围宽、小封装尺寸和兼容低电压逻辑的特点，可用于高速、高精度开关应用。
今天发布的产品包括一个双路SPDT模拟开关(DG9236)、一个8通道多路复用器(DG9251)、一个双路4通道多路复用器(DG9252)和一个三路2通道多路复用器(DG9253)。
新器件适用于触摸屏、平板电脑、数据采集、健康医疗、仪器和自动化设备。
DG9251、DG9252和DG9253的规定电压都是+16V、+5V和±5V。
这些器件兼容CMOS和GPIO控制信号，在使用+5V或±5V电源工作时控制输入可以保证1.4V逻辑高电平，使用+16V电源工作时可以保证1.65V逻辑高电平。
对于CMOS/TTL微控制器的控制信号，DG9236在使用+16V电源工作时可以保证1.8V逻辑高电平。
这三款多路复用器采用小尺寸1.8mm x 2.6mm miniQFN-16封装，DG9236模拟开关采用1.4mm x 1.8 mm miniQFN-10封装，高度为0.55mm。
器件的塑料miniQFN封装是目前业内尺寸最小的封装，与WCSP型封装尺寸相近。
在-3dB情况下，多路复用器的带宽为314MHz(DG9251)、449MHz(DG9252)和480MHz(DG9253)，在100MHz下具有-45dB(典型值)的优异隔离性能和-48dB 的串扰。
DG9236的带宽为800MHz，在10MHz下的串扰为-70dB，关断隔离为-62dB。
所有四款器件的规定工作温度范围为-40℃～+85℃。
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团近日宣布，推出全球首款60W无线电源接收器P9418，以业界领先功率密度的解决方案为智能手机、便携式电脑和笔记本设备打造更快的无线充电体验。
高度集成的P9418无线电源接收器采用瑞萨独有的WattShareTM技术，可在单个芯片中提供高达60W的功率，可使智能手机及其它各类便携式计算设备快速、便捷地进行充电。
瑞萨电子移动基础设施及物联网电源事业部无线电源部副总裁Amit Bavisi博士表示："P9418是瑞萨快速无线充电技术的最新上市产品，我们很自豪能够凭借强大、安全和可本地编程的无线电源解决方案，继续引领各类移动设备实现便捷、经济的无线充电功能。
凭借广泛、可扩展的无线电源解决方案组合，我们很高兴能够参与推动各类电池供电应用中充电体验的升级转型。
"P9418基于瑞萨独有的WattShare技术，是一款高度集成的单芯片无线功率接收器/发送器IC(TRx)，可以配置为通过磁感应来发送或接收AC电源信号。
P9418建立在已验证的P9415无线电源接收器基础之上，并为现有客户提供简便的升级路径。
全新P9418还提供大功率应用所需的先进数据测量和专有充电协议。
日前，Vicor公司近日宣布推出其首款辐射容错DC-DC转换器电源模块，该模块采用Vicor最新电镀SM-ChiP TM封装。
ChiP可从100V的标称电源为高达300瓦的低电压ASIC供电，其经过波音公司测试，不仅能够抵抗50krad电离总剂量，而且还具备抗单粒子干扰(single-event upsets)的功能。
凭借冗余架构实现对单粒子干扰(single-event upsets)免疫，将两个具有容错控制IC的相同功率模块并联，封装于高密度SM-ChiP模块中实现抗干扰功能。
先进的通信卫星要求具备高功率密度和低噪声特性。
Vicor采用金属外壳ChiP封装的软开关高频率ZCS/ZVS功率级可降低电源系统基底噪声，能够实现信号完整性和高可靠的总体系统性能。
