如何用万用表测试单向可控硅
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万用表检查判断可控硅的好坏及极性方法可控硅极性和好坏可以用指针万用表或数字万用表进行推断,下面电工学习网我分别介绍这两种万用表在可控硅极性和好坏测量过程中的使用方法。
1、使用指针万用表检查可控硅极性和好坏方法依据PN结原理,可控硅三个极之间的电阻值,可用欧姆挡“R×10”或“R×100”挡测量来判别好坏。
可控硅的掌握极G与阴极K之间是一个PN结,在正常状况下,它的正向电阻在几十欧到几百欧之间,一般反向电阻比正向电阻要大。
有时测得掌握极反向电阻较小,不肯定说明掌握极特性差,主要应看其是否符合PN结的特点。
2、使用数字万用表检查可控硅极性和好坏方法推断可控硅的电极数字万用表拨至二极管挡,红表笔接某一电极,黑表笔分别接触另外两个电极。
假如其中有一次显示电压为零点几伏,则此时红表笔接的是掌握极G,黑表笔接的是阴极K,余下的则是阳极A。
假如两次都显示溢出,说明红表笔接的不是掌握极,需更换电极重测。
测试可控硅的触发力量数字万用表拨至PNP挡,此时hFE插口上的两个E孔带正电,C孔带负电,电压为2.8V。
可控硅的三个电极各用一根导线引出,阳极A、阴极K引线分别插人E孔和C孔,掌握极G悬空。
此时可控硅关断,阳极电流为零,将显示000。
把掌握极G插人另一个E孔。
显示值将从000开头快速增加,直到显示溢出符号后,马上又变成000,然后再次从000变到溢出,这样周而复始。
采纳此法可确定可控硅的触发是否牢靠。
但这样的测试由于电流较大,应尽量缩短测试时间。
必要时也可在可控硅的阳极上串一只几百欧的爱护电阻。
假如使用NPN挡,可控硅阳极A应接C孔,阴极K接E孔,以保证所加的是正向电压。
检查触发力量时,掌握极不要插人B孔,因B 孔的电压较低,可控硅无法导通。
单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法可控硅的检测1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑笔接的引脚为控制极G,红笔接的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。
此时万用表指针应不动。
用短接线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。
如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。
2.双向可控硅的检测用万用表电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。
若一组为数十欧姆时,该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。
确定A、G极后,再仔细测量A1、G极间正反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。
将黑表笔接已确定了的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。
再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约为10欧姆左右。
随后断开A2、G极短接线,万用表读数应保持10欧姆左右。
互换红黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1。
同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。
用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负向的触发电压,A1、A2间阻值也是10欧姆左右。
随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持10欧姆左右。
符合以上规律,说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅管是地,需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池,以提高触发电压。
双向可控硅(TRIAC)在控制交流电源控制领域的运用非常广泛,如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角,从而达到控制供电电流的大小[1]。
怎样用万用表测量可控硅的好坏单向可控硅和双向可控硅两种,都是三个电极。
单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。
双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。
即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T2极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极(G)。
1、可控硅测量方法_单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是A、K或G、A 极(对单向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G极(对双向可控硅)。
若其中有一次测量指示为几十至几百欧,则必为单向可控硅。
且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极。
若正、反向测批示均为几十至几百欧,则必为双向可控硅。
再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测,其中必有一次阻值稍大,则稍大的一次红笔接的为G极,黑笔所接为T1极,余下是T2极。
2、可控硅测量方法_性能的差别:将旋钮拨至R×1挡,对于1~6A单向可控硅,红笔接K极,黑笔同时接通G、A极,在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极,指针应指示几十欧至一百欧,此时可控硅已被触发,且触发电压低(或触发电流小)。
瞬时断开A极再接通,指针应退回∞位置,则表明可控硅良好。
对于1~6A双向可控硅,红笔接T1极,黑笔同时接G、T2极,在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极,指针应指示为几十至一百多欧(视可控硅电流大小、厂家不同而异)。
然后将两笔对调,重复上述步骤测一次,指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧,则表明可控硅良好,且触发电压(或电流)小。
若保持接通A极或T2极时断开G极,指针立即退回∞位置,则说明可控硅触发电流太大或损坏。
可按图2方法进一步测量,对于单向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K灯仍不熄灭,否则说明可控硅损坏。
对于双向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K,灯应不熄灭。
然后将电池反接,重复上述步骤,均应是同一结果,才说明是好的。
万用表万用表由表头、测量电路及转换开关等三个主要部分组成。
万用表是电子测试领域最基本的工具,也是一种使用广泛的测试仪器。
万用表又叫多用表、三用表(A,V,Ω也即电流,电压,电阻三用)、复用表、万能表,万用表分为指针式万用表和数字万用表,还有一种带示波器功能的示波万用表,是一种多功能、多量程的测量仪表。
单向可控硅的检测万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。
此时万用表指针应不动。
用短线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。
如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。
双向可控硅的检测用万用表电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。
若一组为数十欧姆时,该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。
确定A1、G极后,再仔细测量A1、G极间正、反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。
将黑表笔接已确定的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针不应发生偏转,阻值为无穷大。
再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约10欧姆左右。
随后断开A2、G间短接线,万用表读数应保持10 欧姆左右。
互换红、黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1。
同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。
用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负的触发电压,A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。
随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持在10欧姆左右。
符合以上规律,说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
用万用表测试可控硅小功率可控硅,由于所需的触发电流较小,故可以只用万用表来测试。
一、单向可控硅的测试1.极性的判别用万用表的R×100欧姆档,分别测量各管脚间的正反向电阻。
如果测得其中两管脚的电阻较大(约为80KΩ),而对换表笔再测这两个管脚的电阻值又较小(约为2KΩ),这时,黑表笔所接的一极为控制极G,红表笔所接的一极为阴极K,余者为阳极A。
2.质量的判别用万用表的R×10欧姆档,黑表笔接A极,红表笔接K极。
用黑表笔在保持和A极相接的情况下和G极接触,这样就给G极加上一触发电压。
这时由万用表可以看到,可控硅的阻值明显变小,说明可控硅可能由于触发而处于通态。
仍保持黑表笔和A极相接,断开和G极的接触,如果可控硅仍处于通态,则说明可控硅是好的,否则,一般是可控硅损坏。
二、可控硅的测试由于双向可控硅相当于两个单向可控硅的反极性并联而成,又G极靠近T1极,由于工艺方面的原因,G极和T1极间的正向电阻都很小,一般为100Ω左右。
另外,双向可控硅具有四种触发状态,只要满足任何一种触发状态,双向可控硅便可触发导通。
极性的判别:用万用表的R×1K或R×100欧姆档,分别测量各管脚间的正反向电阻,如果测得其中两管脚的电阻很小(约为100Ω左右),即为T1极和G极,余者为T2极。
T1极和G极的区分:任选其中一极为T1,将万用表调至R×1欧姆档,不用分表笔的正负,分别将两表笔接至T2极和T1极(假设)。
用和T2相接的表笔在保持和T2相接的情况下,和G(假设)相接。
这时会看到可控硅阻值明显变小,说明双向可控硅可能因触发而导通,再大保持该表笔和T2相接的情况下和G极(假设)断开,如果双向可控硅仍处于通态,则对换两表笔,重复上述步骤,如果仍能使可控硅处于通态,则假设是正确的。
否则假设是错误的。
这样就应该对换假设的两极再重复上述的步骤。
可控硅的阴极与阳极和触发极检测详细介绍不同可控硅的检测方式介绍(一)单向可控硅的检测1.判别各电极根据普通可控硅的结构可知,其门极G与阴极K极之间为一个PN结,具有单向导电特性,而阳极A与门极之间有两个反极性串联的PN结。
因此,通过用万用表R×100A或R×1k档测量普通可控硅各引脚之间的电阻值,即能确定三个电极。
具体方法是:将万用表黑表笔任接可控硅某一极,红表笔依次去触碰另外两个电极。
若测量结果有一次阻值为几千欧姆(kΩ),而另一次阻值为几百欧姆(Ω),则可判定黑表笔接的是门极G。
在阻值为几百欧姆的测量中,红表笔接的是阴极K,而在阻值为几千欧姆的那次测量中,红表笔接的是阳极A,若两次测出的阻值均很大,则说明黑表笔接的不是门极G,应用同样方法改测其它电极,直到找出三个电极为止。
也可以测任两脚之间的正、反向电阻,若正、反向电阻均接近无穷大,则两极即为阳极A和阴极K,而另一脚即为门极G。
普通可控硅也可以根据其封装形式来判断出各电极。
例如:螺栓形普通可控硅的螺栓一端为阳极A,较细的引线端为门极G,较粗的引线端为阴极K。
平板形普通可控硅的引出线端为门极G,平面端为阳极A,另一端为阴极K。
金属壳封装(TO–3)的普通可控硅,其外壳为阳极A。
塑封(TO–220)的普通可控硅的中间引脚为阳极A,且多与自带散热片相连。
图8-15为几种普通可控硅的引脚排列。
2.判断其好坏用万用表R×1k档测量普通可控硅阳极A与阴极K之间的正、反向电阻,正常时均应为无穷大(∞)若测得A、K之间的正、反向电阻值为零或阻值较小,则说明可控硅内部击穿短路或漏电。
测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值,正常时应有类似二极管的正、反向电阻值(实际测量结果较普通二极管的正、反向电阻值小一些),即正向电阻值较小(小于2 kΩ),反向电阻值较大(大于80 k Ω)。
若两次测量的电阻值均很大或均很小,则说明该可控硅G、K极之间开路或短路。
用数字万用表测可控硅的好坏用数字万用表测可控硅的好坏一、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分,有的可从外形封装加以判别,如外壳就为阳极,阴极引线比控制极引线长。
从外形无法判断的可控硅,可用万用表R×100或R×1K 挡,测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻,当万用表指示低阻值(几百欧至几千欧的范围)时,黑表笔所接的是控制极G,红表笔所接的是阴极C,余下的一只管脚为阳极A。
二、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。
第一是三个PN结应完好;第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断,不导通;第三是当控制极开路时,阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通;第四是给控制极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把控制极电流去掉,仍处于导通状态。
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对前三个方面的好坏进行判断。
具体方法是:用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。
电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。
如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了。
用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻,正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。
用R×1k或R×100挡,测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右,如出现正向阻值接近于零值或为无穷大,表明控制极与阴极之间的PN 结已经损坏。
反向阻值应很大,但不能为无穷大。
正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。
万用表选电阻R×1挡,将黑表笔接阳极,红表笔仍接阴极,此时万用表指针应不动。
红表笔接阴极不动,黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。
如阳极接黑表笔,阴极接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。
教你快速判别出可控硅的不同几个极由于可控硅也涉及到三极管的问题,因此很多设计者在初期都无法准确掌握可控硅当中极的判别。
实际上对于这一问题只要采用万用表就可以顺利解决。
在本文中小编就将为大家介绍使用万用表来快速判别可控硅三个极的方法。
单、双向可控硅的判别先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G极(对双向可控硅)。
若其中有一次测量指示为几十至几百欧,则必为单向可控硅。
且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极。
若正、反向测批示均为几十至几百欧,则必为双向可控硅。
再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测,其中必有一次阻值稍大,则稍大的一次红笔接的为G极,黑笔所接为T1极,余下是T2极。
快速鉴别可控硅三个极也就是引脚的方法很简单,根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。
控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。
可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。
另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明该元件已损坏。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种,都是三个电极。
单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。
双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。
即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T2极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极(G)。
可控硅万用表测量方法
一。
可控硅这玩意儿,在电路里可重要啦!要想搞清楚它好不好使,万用表就派上大用场了。
1.1 先来说说测量阳极和阴极之间的正反向电阻。
这一步就像给可控硅来个“全身检查”。
把万用表调到电阻档,红表笔接阳极,黑表笔接阴极。
正常情况下,正向电阻应该比较小,反向电阻那得是大大的。
要是正反电阻都很小或者都很大,那这可控硅多半是有问题咯。
1.2 接下来测控制极和阴极之间的电阻。
还是电阻档,这时候红表笔接控制极,黑表笔接阴极。
一般来说,电阻值应该在几十到几百欧姆之间。
要是电阻值特别小或者特别大,那可能就有毛病啦。
二。
测量完电阻,咱们再看看怎么测导通情况。
2.1 把万用表打到导通档,先短接一下表笔,让表归零。
然后红表笔接阳极,黑表笔接阴极,这时候可控硅应该是不通的。
2.2 接下来,用一根导线把阳极和控制极短接一下。
这时候如果万用表响了,那就说明可控硅导通啦,是好的。
2.3 还有一招,就是给可控硅加上正向电压,然后用万用表测量电压。
如果电压正常,那可控硅也没啥问题。
三。
最后再啰嗦几句。
3.1 测量的时候,手可别抖,要稳稳地拿着表笔,不然测出来的数据可不准。
3.2 要是对测量结果拿不准,多测几次,千万别嫌麻烦。
测量可控硅得细心、耐心,这样才能把问题找出来,让电路顺顺利利地工作。
记住这些方法,以后碰到可控硅的测量,就不会抓瞎啦!。
单向可控硅检测方法嘿,咱今儿个就来聊聊单向可控硅检测方法。
这单向可控硅啊,就像是电路里的一个小精灵,要是它出了啥问题,那可就麻烦啦!检测单向可控硅,首先咱得有个万用表吧。
把万用表打到电阻档,就可以开始和这个小精灵打交道啦。
先用表笔去测它的阳极和阴极,这时候电阻应该是无穷大。
你想想看,要是电阻不大,那岂不是乱套啦!就好像门没关好,啥都能随便进进出出一样。
然后呢,再用表笔去触碰控制极和阴极。
嘿,这时候你会发现电阻一下子变小了。
哇塞,这就像是打开了一道神奇的门,让电流可以顺畅地通过啦。
不过,这还没完呢!接下来咱还得检测它的触发能力。
把单向可控硅接入电路中,给阳极加上正向电压,再给控制极一个合适的触发信号。
要是这时候单向可控硅能正常导通,那就说明它的触发能力没问题呀。
你说这单向可控硅检测是不是挺有意思的?就跟咱平时检查东西一样,得仔细,得认真。
要是稍微马虎一点,说不定就放过了一个小毛病,那以后可就有大麻烦啦!咱再想想啊,要是没有这些检测方法,那电器出了问题都不知道咋回事,那不就抓瞎啦?所以说啊,学会这些检测方法,就像是有了一把万能钥匙,能打开电路故障的大门呢!检测单向可控硅,就像是医生给病人看病一样。
医生得通过各种检查来判断病人的病情,咱也得通过这些方法来判断单向可控硅是不是健康的呀。
你说是不是这个理儿?而且哦,这检测的时候可不能着急,得一步一步慢慢来。
就像走楼梯一样,得一阶一阶地走,不然可容易摔跟头呢!咱生活中好多电器都离不开单向可控硅呢,电视、电脑、空调……要是它出了问题,那这些电器可就没法好好工作啦。
所以啊,学会检测它,那可真是太重要啦!你可别小看这些检测方法,虽然看起来简单,但是作用可大着呢!就像一把小小的钥匙,能打开大大的锁一样。
好啦,关于单向可控硅检测方法就说到这儿啦。
希望大家都能掌握这些方法,让咱的电器都能好好工作,给咱的生活带来便利呀!。
如何用万用表测试单向可控硅
2008-05-10 02:45
可控硅又叫晶体闸流管,在强电和弱电领域都有极为广泛的应用。
其中在弱电领域中应用的可控硅功率比较小,外形像三极管,是电子爱好者常遇到的元件之一。
正确测试可控硅是电子爱好者必须具备的基本技能。
如何来测试可控硅呢?
由于万用表是电子爱好者必配工具,这里介绍如何用万用表来测试单向可控硅。
单向可控硅的测试包括两个方面:一是极性的判定;二是触发特性的测试。
一、可控硅极性的判定
单向可控硅是由三个PN结的半导体材料构成,其基本结构、符号及等效电路如图1所示。
可控硅有三个电极:阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。
从等效电路上看,阳极(A)与控制极(G)之间是两个反极性串联的PN结,控制极(G)与阴极(K)之间是一个PN结。
根据PN结的单向导电特性,将指针式万用表选择适当的电阻档,测试极间正反向电阻(相同两极,将表笔交换测出的两个电阻值),对于正常的可控硅,G、K之间的正反向电阻相差很大;G、K分别与A之间的正反向电阻相差很小,其阻值都很大。
这种测试结果是唯一的,根据这种唯一性就可判定出可控硅的极性。
用万用表R×1K档测量可控硅极间的正反向电阻,选出正反向电阻相差很大的两个极,其中在所测阻值较小的那次测量中,黑表笔所接为控制极(G),红表笔所接的为阴极(K),剩下的一极就为阳极(A)。
通过判定可控硅的极性同时也可定性判定出可控硅的好坏。
如果在测试中任何两极间的正反向电阻都相差很小,其阻值都很大,说明G、K之间存在开路故障;如果有两极间的正反向电阻都很小,并且趋近于零,则可控硅内部存在极间短路故障。
二、单向可控硅触发特性测试
单向可控硅与二极管的相同之处在于都具有单向导电性,不同之处是可控硅的导通还要受控制极电压控制。
也就是说使可控硅导通必须具备两个条件:阳极(A)与阴极(K)之间应加正向电压,控制极(G)与阴极(K)之间也应加正向电压。
当可控硅导通以后,控制极就失去作用。
单向可控硅的导通过程可用图2所示的等效电路来说明:PNP管的发射极相当可控硅的阳极(A),NPN管的发射极相当可控硅的阴极(K),PNP管的集电极与NPN管的基极相联后相当于可控硅的控制极(G)。
当在A、K之间加上允许的正向电压时,两只管子均不导通,此时当在G、K之间加上正向电压便形成控制电流流入V2的基极,如此循环直至两管完全导通。
当导通后,即使
Ig=O,由于V2有基极电流,且远大于Ig,因此两管仍然导通。
要使导通的可控硅截止,必须把A、K正向电压降低到一定值,或反向,或断开。
根据可控硅的导电特性,可用万用表的电阻档进行测试。
对小功率可控硅可按图3(a)所示联接电路,在可控硅A、G之间联接一只轻触开关(以便于操作),用万用表的R×1Ω档,
黑表笔接A极,红表笔接K,此时给可控硅加上一正向电压(通过万用表内附的干电池),万用表的指针不动,可控硅不导通,当按下开关,A、G接通,在G、K之间加上触发电压,可控硅才导通,万用表的指针偏转,指向一个较小的值;当G、A断开后,失去了控制电压,如果万用表的指针位置不变,可控硅仍处于导通状态,说明该可控硅的触发特性良好,
如果G、A断开后,万用表指针随即偏转,指向∞。
即可控硅不导通,则说明该可控硅的触发特性不好,或已损坏。
对功率较大的可控硅,由于导通电压降较大,维持电流难以维持,引起导通状态欠佳,此时应在可控硅的阳极(A)上串接一节干电池,如图3(b)所示电路进行测试,以免引起误判。
对于大功率可控硅应在图3(b)的电路上再串上一节干电池,使测试效果明显。
一般来说在测试10A以下的单向可控硅用图3(a)所示联接电路;10A一100A的可控硅用图3(b)所示联接电路,测试100A以上的单向可控硅应在图3(b)上再串一节干电池。
在测试单向可控硅的基础上,对其它类型的可控硅,根据其基本结构,也可用万用表对其进行测试。
襄
中频电源 (2008/04/27 23:10)
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摘要:一、散热器与元件的安装
元件的冷却方式有加装散热器自然冷却,风冷和水冷等方式,为了使元件充分地发挥其额定性能并加强使用中的可靠性,除必须科学地选择散热器外还需正确地安装。
只有正确地安装散热器才能保证其与元件芯片间的热阻Rj-hs满足数据表中的要求。
在元件与散热器的安装时,应注意以下事项:
1.散热器的台面必须与元件台面尺寸相匹配,防止压扁、压歪损坏器件...
中频炉 (2008/04/27 22:45)
标签:产品
摘要:中频电炉成套范围
中频电炉成套范围主要包括如下几个部分:
1、电源及电气部分:电源设备包括高压或低压开关柜、中频电源(中频发电机组或可控硅变频器)、电源转换开关、补偿电容器以及中频控制柜(炉前配电操作台)等,大型中频炉的电气部分还包括坩埚漏炉报警系统。
2、炉体部分:中、小型中频炉均配两台炉体。
一台生产使用,另一台备用。
炉体包括炉盖、感应器、坩埚、炉体支架等。
3、传动装置:...
可控硅原理 (2008/04/27 22:38)
标签:产品
摘要:可控硅工作原理(ZT)
一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称可控硅T。
又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。
在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称“死硅”)更为可贵的可控性。
它只有导通和关断两种...
可控硅(晶闸管) (2008/04/27 22:32)
标签:产品
摘要:
参数名称
表述意义
B2
单相桥
B6
三相桥
di/dt
通态电流临界上升率
dv/dt
断态电压临界上升率
fm
工作频率
I2t
电流平方时间积Id
直流输出电流IDRM
断态重复峰值电流IF(AV)
正向平均电流IFM
正向输出电流
IF(RMS)
正向电...。