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主要内容1. 场效应管的结构、符号与工作原理2. 场效应管的工作状态和特性曲线3. 场效应管的基本特性4. 场效应管的电路模型5-4场效应晶体管场效应晶体管概述场效应管，简称FET(Field Effect Transistor)，主要特点：(a)输入电阻高，可达107~1015 。
(b)起导电作用的是多数（一种）载流子，又称为单极型晶体管。
(c)体积小、重量轻、耗电省。
(d)噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单。
(e)在大规模集成电路制造中得到了广泛的应用。
场效应管按结构可分为：结型场效应管（JFET ）和绝缘栅型场效应管(MOSFET )；按工作原理可分为增强型和耗尽型。
场效应管的类型N 沟道P 沟道增强型耗尽型N 沟道P 沟道N 沟道P 沟道（耗尽型）FET场效应管JFET 结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)场效应管的电路符号MOSFET 符号增强型耗尽型GS D SG D P 沟道G S DN 沟道GS D U GS =0时，没有漏极电流，U GS =0时，有漏极电流，U GS 高电平导通U GS 低电平导通需要加负的夹断电压U GS(off)才能关闭，高于夹断电压U GS(off)则导通而只在U GS >0时，能导通，低于开启电压U GS(th)截止5-4-1 场效应管结构、符号与工作原理1.场效应管基本结构图5-2-22沟道绝缘栅型场效应管的基本结构与电路符号图N 沟道绝缘栅型场效应管的基本结构与电路符号沟道绝缘栅型场效应管的基本结构与电路符号场效应管与三极管的三个电极的对应关系：栅极g--基极b 源极s--发射极e 漏极d--集电极c 夹在两个PN结中间的区域称为导电沟道（简称沟道）。
=0时是否存在导电沟道是增强型和耗尽型的基本区别。
22例5-10在Multisim 中用IV 分析仪测试理想绝缘栅型场效应管如图5-4-3所示，改变V GS ，观察电压V DS 与i D 之间的关系。
垂直传输场效应晶体管垂直传输场效应晶体管（Vertical Transport Field-Effect Transistor，VT-FET）是一种新型的晶体管结构，其工作原理是利用电场作用在垂直方向上传输电子，具有高速、高密度、低功耗等优异特性，是未来半导体器件领域的重要发展方向之一。
一、VT-FET的基本结构VT-FET主要由三个部分组成：源区、漏区和栅极。
源区和漏区在一侧或两侧，由高掺杂的P或N型半导体材料构成。
栅极从上方垂直地贴在源区和漏区之间，由金属或半导体材料制成。
栅极下方垂直穿过源区和漏区，形成了垂直电场通道。
二、VT-FET的工作原理在工作过程中，当给栅极施加正电压时，栅极下方形成了N型区域，形成了势垒。
当施加反向电压时，栅极下方是P型区域，形成空穴势垒。
栅极下方的空穴和电子会在势垒的作用下汇聚，形成垂直电场通道。
当源极给电压VDS时，空间中的电荷被拉入源极和漏极之间，如此大的电压差驱动通道内部的电子，在通道中形成了电流。
电流从源电极流向漏电极，因空间受限而形成垂直的电流。
三、VT-FET的优势1.高速：由于VT-FET的电子传输是在垂直方向上实现的，电子速度快，通道内部不会出现盲道等不良作用，因此具有很高的频率响应。
2.高密度：由于通道宽度较窄，可以将大量的器件装配在同一个芯片上，实现高度的集成。
3.低功耗：VT-FET在设计时可以采用较低的电压和电流，从而实现低功耗的运行。
总之，VT-FET是一种新型的晶体管结构，其具有高速、高密度、低功耗等优秀特性，将在未来的半导体器件领域中扮演重要的角色。
mosfet管工作原理MOSFET管是一种常用的晶体管，其工作原理基于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的特性。
MOSFET管以其高速度、低功耗和可靠性等优点，在现代电子器件中得到广泛应用。
本文将从MOSFET 管的结构、工作原理和特性等方面进行详细介绍。
一、MOSFET管的结构MOSFET管的结构主要由源极、漏极、栅极和绝缘层组成。
其中，源极和漏极是两个注入材料的区域，栅极则是一层金属或者多晶硅的薄膜。
绝缘层主要是由氧化硅构成，起到隔离栅极和半导体材料的作用。
二、MOSFET管的工作原理MOSFET管的工作原理基于栅极电压的变化来控制漏极和源极之间的电流。
当栅极电压为零时，绝缘层会阻止电流的流动，此时MOSFET 处于截止状态。
当栅极电压增加，绝缘层会形成一个电场，使得漏极和源极之间形成一个导电通道，电流开始流动，MOSFET处于放大状态。
当栅极电压继续增加，电流也会增加，MOSFET处于饱和状态。
通过调节栅极电压，可以精确地控制MOSFET的导通和截止，从而实现对电流的精确控制。
三、MOSFET管的特性1. 高输入阻抗：MOSFET管的绝缘层能有效地隔离栅极和半导体材料，使得栅极输入电阻非常高，从而减小了对输入信号的负载效应。
2. 低输出阻抗：MOSFET管的漏极和源极之间形成的导电通道具有低阻抗特性，能够输出较大的电流。
3. 高速度：由于MOSFET管的结构简单，电流的流动速度快，因此其响应速度较快。
4. 低功耗：MOSFET管在截止状态时，几乎没有功耗，只有在放大状态时才会有一定的功耗。
5. 可靠性高：MOSFET管的结构简单，且由于绝缘层的存在，能够有效地防止电路短路和漏电现象，提高了器件的可靠性。
四、MOSFET管的应用由于MOSFET管具有高速度、低功耗和可靠性高等特点，因此在现代电子器件中得到了广泛应用。
例如，在数字集成电路中，MOSFET管常用于构建逻辑门电路和存储器单元；在模拟集成电路中，MOSFET 管则用于构建放大器和开关电路等。
MOS晶体管也称为场效应晶体管（FET），它是集成电路中的绝缘FET。
MOS的全名是金属氧化物半导体。
具体地，该名称描述了集成电路中的MOS晶体管的结构，即，将二氧化硅和金属添加到某个半导体器件中以形成栅极。
可以切换MOS晶体管的源极和漏极，这两个都是在p型背栅中形成的n型区域。
1. MOS晶体管的工作原理MOS晶体管也称为场效应晶体管（FET），它是集成电路中的绝缘FET。
MOS的全名是金属氧化物半导体。
具体地，该名称描述了集成电路中的MOS晶体管的结构，即，将二氧化硅和金属添加到某个半导体器件中以形成栅极。
可以切换MOS晶体管的源极和漏极，这两个都是在p型背栅中形成的n型区域。
在大多数情况下，两个区域是相同的。
即使两端进行了切换，设备的性能也不会受到影响。
MOS晶体管2. MOS晶体管的工作原理-MOS晶体管的结构特性MOS晶体管的内部结构如下图所示；导通时，只有一个极性载流子（多载流子）参与导通，这是一个单极晶体管。
传导机制与低功率MOSFET的传导机制相同，但结构差异很大。
低功率MOSFET是横向导电器件。
大多数功率MOSFET采用垂直导电结构，也称为VMOSFET，可大大提高MOSFET的耐压和电流电阻。
它的主要特点是在金属栅与通道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻。
当管打开时，在两个高浓度n扩散区域中形成n型导电通道。
n沟道增强型MOS晶体管必须在栅极上施加正向偏置电压，只有当栅极源极电压大于阈值电压时，才能通过导通沟道来生成n沟道MOS晶体管。
N沟道耗尽型MOSFET是指具有导通沟道而无栅极电压（栅极源极电压为零）的n沟道MOS晶体管。
3. MOS晶体管的工作原理-MOS晶体管的特性3.1mos晶体管的输入输出特性对于具有公共源极连接的电路，源极和基板通过二氧化硅绝缘层隔离，因此栅极电流为0。
当VGSMOS晶体管的特性关于3.2mos晶体管的特性作为开关元件，MOS晶体管还处于截止或导通两种状态。
