(整理)用万用表检测双向可控硅

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法可控硅的检测1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。

此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。

此时万用表指针应不动。

用短接线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。

如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。

2.双向可控硅的检测用万用表电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。

若一组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。

确定A、G极后，再仔细测量A1、G极间正反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。

将黑表笔接已确定了的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。

再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约为10欧姆左右。

随后断开A2、G极短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。

互换红黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。

同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。

用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负向的触发电压，A1、A2间阻值也是10欧姆左右。

随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持10欧姆左右。

符合以上规律，说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。

检测较大功率可控硅管是地，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。

双向可控硅（TRIAC）在控制交流电源控制领域的运用非常广泛，如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角，从而达到控制供电电流的大小[1]。

双向可控硅检测用万用表即可判断双向可控硅的好坏，但具体参数测不出来。

用万用表测量的方法如下。

T2极的确定:用万用表R*1档或R*100档，分别测量各管脚的反向电阻，其中若测得两管脚的正反向电阻都很小(约100欧姆左右)，即为T1和G极，而剩下的一脚为T2极。

T1和G极的区分:将这两极其中任意一极假设为T1极而另一极假设为G极，万用表设置为R*1档，用两表笔(不分正负极)分别接触已确定的T2极和假设的T1极，并将接触T1的表笔同时接触假设的G极，在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表仍显示导通状态。

将表笔对换，用同样的方法进行测量，如果万用表仍然显示同样的结果，那么所假设的T1极和G极是正确的。

如果在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表显示断开状态，说明假设的T1和G极相反了，从新假设再进行测量，结果一定正确。

如果测量不出上述结果，说明该双向可控硅是坏的。

这种方法虽然不能测出具体参数，但判断是否可用还是可行的。

双向触发二极管是与双向晶闸管同时问世的，常用来触发双向晶闸管。

双向触发二极管的结构、符号、等效电路及伏安特性如图1所示。

它是三层、对称性质的二端半导体器件，等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN晶体管。

其正、反向伏安特性完全对称。

当器件两端的电压小于正向转折电Ubo时，呈高阻态;当 U>Ubo 时进入负阻区。

同样，当|U|超过反向转折电压|Ubr| 时，管子也能进入负阻区。

转折电压的对称性用?Ub表示Ub=Ubo-|Ubr|一般要求 ?Ub<2U。

双向触发二极管的耐压值 Ubo 大致分三个等级:20——60V，100——150 V，200——250 V 。

在实际应用中，除根据电路的要求选取适当的转折电压 Ubo 外，还应选择转折电流 Ibo 小、转折电压偏差?Ub小的双向触发二极管。

双向触发二极管除用来触发双向晶闸管外，还常用在过压保护、定时、移相等电路，图2就是由双向触发二极管和双向晶闸管组成的过压保护电路。

双向可控硅好坏检测方法双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。

其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。

1.双向可控硅的检测方法一：测量极间电阻法。

将万用表置于皮R×1k档，如果测得T2－T1、T2－G之间的正反向电阻接近∞，而万用表置于R×10档测得T1－G之间的正反向电阻在几十欧姆时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之，若测得T2－T1，、T2－G之间的正反向电阻较小甚或等于零．而Tl－G之间的正反向电阻很小或接近于零时．就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。

不能使用；如果测得T1－G之间的正反向电阻很大(接近∞)时，说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏，也不能使用。

方法二：检查触发导通能力。

万用表置于R×10档：①如图,1(a)所示，用黑表笔接主电极T2，红表笔接T1，即给T2加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的，如图1(b)所示，改黑表笔接主电极T1，红表笔接T2，即给T1加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果结果同上，也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。

测试到止说明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向(在不同极性的触发电压证）均能触发导通。

图1判断双向可控硅的触发导通能力方法三：检查触发导通能力。

如图2所示．取一只10uF左右的电解电容器，将万用表置于R×10k档(V电压)，对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线，即利用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于R×10档，照图2(b)连接好后进行测试。

测试时，电容C的极性可任意连接，同样是碰触一下后离开，观察表头指针偏转情况，如果测试结果与“方法二’相同，就证明双向可控硅是好的。

双向晶闸管除了一个电极G仍然叫控制极外，另外两个电极通常不再叫阳极和阴极，而统称为主电极T1和T2。

双向晶闸管是一种N-P-N-P-N型5层结构的半导体，其符号和内部结构图见图1-1。

用万用表区分双向晶闸管电极的方法是：首先找出主电极T2。

将万用表置于R×100挡，用黑表笔接双向晶闸管的任一个电极，红表笔分别接双向晶闸管的另外两个电极，如果表针不动，说明黑表笔接的就是主电极T2。

否则就要把黑表笔再调换到另一个电极上，按上述方法进行测量，直到找出主电极T2。

T2确定后再按下述方法找出T1和G极。

由图1-1可见T1与G是由两个PN结反向并联的，因设计需要和结构的原因，T1与G之间的电阻值，依然存在正反向的差别。

用万用表R×10或R×1挡测T1和G之间的正、反向电阻，如一次是22Ω左右，一次是24Ω左右，则在电阻较小的一次（正向。

用万用表测试可控硅小功率可控硅，由于所需的触发电流较小，故可以只用万用表来测试。

一、单向可控硅的测试１．极性的判别用万用表的Ｒ×１００欧姆档，分别测量各管脚间的正反向电阻。

如果测得其中两管脚的电阻较大（约为８０ＫΩ），而对换表笔再测这两个管脚的电阻值又较小（约为２ＫΩ），这时，黑表笔所接的一极为控制极Ｇ，红表笔所接的一极为阴极Ｋ，余者为阳极Ａ。

２．质量的判别用万用表的Ｒ×１０欧姆档，黑表笔接Ａ极，红表笔接Ｋ极。

用黑表笔在保持和Ａ极相接的情况下和Ｇ极接触，这样就给Ｇ极加上一触发电压。

这时由万用表可以看到，可控硅的阻值明显变小，说明可控硅可能由于触发而处于通态。

仍保持黑表笔和Ａ极相接，断开和Ｇ极的接触，如果可控硅仍处于通态，则说明可控硅是好的，否则，一般是可控硅损坏。

二、可控硅的测试由于双向可控硅相当于两个单向可控硅的反极性并联而成，又Ｇ极靠近Ｔ１极，由于工艺方面的原因，Ｇ极和Ｔ１极间的正向电阻都很小，一般为１００Ω左右。

另外，双向可控硅具有四种触发状态，只要满足任何一种触发状态，双向可控硅便可触发导通。

极性的判别：用万用表的Ｒ×１Ｋ或Ｒ×１００欧姆档，分别测量各管脚间的正反向电阻，如果测得其中两管脚的电阻很小（约为１００Ω左右），即为Ｔ１极和Ｇ极，余者为Ｔ２极。

Ｔ１极和Ｇ极的区分：任选其中一极为Ｔ１，将万用表调至Ｒ×１欧姆档，不用分表笔的正负，分别将两表笔接至Ｔ２极和Ｔ１极（假设）。

用和Ｔ２相接的表笔在保持和Ｔ２相接的情况下，和Ｇ（假设）相接。

这时会看到可控硅阻值明显变小，说明双向可控硅可能因触发而导通，再大保持该表笔和Ｔ２相接的情况下和Ｇ极（假设）断开，如果双向可控硅仍处于通态，则对换两表笔，重复上述步骤，如果仍能使可控硅处于通态，则假设是正确的。

否则假设是错误的。

这样就应该对换假设的两极再重复上述的步骤。

可控硅的测试方法标准化管理处编码[BBX968T-XBB8968-NNJ668-MM9N]
可控硅的测试方法
双向可控硅的极性判断方法：T1（A1）为第一阳极，T2（A2）为第二阳极，G为控制极。

测试结果为：T2与其他2个脚均不导通，通常T2极和可控硅背部的散热片是导通的，其余的两个引脚则为T1极与G极，用指针万用表的R×1或R×10档测量这两个引脚；在正反测量阻值较小的那次中，红表笔接的为可控硅G极，黑表笔接的为T1极。

将黑表笔接T2极，红表笔接T1极，此时万用表指针应该不发生偏转，阻值为无穷大，再用短接线将T2极与G极瞬间短接，这样做的目的是给G极加上正向触发电压，T1(A1)、T2(A2)两极之间阻值由无穷大变为导通，随后断开T2极与G极之间的短接线，万用表指针仍然停留在原来偏转位置，即撤掉可控硅的触发电压后，可控硅仍然维持导通。

然后互换表笔接线，红表笔接T2极，黑表笔接T1极，同样的读数为无穷大，此时将T2极与G极瞬间短接，T1极与T2极之间的阻值将一样会维持导通，（除非T1与T2断开）
单向可控硅的三个引脚分别是阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）
用指针式万用表电阻档R×1或R×10档，找出正反电阻有差别的两极，这时候测得电阻阻值读数较小的那次中，黑表笔接的为该单向可控硅的控制极（G）极，红表笔接的为阴极（K）极，另外的一个脚即为阳极（A）极。

（如果三个脚之间的电阻值都很小，几乎接近0欧姆，那么这只管子已击穿损坏），如果阳极（A）接黑表笔，阴极（K）接红表笔，万用表指针产生偏转的话，同样的这只管子已损坏。

∙ 1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。

此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。

此时万用表指针应不动。

用短接线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。

如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。

2.双向可控硅的检测用万用表电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。

若一组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。

确定A、G极后，再仔细测量A1、G极间正反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。

将黑表笔接已确定了的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。

再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约为10欧姆左右。

随后断开A2、G极短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。

互换红黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。

同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。

用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负向的触发电压，A1、A2间阻值也是10欧姆左右。

随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持10欧姆左右。

符合以上规律，说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。

检测较大功率可控硅管是地，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。

双向可控硅的设计及应用分析∙引言1958年，从美国通用电气公司研制成功第一个工业用可控硅开始，电能的变换和控制从旋转的变流机组、静止的离子变流器进入以电力半导体器件组成的变流器时代。

可控硅万用表测量方法
一。

可控硅这玩意儿，在电路里可重要啦！要想搞清楚它好不好使，万用表就派上大用场了。

1.1 先来说说测量阳极和阴极之间的正反向电阻。

这一步就像给可控硅来个“全身检查”。

把万用表调到电阻档，红表笔接阳极，黑表笔接阴极。

正常情况下，正向电阻应该比较小，反向电阻那得是大大的。

要是正反电阻都很小或者都很大，那这可控硅多半是有问题咯。

1.2 接下来测控制极和阴极之间的电阻。

还是电阻档，这时候红表笔接控制极，黑表笔接阴极。

一般来说，电阻值应该在几十到几百欧姆之间。

要是电阻值特别小或者特别大，那可能就有毛病啦。

二。

测量完电阻，咱们再看看怎么测导通情况。

2.1 把万用表打到导通档，先短接一下表笔，让表归零。

然后红表笔接阳极，黑表笔接阴极，这时候可控硅应该是不通的。

2.2 接下来，用一根导线把阳极和控制极短接一下。

这时候如果万用表响了，那就说明可控硅导通啦，是好的。

2.3 还有一招，就是给可控硅加上正向电压，然后用万用表测量电压。

如果电压正常，那可控硅也没啥问题。

三。

最后再啰嗦几句。

3.1 测量的时候，手可别抖，要稳稳地拿着表笔，不然测出来的数据可不准。

3.2 要是对测量结果拿不准，多测几次，千万别嫌麻烦。

测量可控硅得细心、耐心，这样才能把问题找出来，让电路顺顺利利地工作。

记住这些方法，以后碰到可控硅的测量，就不会抓瞎啦！。

用数字万用表测可控硅的好坏、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。

从外形无法判断的可控硅，可用万用表R X100或R X1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G,红表笔所接的是阴极C,余下的一只管脚为阳极A。

二、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。

第一是三个PN 结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。

用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。

具体方法是：用R X k或R X0k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。

电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。

如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了用RX1k或R X IOk挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。

用R X1k 或R X1OO 挡，测控制极和阴极之间的PN 结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN 结已经损坏。

反向阻值应很大，但不能为无穷大。

正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。

万用表选电阻R X1 挡，将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。

红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为1O 欧姆左右。

如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。

四、可控硅的使用注意事项选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。

双向可控硅测试方法双向可控硅是双向交流开关，可以在最高600V 电压下控制高达25A rms电流的负载。

它们用于电机速度、加热器和白炽灯的控制。

逻辑型双向可控硅对微控制器驱动器件尤有吸引力。

微控制器输出端口可以直接驱动一只双向可控硅，因为可控硅的触发电流只有3~10mA。

与所有电子器件一样，双向可控硅也存在一些内部问题，在将其用于某个设计以前可以检测这些问题。

图1，双向可控硅测试仪用一只开关转换测试信号的极性。

图1是一个简单而成本低廉的测试设备，它可测试Littelfuse公司的L2004F31、L2004F61、L2004L1和L4004V6TP双向可控硅，也可以用于测试任何其它的引线式双向可控硅，因为所有标准封装（包括TO-220AB、TO-202AB、TO-251和Ipak）都有相同的管脚布局。

用一个IC插座可以便于插入待测双向可控硅。

这种方法也适用于SMD（表面贴装器件），前提是能找到或创建一个合适的测试插槽。

极性开关S1是一只DPDT（双刀双掷）器件，用于检查双向的导通性。

切换开关S2是瞬时SPST（单刀单掷）按键器件，通过电阻R2连接栅极（Pin 3）与MT2（Pin 2），以触发待测的双向可控硅（图1）。

表1，双向可控硅的测试测试过程只花不到5s，包含4个步骤（表1）。

LED向测试操作者显示每个步骤的结果。

如果所有四步测试均获通过，则双向可控硅合格。

在制造期间要再做一次双向可控硅测试，以保证装配板没有问题，双向可控硅工作正常。

这一测试可节约时间与人工，避免整件产品装配完后才发现问题。

做此测试时双向可控硅已焊在电路板上。

使用的电源电压为标称120/220V AC。

测试应对DUT有最小影响，并使用最少的时间与工作量。

测试中用双向可控硅测试仪代替一个负载。

从测试仪到DUT的连接可以有变化，而且要确保在连接120/220V AC时采取一些安全措施。

图2，对于阻性负载，测试仪用两只LED指示两个方向的成功与失败。