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晶体三极管的工作原理
晶体三极管是一种常用的电子器件，由PN结组成。
它具有放
大和开关功能，在电子设备中扮演着重要的角色。
晶体三极管的工作原理涉及到两个主要的区域：基区和发射区。
基区位于PN结中间，发射区位于PN结的一侧。
在正常工作
状态下，基区与发射区之间存在两个反向偏置，即两个PN结
的结电位均高于基位。
当施加一个适当的电压到基区时，基区与发射区之间的PN结
被击穿，导致电流流过发射区。
这个电流的大小与施加到基区的电压成正比，因此可以被用来放大电信号。
这个过程也称为晶体三极管的放大作用。
晶体三极管的开关作用也是基于PN结的反向偏置。
当基区施
加的电压小于某个阈值时，PN结不会被击穿，发射区不会导通，晶体三极管处于关闭状态。
相反，当基区施加的电压大于阈值时，PN结被击穿，产生一个连续的电流，晶体三极管处
于开启状态。
基区电压的变化使得发射区的电流随之变化，这允许晶体三极管在电子电路中进行放大或开关操作。
晶体三极管的放大倍数由PN结的性质和电路的设计决定。
总之，晶体三极管利用PN结的特性，在适当的电压和电流下，能够实现电信号的放大和开关功能。
这使得它在各种电子设备中得到广泛应用。
晶体管和三极管的区别
所谓晶体管是指用硅和锗材料做成的半导体元器件，研制人员在为这种器件命名时，想到它的电阻变换特性，于是取名为trans-resister(转换电阻)，后来缩写为transistor，中文译名就是晶体管。
严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。
因此，三极管是晶体管的一种。
在日常生活中，晶体管有时多指晶体三极管。
比如我们说的6晶体管超外差式中波收音机，实际是指6三极管超外差式中波收音机。
三极管顾名思义就是由三个极。
三极管有电子管和晶体管之分。
平常所说的三极管都是指晶体三极管，属于半导体器件。
还有一种三极管，叫做电子三极管，或者三极电子管，它是一种电子管，早已被淘汰，目前已经极少使用了，也很难在电子产品中见到它。
晶体三极管使用硅或者锗这类半导体材料制作，通过掺杂工艺产生P 型半导体和N型半导体，在P和N交接的区域形成具有单向导电性的PN结，并通过这些来制作更加简单的元件。
而电子三极管是真空器件，里面有灯丝，有阴极、阳极等等。
半导体元件诞生比电子管更晚，但半导体器件的诞生很快就取代了当时广泛应用的电子管，电子管因此消声觅迹，只在少数特别场合使用。
相比之下，晶体三极管成本更低，体积更小，寿命更长，更加抗机械冲击，效率也高，因此得
到了广泛的应用。
电子管，晶体管，三极管，场效应管，MOS以及CMOS的区别和联系
电子管：一种在气密性封闭容器中产生电流传导，利用电场对真空中的电子流的作用以获得信号放大或振
荡的电子器件，常用于早期电子产品中。
晶体管（transistor）：一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。
晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常
之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
电子管与晶体管代表了电子元器件发展过程中的两个阶段：电子管——晶体管——集成电路。
电子管可分为电子二极管，电子三极管等，晶体管也分为半导体二极管，半导体三极管等。
三极管：半导体三极管的简称，是一种电流控制型半导体器件，由多子和少子同时参与导电，也称双极型
晶体管（BJT）或晶体三极管。
场效应管(FET)：Field Effect Transistor，一种电压控制型半导体器件，由多数载流子参与导电,也称为单极
型晶体管。
MOS：场效应管的一种。
CMOS：互补金属氧化物半导体，是一种类似MOS管设计结构的多MOS结构组成的电路，是一种由无数
电子元件组成的储存介质。
场效应晶体管与三极管基础知识根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3 个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件概念:场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点:具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.场效应管的作用1、场效应管可应用于放大。
由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
场效应管的测试1、结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。
将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。
当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D 和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。
对于有 4 个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
2、判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。
若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N 沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。
源极与漏极间的电阻约为几千欧。
注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。
因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。
场效应晶体管与晶体三极管
场效应晶体管与晶体三极管是现代电子元器件中最为常见的两
种晶体管。
场效应晶体管由于其具有高输入电阻、低噪声、低功耗等优点，被广泛应用于信号放大、开关和数字电路等领域。
晶体三极管则因其具有高电流放大倍数、大功率、高可靠性等特点，被广泛应用于功率放大、开关和稳压等领域。
场效应晶体管和晶体三极管都是半导体电子器件，其原理和结构有所不同。
场效应晶体管是一种基于场效应原理的晶体管，它由栅、源、漏三个电极组成，其中栅极用来控制源漏之间的电流，根据栅极电压的不同，可将其分为N型和P型场效应晶体管。
晶体三极管是一种基于PN结原理的晶体管，由发射极、基极、集电极三个电极组成。
其中，发射极和集电极之间的区域构成PN结，基极用来控制PN结区域的电流，根据基极控制PN结电流的方向和大小，可将其分为NPN型和PNP型晶体三极管。
总体来说，场效应晶体管和晶体三极管在电路设计中各有其应用的优势和限制，需要根据具体应用场景进行选择和优化设计。
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晶体管和三极管
三极管和场效应管统称为晶体管，三极管是晶体管的一种，二极管也是晶体管，这一点是根据其实质来说的。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件。
其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作无触点开关。
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。
它具有结构牢固、寿命长、体积小、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。
第二章晶体三极管和场效应晶体管一、是非题（1）为使晶体管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。
（）（2）无论是哪种晶体三极管，当处于放大状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。
（）（3）晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以e极和c极可以互换使用。
（）（4）晶体三极管的穿透电流I CEO的大小不随温度而变化。
（）（5）晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。
（）（6）对于NPN三极管，当V BE>0，V BE>V CE，则该管的工作状态是饱和状态。
（）（7）已知某三极管的射极电流I E=1.36mA，集电极电流I C=1.33mA，则基极电流I B=30微安。
（）（8）某晶体三极管的射极电流I B=10微安时，I C=0.44mA；当I B=20微安时，I C=0.89mA 则它的电流放大系数β=45。
（）（9）可以用两个二极管连接成一个三极管。
（）（10）晶体三极管具有电压放大作用。
（）二、填空题1、晶体三极管的三个电极分别称为、、。
三极管在放大电路中，PNP管电位最高的一极是，NPN管电位最高的一极是。
此时，三极管发射结为偏置，集电结为偏置。
晶体三极管工作在饱和区和截止区时，具有特性，可应用于脉冲数字电路中。
2、测得工作在放大电路中的晶体管的两个电极在无交流信号输入时的电流大小及方向如图2-1所示，则另一电极的电流大小为，该管属于管（PNP NPN）。
0.1mA4mA-++ 10K20K1V图2-13、工作在放大区的某三极管，基极电流从20μA增大到40μA，集电极电流从1mA变为2mA，则该三极管的电流放大倍数为。
4、当晶体三极管工作在饱和状态时，其特点是集电结处于偏置，发射结处于偏置。
当工作在放大状态时,其特点是集电结处于偏置，发射结于偏置。
当工作在截止状态时,其特点是集电结处于偏置，发射结于偏置。
5、在基本放大电路的三种接法中，没有电压放大作用，但有电流放大作用的接法是。
6、设晶体三极管的管压降U CE不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，这时β= ；若基极电流增加到25μA时，集电极电流增加到2.6mA，则β= 。
7、在工程应用中，常通过实测电路板上三极管三个引脚对地的电压来判断三极管的工作状态，若测得三极管的集电极对地电压接近于电源电压Vcc，则表明三极管处于状态。
8、测得某正常线性放大电路中，晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，可判断出分别为三极管的_______极、_________极、________极。
9、晶体三极管中有两个PN结，其中一个PN结叫做；另一个叫做。
10、晶体三极管I E、I B、I C之间的关系式是。
I C/I B的比值叫，ΔI C/ΔI B的比值叫。
11、硅晶体三极管的饱和压降约为V，锗晶体三极管的饱和压降约为V。
12、硅晶体三极管发射结的导通电压（门坎电压）约为V，锗晶体三极管发射结的导通电压约为V。
13、NPN型晶体三极管的发射区是型半导体，集电区是型半导体，基区是型半导体。
14、若晶体三极管集电极输出电流I C=9mA，该管的电流放大系数为β=50，则其输入电流I B= mA。
15、晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管，所以热稳定性三极管好。
16、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而。
17、某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位VC=VG，则该放大器的三极管处于工作状态三、选择题1、用直流表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位分别为8V、2.7V、3V，则（）A、1为C 2为E 3为BB、1为C 2为B 3为EC、1为E 2为C 3为BD、1为B 2为C 3为E2、三极管各极对公共端电位如图3-1所示，则处于放大状态的硅三极管是（）图3-13、工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压U BE和集电结电压U BC应为（）A．U BE＞0，U BC＜0 B．U BE＞0，U BC＞0C．U BE＜0，U BC＜0 D．U BE＜0，U BC＞04、某晶体三极管，测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于（）A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、无法确定5、 3DG6C NPN晶体管的极限参数为Pcm=100mW，Icm=20mA，V(BR)CEO=20V，在下列几种情况下，能正常工作的是（）Ａ、Ｖce=8V,Ic=15mA B、Ｖce=２０V,Ic=６mAＣ、Ｖce=10V,Ic=８mA Ｄ、Ｖce=３V,Ic=２5mA6、有人在检修电视机电路板时，用直流电压表测得放大电路中某晶体管三个电极1、2、3的电位分别为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，请你代他判断此晶体管三个极的名称。
（）A、1脚为c，2脚为b，3脚为cB、1脚为b，2脚为e，3脚为cC、1脚为b，2脚为c，3脚为eD、1脚为e，2脚为c，3脚为b7、工作在放大区的某三极管，基极电流从20μA，增大到40μA，集电极电流从1mA 变为2mA，则它的电流放大倍数为（）A、10B、50C、20D、1008、某维修人员在修理过程中，需要更换一只三极管，手头有一只3DG6D NPN型的晶体三极管，它的技术参数如下：P cM=100毫瓦，I cM=20毫安，U BR（CEO）=30伏，如果他将此三极管装接在I C=15毫安，U CE=20伏的电路中，则该管（）A、工作正常B、被击穿C、功耗过大造成过热甚至烧坏D、已知条件不够，无法确定9、在检修电子线路时，用万用表测得三极管任意二极间的电阻均为无穷小，说明该管（）A、二个PN结均击穿B、发射结击穿，集电结正常C、二个PN结均开路D、此三极管处于饱和状态10、已知某晶体三极管的B VCEO=25V，I CM=125mA，P CM=125mw，在下列条件中允许使用的是（）A．I C=50mA，U CE=25V B．I C=20mA，U CE=15VC．I C=10mA，U CE=12V D．I C=30mA，U CE=10V11、在基本放大电路的三种接法中，没有电压放大作用，但有电流放大作用的是（）A．共集电极接法B．共基极接法C．共发射极接法12、测得某电路中几个三极管的各极电位如图3-2所示，试判断（）管处于正常放大状态。
图3-213、用如图3-3所示的电路测试晶体三极管时，当合上开关S1、S2后，电压表的读数为1.5伏。
毫安表没有指示，则可能是下面原因中的哪一种？（）A、电极内部开路；B、发射极内部开路；C．C、E极间已击穿； D、发射结已击穿；图3-314、晶体三极管工作在饱和状态时，它的IC将（）。
A．随IB增大而增大 B．与IB无关，只决定于RE和VG C．B.随IB增大而减少15、用万用表测得NPN型晶体三极管各电极对地的电位是：VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V，则该晶体三极管的工作状态是（）。
A．饱和状态 B．放大状态 C．截止状态16、NPN型三极管放大器中，若三极管的基极与发射极短路，则（）A．三极管集电结将正偏 B．三极管处截止状态 C．三极管将深度饱和17、若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏，则当基极电流减小时，使该三极管（）A．集电极电流减小B．集电极与发射极间的电压VCE上升 C．集电极电流要增大18、在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是（）A．NPN型管的发射极 B．PNP型管的发射极 C．PNP型管的集电极18、晶体三极管的发射结正遍，集电结反遍时，则晶体三极管所处的状态是（）。
A．放大状态 B．截止状态 C．饱和状态19、晶体三极管的两个PN结都反遍时，则晶体三极管所处的状态是（）。
A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态20、当晶体三极管反偏时，则晶体三极管的集电极电流将（）。
A．增大 B．中断 C．反向21、晶体三极管工作在饱和状态时，它的IC将（）。
A．随IB增大而增大B．与IB无关，只决定于RE和VG C．B.随IB增大而减少22、用万用表测得NPN型晶体三极管各电极对地的电位是：VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V，则该晶体三极管的工作状态是（）。
A．饱和状态B．截止状态C．放大状态23、若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管（）A．集电极电流减小B．集电极与发射极间的电压VCE上升C．集电极电流要增大24、在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是（）A．NPN型管的发射极B．PNP型管的发射极C．PNP型管的集电极四、实验题1、在晶体三极管放大电路中，测得三极管三个脚的电位如图所示，请判断三极管所用的材料、管型和2脚的名称。
2、在研究三极管各极电流的情况与它们之间关系的实验中，调节集电极偏置电阻Rb可以改B（1）三极管各极电流之间的关系：。
（2）三极管具有电流放大作用，其直流电流放大倍数为。
其交流电流放大倍数为。
（3）当I B有一微小的变化时，就能引起Ic较大的变化，这种现象称为三极管的放大作用。
