可控硅BTA12 600B的好坏测量怎么测

万用表检查判断可控硅的好坏及极性方法可控硅极性和好坏可以用指针万用表或数字万用表进行推断，下面电工学习网我分别介绍这两种万用表在可控硅极性和好坏测量过程中的使用方法。

1、使用指针万用表检查可控硅极性和好坏方法依据PN结原理，可控硅三个极之间的电阻值，可用欧姆挡“R×10”或“R×100”挡测量来判别好坏。

可控硅的掌握极G与阴极K之间是一个PN结，在正常状况下，它的正向电阻在几十欧到几百欧之间，一般反向电阻比正向电阻要大。

有时测得掌握极反向电阻较小，不肯定说明掌握极特性差，主要应看其是否符合PN结的特点。

2、使用数字万用表检查可控硅极性和好坏方法推断可控硅的电极数字万用表拨至二极管挡，红表笔接某一电极，黑表笔分别接触另外两个电极。

假如其中有一次显示电压为零点几伏，则此时红表笔接的是掌握极G，黑表笔接的是阴极K，余下的则是阳极A。

假如两次都显示溢出，说明红表笔接的不是掌握极，需更换电极重测。

测试可控硅的触发力量数字万用表拨至PNP挡，此时hFE插口上的两个E孔带正电，C孔带负电，电压为2.8V。

可控硅的三个电极各用一根导线引出，阳极A、阴极K引线分别插人E孔和C孔，掌握极G悬空。

此时可控硅关断，阳极电流为零，将显示000。

把掌握极G插人另一个E孔。

显示值将从000开头快速增加，直到显示溢出符号后，马上又变成000，然后再次从000变到溢出，这样周而复始。

采纳此法可确定可控硅的触发是否牢靠。

但这样的测试由于电流较大，应尽量缩短测试时间。

必要时也可在可控硅的阳极上串一只几百欧的爱护电阻。

假如使用NPN挡，可控硅阳极A应接C孔，阴极K接E孔，以保证所加的是正向电压。

检查触发力量时，掌握极不要插人B孔，因B 孔的电压较低，可控硅无法导通。

怎样用万用表测量可控硅的好坏可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。

单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。

双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。

即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。

1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。

若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。

且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。

若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。

再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。

2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。

然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。

对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。

然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。

若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。

对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。

对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。

然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。

否则说明该器件已损坏。

怎样用万用表测量可控硅的好坏可控硅检测方法与经验可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。

它能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。

1. 可控硅的特性可控硅分单向可控硅、双向可控硅。

单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。

双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。

只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。

此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。

单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。

只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。

单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K 间有重新加上正向触发电压方可导通。

单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。

双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。

此时A1、A2间压降也约为1V。

双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。

只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。

2. 单向可控硅的检测万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。

此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。

可控硅的测量方法
可控硅（也称为晶闸管）是一种常见的电子器件，广泛应用于电力电子控制和调节领域。

为了确保可控硅的正常工作，需要准确测量其关键参数。

下面将介绍几种可控硅的测量方法。

1. 电流测量：可控硅的最重要参数之一是最大额定电流。

为了测量可控硅的电流，可以使用电流表或电流传感器。

通过将电流表或电流传感器与可控硅并联，可以直接测量通过可控硅的电流。

2. 电压测量：另一个重要参数是最大额定电压。

为了测量可控硅的电压，可以使用电压表或电压传感器。

通过将电压表或电压传感器与可控硅串联，可以直接测量可控硅的电压。

3. 触发电流测量：可控硅的触发电流是指使其从关断状态转换为导通状态所需的最小电流。

为了测量可控硅的触发电流，可以使用特定的触发电流测量电路。

该电路通过向可控硅施加一个小电流，并测量通过可控硅的电流来确定触发电流的大小。

4. 触发电压测量：可控硅的触发电压是指使其从关断状态转换为导通状态所需的最小电压。

为了测量可控硅的触发电压，可以使用触发电压测量电路。

该电路通过向可控硅施加一个小电流，并测量通过可控硅的电压来确定触发电压的大小。

5. 温度测量：可控硅在工作过程中会产生一定的发热量，因此温度测量是必要的。

可以使用温度传感器来测量可控硅的温度。

将温度传感器与可控硅连接，并通过读取传感器输出来确定可控硅的温度。

上述方法是常用的可控硅测量方法，可以帮助工程师评估可控硅的性能和健康状态。

通过准确测量可控硅的参数，可以确保其在电力电子应用中的可靠性和稳定性。

单向晶闸管(可控硅)管脚极性及好坏检测方法单向晶闸管(可控硅)管脚极性及好坏检测方法单向晶闸管的检测(1)判别各电极：根据普通晶闸管的结构可知，其门极G与阴极K极之间为一个PN结，具有单向导电特性，而阳极A与门极之间有两个反极性串联的PN结。

因此，通过用万用表的R×100或R×1 k Q档测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值，即能确定三个电极。

具体方法是：将万用表黑表笔任接晶闸管某一极，红表笔依次去触碰另外两个电极。

若测量结果有一次阻值为几千欧姆(kΩ)，而另一次阻值为几百欧姆(Ω)，则可判定黑表笔接的是门极G。

在阻值为几百欧姆的测量中，红表笔接的是阴极K，而在阻值为几千欧姆的那次测量中，红表笔接的是阳极A，若两次测出的阻值均很大，则说明黑表笔接的不是门极G，应用同样方法改测其他电极，直到找出三个电极为止。

也可以测任两脚之间的正、反向电阻，若正、反向电阻均接近无穷大，则两极即为阳极A和阴极K，而另一脚即为门极G。

普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极。

例如：螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为阴极K。

平板形普通晶闸管的引出线端为门极G，平面端为阳极A，另一端为阴极K。

金属壳封装(T0—3)的普通晶闸管，其外壳为阳极A。

塑封(T0—220)的普通晶闸管的中间引脚为阳极A，且多与自带散热片相连。

图1为几种普通晶闸管的引脚排列。

(2)判断其好坏：用万用表R×1 kΩ档测量普通晶闸管阳极A与阴极K之间的正、反向电阻，正常时均应为无穷大(∞)；若测得A、K之间的正、反向电阻值为零或阻值均较小，则说明晶闸管内部击穿短路或漏电。

测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时应有类似二极管的正、反向电阻值(实际测量结果要较普通二极管的正、反向电阻值小一些)，即正向电阻值较小(小于2 kΩ)，反向电阻值较大(大于80 kΩ)。

若两次测量的电阻值均很大或均很小，则说明该晶闸管G、K 极之间开路或短路。

一、怎样判断可控硅的好坏普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。

通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。

1．极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。

两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。

在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。

2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。

硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。

正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。

正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。

若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。

若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。

3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。

其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。

也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。

如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。

4.中、小功率三极管的检测A 已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏(a) 测量极间电阻。

可控硅好坏如何测量 Pleasure Group Office【T985AB-B866SYT-B182C-BS682T-STT18】一、可控硅的特性可控硅分单向可控硅、双向可控硅。

单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。

双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。

只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。

此时A、K间呈低阻导通状态，阳极 A与阴极K间压降约1V。

单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。

只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。

单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G 和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。

单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。

双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极 A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。

此时A1、A2间压降也约为1V。

双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。

只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。

二、可控硅的管脚判别晶闸管管脚的判别可用下述方法：先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。

再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。

三、单向可控硅的检测万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。

如何判断可控硅的好坏鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。

阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。

控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。

可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。

另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。

若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。

单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。

双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。

即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。

1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。

若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。

且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。

若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。

再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。

2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。

可控硅万用表测量方法
一。

可控硅这玩意儿，在电路里可重要啦！要想搞清楚它好不好使，万用表就派上大用场了。

1.1 先来说说测量阳极和阴极之间的正反向电阻。

这一步就像给可控硅来个“全身检查”。

把万用表调到电阻档，红表笔接阳极，黑表笔接阴极。

正常情况下，正向电阻应该比较小，反向电阻那得是大大的。

要是正反电阻都很小或者都很大，那这可控硅多半是有问题咯。

1.2 接下来测控制极和阴极之间的电阻。

还是电阻档，这时候红表笔接控制极，黑表笔接阴极。

一般来说，电阻值应该在几十到几百欧姆之间。

要是电阻值特别小或者特别大，那可能就有毛病啦。

二。

测量完电阻，咱们再看看怎么测导通情况。

2.1 把万用表打到导通档，先短接一下表笔，让表归零。

然后红表笔接阳极，黑表笔接阴极，这时候可控硅应该是不通的。

2.2 接下来，用一根导线把阳极和控制极短接一下。

这时候如果万用表响了，那就说明可控硅导通啦，是好的。

2.3 还有一招，就是给可控硅加上正向电压，然后用万用表测量电压。

如果电压正常，那可控硅也没啥问题。

三。

最后再啰嗦几句。

3.1 测量的时候，手可别抖，要稳稳地拿着表笔，不然测出来的数据可不准。

3.2 要是对测量结果拿不准，多测几次，千万别嫌麻烦。

测量可控硅得细心、耐心，这样才能把问题找出来，让电路顺顺利利地工作。

记住这些方法，以后碰到可控硅的测量，就不会抓瞎啦！。

可控硅的检测方法可控硅（SCR）的检测方法可以根据不同的应用场景和目标参数进行选择和设计。

下面我将介绍几种常见的可控硅检测方法。

1. 直流参数检测：可控硅通常应用于直流应用中，因此直流参数的检测是一种常见的方法。

直流参数检测主要包括静态特性和动态特性两方面。

静态特性检测主要包括元件的电压电流特性和阻抗特性。

可以通过连接合适的电压源和电流源，分别测量可控硅的电压和电流特性，并根据测量结果绘制出特性曲线。

阻抗特性可以通过测量电压和电流的相位差来得到。

动态特性检测主要包括可控硅的关断时间和导通时间等参数的测量。

可以通过输入一个方波信号来观察可控硅的导通和关断的时间，从而得到可控硅的动态特性。

2. 交流参数检测：有些应用场景下，可控硅用于控制交流电路中的功率。

这时候可以采用交流参数检测的方法来测试可控硅的性能。

交流参数检测主要包括可控硅的整流效率、导通角和关断角等参数的测量。

可以采用有源功率因数表等仪器，通过测量可控硅工作时的功率和电流，计算得到可控硅的整流效率。

导通角和关断角可以通过在可控硅上施加一个交流电压，然后测量可控硅导通和关断的时间来获得。

3. 温度检测：可控硅通常工作在高功率环境下，因此温度的检测非常重要。

过高的温度可能导致可控硅的性能下降或损坏。

温度检测可以采用非接触式温度传感器或接触式温度传感器。

非接触式温度传感器可以通过红外线或激光等方式测量可控硅的表面温度。

接触式温度传感器可以通过与可控硅直接接触来测量温度。

4. 故障检测：可控硅的故障检测主要包括断线、短路和漏电等问题的检测。

断线和短路的检测可以通过测量可控硅的电阻来得到。

电阻值过大或过小都可能意味着有问题。

漏电的检测可以通过测量输入和输出之间的电压差来得到。

如果有电压差存在，则说明可能存在漏电问题。

总结起来，可控硅的检测方法主要包括直流参数检测、交流参数检测、温度检测和故障检测等。

根据不同的应用场景和目标参数，可以选择适合的检测方法来评估可控硅的性能和可靠性。

可控硅好坏简易判断方法可控硅是一种具有开关功能的半导体器件，广泛应用于电子电路中。

它的好坏直接影响到电路的性能和稳定性。

那么，如何判断可控硅的好坏呢？本文将介绍一些简易的判断方法。

我们可以通过外观来初步判断可控硅的好坏。

正常的可控硅外观应该无明显的损坏、变形或烧焦现象。

若外观存在明显的损坏，如裂缝、破损等，很可能已经失效，需要更换。

可以使用万用表来测试可控硅的导通性。

首先，将万用表的测试笔分别连接到可控硅的控制极和主极上，然后将测试笔的选择档位调到电阻档位。

如果万用表显示的电阻值为无穷大，即开路状态，那么可控硅很可能已经损坏。

而如果显示的电阻值接近于零，即短路状态，也说明可控硅存在问题。

可以通过观察可控硅的发热情况来初步判断其好坏。

正常工作的可控硅在通电过程中会有一定的发热现象，但不应过热。

如果可控硅在工作过程中过热，可能是由于负载过大、环境温度过高或可控硅本身存在问题等原因。

这时需要进行进一步检查和调试。

可以通过可控硅的正常工作状态来判断其好坏。

可控硅在正常工作时应能够准确地控制电路的导通与断开。

可以通过输入控制信号来观察可控硅的工作情况。

如果可控硅无法正常地开启或关闭，或者控制信号无法准确地控制可控硅的导通与断开，很可能是可控硅出现了问题。

可以使用专业的测试设备来进一步判断可控硅的好坏。

例如，使用特定的测试仪器可以对可控硅进行静态和动态特性测试，来检测其各项参数是否符合规格要求。

这种方法需要一定的专业知识和设备，适用于对可控硅的详细评估和性能分析。

通过外观检查、导通性测试、发热情况观察、工作状态检查以及专业测试等方法，我们可以初步判断可控硅的好坏。

当然，对于一些特殊场合和要求更高的应用，可能需要更加专业的检测手段和设备，以确保可控硅的性能和可靠性。

因此，在实际应用中，我们应根据具体情况选择合适的方法和工具来判断可控硅的好坏，以保证电路的正常运行和稳定性。

四个方法帮你轻松判断可控硅质量好坏可控硅作为一种在电路设计中最经常用到的基础元件，其质量的优劣直接关系到整个系统的运行安全，因此需要工程师在进行设计之前便对可控硅的性能质量进行判断。

本文将会介绍四个判断可控硅质量优劣的方法，一起来看看这四个方法都有哪些吧。

判断一个可控硅元件是否完好，工程师需要从四个方面进行检查，首先是判断该元件的三个PN结应完好，其次是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断不导通，第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通，第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉后仍处于导通状态。

满足以上四个条件的可控硅元件，才是符合设计使用要求的。

想要看一个可控硅元件是否符合以上要求，其实非常简单，只需要用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。

具体的操作方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。

电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。

如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。

接下来需要检测的是控制极与阴极之间的PN结是否损坏。

我们可以用万用表的R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上，若电阻值很小表明可控硅击穿短路。

用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。

反向阻值应很大，但不能为无穷大。

正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。

如果想要判断可控硅是否已经被击穿损坏，工程师可以使用万用表选电阻R×1挡，然后将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。

红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。

可控硅好坏简易判断方法可控硅（SCR）是一种半导体器件，广泛应用于电力电子领域。

它具有可控性和放大性能，可以实现电流的控制和放大。

那么如何判断一个可控硅的好坏呢？本文将从以下几个方面进行简单介绍。

一个好的可控硅应具有稳定的电特性。

在正向导通和反向截止两种状态下，电流和电压的关系应符合规定的特性曲线。

通过测试可控硅的伏安特性曲线，可以判断其工作状态是否正常。

如果曲线偏离理想情况，说明可控硅存在问题。

可控硅的触发特性也是判断其好坏的重要指标。

触发电压和触发电流是影响可控硅正常工作的重要参数。

触发电压是指在正向电压作用下，可控硅从截止状态转变为导通状态所需的电压。

触发电流是指在正向电流作用下，可控硅从截止状态转变为导通状态所需的电流。

这两个参数应符合设备规格书中的要求。

可控硅的耐压能力也是判断其好坏的重要指标。

耐压能力是指可控硅能够承受的最大反向电压。

如果可控硅在正常工作电压下出现击穿或损坏，说明其耐压能力不足，不能满足实际应用需求。

可控硅的温度特性也需要考虑。

温度对可控硅的导通特性和触发特性有一定影响。

正常工作温度范围内，可控硅应能够保持稳定的电特性。

因此，对可控硅进行温度特性测试，可以判断其是否能在不同温度条件下正常工作。

可控硅的寿命也是判断其好坏的重要指标。

寿命是指可控硅在一定条件下能够保持正常工作的时间。

通过对可控硅进行寿命测试，可以判断其使用寿命是否符合要求。

可控硅的封装和焊接质量也需要考虑。

封装质量直接影响可控硅的散热性能和耐温能力。

焊接质量影响可控硅与其他元器件的连接可靠性。

因此，在选择可控硅时，需要注意其封装和焊接质量是否符合要求。

判断一个可控硅的好坏可以从电特性、触发特性、耐压能力、温度特性、寿命以及封装和焊接质量等方面进行综合评估。

只有在这些方面都符合要求的情况下，才能认定可控硅是好的。

当然，对于不同的应用场景，对可控硅的要求也会有所不同。

因此，在实际应用中，还需要根据具体需求来选择合适的可控硅。

可控硅bta12600b的好坏测量怎么测
可控硅BTA12600B的好坏测量怎么测
可控硅检测法
用万用表即可判断双向可控硅的好坏，但具体参数
测不出来。

用万用表测量的方法如下。

T2极的确定：用万用表R*1档或R*100档，分别测
量各管脚的反向电阻，其中若测得两管脚的正反向
电阻都很小（约100欧姆左右），即为T1和G极，
而剩下的一脚为T2极。

T1和G极的区分：将这两极其中任意一极假设为T1
极而另一极假设为G极，万用表设置为R*1档，用
两表笔（不分正负极）分别接触已确定的T2极和假
设的T1极，并将接触T1的表笔同时接触假设的G
极，在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设
的G极，万用表仍显示导通状态。

将表笔对换，用
同样的方法进行测量，如果万用表仍然显示同样的
结果，那么所假设的T1极和G极是正确的。

如果在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表显示断开状态，说明假设的T1和G 极相反了，从新假设再进行测量，结果一定正确。

如果测量不出上述结果，说明该双向可控硅是坏的。

这种方法虽然不能测出具体参数，但判断是否可用还是可行的。

可控硅的检测方法
可控硅（或称为双向可控硅、双向晶闸管）是一种电子元件，用于控制交流电流的流动。

为了确保可控硅的正常工作和可靠性，常需要进行以下几种常用的检测方法：
1. 静态电压检测：使用数字万用表或示波器测量可控硅上的正向和反向电压，以确保其在正常工作范围内。

正向电压通常应小于可控硅的额定电压。

2. 静态电流检测：使用数字电流表或示波器检测可控硅的正向和反向电流，以确保其在正常工作范围内。

正向电流应小于可控硅的额定电流。

3. 触发电流检测：通过施加一个正向触发电流来测试可控硅是否能正常触发。

触发电流应小于可控硅的额定触发电流。

4. 动态特性检测：使用示波器观察可控硅在不同触发角和负载条件下的电压和电流波形，以确定其动态响应和工作状态。

5. 温度测试：通过红外测温仪或接触式温度计测量可控硅的温度，以确保其不会过热并影响性能。

这些检测方法可以帮助判断可控硅的工作状态和健康程度，以便于及时进行维修或更换。

然而，在进行任何检测之前，应确保在实验室、车间或其他适当的环境
条件下进行，以避免可能的危险或损坏。

如何测量可控硅模块的好坏双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。

其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。

1.双向可控硅的检测方法一：测量极间电阻法。

将万用表置于皮R×1k档，如果测得T2－T1、T2－G之间的正反向电阻接近∞，而万用表置于R×10档测得T1－G之间的正反向电阻在几十欧姆时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之，若测得T2－T1，、T2－G之间的正反向电阻较小甚或等于零．而Tl－G之间的正反向电阻很小或接近于零时．就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。

不能使用；如果测得T1－G之间的正反向电阻很大(接近∞)时，说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏，也不能使用。

方法二：检查触发导通能力。

万用表置于R×10档：①如图,1(a)所示，用黑表笔接主电极T2，红表笔接T1，即给T2加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的，如图1(b)所示，改黑表笔接主电极T1，红表笔接T2，即给T1加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果结果同上，也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。

测试到止说明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向(在不同极性的触发电压证）均能触发导通。

图1判断双向可控硅的触发导通能力方法三：检查触发导通能力。

如图2所示．取一只10uF左右的电解电容器，将万用表置于R×10k档(V电压)，对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线，即利用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于R×10档，照图2(b)连接好后进行测试。

测试时，电容C的极性可任意连接，同样是碰触一下后离开，观察表头指针偏转情况，如果测试结果与“方法二’相同，就证明双向可控硅是好的。

可控硅测量方法可控硅简介可控硅分单向可控硅、双向可控硅。

单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。

双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。

当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。

此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。

单向可控硅导通后，控制极G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。

只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。

单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间重新加上正向触发电压方可导通。

单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。

双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。

此时A1、A2间压降也约为1V。

双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。

只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。

1、单、双向可控硅的判别先任测两个极正、反向电阻，若正、反测量指针均不动（R×1Ω挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅），也可能是A2、A1或A2、G极（对双向可控硅）。

若其中有一组正向测量指示为几十至几百欧，反向测量指针不动，则必为单向可控硅。

且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。

若其中有一组正、反向测量指示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。

再将旋钮拨至R×1Ω或R×10Ω挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为A1极，余下是A2极。